專利名稱：發(fā)光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
顯示裝置有各種組成或原理不同的裝置。目前就其中一種而言，將有機電致發(fā)光(稱為有機EL)元件(Electroluminescent element)使用于像素光源的顯示裝置正在被實用化。
該顯示裝置具有在支撐基板上排列的多個有機EL元件。通常，在支撐基板上設(shè)定有間隔壁，所述間隔壁用于區(qū)隔用于設(shè)置有機EL元件的凹部。多個有機EL元件分別排列于間隔壁所區(qū)隔開的凹部。圖4是示意地表示通過噴嘴印刷(Nozzle printing)法供給墨液的狀態(tài)的圖。例如圖4所示，在支撐基板上設(shè)置由沿著規(guī)定的行方向X延伸的多條間隔壁部件I構(gòu)成的間隔壁2時，多個有機EL元件3設(shè)置于間隔壁部件I之間，而在間隔壁部件I之間分別在列方向Y上隔開規(guī)定之間隔配置。有機EL元件由一對電極與設(shè)置于一對電極間的有機EL層構(gòu)成，通過依序?qū)盈B各構(gòu)成要素而制成。構(gòu)成有機EL元件的有機EL層，可通過涂布法形成。也即，將包含形成有機EL層材料的墨液通過特定的涂布法進行涂布成膜，并且通過將其固化而形成有機EL層。形成有機EL層的工序中，僅對形成有機EL元件的區(qū)域(以下稱作發(fā)光區(qū)域)內(nèi)涂布墨液使其成膜即可，但由于涂布法的不同，有時候不僅在發(fā)光區(qū)域內(nèi)，而且在發(fā)光區(qū)域外也涂布墨液而成膜。例如以旋轉(zhuǎn)涂布法、噴嘴印刷法涂布墨液而成膜時，會將墨液涂布至發(fā)光區(qū)域外成膜。在圖4中，箭號的實線表示支撐基板上的噴嘴4的軌跡。噴嘴印刷法中，在支撐基板上配置連續(xù)供給墨液的噴嘴4，一面自該噴嘴4連續(xù)地供給墨液、一面使噴嘴于行方向X上來回移動，在噴嘴4的往復(fù)中進行折返時，使支撐基板在列方向Y上移動一行行距，由此供給墨液至各行。因這樣的噴嘴印刷法是一氣呵成地供給墨液，因此必然會將墨液供給至發(fā)光區(qū)域外。在發(fā)光區(qū)域外涂布成膜的墨液，通常會在涂布墨液后被除去，因為在發(fā)光區(qū)域外涂布成膜的墨液會有導(dǎo)致顯示裝置的特性降低的可能性。例如支撐基板通常為了封裝而利用粘接部件與封裝基板貼合，但當(dāng)設(shè)置粘接部件的區(qū)域也被涂布了墨液時，密合性及氣密性會下降。另外，當(dāng)設(shè)置于支撐基板的發(fā)光區(qū)域外的配線被墨液覆蓋時，配線會有不期望的短路的可能性。因此，以往的技術(shù)中使用擦拭發(fā)光區(qū)域外涂布成膜的墨液的方法除去墨液(例如參照專利文獻I)。[現(xiàn)有技術(shù)文獻][專利文獻][專利文獻I]日本特開2006-216253號公報

發(fā)明內(nèi)容
以往的技術(shù)，在經(jīng)墨液涂布成膜的部位對擦拭部進行清掃以除去墨液，但因重復(fù)擦拭墨液而在擦拭部附著有墨液，擦拭部的墨液擦拭能力逐漸地降低，故有無法連續(xù)地將墨液擦拭干凈的問題存在。且在擦拭墨液時，會從固化過程中的薄膜或經(jīng)固化的薄膜產(chǎn)生顆粒(Particle)。結(jié)果，有在有機EL層混入顆粒的可能性。且也會從清掃擦拭部的裝置產(chǎn)生不期望的顆粒，而此顆粒也有混入有機EL層的可能性。(發(fā)明所要解決的技術(shù)問題)因此，本發(fā)明以提供發(fā)光裝置的制造方法為目的，其通過選擇性除去發(fā)光區(qū)域外經(jīng)涂布成膜的薄膜的新方法，而可簡易地制造發(fā)光裝置。
(解決課題的手段)本發(fā)明提供下述的[I]至[6]。[I] 一種發(fā)光裝置的制造方法，所述發(fā)光裝置具有支撐基板；以及多個有機電致發(fā)光元件，其設(shè)置于所述支撐基板上所設(shè)定的發(fā)光區(qū)域，且包含第一電極、第二電極及設(shè)置于所述第一電極與第二電極間的有機電致發(fā)光層；所述發(fā)光裝置的制造方法包括準(zhǔn)備已設(shè)置有第一電極的支撐基板的工序；將含有形成有機EL層的材料的墨液供給至支撐基板上并在支撐基板的發(fā)光區(qū)域內(nèi)及發(fā)光區(qū)域外形成由墨液形成的薄膜的工序；使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化的工序；通過清洗將發(fā)光區(qū)域外的薄膜除去的工序；以及形成第二電極的工序。[2]如第一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，所述形成由墨液形成的薄膜的工序中，供給含有聚合性化合物的墨液；所述使薄膜難溶化的工序中，通過聚合所述聚合性化合物而使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化。[3]如第一項或第二項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，所述使薄膜難溶化的工序中，通過對發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜照射光而使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化。[4]如第一項至第三項中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，所述使薄膜難溶化的工序中，通過加熱發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜而使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化。[5]如第四項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，通過照射近紅外線來加熱發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜。[6]如第一項至第五項中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，所述形成由墨液形成的薄膜的工序中，通過噴嘴印刷法將墨液供給至支撐基板上。(發(fā)明的效果)依據(jù)本發(fā)明，利用將發(fā)光區(qū)域外經(jīng)涂布而成膜的薄膜選擇性除去的新方法，而簡易地制造發(fā)光裝置。


圖I示意地表示本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖2表示將發(fā)光裝置示意性擴大的剖面圖。圖3A是用于說明薄膜的難溶化及清洗工序的圖。圖3B圖是用于說明薄膜的難溶化及清洗工序的圖。圖3C圖是用于明薄膜的難溶化及清洗工序的圖。 圖4示意性地表示通過噴嘴印刷法供給墨液的狀態(tài)的圖。
具體實施例方式下面，參照

本發(fā)明的一實施方式。予以說明，以下的說明中，各圖僅以能理解發(fā)明的程度的方式概略地顯示構(gòu)成元件形狀、尺寸及配置，本發(fā)明并不以此為限。再者，于各圖中，關(guān)于同樣的構(gòu)成要素標(biāo)以同一符號表不，并有省略其重復(fù)說明的情形。本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法中，所述發(fā)光裝置具有支撐基板；以及多個有機電致發(fā)光元件，其設(shè)置于所述支撐基板上所設(shè)定的發(fā)光區(qū)域，且包含第一電極、第二電極及設(shè)置于所述第一電極與第二電極間的有機電致發(fā)光層；所述發(fā)光裝置的制造方法包括準(zhǔn)備已設(shè)置有第一電極的支撐基板的工序；將含有形成有機EL層的材料的墨液供給至支撐基板上并在支撐基板的發(fā)光區(qū)域內(nèi)及發(fā)光區(qū)域外形成由墨液形成的薄膜的工序；使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化的工序；通過清洗將發(fā)光區(qū)域外的薄膜除去的工序；以及形成第二電極的工序。發(fā)光裝置可作為例如顯示裝置或照明裝置使用。顯示裝置主要有主動矩陣(Active matrix)驅(qū)動型的裝置與被動矩陣(Passive matrix)驅(qū)動型的裝置。本發(fā)明可適用于此兩種驅(qū)動型的顯示裝置。本實施方式以適用于主動矩陣驅(qū)動型顯示裝置的發(fā)光裝置為例進行說明。本實施方式對顯示裝置中作為像素光源功能的有機EL元件進行說明。例如發(fā)光裝置可具備作為背光(Backlight)功能的有機EL元件。另外，在本實施方式中，對設(shè)置有多個有機EL元件的發(fā)光裝置進行說明。然而，本發(fā)明也可適用于具備I個有機EL元件的發(fā)光裝置。[發(fā)光裝置的構(gòu)成]首先參照圖I及圖2對發(fā)光裝置的構(gòu)成進行說明。圖I為示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖2表示將發(fā)光裝置進行示意性擴大的剖面圖。如圖I及圖2所示，發(fā)光裝置21主要具備支撐基板11、以及設(shè)置于該支撐基板上設(shè)定的發(fā)光區(qū)域的多個有機EL元件22。本說明書的發(fā)光區(qū)域是設(shè)置多個有機EL元件的區(qū)域，例如在顯示裝置中，相當(dāng)于顯示圖像信息的圖像顯示區(qū)域。本實施方式中，在支撐基板11上設(shè)定特定的區(qū)隔部，而將多個有機EL元件22排列于支撐基板11上設(shè)定的區(qū)隔部。在本實施方式中，為了在支撐基板11上區(qū)隔出所設(shè)定的區(qū)隔部而于支撐基板11上設(shè)置了間隔壁17。多個有機EL元件22被分別排列于支撐基板11上所設(shè)定的特定區(qū)隔部。用于區(qū)隔此區(qū)隔部所設(shè)置的間隔壁17的形狀，根據(jù)支撐基板11上所設(shè)定的區(qū)隔部的形狀而定。例如在支撐基板11上設(shè)定矩陣狀的區(qū)隔部時，以區(qū)隔出此矩陣狀區(qū)隔部的間隔壁而言，可在支撐基板設(shè)置格子狀的間隔壁。在支撐基板11上設(shè)定為條紋狀的區(qū)隔部時，以區(qū)隔此條紋狀的區(qū)隔部的間隔壁而言，可在支撐基板設(shè)置條紋狀的間隔壁17。本發(fā)明不論間隔壁的有無及間隔壁的形狀如何，任何形態(tài)的發(fā)光裝置皆可適用。而對本實施方式中對設(shè)置條紋狀的間隔壁17于支撐基板11的狀態(tài)進行說明。也即，本實施方式的間隔壁17由在支撐基板11上在特定的行方向X上分別延伸的多條間隔壁部件20構(gòu)成。多條間隔壁部件20，在不同于行方向X的方向的列方向Y上隔以特定間隔而配置。而本實施方式的行方向X及列方向Y是指相互正交的方向，且分別與支撐基板11的厚度方向Z正交的方向。以下，也將于列方向Y上相鄰的間隔壁部件20與支撐基板11所限定的凹處稱作凹部18。在支撐基板11上設(shè)定有對應(yīng)多條間隔壁部件20的多條凹部18。本實施方式的該多條凹部18，相當(dāng)于由間隔壁所區(qū)隔的區(qū)隔部。本實施方式的支撐基板11與間隔壁17之間可再設(shè)置絕緣膜15。該絕緣膜15例如為了確保于行方向X或列方向Y上相鄰的有機EL元件22之間的電絕緣所設(shè)置。本實施方式的絕緣膜15形成格子狀。格子狀的絕緣膜15，由在行方向X上延伸的多條帶狀部分與在列方向Y上延伸的多條帶狀部分一體地形成。換言之，絕緣膜15具有在電絕緣性的薄膜 上以矩陣狀形成了多個開口 15a的形狀。從支撐基板的厚度方向的一方來看(以下有稱為“俯視”的情形)，絕緣膜15的開口 15a形成于與有機EL元件22重疊的位置。以俯視觀察，絕緣膜15的開口 15a與后述第一電極12幾乎一致地形成，例如形成為近似矩形、卵型、近似圓型、近似橢圓形等。以俯視來看，格子狀的絕緣膜15以使第一電極12的一部分露出來覆蓋第一電極12的周邊緣的方式形成。而所述的多條間隔壁部件20，設(shè)置在絕緣膜15的行方向X延伸的多條帶狀部分上。有機EL元件22可設(shè)置于由間隔壁所區(qū)隔的凹部18。本實施方式的多個有機EL元件22，設(shè)置于列方向Y上相鄰的間隔壁部件20之間(也即凹部18)，間隔壁部件20之間分別于行方向X上隔以特定間隔而排列。也即于本實施方式，多個有機EL元件22于支撐基板11上被排列為矩陣狀，而在分別于行方向X隔以特定間隔的同時，于列方向Y上也隔以特定間隔而配置。各有機EL元件22之間無物理性分離的需要，只需能以各自驅(qū)動的方式互相電絕緣即可。因此構(gòu)成有機EL兀件22的一部分的層(第一電極12、第二電極16、有機EL層)也可與其他有機EL元件22物理性地連接。有機EL兀件22中，第一電極12、作為有機EL層的空穴注入層13及發(fā)光層14、第二電極16以使第一電極12靠近支撐基板11的方式依次配置。第一電極12及第二電極16，以由陽極與陰極組成的一對電極所構(gòu)成。也即第一電極12及第二電極16中的一方設(shè)置為陽極，另一方則設(shè)置為陰極。且第一電極12及第二電極16中，第一電極12配置于靠近支撐基板11，第二電極16配置成較第一電極12遠離支撐基板11。有機EL元件22具備I層以上的有機EL層。而有機EL層是指第一電極12與第二電極16所夾持的全部層。有機EL元件22的有機EL層，至少具備I層以上的發(fā)光層14。且第一電極12及第二電極16之間不限于發(fā)光層14，可根據(jù)需要設(shè)置特定的層。例如陽極與發(fā)光層14之間可設(shè)置空穴注入層、空穴輸送層及電子阻隔層等作為有機EL層；在發(fā)光層14與陰極之間，可設(shè)置空穴阻隔層、電子輸送層及電子注入層等作為有機EL層。
本實施方式的有機EL兀件22于第一電極12與發(fā)光層14之間具備作為有機EL層的空穴注入層13。以下對一實施方式的有機EL元件22進行說明，其中，作為陽極作用的第一電極12、空穴注入層13、發(fā)光層14、作為陰極作用的第二電極16以使第一電極12靠近支撐基板11的方式依次層疊。
本實施方式的發(fā)光裝置21為主動矩陣驅(qū)動型的裝置，因而各個第一電極12分別設(shè)置于每個有機EL元件22。也即在支撐基板11上設(shè)置個數(shù)與有機EL元件22的個數(shù)相同的第一電極12。例如第一電極12為薄膜狀，形成為俯視時近似矩形狀。第一電極12在支撐基板11上，對應(yīng)各有機EL元件所設(shè)置的位置而設(shè)置為矩陣狀。多個第一電極12于行方向X上隔開特定間隔的同時，在列方向Y上隔開特定間隔而配置。以俯視時，第一電極12配置于在列方向Y上相鄰的間隔壁部件20之間，而于間隔壁部件20之間，各自于行方向X上隔開規(guī)定的間隔排列。如上所述的格子狀絕緣膜15以俯視時覆蓋第一電極12的周邊使第一電極12的一部分露出的方式形成。也即絕緣膜15在第一電極12上形成開口 15a,而通過該開口 15a從絕緣膜15露出第一電極12表面的一部分?？昭ㄗ⑷雽?3以在行方向X上延伸的方式配置于間隔壁部件20所夾持的區(qū)域。也即，空穴注入層13以帶狀形成于列方向Y上相鄰的間隔壁部件20所區(qū)隔的凹部18，且橫跨于行方向X上相鄰的多個有機EL元件22而連續(xù)地形成。發(fā)光層14以行方向X上延伸的方式設(shè)置于相對置的間隔壁部件20間所挾的區(qū)域。也即，發(fā)光層14以帶狀形成于由在列方向Y上相鄰的間隔壁部件20所區(qū)隔的凹部18，并跨越在行方向X相鄰的多個有機EL元件22而連續(xù)地形成。帶狀的發(fā)光層14層疊于帶狀的空穴注入層13上。本發(fā)明也可適用于黑白顯示裝置，但本實施方式以彩色顯示裝置為例進行說明。為彩色顯示裝置時，可在支撐基板11上設(shè)置放出紅色、綠色及藍色中的任I種光的3種有機EL元件22 (22R、22G、22B)。彩色顯示裝置例如通過將下述的(I)、(II)、(III)的行依次在列方向Y上重復(fù)排列來實現(xiàn)。(I)放出紅色光的多個有機EL元件22R在行方向X上隔以特定間隔所配置的行(II)放出綠色光的多個有機EL元件22G在行方向X上隔以特定間隔所配置的行(III)放出藍色光的多個有機EL元件22B在行方向X上隔以特定間隔所配置的行形成這樣的發(fā)光色不同的3種有機EL元件時，通常由每一種有機EL元件設(shè)置發(fā)光色相異的發(fā)光層。本實施方式使以下行，以此順序在列方向Y上重復(fù)排列。(i)設(shè)置放出紅色光的發(fā)光層14R的行(ii)設(shè)置放出綠色光的發(fā)光層14G的行(iii)設(shè)置放出藍色光的發(fā)光層14B的行此時，在行方向X上延伸的帶狀的3種發(fā)光層14(14R、14G、14B)，分別在列方向Y上隔開2行的間隔依序?qū)盈B于空穴注入層13上。第二電極16被設(shè)置于發(fā)光層14上。在本實施方式中，第二電極16橫跨多個有機EL元件22而連續(xù)地形成，作為多個有機EL元件22的共通電極而設(shè)置。第二電極16，不僅形成在發(fā)光層14上，也形成于間隔壁17上，以連結(jié)發(fā)光層14上的電極與間隔壁17上的電極的方式形成于一面。[發(fā)光裝置的制造方法]接下來對發(fā)光裝置的制造方法進行說明。(準(zhǔn)備支撐基板的工序)在本工序中，準(zhǔn)備在其上已設(shè)置有第一電極12的支撐基板11。為主動矩陣驅(qū)動型的顯示裝置時，可使用預(yù)先形成有為了各自驅(qū)動多個有機EL元件22的電路的基板作為支撐基板11。例如可將已預(yù)先形成TFT (Thin Film Transistor)及電容器(Capacitor)等的基板作為支撐基板使用?？赏ㄟ^以下的本工序形成第一電極12，以準(zhǔn)備于其上已設(shè)置有第一電極12的支撐基板11。然而，也可自市場取得已預(yù)先設(shè)置第一電極12在其上的基板作為支撐基板11。而且也可準(zhǔn)備自市場取得的其上已預(yù)先設(shè)置第一電極12與間隔壁17的支撐基板11作為支撐基板11。 接下來，在支撐基板11上將多個第一電極12形成矩陣狀。第一電極12，例如在支撐基板11上的一面形成導(dǎo)電性薄膜，將其以光蝕刻(Photolithography)法(以下說明中，“光刻法”包括在掩模圖案的形成工序后繼續(xù)進行的蝕刻工序等的圖案化工序)成形為矩陣狀圖案而形成。或例如也可將在特定部位已形成了開口的掩模配置在支撐基板11上，隔著此掩模在支撐基板11上的特定部位選擇性地堆積導(dǎo)電性材料，形成第一電極12的圖案。第一電極12的材料如后述。接下來。在支撐基板11上形成間隔壁17。在本實施方式形成以多條的間隔壁部件20所構(gòu)成的間隔壁17。間隔壁17由有機物或無機物構(gòu)成。構(gòu)成間隔壁17的有機物可列舉丙烯酸樹脂、酚醛樹脂及聚酰亞胺樹脂等樹脂。構(gòu)成間隔壁17的無機物可列舉如Si0x、
iNx 等。間隔壁17以有機物構(gòu)成為佳。為了將供給至由相鄰的間隔壁部件20間所區(qū)隔成的凹部18的墨液保持于凹部18內(nèi)，間隔壁17以表現(xiàn)疏液性者為佳。一般而言，有機物者較無機物更對墨液表現(xiàn)疏液性，故通過有機物構(gòu)成間隔壁，可使凹部18內(nèi)保持墨液的能力提聞。形成有機物所構(gòu)成的間隔壁17時，首先例如將正型(Positive type)或負(fù)型(Negative type)的感光性樹脂涂布于一面,對特定部位進行曝光及顯影(Development)。再通過將其固化而形成多條間隔壁部件20。感光性樹脂可使用光致抗蝕劑(Photoresist)。而形成無機物所構(gòu)成的間隔壁17時，例如通過等離子體CVD (Plasma-enhanced chemicalvapor deposition ;等離子體輔助化學(xué)氣相沉積)法、派鍍法等，將無機物所構(gòu)成的薄膜形成于一面，接下來通過除去特定部位的薄膜而形成多條間隔壁部件20。特定的部位的除去則例如可通過光蝕刻法進行。制作具備格子狀絕緣膜15的發(fā)光裝置21時，在形成間隔壁17的工序之前形成絕緣膜15。絕緣膜15可使用例如作為間隔壁17的材料所例示的材料，以與形成間隔壁17的方法的同樣方式形成格子狀。在形成間隔壁17之外又形成絕緣膜15的情況下，絕緣膜15優(yōu)選由比有機物更顯現(xiàn)親液性的無機物構(gòu)成。其理由為，絕緣膜15顯現(xiàn)疏液性時，有時供給于凹部18的墨液被絕緣膜15彈開并干燥，絕緣膜15的存在影響了有機EL層的平坦性，結(jié)果恐有得不到平坦的有機EL層的可能性。間隔壁17的形狀及其配置根據(jù)像素及分辨率等的顯示裝置的規(guī)格、制造的容易程度等適宜設(shè)定。例如間隔壁部件20的列方向Y的寬LI為5μπι至50μπι左右。間隔壁部件20的高度L2為O. 5 μ m至5 μ m左右。在列方向Y上相鄰的間隔壁部件20之間的間隔L3，也即凹部18的列方向Y上的寬L3為ΙΟμπι至200μπι左右。再者第一電極12的行方向X及列方向Y的寬分別為ΙΟμπι至400μπι左右。(形成由墨液構(gòu)成的薄膜的工序)本工序中，將包含形成有機EL層(本實施方式的空穴注入層13)的材料的墨液(以下也稱作空穴注入層用墨液。)供給至支撐基板11上，在支撐基板11的發(fā)光區(qū)域內(nèi)及發(fā)光區(qū)域外，形成包含空穴注入層用墨液的薄膜。為了在本實施方式的全部有機EL元件22形成共通的空穴注入層13，不限于在相 可以任何方法供給空穴注入層用墨液。例如可通過旋轉(zhuǎn)涂布法、狹縫涂布(Slit coat)法、噴墨印刷(Inkjet print)法、噴嘴印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法等供給空穴注入層用墨液?？昭ㄗ⑷雽佑媚旱墓┙o方法，以可在短時間均一地供給空穴注入層用墨液的方法為佳，以如此觀點來看，以旋轉(zhuǎn)涂布法、狹縫涂布法或噴嘴印刷法為佳。而在全面涂布有空穴注入層用墨液時，會因間隔壁表面性狀而將空穴注入層形成至間隔壁17上，為了避免該狀況，有時僅在凹部18供給空穴注入層用墨液為佳。此時，通過可選擇性地僅供給空穴注入層用墨液至凹部18的涂布法，供給空穴注入層用墨液。本實施方式中可選擇性供給空穴注入層用墨液的涂布法而言，通過噴嘴印刷法供給空穴注入層用墨液。噴嘴印刷法為一氣呵成地將空穴注入層用墨液供給至各行(各凹部18)。也即從配置于支撐基板11上方的噴嘴直接吐出液柱狀的空穴注入層用墨液，使噴嘴在行方向X上來回移動，于噴嘴的來回移動折返時，通過使支撐基板于列方向Y上僅移動特定的距離，從而供給空穴注入層用墨液至各行。例如噴嘴的來回移動折返時，通過使支撐基板于列方向Y上僅移動I行份，而可供給空穴注入層用墨液至全部的行。更具體而言，在從噴嘴直接吐出液柱狀的空穴注入層用墨液的同時，通過依序重復(fù)以下(I)至(4)的工序，可將空穴注入層用墨液供給至全部的相鄰的間隔壁部件20之間(凹部18)。(I)將噴嘴于行方向X自一端移動至另一端的工序(2)將支撐基板11于列方向Y的一方僅移動I行份的工序(3)將噴嘴于行方向X自另一端移動至一端的工序(4)將支撐基板于列方向Y的一方僅移動I行份的工序如以上所述，通過以噴嘴印刷法供給空穴注入層用墨液，于支撐基板11上的發(fā)光區(qū)域內(nèi)及發(fā)光區(qū)域外，形成由空穴注入層用墨液構(gòu)成的薄膜。(將薄膜進行難溶化的工序)接下來，將由空穴注入層用墨液所構(gòu)成的薄膜進行難溶化。本工序?qū)l(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜進行難溶化。而薄膜的難溶化是指對于后述工序進行清洗所使用的溶液而言，薄膜變?yōu)殡y以溶解。例如墨液包含聚合性化合物時，通過聚合性化合物的聚合可使薄膜難溶化。且即使當(dāng)墨液不含聚合性化合物時，將薄膜以特定的溫度加熱，通過使溶劑氣化可使薄膜達成特定程度的難溶化。空穴注入層的材料如后所述，作為現(xiàn)今空穴注入層的材料而言，大多使用的聚(3，4-乙烯二氧噻吩(Ethylenedioxythiophene))/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS),因溶解于水，故可使用例如PED0T/PSS的水溶液作為空穴注入層用墨液。以該PED0T/PSS的水溶液所構(gòu)成的薄膜，通過加熱即可進行難溶化。發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜的難溶化，可通過給予薄膜特定的能量而進行。作為這樣的方法而言，有以特定波長的光對薄膜進行照射的方法、給予熱能的方法。例如可用超高壓水銀燈的g線(波長436nm)、i線(波長365nm)、KrF準(zhǔn)分子激光(KrF excimer laser)(波長248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)照射薄膜，通過光能量使聚合性化合物聚合。也可通過照射波長700nm至3500nm的近紅外線以加熱薄膜，通過熱能使聚合性化合物聚合。另外，也可通過照射所述的近紅外線而使溶劑氣化以進行薄膜的難溶化。此外，也可通過照射波長3500nm至20000nm的遠紅外線以加熱薄膜,通過熱能而使聚合性化合物聚合。另外，也可通過照射所述的遠紅外線將溶劑氣化，以進行薄膜的難溶化。也可使用加熱板等對薄膜進行加熱，一邊通過熱能使聚合性化合物聚合，一邊通過將溶劑氣化而使薄膜難溶化。然 而，即使僅欲對顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜施加能量，顯示區(qū)域周邊的薄膜也會受到能量的施加，故顯示區(qū)域外的薄膜的一部分也會難溶化。在此，為了僅對顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜施加能量，優(yōu)選通過可局部性施加能量的方法施加能量，由如此觀點來看，優(yōu)選上述的對薄膜照射特定波長的光的方法，也優(yōu)選通過照射可局部性加熱薄膜的近紅外線，對薄膜施加能量的方法。圖3A、圖3B圖及圖3C圖為說明將薄膜難溶化后，再進行清洗工序的圖。而于薄膜處施以影線(Hatching)。本實施方式通過以近紅外線(nIR)照射發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23，將發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23進行難溶化而形成難溶化的薄膜23a。如圖3A所示，以雙點虛線所圍起的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域11a。首先，將具有穿透近紅外線的部位19a與近紅外線(nIR)遮光部位19b的掩模19，配置于已形成薄膜23的支撐基板11上。圖3A中，輪廓線的箭號示意性地表示照射的近紅外線(nIR)。隔著此掩模19對薄膜23照射近紅外線(nIR)，僅對發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23照射近紅外線(nIR)。此時，通過掩模19的近紅外線(nIR)遮光部位19b將近紅外線的一部分進行遮光，故發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23不被近紅外線(nIR)所照射。由此，僅加熱發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23，僅使發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23難溶化而形成經(jīng)難溶化處理的難溶化薄膜23a。圖3B圖為示意性表示發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23經(jīng)難溶化后的支撐基板。而于經(jīng)難溶化的薄膜23a及未經(jīng)難溶化的薄膜23處施以影線。(通過清洗將發(fā)光區(qū)域外的薄膜除去的工序)如圖3C圖所示，接下來通過清洗將發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23進行除去，使支撐基板11上僅殘留經(jīng)難溶化的薄膜23a?？闪信e的清洗方法例如將溶劑供給至支撐基板11上，再將之除去的方法(例如旋轉(zhuǎn)清洗)；將支撐基板11浸潰于溶劑，經(jīng)過特定時間后，從溶劑取出支撐基板并進行干燥的方法等。清洗所使用的溶劑，可使用能溶解未經(jīng)難溶化的薄膜23，而不能溶解經(jīng)難溶化的薄膜23a的溶劑。當(dāng)形成以PED0T/PSS水溶液所構(gòu)成的薄膜23時，例如可通過將水作為溶劑使用，清洗發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜。通過清洗將發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23除去后，根據(jù)需要，再將發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)經(jīng)難溶化的薄膜23a的溶劑除去。例如可通過自然干燥、加熱干燥及真空干燥等將溶劑除去。(形成發(fā)光層的工序)接下來，形成發(fā)光層14。如上所述制作彩色顯示裝置時，需制作3種有機EL元件22(22R、22G、22B)。因此需在每行涂以發(fā)光層14的材料。例如于每行形成3種發(fā)光層14(14R、14G、14B)時，需分別將包含放出紅色光的材料的紅墨液、包含放出綠色光的材料的綠墨液、包含放出藍色光的材料的藍墨液，分別于列方向Y隔以2行的間隔進行涂布。通過將這些紅墨液、綠墨液、藍墨液依序涂布于特定的行，可將各發(fā)光層14涂布成膜。以將紅墨液、綠墨液、藍墨液依序涂布于特定的行(凹部18)的方法而言，只要可將墨液選擇性地供給至相鄰的間隔壁部件20之間的涂布法的任何方法皆可?？赏ㄟ^例如噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法等供給墨液。以墨液的供給方法而言，以可于短時間均一地供給墨液的方法為佳。以如此觀點來看，則以噴嘴印刷法為佳。本實施方式與所述形成空穴注入層的方法相同，通過噴嘴印刷法供給墨液。 更具體而言，在從噴嘴4吐出液柱狀的紅墨液后，通過依序重復(fù)以下的(I)至(4)的工序，可于列方向Y上隔以2行的間隔供給紅墨液至相鄰的間隔壁部件20之間(凹部18)。(I)將噴嘴4從凹部18的一端橫跨至另一端而于行方向X移動的工序(2)將支撐基板11于列方向Y的一方僅移動3行份的工序(3)將噴嘴4從凹部18的另一端橫跨至一端而于行方向X上移動的工序(4)將支撐基板于列方向Y的一方僅移動3行份的工序通過以與上述的紅墨液同樣的方式分別供給綠墨液、藍墨液，可在列方向Y上隔以2行的間隔而于間隔壁部件20間(凹部18)分別供給綠墨液、藍墨液。紅墨液、綠墨液、藍墨液所使用的發(fā)光材料如后述，但本實施方式中，以噴嘴印刷法供給包含施加能量即可聚合的聚合性化合物的紅墨液、綠墨液、藍墨液。而以墨液而言，可使用包含具有施加能量即可聚合的聚合性基的發(fā)光材料作為聚合性化合物的紅墨液、綠墨液、藍墨液，或者也可使用包含本身不聚合的發(fā)光材料和具有能夠聚合的聚合性基的聚合性化合物的紅墨液、綠墨液、藍墨液。聚合性基的例可列舉如乙烯基、乙炔基、丁烯基、丙烯?；?、丙烯酰氨基、甲基丙烯?；?、甲基丙烯酰氨基、乙烯氧基、乙烯氨基、硅醇基(Silanol)、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁基、二乙烯酮基(Diketenyl)、噻基(Epithio)、乳酰基(Lactoyl)及內(nèi)酰胺基(Lactamyl)等。聚合性化合物的例，可列舉如具有聚合性基的PDA (N，N'-四苯基-1，4-亞苯基二胺)的衍生物、具有聚合性基的TPD(N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)的衍生物、具有聚合性基的NPD(N，N'-雙(萘基-I-基)-N，N'-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)的衍生物、丙烯酸三苯基胺酯、丙烯酸三亞苯基二胺酯、丙烯酸亞苯基酯、二丙烯酸雙苯氧基乙醇荷酯(大阪GasChemicals公司制造,商品名BPEF-A)、六丙烯酸二新戍四醇酯(日本化藥公司制造KAYARD DPHA)、八丙烯酸新戊四醇酯(廣榮化學(xué)公司制造)、二丙烯酸1,4 一丁二醇酯(Alfa Aesar公司制造)、芳酮基氧雜環(huán)丁燒(Arone oxetane) (0XT121 ;東亞合成制造的交聯(lián)劑)等，它們中以丙烯酸苯基芴酯為佳。
接下來，參照圖3A、圖3B及圖3C進行說明，以紅墨液、綠墨液、藍墨液構(gòu)成薄膜23時，通過將能量賦予發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23，使發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23進行難溶化。本實施方式中對使用包含聚合性化合物的紅墨液、綠墨液、藍墨液的狀況進行說明。如圖3A所示，首先,將具有近紅外線(nIR)穿透部位19a與近紅外線(nIR)遮光部位19b的掩模19配置于支撐基板11上。隔著掩模19對薄膜照射近紅外線(nIR)，僅對發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23照射近紅外線(nIR)。此時，由于掩模19使一部分的近紅外線(nIR)被遮光，故發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23并未受到近紅外線(nIR)的照射。由此，僅加熱發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23，形成僅有發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23被難溶化的難融化薄膜23a。(通過清洗將發(fā)光區(qū)域外的薄膜除去的工序)接下來，通過清洗將發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23除去。以清洗方法而言，可列舉如將溶劑供給至支撐基板11上，再將之除去的方法(例如旋轉(zhuǎn)清洗)；將支撐基板11浸潰于溶劑，經(jīng)過特定時間后，從溶劑取出支撐基板11并進行干燥的方法等。清洗所使用的溶劑， 可使用能溶解未經(jīng)難溶化的薄膜23而不能溶解經(jīng)難溶化的薄膜23a的溶劑。作為這樣的溶劑而言，可使用例如二甲苯或甲苯、THF(四氫呋喃)、苯甲醚(Anisole)等。也可使用用于紅墨液、綠墨液、藍墨液的溶劑的溶劑，將發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23清洗。而本實施方式中，對薄膜23照射近紅外線(nIR)進行加熱以使其難溶化，但將薄膜23進行難溶化的方法并不局限于此，也可通過例如照射紫外線等，對薄膜照射使聚合性化合物進行聚合的波長的光，通過光的能量進行難溶化。通過清洗將發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23除去后，根據(jù)需要，再將發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的經(jīng)難溶化的薄膜23a的溶劑除去。例如可通過自然干燥、加熱干燥及真空干燥等將溶劑除去。形成發(fā)光層14后，可根據(jù)需要，通過特定的方法形成特定的有機層、無機層等。根據(jù)需要設(shè)置的層，可使用印刷法、噴墨法、噴嘴印刷法等特定的涂布法、或使用特定的干式法而形成。(形成第二電極的工序)接下來形成第二電極16。如上所述，本實施方式中，于支撐基板11上的全面形成第二電極16。由此可于支撐基板11上形成多個有機EL元件22。如以上說明所述，通過將發(fā)光區(qū)域Ila內(nèi)的薄膜23進行難溶化，即可通過清洗而簡易地除去發(fā)光區(qū)域Ila外的薄膜23。通過這樣的薄膜的除去方法，即可簡易地制造發(fā)光
>j-U ρ α裝直。于本實施方式中，形成發(fā)光層14的工序前，雖可通過清洗將空穴注入層用墨液所構(gòu)成的薄膜23除去，但也可視情況而不在形成發(fā)光層14的工序前除去空穴注入層用墨液所構(gòu)成的薄膜23。例如以空穴注入層而言，當(dāng)使用具有空穴注入性的單分子層(例如四氟四氰基苯醌二甲烷(F4TCNQ)的單分子層)時，封裝時不會發(fā)生氣密性或密閉性的降低，因此顯示裝置的特性不會有大幅降低的可能性，所以也可不除去于顯示區(qū)域Ila外形成的空穴注入層。此外，在形成發(fā)光層14的工序中，通過清洗將紅墨液、綠墨液、藍墨液所構(gòu)成的薄膜除去時，也可同時除去空穴注入層用墨液所構(gòu)成的薄膜23。另外，空穴注入層用墨液所構(gòu)成的薄膜23難溶解于例如紅墨液、綠墨液、藍墨液等時，也可能有可不對空穴注入層用墨液所構(gòu)成的薄膜23進行難溶化的情況。此外，本實施方式中，供給了全部的紅墨液、綠墨液、監(jiān)墨液后，將紅墨液、綠墨液、藍墨液所構(gòu)成的薄膜進行難溶化，再進行清洗，但也可分別供給紅墨液、綠墨液、藍墨液，將紅墨液、綠墨液或藍墨液所構(gòu)成的薄膜進行難溶化后，再進行清洗。由此，例如在清洗時所溶解的紅墨液，混入本來僅供給藍墨液的有機EL元件22中，而不易產(chǎn)生顯示裝置的特性降低的問題。[有機EL元件的構(gòu)成]如前所述，有機EL元件22由各種的層構(gòu)成，但以下對有機EL元件22的層構(gòu)造、各層的構(gòu)成及各層的形成方法進行更詳細(xì)說明。如上所述的有機EL元件22，包含由陽極與陰極組成的一對電極(第一電極12及第二電極16)，以及設(shè)置于一對電極間的I以上的有機EL層所構(gòu)成，而I層以上的有機EL 層至少具有I層的發(fā)光層14。有機EL元件22可包含含有無機物與有機物的層，以及無機層等。以構(gòu)成有機層的有機物而言，可為低分子化合物或高分子化合物，也可為低分子化合物與高分子化合物的混合物。有機層以包含高分子化合物者為佳。有機層以包含依聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為103至108的高分子化合物為佳。以設(shè)置于陰極與發(fā)光層14之間的有機EL層而言，可列舉電子注入層、電子輸送層、空穴阻隔層等。當(dāng)陰極與發(fā)光層14之間設(shè)置電子注入層與電子輸送層這兩種層時，接近陰極的層稱為電子注入層，接近發(fā)光層14的層稱為電子輸送層。以設(shè)置于陽極與發(fā)光層之間的有機EL層而言，可列舉空穴注入層、空穴輸送層、電子阻隔層等。當(dāng)設(shè)置空穴注入層與空穴輸送層兩種層時，接近陽極的層稱為空穴注入層，接近發(fā)光層的層稱為空穴輸送層。以下表示本實施方式的有機EL元件22的層構(gòu)成的一例。a)陽極/發(fā)光層/陰極b)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極c)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極d)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極e)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極f)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極g)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極h)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極i)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極j)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極k)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極I)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極m)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極η)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極O)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/陰極ρ)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極在此，記號“/”者，表示夾持“/”記號的各層鄰接而層疊。下述也同。本實施方式的有機EL元件22可具有2層以上的發(fā)光層14。于上述a)至ρ)的層構(gòu)成中的任一者中，將于陽極與陰極所挾持的層疊體視為“構(gòu)造單位A”時，作為具有2層發(fā)光層的有機EL元件的構(gòu)成，可例舉于下述q)所表示的層構(gòu)成。另外，兩個(構(gòu)造單位A)的層構(gòu)成可互相相同，也可為不相同。q)陽極/(構(gòu)造單位A)/電荷發(fā)生層/(構(gòu)造單位A)/陰極再者，將“(構(gòu)造單位A)/電荷發(fā)生層”視為“構(gòu)造單位B”時，作為具有3層以上的發(fā)光層的有機EL元件的構(gòu)成，可例舉于下述r)所表示的層構(gòu)成。r)陽極/ (構(gòu)造單位B) X / (構(gòu)造單位A) /陰極予以說明，記號“ X ”表示2以上的整數(shù)，(構(gòu)造單位B) X表示構(gòu)造單位B為X段層疊的層疊體。另外，多個(構(gòu)造單位B)的層構(gòu)成可為相同者，也可為不相同者。
在此，所謂電荷發(fā)生層通過施加電場而產(chǎn)生空穴與電子的層。電荷發(fā)生層可例舉如由氧化f凡、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,簡稱ITO)、氧化鑰等形成的薄膜。在有機EL元件22中，由陽極與陰極所成的一對電極中的陽極可配置成比陰極還靠近支撐基板11，而配置于支撐基板11;再者，也可將陰極配置成比陽極還靠近支撐基板11，而配置于支撐基板11。例如于所述a)至r)中，由右側(cè)依順序于支撐基板11上層疊各層而構(gòu)成有機EL元件22也可；再者，由左側(cè)依順序于支撐基板11上層疊各層而構(gòu)成有機EL元件22也可。關(guān)于所層疊的各層的順序、層數(shù)、及各層的厚度，可根據(jù)發(fā)光效率、元件壽命而適宜設(shè)定。接著，具體說明構(gòu)成有機EL元件22的各層的材料及形成方法。[陽極]在采用從發(fā)光層所發(fā)出的光通過陽極而射出至有機EL元件外的構(gòu)成時，可在陽極使用顯現(xiàn)光穿透性的電極。作為顯現(xiàn)光穿透性的電極，可使用金屬氧化物、金屬硫化物、及金屬等的薄膜。顯現(xiàn)光穿透性的電極可適宜使用電傳導(dǎo)度高與光穿透率高者。顯現(xiàn)光穿透性的電極具體而言可使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ΙΤ0、銦鋅氧化物(Indium ZincOxide，簡稱ΙΖ0)、金、鉬、銀、及銅等所形成的薄膜。其中，以使用由ΙΤ0、ΙΖ0或者氧化錫而形成的薄膜為宜。作為陽極的制作方法的例，可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、鍍覆法等。再者，作為陽極者，可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機透明導(dǎo)電膜。陽極的膜厚考慮所要求的特性、成膜工序的簡易程度而適宜設(shè)定。陽極的膜厚例如為IOnm至10 μ m,宜為20nm至I μ m,更宜為50nm至500nm。[陰極]陰極的材料宜為工作函數(shù)小，電子容易注入發(fā)光層14的高導(dǎo)電性的材料。再者，于由陽極側(cè)引出光而構(gòu)成的有機EL元件中，為了使從發(fā)光層14所發(fā)的光于陰極向陽極側(cè)反射，陰極材料宜為對可視光反射率高的材料者。于陰極，可使用例如堿金屬、堿土金屬、過渡金屬及周期表的13族金屬等。陰極材料例如可使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬、所述金屬中2種以上的合金、所述金屬中I種以上與金、銀、鉬、銅、猛、鈦、鈷、鎳、鶴、錫中I種以上的合金、或石墨或者是石墨層間化合物等。作為合金的例，可例舉鎂與銀的合金、鎂與銦的合金、鎂與鋁的合金、銦與銀的合金、鋰與鋁的合金、鋁與鎂的合金、鋰與銦的合金、鈣與鋁的合金等。再者，陰極可由導(dǎo)電性金屬氧化物及導(dǎo)電性有機物等形成的透明導(dǎo)電性電極。具體而言，導(dǎo)電性金屬氧化物可例舉氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、以及IZO ;導(dǎo)電性有機物可例舉聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。另外，陰極也可以層疊兩層以上的層疊體所構(gòu)成。另外，也有使用電子注入層作為陰極者。陰極的膜厚，可考慮所求的特性、成膜工序的簡易度等而作適當(dāng)設(shè)定。陽極的膜厚，例如IOnm至10 μ m,以20nm至I μ m為佳，以50nm至500nm為更佳。陰極的制作方法，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、或?qū)⒔饘俦∧みM行熱壓合的層壓法等為例。[空穴注入層]構(gòu)成空穴注入層13的空穴注入材料，可列舉如氧化釩、氧化鑰、氧化釕及氧化鋁等氧化物；苯基胺化合物、星放射型胺(starburstamine)化合物、酞青(Phthalocyanine)化合物、非晶碳(Amorphous carbon)、聚苯胺及聚噻吩衍生物等為例。
空穴注入層13的膜厚，可考慮所求的特性、成膜工序的簡易度等而作適當(dāng)設(shè)定。空穴注入層13的膜厚，例如Inm至I μ m,以2nm至500nm為佳，以5nm至200nm為更佳。[空穴輸送層]構(gòu)成空穴輸送層的空穴輸送材料,可列舉聚乙烯基咔唑(Polyvinyl carbazole)或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、于支鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷(Polysiloxane)衍生物、批唑啉(Pyrazoline)衍生物、芳基胺衍生物、苗(Stilbene)衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺(PolyaniIine)或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯(Polypyrrole)或其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、以及聚(2，5-噻吩基乙烯基)(Poly (2, 5-thienylenevinylene))或其衍生物等為例?？昭ㄝ斔蛯拥哪ず?，可考慮所求的特性、成膜工序的簡易度等而作適當(dāng)設(shè)定?？昭ㄝ斔蛯拥哪ず窭鏘nm至I μ m,以2nm至500nm為佳，以5nm至200nm為更佳。[發(fā)光層]發(fā)光層14通常主要由發(fā)出熒光及/或磷光的有機物，或者該有機物與輔助該有機物的摻雜物所形成。摻雜物是為了例如使發(fā)光効率提升、使發(fā)光波長變化而添加的。構(gòu)成發(fā)光層的有機物，可為低分子化合物或高分子化合物，當(dāng)通過涂布法形成發(fā)光層時，發(fā)光層以包含高分子化合物者為佳。構(gòu)成發(fā)光層的高分子化合物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量例如為IO3至IO8左右。以構(gòu)成發(fā)光層的發(fā)光材料而言，可列舉例如以下的色素材料、金屬絡(luò)合物材料、高分子材料、摻雜物材料。(色素材料)以色素材料而言，可列舉例如環(huán)戍胺(Cyclopentamine)衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑(Oxadiazole)衍生物、吡唑喹啉(Pyrazoloquinoline)衍生物、二苯乙烯基苯(Distyrylbenzene)衍生物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩環(huán)化合物、吡啶環(huán)化合物、芘酮(Perinone)衍生物、茈(Perylene)衍生物、寡聚噻吩(Oligothiophene)衍生物、卩惡二唑二聚物(Oxadiazoledimer)、卩比唑啉二聚物(Pyrazoline dimer)、喹卩丫唳酮(Quinacridone)衍生物、香豆素(Cumarin)衍生物等。(金屬絡(luò)合物材料)以金屬絡(luò)合物材料而言，可列舉例如Tb、Eu、Dy等稀土類金屬，或于中心金屬具有Al、Zn、Be、Ir、Pt等；在配體具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉構(gòu)造等的金屬絡(luò)合物。以金屬絡(luò)合物而言，可列舉例如銥絡(luò)合物、白金絡(luò)合物等具有來自三重激發(fā)態(tài)(Triplet excited state)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物、招喹啉酹絡(luò)合物、苯并喹啉酹鈹絡(luò)合物、苯唑基鋅絡(luò)合物、苯噻唑鋅絡(luò)合物、偶氮甲基鋅絡(luò)合物、葉啉鋅絡(luò)合物、二氮菲銪絡(luò)合物
坐寸ο(高分子材料)以高分子材料而言，可列舉聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚對亞苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、將上述色素材料、金屬絡(luò)合物材料高分子化后的材料等。發(fā)光層的厚度通常約為2nm至200nm。 [電子輸送層]以構(gòu)成電子輸送層的電子輸送材料而言，可使用公知者。電子輸送材料可列舉如1I惡二唑衍生物、蒽醌二甲燒(Anthraquinodimethane)或其衍生物、苯醌(Benzoquinone)或其衍生物、萘醌(Naphthoquinone)或其衍生物、蒽醌(Anthraquinone)或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基亞乙基或其衍生物、二對苯醌(Diphenoquinone)衍生物、或8_輕基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹暗啉(Polyquinoxaline)或其衍生物、聚荷或其衍生物等為例。電子輸送層的膜厚，可考慮所求的特性、成膜工序的簡易度等而作適當(dāng)設(shè)定。電子輸送層的膜厚，例如Inm至I μ m,以2nm至500nm為佳，以5nm至200nm為更佳。[電子注入層]以構(gòu)成電子注入層的材料而言，可根據(jù)發(fā)光層的種類而適當(dāng)選擇最適合的材料。構(gòu)成電子注入層的材料可列舉如堿金屬、堿土類金屬、包含堿金屬及堿土類金屬中的I種以上的合金、堿金屬或堿土類金屬的氧化物、堿金屬或堿土類金屬的齒化物、堿金屬或堿土類金屬的碳酸鹽、以及這些物質(zhì)的混合物等為例。堿金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物及堿金屬的碳酸鹽可列舉如鋰、鈉、鉀、銣、銫、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化銫、氟化銫、碳酸鋰等為例。此外，堿土類金屬、堿土類金屬的氧化物、堿土類金屬的齒化物、堿土類金屬的碳酸鹽可列舉如鎂、鈣、鋇、鍶、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等為例。電子注入層可為經(jīng)2層以上層疊的層疊體所構(gòu)成。層疊體可列舉例如=LiF膜與Ca膜的層疊體等為例。以電子注入層的膜厚而言，以Inm至I μ m左右為佳。有機EL層中，可通過涂布法形成的有機EL層為多個時，以全部的有機EL層皆使用涂布方法形成者為佳。然而，例如可通過涂布法形成的多個有機EL層中的至少I層使用涂布法形成、其他有機EL層通過不同于涂布法的方法形成也可。且即使多個有機EL層以涂布法形成時，也可通過該涂布法的具體方法互不相同的涂布法形成多個有機EL層。例如本實施方式的空穴注入層13及發(fā)光層14通過噴嘴印刷法形成，但也可為空穴注入層13以旋轉(zhuǎn)涂布法形成、發(fā)光層14通過噴嘴印刷法形成。涂布法中，通過將包含形成各有機EL層的有機EL材料的墨液涂布成膜以形成有機EL層，但此時所使用的墨液的溶劑，可使用例如氯仿(Chloroforml)、二氯甲燒(Methylene chloride)、二氯乙燒(Dichloroethane)等含氯溶劑；四氫呋喃(Tetrahydrofuran)等醚溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴溶劑；丙酮、甲基乙基酮(Methylethylketone)等酮溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸2_乙氧乙酯(Ethylcellosolveacetate)等酯溶劑及水等。此外，與涂布法不同的方法的例子，也可通過真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、復(fù)層法等形成有機EL層。符號說明I、20間隔壁部件2、17 間隔壁3、22有機EL元件4 噴嘴 11 支撐基板Ila 發(fā)光區(qū)域12 第一電極13 空穴注入層14 發(fā)光層15 絕緣膜15a 開口16 第二電極18 凹部19 掩模19a 近紅外線的穿透部位19b 近紅外線的遮光部位21 發(fā)光裝置23 薄膜23a 經(jīng)難溶化的薄膜
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置的制造方法，所述發(fā)光裝置具有 支撐基板；以及 多個有機電致發(fā)光元件，其設(shè)置于所述支撐基板上所設(shè)定的發(fā)光區(qū)域，且包含第一電極、第二電極及設(shè)置于所述第一電極與第二電極間的有機電致發(fā)光層； 所述發(fā)光裝置的制造方法包括 準(zhǔn)備已設(shè)置有第一電極的支撐基板的工序； 將含有形成有機EL層的材料的墨液供給至支撐基板上并在支撐基板的發(fā)光區(qū)域內(nèi)及發(fā)光區(qū)域外形成由墨液形成的薄膜的工序； 使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化的工序； 通過清洗將發(fā)光區(qū)域外的薄膜除去的工序；以及 形成第二電極的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中， 所述形成由墨液形成的薄膜的工序中，供給含有聚合性化合物的墨液； 所述使薄膜難溶化的工序中，通過聚合所述聚合性化合物而使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中， 所述使薄膜難溶化的工序中，通過對發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜照射光而使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中， 所述使薄膜難溶化的工序中，通過加熱發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜而使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中， 通過照射近紅外線來加熱發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中， 所述形成由墨液形成的薄膜的工序中，通過噴嘴印刷法將墨液供給至支撐基板上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置的制造方法，其可通過選擇性除去在發(fā)光區(qū)域外涂布成膜的薄膜，從而簡易地制造發(fā)光裝置(21)。該發(fā)光裝置具有支撐基板；以及多個有機電致發(fā)光元件(22)，其設(shè)置于所述支撐基板上所設(shè)定的發(fā)光區(qū)域，且包含第一電極(12)、第二電極及設(shè)置于所述第一電極與第二電極間的有機電致發(fā)光層；所述發(fā)光裝置的制造方法包括準(zhǔn)備已設(shè)置有第一電極的支撐基板的工序；將含有形成有機EL層的材料的墨液供給至支撐基板上并在支撐基板的發(fā)光區(qū)域內(nèi)及發(fā)光區(qū)域外形成由墨液形成的薄膜的工序；使發(fā)光區(qū)域內(nèi)的薄膜難溶化的工序；通過清洗將發(fā)光區(qū)域外的薄膜除去的工序；以及形成第二電極的工序。
文檔編號H05B33/10GK102823324SQ20118001617
公開日2012年12月12日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月29日
發(fā)明者合田匡志 申請人:住友化學(xué)株式會社