專利名稱：用于產(chǎn)生等離子體的天線單元和包括所述天線單元的基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生等離子體的天線單元，更具體地，涉及包括共軸引入部分的天線單元和包括所述天線單元的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
通常，通過在基板上形成薄膜的沉積工藝、利用光敏材料選擇性地曝光和遮蔽薄膜的光刻工藝以及選擇性地去除薄膜的蝕刻工藝來(lái)制造半導(dǎo)體器件、顯示器件和太陽(yáng)能電池。在這些制造工藝中，沉積工藝和蝕刻工藝在使用等離子體的制造裝置中在處于最佳真空狀態(tài)的腔室內(nèi)執(zhí)行。在基板處理裝置中，反應(yīng)氣體被激發(fā)以具有等離子體態(tài)并利用等離子體態(tài)反應(yīng)氣體執(zhí)行制造工藝。根據(jù)產(chǎn)生等離子體的方法，用于沉積工藝和刻蝕工藝的基板處理裝置可分類為電感耦合等離子(ICP)型和電容耦合等離子(CCP)型。ICP型可應(yīng)用于反應(yīng)性離子刻蝕(RIE) 裝置和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)裝置，而CCP型可應(yīng)用于高密度等離子(HDP)蝕刻裝置和HDP沉積裝置。ICP型和CCP型具有各自的產(chǎn)生等離子體的原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn)。 因此，根據(jù)使用場(chǎng)合需要來(lái)選擇性地使用ICP型和CCP型。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電感耦合等離子體型基板處理裝置。在圖1中，基板處理裝置10包括腔室12、天線14、氣體供應(yīng)板16以及基板支架18。腔室12包括腔室蓋1 和腔體12b并提供與外界隔離的用于處理基板的反應(yīng)空間。腔室蓋1 可由絕緣材料形成， 并且能夠?qū)⑻炀€14的感應(yīng)電場(chǎng)傳導(dǎo)至腔室12的內(nèi)部。天線14設(shè)置在腔室蓋1 上方并且與腔室蓋12a隔開。天線14通過饋線20連接到射頻(RF)電源22，而RF電源22將RF功率提供給天線14。天線14包括第一天線1 和第二天線14b。此外，饋線20包括第一饋線20a和第二饋線20b。第一天線1 通過第一饋線20a和可變電容C連接到RF電源22，而第二天線14b通過第二饋線20b連接到RF 電源22。因此，第一天線1 和第二天線14b并聯(lián)地連接到RF電源22。而且，在天線14 和RF電源22之間形成用于匹配負(fù)載和電源阻抗的匹配器M。氣體供應(yīng)板16連接到氣體供應(yīng)管沈，并通過氣體供應(yīng)管沈?qū)⒐に嚉怏w噴灑到腔室12內(nèi)部?；逯Ъ?8面對(duì)氣體供應(yīng)板16，并且基板觀設(shè)置在基板支架18上。此外，基板處理裝置10還包括用來(lái)將基板觀送入和/或送出腔室12的閘門(未示出)以及用于從腔室12中排出反應(yīng)氣體和殘留物的排放裝置30。在基板處理裝置10中，當(dāng)RF功率施加至天線14時(shí)，在天線14周圍產(chǎn)生水平方向的時(shí)變磁場(chǎng)，并且由時(shí)變磁場(chǎng)感應(yīng)出垂直方向的電場(chǎng)。感應(yīng)電場(chǎng)傳導(dǎo)入腔室12，并且腔室 12中的電子由感應(yīng)電場(chǎng)加速。加速的電子與中性氣體碰撞從而產(chǎn)生離子和自由基，S卩，等離子體，并利用該等離子體執(zhí)行沉積工藝和蝕刻工藝。當(dāng)?shù)谝惶炀€1 通過設(shè)置在腔室蓋1 的中心的第一接入部分40a連接到第一饋線20a和RF電源22時(shí)，第二天線14b通過設(shè)置在與腔室蓋12a的中心隔開的區(qū)域的第二接入部分40b連接到第二饋線20b和RF電源22。由于第二天線14b的第二接入部分40b 偏離腔室蓋12a的中心并與腔室蓋12a的中心隔開，因此第一天線1 和第二天線14b未相對(duì)于腔室蓋12a的中心對(duì)稱地設(shè)置。結(jié)果，由RF電源22提供的RF功率未均勻地分配給第一天線1 和第二天線14b，因此腔室12中的等離子體密度的均勻性變差。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生等離子體的天線單元和包括所述天線單元的基板處理裝置，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而引起的一個(gè)或多個(gè)問題。本發(fā)明的目的在于提供一種包括共軸接入部分的天線單元和包括所述天線單元的基板處理裝置，其改進(jìn)了等離子體密度的均勻性。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種包括在腔室蓋中心的共軸接入部分的天線單元和通過所述共軸接入部分并聯(lián)地連接到射頻電源的多個(gè)天線，以及包括所述天線單元的基板處理裝置，射頻功率均勻地分配給所述多個(gè)天線。為了實(shí)現(xiàn)這些及其他有點(diǎn)，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和廣泛描述的，一種用于產(chǎn)生等離子體的天線單元包括包括第一接入部分和從所述第一接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第一子天線的第一天線；以及包括第二接入部分和從所述第二接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第二子天線的第二天線，所述第一接入部分和所述第二接入部分構(gòu)成共軸線。在另一方面，一種基板處理裝置包括包括腔室蓋和腔體的腔室；在所述腔室蓋上方的天線單元，其中所述天線單元包括包括第一接入部分和從所述第一接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第一子天線的第一天線；以及包括第二接入部分和從所述第二接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第二子天線的第二天線，所述第一接入部分和所述第二接入部分構(gòu)成共軸線；以及將射頻功率施加給所述天線單元的射頻電源。應(yīng)該理解的是，前面的概括描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，意在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


所包括的附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，所述附圖被并入本說(shuō)明書并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，所述附示本發(fā)明的實(shí)施例。在附圖中圖1所示出的是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電感耦合等離子體型基板處理裝置；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電感耦合型基板處理裝置的截面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于基板處理裝置的天線單元的立體圖；圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的天線單元的共軸接入部分的截面圖；以及圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的天線單元的共軸接入部分的截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考實(shí)施例，所述實(shí)施例在附圖中圖示。只要可能，類似的附圖標(biāo)記將用于表示相同或者類似的部分。圖2是示出依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電感耦合型基板處理裝置的截面圖；在圖2中，基板處理裝置110包括腔室112、天線單元145、氣體供應(yīng)板116以及基板支架118。包括腔室蓋11 和腔體112b的腔室112提供與外界隔離的用來(lái)處理基板1 的反應(yīng)空間。腔室蓋11 可由絕緣材料形成，使得天線114的感應(yīng)電場(chǎng)可傳導(dǎo)至腔室112 的內(nèi)部，并在腔室112中產(chǎn)生等離子體。由絕緣材料形成的腔室蓋11 可減小天線114和等離子體之間的電容耦合。天線單元145設(shè)置在腔室蓋11 上方并與腔室蓋11 隔開。天線單元145包括天線114和饋線120，天線114包括直接連接到饋線120的接入部分140。天線114通過饋線120連接到射頻(RF)電源122，RF電源122將RF功率提供給天線114。天線114可包括第一天線IHa和第二天線114b，而接入部分140可包括第一接入部分140a和第二接入部分140b。此外，饋線120可包括第一饋線120a和第二饋線120b。第一接入部分140a和第二接入部分140b可形成為共軸線，從而第一接入部分140a和第二接入部分140b可設(shè)置在腔室蓋11 的中心。第一天線11 的第一接入部分140a通過第一饋線120a和可變電容C連接到RF 電源122，而第二天線114b的第二接入部分140b通過第二饋線120b連接到RF電源122。 因此，第一天線IHa和第二天線114b并聯(lián)地連接到RF電源122。而且，用來(lái)匹配負(fù)載和電源阻抗的匹配器124形成在天線114和RF電源122之間。氣體供應(yīng)板116連接到氣體供應(yīng)管126，并通過氣體供應(yīng)管1 將工藝氣體噴灑到腔室112內(nèi)部?；逯Ъ?18面對(duì)氣體供應(yīng)板116，并且基板1 設(shè)置在基板支架118上。 此外，基板處理裝置110還包括用于將基板1 送入和/或送出腔室112的閘門(未示出) 以及用于從腔室112中排出反應(yīng)氣體和殘留物的排放裝置130。圖3是示出依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于基板處理裝置的天線單元的立體圖。在圖3中，天線單元145包括天線114和饋線120，而天線114包括直接接觸饋線 120的接入部分140。天線114通過接入部分140連接到饋線120。天線114包括第一天線11 和第二天線114b。腔室蓋112a(圖2所示)包括相對(duì)于腔室蓋11 中心的外同心區(qū)域和內(nèi)同心區(qū)域。第一天線IHa可設(shè)置在腔室蓋11 的外同心區(qū)域，而第二天線114b 可設(shè)置在腔室蓋11 的內(nèi)同心區(qū)域。接入部分140包括第一接入部分140a和第二接入部分140b，并且第一天線11 和第二天線114b分別包括第一接入部分140a和第二接入部分 140b。此外，饋線120包括第一饋線120a和第二饋線120b。第一天線11 和第二天線114b并聯(lián)地連接到RF電源122。第二饋線120b從連接第一天線IHa和匹配器124的第一饋線120a的分離點(diǎn)分離出來(lái)，并且第二天線114b連接到第二饋線120b?？勺冸娙軨連接在所述分離點(diǎn)和第一接入部分140a之間，并且可通過可變電容C調(diào)節(jié)流經(jīng)第一天線11 和第二天線114b的電流比。盡管未示出，額外的可變電容可連接在所述分離點(diǎn)和第二接入部分140b之間以更容易地調(diào)節(jié)流經(jīng)第一天線11 和第二天線114b的電流比。第一天線11 的第一接入部分140a和第二天線114b的第二接入部分140b可在腔室蓋11 的中心形成為共軸線142。例如，第一接入部分140a可包括位于其中的空洞，并且第二接入部分140b可設(shè)置在第一接入部分140a的空洞中。此外，第一接入部分140a 和第二接入部分140b之間的空隙可填充有絕緣體144。絕緣體144可包括例如聚四氟乙烯的樹脂。第一天線IHa的第一接入部分140a連接到第一饋線120a，而第二天線114b的第二接入部分140b連接到第二饋線120b。共軸線142的第一接入部分140a和第二接入部分140b可彼此隔開約30mm。絕緣體144可接觸第一接入部分140a和第二接入部分140b?；蛘撸^緣體144可與第一接入部分140a和第二接入部分140b中的至少一個(gè)隔開約1mm。伸出物146可形成在第一接入部分140a的上端，以用來(lái)與第一饋線120a連接。第二天線114b的第二接入部分140b可從共軸線142向上伸出以與第二饋線120b連接。然而，由于第一接入部分140a和第二接入部分140b形成為共軸線142，很難將第一饋線120a 和第一天線IHa的第一接入部分140a直接連接。因此，通過將第一饋線120a與從第一接入部分140a的上端向外伸出的伸出物146連接，第一饋線120a可容易地連接到第一接入部分140a。第一天線11 可包括從第一接入部分140a的下端分離出來(lái)的多個(gè)第一子天線 150。多個(gè)第一子天線150的每一個(gè)可具有半弧形，使得多個(gè)第一子天線150構(gòu)成環(huán)形。例如，多個(gè)第一子天線150中的至少一個(gè)可包括第一分支部分152、第一前弧形部分154、第一彎曲部分158、第一后弧形部分156以及第一接地部分159。第一分支部分152從第一接入部分140a的下端分離出來(lái)，而第一前弧形部分IM連接到第一分支部分152。此外，第一彎曲部分158連接在第一前弧形部分IM和第一后弧形部分156之間，而第一后弧形部分 156通過第一彎曲部分158連接到第一前弧形部分154。第一分支部分152可通過螺栓連接到圓柱形的第一接入部分140a的下端。例如， 四個(gè)第一分支部分152可連接到第一接入部分140a的下端，并且兩個(gè)相鄰的第一分支部分 152之間的角度可為約90度。第一彎曲部分可在第一前弧形部分IM和第一后弧形部分156之間垂直地和水平地彎曲，以使第一前弧形部分1 和第一后弧形部分156可通過第一彎曲部分158連接而不與相鄰的第一子天線150接觸。例如，一個(gè)第一子天線150的第一前弧形部分IM可設(shè)置在左側(cè)相鄰的第一子天線150的第一后弧形部分156的上方，而一個(gè)第一子天線150的第一后弧形部分156可設(shè)置在右側(cè)相鄰的第一子天線150的第一前弧形部分154的下方。 第一接地部分159可設(shè)置成與腔室蓋11 垂直，并且可連接到外部接地端以接地。第二天線114b可包括從第二接入部分140b的下端分離出來(lái)的多個(gè)第二子天線 160。多個(gè)第二子天線160中的每一個(gè)可具有環(huán)形。例如，多個(gè)第二子天線160中的每一個(gè)可包括第二分支部分162、第二前弧形部分164、第二彎曲部分168、第二中間弧形部分166、 第三彎曲部分172、第二后弧形部分170以及第二接地部分174。第二分支部分162從第二接入部分140b的下端分離出來(lái)，而第二前弧形部分164連接到第二分支部分162。此外，第二彎曲部分168連接在第二前弧形部分164和第二中間弧形部分166之間，而第三彎曲部分172連接在第二中間弧形部分166和第二后弧形部分170之間。而且，第二中間弧形部分166通過第二彎曲部分168連接到第二前弧形部分164，而第二后弧形部分170通過第三彎曲部分172連接到第二中間弧形部分166。第二分支部分162可連接到第二接入部分140b的下端。例如，兩個(gè)第二分支部分162可連接到第二接入部分140b的下端，并且兩個(gè)第二分支部分162之間的夾角可為約 180 度。第二彎曲部分168可在第二前弧形部分164和第二中間弧形部分166之間垂直地和水平地彎曲，而第三彎曲部分172可在第二中間弧形部分166和第二后弧形部分170之間垂直地和水平地彎曲。因此，第二前弧形部分164和第二中間弧形部分166可通過第二彎曲部分168連接，而第二中間弧形部分166和第二后弧形部分170可通過第三彎曲部分 172連接而不與相鄰的第二子天線160接觸。例如，一個(gè)第二子天線160的第二前弧形部分 164和第二后弧形部分170可設(shè)置在另一個(gè)第二子天線160的第二中間弧形部分166的上方，而一個(gè)第二子天線160的第二中間弧形部分166可設(shè)置在另一第二子天線160的第二前弧形部分164和第二后弧形部分170的下方。第二接地部分174可設(shè)置成與腔室蓋11 垂直，并且可連接到外部接地端以接地。由于一個(gè)第一子天線150的第一前弧形部分IM設(shè)置在另一個(gè)第一子天線150的第一后弧形部分156的上方，因此由第一前弧形部分巧4產(chǎn)生的RF磁場(chǎng)被第一后弧形部分 156部分地屏蔽。此外，由于第一后弧形部分156距離RF電源122比第一前弧形部分巧4 更遠(yuǎn)，因此由第一后弧形部分156產(chǎn)生的RF磁場(chǎng)會(huì)比由第一前弧形部分巧4產(chǎn)生的RF磁場(chǎng)具有更小的強(qiáng)度。結(jié)果，避免了由于RF電源122附近的強(qiáng)RF磁場(chǎng)導(dǎo)致的等離子體密度的局部不均勻性。相似地，由于一個(gè)第二子天線160的第二前弧形部分164和第二后弧形部分172設(shè)置在相鄰的第二子天線160的第二中間弧形部分166的上方，結(jié)果，避免了由于 RF電源122附近的強(qiáng)RF磁場(chǎng)導(dǎo)致的等離子體密度的局部不均勻性。在圖3中，雖然第一天線IHa包括從第一接入部分140a分離出來(lái)的夾角為約90 度的四個(gè)第一子天線150，而第二天線114b包括從第二接入部分140b分離出來(lái)的夾角為約 180度的兩個(gè)第二子天線160，但是在另一實(shí)施例中，可根據(jù)使用場(chǎng)合需要來(lái)改變多個(gè)第一子天線150的數(shù)量和多個(gè)第二子天線160的數(shù)量。圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的天線單元的共軸接入部分的截面圖，圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的天線單元的共軸接入部分的截面圖。在圖4A中，在腔室蓋11 (圖2)的中心，第一天線IHa的第一接入部分140a 和第二天線114b的第二接入部分140b形成為共軸線142。連接到第二饋線120b (圖3所示)的第二接入部分140b設(shè)置在共軸線142的中心，而連接到第一饋線120a(圖3所示) 的第一接入部分140a包圍第二接入部分140b。此外，在第一接入部分140a和第二接入部分140b之間的空隙中填充絕緣體144。絕緣體144可包括例如聚四氟乙烯的樹脂。第一接入部分140a和第二接入部分140b可彼此隔開約30mm的間距。此外，絕緣體144可與第一接入部分140a和第二接入部分140b的每一個(gè)隔開約Imm的間距。由于第一接入部分140a暴露于外界，因此第一接入部分140a的熱量相對(duì)容易發(fā)散。然而，由于第二接入部分140b被絕緣體144和第一接入部分140a包圍，因此第二接入部分140b的熱量相對(duì)難發(fā)散。為了冷卻第二接入部分140b，在絕緣體144中形成用于制冷劑的多條流徑 180。例如，可穿過絕緣體144形成所述多條流徑180。此外，所述多條流徑180形成為與第二接入部分140b相鄰以有效地冷卻第二接入部分140b。例如，所述多條流徑180的至少一條的中心可設(shè)置在相應(yīng)于絕緣體144的中心線的圈182和第二接入部分140b之間。在圖4B中，在腔室蓋112a(圖2所示)的中心，第一天線IHa的第一接入部分140a和第二天線114b的第二接入部分140b形成為共軸線142。連接到第二饋線120b (圖 3所示)的第二接入部分140b設(shè)置在共軸線142的中心，而連接到第一饋線120a(圖3所示)的第一接入部分140a包圍第二接入部分140b。此外，在第一接入部分140a和第二接入部分140b之間的空隙中填充絕緣體144。絕緣體144可包括例如聚四氟乙烯的樹脂。第一接入部分140a和第二接入部分140b可彼此隔開約30mm的間距。此外，絕緣體144可與第二接入部分140b接觸，并且可與第一接入部分140a隔開約Imm的間距。在另一個(gè)實(shí)施例中，絕緣體144可與第一接入部分140a接觸。由于第一接入部分140a暴露于外界，因此第一接入部分140a的熱量相對(duì)容易發(fā)散。然而，由于第二接入部分140b被絕緣體144和第一接入部分140a包圍，因此第二接入部分140b的熱量相對(duì)難發(fā)散。為了冷卻第二接入部分140b，在絕緣體144中形成用于制冷劑的多條流徑180。例如，可穿過絕緣體144形成所述多條流徑180。此外，多條流徑180形成為與第二接入部分140b接觸以更有效地冷卻第二接入部分140b。例如，第二接入部分140b的表面可構(gòu)成多條流徑180的至少一條的一部分。由于制冷劑與第二接入部分140b直接接觸，因此提高了冷卻效率。結(jié)果，在根據(jù)本發(fā)明的包括天線單元的ICP型基板處理裝置中，多個(gè)天線并聯(lián)地連接到RF電源，而所述多個(gè)天線的多個(gè)接入部分在腔室蓋的中心形成為共軸線。結(jié)果，RF 功率被均勻地施加至所述多個(gè)天線，從而提高了等離子體密度的均勻性。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明的用于產(chǎn)生等離子體的天線單元和包括所述天線單元的基板處理裝置作出各種修改和變型對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。因此，本發(fā)明旨在涵蓋歸入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種用于產(chǎn)生等離子體的天線，包括第一天線，包括第一接入部分和從所述第一接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第一子天線；以及第二天線，包括第二接入部分和從所述第二接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第二子天線，所述第一接入部分和所述第二接入部分構(gòu)成共軸線。
2.如權(quán)利要求1所述的天線單元，其中所述第一接入部分包括空洞，所述第二接入部分設(shè)置在所述空洞中。
3.如權(quán)利要求2所述的天線單元，其中所述第一接入部分和所述第二接入部分之間的空隙中填充有絕緣體。
4.如權(quán)利要求3所述的天線單元，其中用于制冷劑的多條流徑形成在所述絕緣體中。
5.如權(quán)利要求4所述的天線單元，其中所述絕緣體與所述第二接入部分接觸，并且所述第二接入部分的表面構(gòu)成所述多條流徑的至少一條的一部分。
6.如權(quán)利要求4所述的天線單元，其中所述絕緣體與所述第二接入部分隔開，并且所述多條流徑的至少一條設(shè)置成鄰近所述第二接入部分。
7.如權(quán)利要求1所述的天線單元，其中所述多個(gè)第一子天線的至少一個(gè)包括 從所述第一接入部分的下端分離出來(lái)的第一分支部分；連接到所述第一分支部分的第一前弧形部分；連接到所述第一前弧形部分的第一后弧形部分；以及連接在所述第一前弧形部分和所述第一后弧形部分之間的第一彎曲部分。
8.如權(quán)利要求7所述的天線單元，其中所述多個(gè)第一子天線的一個(gè)的所述第一前弧形部分設(shè)置在所述多個(gè)第一子天線的相鄰的一個(gè)的所述第一后弧形部分的上方。
9.如權(quán)利要求8所述的天線單元，其中所述多個(gè)第二子天線的至少一個(gè)包括 從所述第二接入部分的下端分離出來(lái)的第二分支部分；連接到所述第二分支部分的第二前弧形部分； 連接到所述第二前弧形部分的第二中間弧形部分； 連接到所述第二中間弧形部分的第二后弧形部分；連接在所述第二前弧形部分和所述第二中間弧形部分之間的第二彎曲部分；以及連接在所述第二中間弧形部分和所述第二后弧形部分之間的第三彎曲部分。
10.如權(quán)利要求9所述的天線單元，其中所述多個(gè)第二子天線中的一個(gè)的所述第二前弧形部分和所述第二后弧形部分設(shè)置在所述多個(gè)第二子天線中的另一個(gè)的所述第二中間弧形部分的上方。
11.如權(quán)利要求10所述的天線單元，其中所述多個(gè)第一子天線的至少一個(gè)進(jìn)一步包括連接到所述第一后弧形部分的第一接地部分，所述多個(gè)第二子天線的至少一個(gè)進(jìn)一步包括連接到所述第二后弧形部分的第二接地部分。
12.如權(quán)利要求1所述的天線單元，其中所述第一天線和所述第二天線并聯(lián)地連接到射頻電源。
13.一個(gè)基板處理裝置，包括 包括腔室蓋和腔體的腔室；在所述腔室蓋上方的天線單元，其中，所述天線單元包括包括第一接入部分和從所述第一接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第一子天線的第一天線；以及包括第二接入部分和從所述第二接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第二子天線的第二天線，所述第一接入部分和所述第二接入部分構(gòu)成共軸線；以及將射頻功率施加到所述天線單元的射頻電源。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其中所述第一接入部分包括空洞，所述第二接入部分設(shè)置在所述空洞中。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其中，所述第一接入部分和所述第二接入部分之間的空隙中填充有絕緣體。
16.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其中所述第一接入部分通過第一饋線和可變電容連接到所述射頻電源，所述第二接入部分通過第二饋線連接到所述射頻電源，并而其中所述第一天線和所述第二天線并聯(lián)地連接到所述射頻電源。
全文摘要
一種用于產(chǎn)生等離子體的天線單元包括包括第一接入部分和從所述第一接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第一子天線的第一天線；以及包括第二接入部分和從所述第二接入部分分離出來(lái)的多個(gè)第二子天線的第二天線，所述第一接入部分和所述第二接入部分構(gòu)成共軸線。
文檔編號(hào)H05H1/46GK102573262SQ201110319200
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者張容準(zhǔn) 申請(qǐng)人:周星工程股份有限公司