一種一體化射頻功率源的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種一體化射頻功率源，包括冷卻風(fēng)道、電子管、內(nèi)腔體、耦合板、同軸連接器、電容板、隔直電容和外殼；冷卻風(fēng)道位于內(nèi)腔體的右側(cè)，電子管位于內(nèi)腔體的內(nèi)部正中間，耦合板位于內(nèi)腔體左側(cè)下方，耦合板的上端與同軸連接器的一端相連，下端與外殼相連，同軸連接器的另一端與外殼連接并暴露于外殼外部，電容板位于內(nèi)腔體外側(cè)上方，電容板的上端與外殼相連，隔直電容位于電子管和內(nèi)腔體之間并與電子管和內(nèi)腔體均相連。本實(shí)用新型解決干燥物料轉(zhuǎn)換效率低的問題，本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)大功率射頻能量的產(chǎn)生,提高物質(zhì)烘干的速率,提高微波能的利用效率，降低能耗,使用范圍廣泛。
【專利說明】_種_體化射頻功率源

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子儀器領(lǐng)域，尤其涉及一體化射頻功率源。

【背景技術(shù)】
[0002]目前干燥物料有很多種方式，包括蒸汽類、電熱類、紅外類等等方式。但是這些干燥物料的方式普遍存在效率低、烘干不均勻，而且長時(shí)間使用后容易出現(xiàn)設(shè)備腐蝕、損壞烘干物料的現(xiàn)象。
[0003]目前射頻功率源方面，國內(nèi)的方案大多是方腔結(jié)構(gòu)形式的方式，雖然功率等級可以做到很大，但是體積較大耦合效率不高，并且其安裝更換電子管很不方面，方腔的棱角結(jié)構(gòu)也容易出現(xiàn)打火現(xiàn)象，射頻發(fā)生器和功率作用的對象無法做到隔離，在惡劣環(huán)境中容易是高頻腔腐蝕變形。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于射頻烘干機(jī)的大功率高效率的一體化射頻功率源。
[0005]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種一體化射頻功率源，包括冷卻風(fēng)道、電子管、內(nèi)腔體、親合板、同軸連接器、電容板、隔直電容和外殼；
[0006]所述冷卻風(fēng)道位于所述內(nèi)腔體的右側(cè)，所述電子管位于所述內(nèi)腔體的內(nèi)部正中間，所述耦合板位于所述內(nèi)腔體左側(cè)下方，所述耦合板的上端與所述同軸連接器的一端相連，下端與所述外殼相連，所述同軸連接器的另一端與所述外殼連接并暴露于所述外殼外部，所述電容板位于所述內(nèi)腔體外側(cè)上方，所述電容板的上端與所述外殼相連，所述隔直電容位于所述電子管和所述內(nèi)腔體之間并與所述電子管和所述內(nèi)腔體均相連。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:實(shí)現(xiàn)大功率射頻能量的產(chǎn)生，提高物質(zhì)烘干的速率，提高微波能的利用效率，降低能耗。
[0008]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0009]進(jìn)一步，所述冷卻風(fēng)道為方形金屬管道。
[0010]進(jìn)一步，所述電子管通過陽極盤與所述隔直電容相連接。
[0011]進(jìn)一步，所述內(nèi)腔體為圓筒形結(jié)構(gòu)金屬內(nèi)腔體。
[0012]進(jìn)一步，所述內(nèi)腔體通過金屬盤與所述隔直電容相連接。
[0013]進(jìn)一步，所述耦合板包括第一金屬板、第二金屬板和二分之一圓弧金屬板，所述第一金屬板與所述同軸連接器相連，所述第二金屬板與所述外殼相連，所述第一金屬板、所述第二金屬板分別與所述二分之一圓弧金屬板的頂端和底端垂直連接。
[0014]進(jìn)一步，所述二分之一圓弧金屬板圍繞所述內(nèi)腔體的底端，且與所述內(nèi)腔體存在一定間隙。
[0015]進(jìn)一步，所述同軸連接器為50歐姆同軸連接器。
[0016]進(jìn)一步，所述電容板為圓筒形狀的電容板，位于所述內(nèi)腔體外側(cè)上方并與所述內(nèi)腔體存在一定間隙。
[0017]進(jìn)一步，所述隔直電容為薄膜介質(zhì)隔直電容，所述隔直電容包括兩個(gè)圓筒形的金屬層，且所述兩個(gè)圓筒形的金屬層中間夾有一層介質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型所述一體化射頻功率源整體結(jié)構(gòu)圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型所述隔直電容結(jié)構(gòu)圖。
[0020]附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下:
[0021]1、冷卻風(fēng)道，2、電子管，3、內(nèi)腔體，4、親合板，5、同軸連接器，6、電容板，7、隔直電容，8、外殼，9、陽極盤，10、金屬盤。

【具體實(shí)施方式】
[0022]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0023]如圖1所不，一種一體化射頻功率源，包括冷卻風(fēng)道1、電子管2、內(nèi)腔體3、親合板4、同軸連接器5、電容板6、隔直電容7、外殼8、陽極盤9和金屬盤10。
[0024]外殼8的右側(cè)形成冷卻風(fēng)道1，冷卻風(fēng)道I位于內(nèi)腔體3的右側(cè)，冷卻風(fēng)道I為方形金屬管道。
[0025]外殼8的中間形成中空內(nèi)腔體3，電子管2位于內(nèi)腔體3的內(nèi)部正中間，內(nèi)腔體3為圓筒形結(jié)構(gòu)金屬內(nèi)腔體，電子管2通過陽極盤9與隔直電容7相連接，內(nèi)腔體3通過金屬盤10與隔直電容7相連接。
[0026]耦合板4位于內(nèi)腔體3左側(cè)下方，耦合板4包括第一金屬板、第二金屬板和二分之一圓弧金屬板，第一金屬板與同軸連接器5相連，第二金屬板與外殼8相連，第一金屬板、第二金屬板分別與二分之一圓弧金屬板的頂端和底端垂直連接，二分之一圓弧金屬板圍繞內(nèi)腔體3的底端，且與內(nèi)腔體3存在一定間隙。
[0027]同軸連接器5的另一端與外殼8連接并暴露于外殼8外部，同軸連接器5為50歐姆同軸連接器。
[0028]電容板6為圓筒形狀的電容板，電容板6位于內(nèi)腔體3外側(cè)上方并與內(nèi)腔體3存在一定間隙，電容板6的上端與外殼8相連。
[0029]隔直電容7位于電子管2和內(nèi)腔體3之間并與電子管2和內(nèi)腔體3均相連，隔直電容7為薄膜介質(zhì)隔直電容，隔直電容7包括兩個(gè)圓筒形的金屬層，且兩個(gè)圓筒形的金屬層中間夾有一層介質(zhì)。
[0030]如圖2所示，電子管2通過陽極盤9與隔直電容7相連接。
[0031]本實(shí)用新型保護(hù)的關(guān)鍵點(diǎn)是采用圓形結(jié)構(gòu)的高頻腔體來實(shí)現(xiàn)大功率的產(chǎn)生，并且一改傳統(tǒng)的集總隔直電容形式采用薄膜隔直電容使得整體結(jié)構(gòu)緊湊，耐壓值更高，還采用了電子管管座的一體化設(shè)計(jì)，安裝更換電子管更加方便。做到了封閉式風(fēng)道循環(huán)設(shè)計(jì)，使高頻腔免于被功率作用物質(zhì)和環(huán)境所腐蝕。
[0032]高頻腔的內(nèi)部采用圓筒形式設(shè)計(jì)，電子管管座、分布式電容都采用圓筒結(jié)構(gòu)形式，耦合板采用了圓弧式的結(jié)構(gòu)，陽極與腔體的連接處使用聚酰亞胺材料的薄膜電容，耐壓值較高，這種結(jié)構(gòu)的射頻源帶寬窄，腔體Q值較高。電壓駐波比小，腔體的電路特性匹配性能好，反射較小。
[0033]本實(shí)用新型公開的一種用于射頻烘干機(jī)的一體化射頻功率源，其工作頻率在27.12MHz附近，使用范圍廣，適用于紡織、食品等多種物質(zhì)烘干。
[0034]本實(shí)用新型的一體化射頻功率源的外殼還可以采用屏蔽設(shè)計(jì)，如在外殼上增加防輻射條來有效抑制射頻輻射。
[0035]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種一體化射頻功率源，其特征在于，包括冷卻風(fēng)道電子管(2^內(nèi)腔體(3^耦合板(4)、同軸連接器(5)、電容板(6)、隔直電容(7)和外殼(8)； 所述冷卻風(fēng)道⑴位于所述內(nèi)腔體⑶的右側(cè)，所述電子管⑵位于所述內(nèi)腔體(3)的內(nèi)部正中間，所述耦合板(4)位于所述內(nèi)腔體(3)左側(cè)下方，所述耦合板(4)的上端與所述同軸連接器⑶的一端相連，下端與所述外殼⑶相連，所述同軸連接器(5)的另一端與所述外殼⑶連接并暴露于所述外殼⑶外部，所述電容板(6)位于所述內(nèi)腔體⑶外側(cè)上方，所述電容板出)的上端與所述外殼(8)相連，所述隔直電容(7)位于所述電子管(2)和所述內(nèi)腔體⑶之間并與所述電子管⑵和所述內(nèi)腔體⑶均相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述冷卻風(fēng)道(1)為方形金屬管道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述電子管(2)通過陽極盤(9)與所述隔直電容⑵相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述內(nèi)腔體(3)為圓筒形結(jié)構(gòu)金屬內(nèi)腔體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述內(nèi)腔體(3)通過金屬盤(10)與所述隔直電容⑵相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述耦合板(4)包括第一金屬板、第二金屬板和二分之一圓弧金屬板，所述第一金屬板與所述同軸連接器(5)相連，所述第二金屬板與所述外殼(8)相連，所述第一金屬板、所述第二金屬板分別與所述二分之一圓弧金屬板的頂端和底端垂直連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述二分之一圓弧金屬板圍繞所述內(nèi)腔體(3)的底端，且與所述內(nèi)腔體(3)存在一定間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述同軸連接器(5)為50歐姆同軸連接器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述電容板(6)為圓筒形狀的電容板，位于所述內(nèi)腔體(3)外側(cè)上方并與所述內(nèi)腔體(3)存在一定間隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化射頻功率源，其特征在于，所述隔直電容(7)為薄膜介質(zhì)隔直電容，所述隔直電容(7)包括兩個(gè)圓筒形的金屬層，且所述兩個(gè)圓筒形的金屬層中間夾有一層介質(zhì)。
【文檔編號】H05H1/46GK204145871SQ201420697113
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月19日
【發(fā)明者】張輝, 郭嚴(yán)飛, 張歡 申請人:北京長峰廣播通訊設(shè)備有限責(zé)任公司