專利名稱：印刷電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有即使搭載了高速驅(qū)動(dòng)的IC也不會(huì)產(chǎn)生由串音、信號傳送延遲等引起的誤動(dòng)作的微細(xì)布線構(gòu)造的印刷電路板。
背景技術(shù)：
積層式印刷電路板是作為由在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而形成的印刷電路板的一例子。這樣的印刷電路板是例如在芯基板上交替層疊導(dǎo)體電路和層間樹脂絕緣層，位于下層的導(dǎo)體電路和位于上層的導(dǎo)體電路通過所謂的導(dǎo)通孔而被電連接。該導(dǎo)通孔是使層間樹脂絕緣層開口并在其開口設(shè)置鍍膜而形成的(參照日本公開專利公報(bào)11-176985號或日本公開專利公報(bào)11-243279號)。在這樣的印刷電路板中，在構(gòu)成各導(dǎo)體電路的布線圖案之間的間隙中填充有由電介體構(gòu)成的層間絕緣層，各布線圖案形成為其截面形狀為大致矩形。但是，在IC的高速驅(qū)動(dòng)化和搭載這樣的IC的印刷電路板的微細(xì)布線化同時(shí)發(fā)展的過程中，會(huì)存在因具有最小導(dǎo)體寬度L/最小間隔S = 15/15 μ m以下的微細(xì)的布線圖案的印刷電路板內(nèi)的串音、信號延遲而導(dǎo)致IC發(fā)生誤動(dòng)作的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決以往技術(shù)的上述問題點(diǎn)，提供一種即使將最小導(dǎo)體寬度L/ 最小間隔S微細(xì)化也可以抑制串音、信號延遲的印刷電路板。發(fā)明人為實(shí)現(xiàn)上述目的而反復(fù)進(jìn)行了銳意研究，結(jié)果完成了以以下內(nèi)容為主要構(gòu)成的發(fā)明。S卩，本發(fā)明的印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的、導(dǎo)體電路上表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W 1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系滿足下式的要求0. IOT 彡 |W1_W2| 彡 0. 73T......(1)。采用這樣的構(gòu)造，在將導(dǎo)體電路的厚度設(shè)為T時(shí)，在導(dǎo)體電路上側(cè)間隔W 1與導(dǎo)體電路下側(cè)間隔W2之差的絕對值ι W1-W2 I為0. IOT 0. 73T的情況下，由于相鄰的導(dǎo)體電路的相對的側(cè)壁互相不平行，因此可以減小相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量。因此，即使搭載了高速驅(qū)動(dòng)的IC也可以抑制串音、信號延遲。另外，在本發(fā)明中，“導(dǎo)體電路的截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形”的意思是指，不只是認(rèn)為導(dǎo)體電路上側(cè)的角部為幾何學(xué)上的銳角或鈍角，也包括稍微帶有圓形的形狀的情況，或?qū)w電路的斜邊不是直線而有些稍微曲線的情況，或在導(dǎo)體電路的上表面整個(gè)稍微帶有圓形的形狀的情況，或在導(dǎo)體電路的上表面及/或斜面上形成有由不規(guī)則的凹凸構(gòu)成的粗糙化面的情況，是在視覺上認(rèn)定為導(dǎo)體電路的截面形狀不是矩形而是整體為梯形的意思。在本發(fā)明中，導(dǎo)體電路優(yōu)選通過添加法(全添加法、半添加法)形成，也可以通過蒸鍍等來形成導(dǎo)體電路。在此，例如日本特開平06-57453號公報(bào)所公開的那樣，在基板上形成了由抗蝕液性的樹脂膜等構(gòu)成的抗蝕層，并通過曝光、顯影而形成了所期望的抗蝕圖案之后，溶解除去未形成抗蝕層的部位上的金屬層部分，再剝離抗蝕層，從而得到處于抗蝕層下的金屬層部分作為所期望的圖案的導(dǎo)體電路，其中，上述基板是通過在基體材料的表面上形成了由金屬鍍層或金屬箔構(gòu)成的金屬層而形成的，本發(fā)明不包括由這樣的金屬面腐蝕法、壓凹 (tenting)法等形成的導(dǎo)體電路(參照日本特開平06-57453號公報(bào)的圖1)。通過這樣的方法形成的導(dǎo)體電路是通過蝕刻除去在未形成抗蝕層的部分露出的金屬層而形成的，但由于不只是在與基體材料的表面垂直的方向上、在水平方向上也被蝕刻，因此導(dǎo)體電路的截面積變小。結(jié)果，與通過添加法形成的導(dǎo)體電路相比，導(dǎo)體電阻變大了。上述“導(dǎo)體電路上側(cè)間隔Wl ”是指，在導(dǎo)體電路上側(cè)的角部被認(rèn)為是幾何學(xué)上的銳角或鈍角時(shí)，其被定義為相鄰的導(dǎo)體電路上端之間的距離，“導(dǎo)體電路下側(cè)間隔為W2”被定義為在互相相鄰的導(dǎo)體電路的垂直截面上相對的2個(gè)斜邊的下端部之間的距離。另外，在上述角部為稍微帶有圓形的形狀的情況下，上述Wl被定義為在互相相鄰的導(dǎo)體電路的垂直截面上，相對的2個(gè)斜邊的直線部分的延長線與上邊直線部的延長線相交的2點(diǎn)之間的距離；在上述導(dǎo)體電路的上表面整個(gè)稍微帶有圓形的情況下，上述Wl被定義為在互相相鄰的導(dǎo)體電路的垂直截面上，相對的2個(gè)斜邊的各自的延長線與和圓形的頂點(diǎn)相切、且與電路板平行的直線相交的2點(diǎn)之間的距離。另外，在上述導(dǎo)體電路的上表面及/或斜面上形成了粗糙化面的情況下可以將成為粗糙化面的凹凸的山頂線視為導(dǎo)體電路的上邊及/或斜邊而對上述Wl及W2進(jìn)行近似計(jì)
笪弁。在本發(fā)明中，對于IW1-W2I，其優(yōu)選范圍是0. IOT 0. 35T，并且更優(yōu)選范圍是 0. 35T 0. 73T。另外，導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2優(yōu)選為15 μ m以下，| W1-W2 |的標(biāo)準(zhǔn)偏差 σ優(yōu)選為(0. 04Τ+2)以下。并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選在導(dǎo)體電路的表面上設(shè)置粗糙化層。


圖 1(a) 的圖。圖 2 (a) 部分的圖。圖 3 (a) 部分的圖。圖 4 (a) 部分的圖。圖 5 (a)
(e)是表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分 (d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一 (c)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一 (c)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一 (d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。圖6(a) (d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。圖7(a) (d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的圖。圖9是表示在本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板上安裝了 IC芯片的狀態(tài)的圖。圖10是用于說明本發(fā)明的印刷電路板上的導(dǎo)體電路的截面形狀的概略圖。圖11用于說明由添加法形成的導(dǎo)體電路的截面形狀的優(yōu)選實(shí)施例的概略圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，本發(fā)明的印刷電路板是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料，且各導(dǎo)體電路具有實(shí)質(zhì)上為梯形的截面形狀而成的，其特征在于，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔的導(dǎo)體電路上側(cè)間隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度 T的關(guān)系滿足0. IOT彡W1-W2彡0. 73T。之所以這樣的關(guān)系式中包含導(dǎo)體電路的厚度T，是因?yàn)閷?dǎo)體電路的厚度T對相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量產(chǎn)生影響。在相鄰的導(dǎo)體電路的相對的側(cè)壁不平行而以傾斜的狀態(tài)相對的情況下，與相對的側(cè)壁為平行的情況相比，導(dǎo)體電路之間的電容量減少，但若 IW1-W2處于0. IOT 0. 73T的范圍內(nèi)，則即使搭載了 2.6GHz以上的IC也難以產(chǎn)生誤動(dòng)作。另一方面，在|W1_W2|不足0. IOT時(shí)，由于相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量變大，則不利于高速信號傳送，在IW1-W2I超過0.73T時(shí)，容易產(chǎn)生信號延遲。究其原因，是因?yàn)殡S著導(dǎo)體電路的截面形狀的梯形化，導(dǎo)體體積減小，結(jié)果，導(dǎo)體電路的電阻值變大而不利于高速信號傳送。W1-W2的更優(yōu)選范圍為0. 35T 0. 73T，最佳范圍為0. IOT 0. 35T。在處于該范圍時(shí)，即使具有L/S = 12. 5/12. 5 μ m以下的導(dǎo)體電路也能夠確保充分的導(dǎo)體體積。另外， 導(dǎo)體電路之間的電容量也會(huì)變小。在本發(fā)明中，在導(dǎo)體電路的L/S越細(xì)導(dǎo)體電路之間的電容量(靜電容量)越大這一點(diǎn)上具有較重大的意義，但導(dǎo)體電路的L/S優(yōu)選處于5/5 μ m 15/15 μ m的范圍。其理由是因?yàn)樵贚/S不足5 μ m/5 μ m的情況下，導(dǎo)體體積過小而使導(dǎo)體電路的電阻值上升，結(jié)果會(huì)產(chǎn)生信號延遲。另一方面，在L/S超過15/15 μ m時(shí)，由于信號線之間的空間變大而相鄰的導(dǎo)體電路之間的靜電容量變小，因此難以產(chǎn)生串音噪音。在本發(fā)明中，導(dǎo)體電路的厚度優(yōu)選為5 25 μ m。其理由是因?yàn)?，在厚度不? μ m 的情況下，導(dǎo)體電路的電阻值變大，另一方面，在厚度超過25 μ m時(shí)，由于電容量變大，因此不利于高速信號傳送，在搭載了 2. 6GHz以上的IC芯片時(shí)容易產(chǎn)生誤動(dòng)作。通常，印刷電路板包括多個(gè)產(chǎn)品，由例如尺寸為340X510mm的片構(gòu)成，在本發(fā)明中，1個(gè)制品內(nèi)的IW1-W2I的標(biāo)準(zhǔn)偏差(由將1個(gè)制品平均分成4份，并從該分割后的各區(qū)段中隨機(jī)抽取8個(gè)部位的數(shù)據(jù)(從分割后的區(qū)段各抽取2個(gè)數(shù)據(jù))算出的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ表示)與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系優(yōu)選為(0.04ΧΤ+2)以下。
在該范圍之內(nèi)時(shí)，由于各信號線的傳送速度恒定，因此在各信號線之間不會(huì)產(chǎn)生傳送速度差。另一方面，在IW1-W2I的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ超過(0.04ΧΤ+》時(shí)，各信號線上的傳送速度差變大而容易產(chǎn)生誤動(dòng)作。另外，在本發(fā)明中優(yōu)選是在導(dǎo)體電路的至少側(cè)壁上形成有粗糙化面。在存在粗糙化面時(shí)，導(dǎo)體電路側(cè)壁的表面積顯著增大。由于導(dǎo)體電路之間的電容量也隨之增大，因此對在導(dǎo)體電路側(cè)壁具有粗糙化面的印刷電路板應(yīng)用于本發(fā)明時(shí)效果較好。粗糙化面并沒有特別的限定，可以通過黑化、內(nèi)插板、Cz處理等蝕刻處理等形成。另外，如圖11概略所示，在本發(fā)明中，對于通過添加法形成的導(dǎo)體電路，在將連結(jié)了導(dǎo)體電路的截面上的4個(gè)頂點(diǎn)A、B、C、D的梯形的面積設(shè)為&、將導(dǎo)體電路的截面積設(shè)為 S1時(shí)，也優(yōu)選是0. 8彡S1Z^彡1. 2。其理由是因?yàn)?，如果處于該范圍，則使導(dǎo)體電路保持為低電阻并可使導(dǎo)體電路間隔較寬。下面，基于實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明的多層印刷電路板及其制造方法。實(shí)施例1(A)含有鱗片狀粒子的混煉物的制作在20g 丁酮(以下稱作“MEK”)和80g 二甲苯的混合溶劑中添加15g鱗片狀粒子(株式會(huì)社* 一夕二 > (HOJUN)社制、商品名稱“工、y C”、分散時(shí)的縱橫尺寸比 500、結(jié)晶尺寸 0. 5 μ m)，并用三根輥進(jìn)行混煉而做成含有鱗片狀粒子的混煉物。(B)含有環(huán)氧樹脂的溶液的制作在6. 8gMEK和27. 2g 二甲苯的混合溶劑中添加混合85g固態(tài)環(huán)氧樹脂(” ^ ^ > .^ ψ" ν . > 夕 > (JAPAN · EPOXY · RESIN)社制、商品名稱“工匕。工一卜 1007”)而做成含有環(huán)氧樹脂的溶液。(C)層間絕緣層用樹脂膜的制作用三根輥對在上述(A)中制作出的含有鱗片狀粒子的混煉物、在上述(B)中制作出的含有環(huán)氧樹脂的溶液、作為固化劑的雙氰胺(e 4 ·〒4 · 7 4 · 7 ~ ^ > (BTA JAPAN) 社制、商品名稱“CG-1200”、相對于每IOOg的固態(tài)環(huán)氧樹脂的量為3. 3g)、固化催化劑(四國化成社制、商品名稱“矢H y-^ 2E4HZ”、相對于每IOOg的固態(tài)環(huán)氧樹脂的量為3. 3g) 進(jìn)行混煉而得到粘接劑溶液。使用涂膠輥(寸一 ■^卜π 二夕^ (C ERMATR0NICS)貿(mào)易社制)將該粘接劑溶液涂敷在聚對苯二甲酸乙二醇酯的片上，之后，在160°C的條件下加熱干燥5分鐘而除去溶劑， 從而制作出厚度為40 μ m的絕緣性膜。在使用透視型電子顯微鏡(5萬 10萬倍)觀察該絕緣膜所含有的鱗片狀粒子時(shí)，由于分散時(shí)的最小結(jié)晶尺寸(粒子的最小寬度或最小長度中的任意較小的一方)為 0. Iym,因此本實(shí)施例中的鱗片狀粒子的縱橫尺寸比為100 500。(D)多層印刷電路板的制造參照圖1 圖8說明如圖9所示的多層印刷電路板的制造方法。(1)形成芯金屬層首先，在如圖1(a)所示的厚度為50 400 μ m的金屬板10上設(shè)有貫通表背面的開口 12(圖1(b))。該金屬板的材質(zhì)可以采用銅、鎳、鋅、鋁、鐵等金屬或這些金屬的合金等。 在此，由于在采用熱膨脹系數(shù)較低的36合金或42合金時(shí)可以使芯基板的熱膨脹系數(shù)接近
6IC的熱膨脹系數(shù)，因此可以降低熱應(yīng)力。利用沖孔、蝕刻、鉆孔、激光等穿設(shè)上述開口 12，在包括該開口 12在內(nèi)的金屬層10 的整個(gè)平面上，通過電解電鍍、無電解電鍍、置換電鍍、濺鍍等覆蓋金屬膜13而做成芯金屬層(圖 1(c))。另外，金屬板10可以是單層，也可以是2層以上的多層。另外，優(yōu)選是在設(shè)于金屬板10上的開口 12的角部實(shí)施倒角加工，使該角部成為曲面。由此，由于不存在應(yīng)力集中的點(diǎn)，因此可以抑制在角部周邊上產(chǎn)生裂紋。(2)形成內(nèi)層的絕緣層及導(dǎo)體層形成覆蓋整個(gè)金屬層10、且掩埋開口 12那樣的樹脂絕緣層14，并且在該樹脂絕緣層14上形成導(dǎo)體層15。在該金屬層10上設(shè)有上述開口 12。作為形成該絕緣層的材料，可以采用聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、BT樹脂等熱固化性樹脂、或使用在玻璃纖維布、芳香族聚酰胺無紡布等芯材中浸滲了該熱固化性樹脂而成的B階的預(yù)浸樹脂片等。具體地說，將在玻璃纖維布浸滲了環(huán)氧樹脂而成的、厚度為30 200 μ m左右的預(yù)浸樹脂片以覆蓋金屬膜13的狀態(tài)配置在金屬板10的兩面上，并在該預(yù)浸樹脂片的外側(cè)層疊厚度為12 275 μ m的銅等金屬箔之后，從該金屬箔上進(jìn)行加熱加壓，從而使預(yù)浸樹脂片的樹脂填充到開口 12內(nèi)，并且預(yù)浸樹脂片與金屬箔在覆蓋金屬板10的兩面的狀態(tài)下被壓接而形成一體，由此形成了內(nèi)層的絕緣層14及導(dǎo)體層15(圖1(d))。上述內(nèi)層的絕緣層14也可以通過在金屬層10的兩面上涂敷樹脂液來填充開口 12 的方法，或在涂敷樹脂液的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步在金屬層10的兩面上對樹脂膜進(jìn)行加熱加壓使其壓接而形成。設(shè)在上述內(nèi)層的絕緣層14上的導(dǎo)體層15由金屬箔形成，但也可以通過電解電鍍或無電解電鍍等增加厚度而由2層以上的金屬層形成。(3)形成內(nèi)層導(dǎo)體電路對上述內(nèi)層導(dǎo)體層15實(shí)施采用了壓凹法的蝕刻處理，而形成由電源層16P及接地層16E構(gòu)成的內(nèi)層的導(dǎo)體電路16(圖1(e))。這些內(nèi)層導(dǎo)體電路16的厚度優(yōu)選處于10 250 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于30 100 μ m的范圍內(nèi)。其理由是因?yàn)?，在厚度不?0 μ m的情況下，導(dǎo)體的電阻過大，在IC的電壓下降時(shí)不能瞬時(shí)供給電源，即不能瞬時(shí)間恢復(fù)至IC的驅(qū)動(dòng)電壓，另一方面，在厚度超過 250 μ m時(shí)，由于形成回路的部位與未形成回路的部位的凹凸的影響而使層間絕緣層的厚度不均勻。另外，由于電路板厚度變厚，因此不能減小環(huán)路電感。在該實(shí)施例中，將內(nèi)層導(dǎo)體電路的厚度設(shè)為60μπι。另外，在與IC等電子部件的電源電連接的電源用通孔貫穿接地層16Ε時(shí)，最好是不具有從電源用通孔延伸出的布線圖案。同樣，在與IC等的電子部件的接地線電連接的接地用通孔貫穿電源層16Ρ時(shí)，最好是不具有從接地用通孔延伸出的布線圖案。通過做成這樣的構(gòu)造可以縮小通孔間距。另外，由于可以縮小通孔與內(nèi)層導(dǎo)體電路之間的間隔，因此可以減小相互的互感。另外，內(nèi)層的導(dǎo)體電路是通過蝕刻處理形成的，但也可以通過添加法形成。(4)形成外層的絕緣層及導(dǎo)體電路
與上述(2)相同，形成用于覆蓋內(nèi)層的導(dǎo)體電路、且掩埋該回路之間的縫隙的樹脂絕緣層18，并在該樹脂絕緣層18上形成了外層的導(dǎo)體電路20。具體地說，將在玻璃纖維布浸滲了環(huán)氧樹脂而形成的、厚度為30 200 μ m左右的預(yù)浸樹脂片配置在上述(1) (3)中形成的基板的兩面上，并在該預(yù)浸樹脂片的外側(cè)層疊厚度為12 275 μ m的銅等金屬箔之后，從該金屬箔上進(jìn)行加熱加壓，從而使預(yù)浸樹脂片的樹脂填充到導(dǎo)體電路之間，并且預(yù)浸樹脂片與金屬箔在覆蓋導(dǎo)體電路16的兩面的狀態(tài)下被壓接而形成一體，由此形成了外層的絕緣層18及外層的導(dǎo)體電路20(圖2(a))。與內(nèi)層的絕緣層14相同，上述外層的絕緣層18也可以通過在基板的兩面上涂敷樹脂液來覆蓋內(nèi)層導(dǎo)體電路、并對導(dǎo)體電路之間進(jìn)行填充的方法，或在涂敷樹脂液的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步對樹脂膜進(jìn)行加熱加壓使其壓接而形成。另外，在這樣的加熱加壓的方法中，可以使絕緣層表面平坦。另外，在本實(shí)施例中，是將金屬板10作為芯體而在其兩面上形成內(nèi)層的絕緣層14 及導(dǎo)體電路，并進(jìn)一步形成外層的絕緣層18及外層的導(dǎo)體電路20，但并不一定要將金屬板 10用作芯體，也可以通過在單面或雙面覆銅層壓板上層疊形成了回路的構(gòu)件來形成芯基板。(5)形成電鍍通孔用貫通孔形成貫通在上述(4)中形成的芯基板的、開口直徑為50 400μπι的貫通孔21(圖 2(b))。該貫通孔21與設(shè)于金屬板10上的開口 12的位置對應(yīng)形成，通過鉆孔加工、或激光加工、或者同時(shí)使用激光加工和鉆孔加工而形成。該貫通孔的形狀優(yōu)選是具有直線狀側(cè)壁的構(gòu)造，也可以根據(jù)需要做成錐形。(6)形成電鍍通孔為了對在上述( 中形成的貫通孔21的側(cè)壁上施加導(dǎo)電性，在側(cè)壁上形成鍍膜22 并使該鍍膜22的表面粗糙化之后(圖2(c))，在貫通孔內(nèi)填充樹脂填充材料M，從而形成了電鍍通孔26(圖2⑷)。對于被填充到該貫通孔21中的樹脂填充材料對，優(yōu)選在將其臨時(shí)干燥之后，通過研磨除去附著在基板表面的鍍膜22上的多余的樹脂填充材料，并進(jìn)一步在150°C的條件下干燥1小時(shí)，從而使其完全固化。通過電解電鍍、或無電解電鍍、配電板電鍍(無電解電鍍和電解電鍍)等形成上述鍍膜22，該電鍍金屬采用了含有銅、鎳、鈷、磷等的金屬。另外，鍍膜22的厚度優(yōu)選為5 30 μ m的范圍。作為上述樹脂填充材料M，采用例如在樹脂材料中含有固化劑、粒子等的絕緣性樹脂材料，或在樹脂材料中含有金、銅等金屬粒子、固化劑等的導(dǎo)電性樹脂材料中的任一種材料。作為上述絕緣性樹脂材料的樹脂，采用了例如雙酚型環(huán)氧樹脂、酚醛環(huán)氧樹脂等環(huán)氧樹脂、雙酚樹脂等的熱固化性樹脂、具有感光性的紫外線固化樹脂、或者熱塑性樹脂等。這些樹脂材料可以采用單一種類的樹脂，或也可以采用復(fù)合了多種這些樹脂而成的材料。作為上述粒子，采用了二氧化硅、氧化鋁等無機(jī)粒子、金、銀、銅等金屬粒子、或者樹脂粒子等。這些粒子可以采用單一種類的粒子，或者也可以采用混合了多種這些粒子而成的材料。上述粒子的粒子直徑優(yōu)選處于0. 1 5μπι的范圍，可以采用相同直徑的粒子、或者混合了粒子直徑不同的粒子的材料。作為上述固化劑，可以采用咪唑系固化劑、胺系固化劑等。除此之外也可以含有固化穩(wěn)定劑、反應(yīng)穩(wěn)定劑、粒子等。另外，作為上述導(dǎo)電性樹脂材料，采用了在樹脂成分中含有金屬粒子、固化劑等而成的導(dǎo)電性膏。另外，也可以代替導(dǎo)電性膏而電鍍填充貫通孔21。在進(jìn)行電鍍填充時(shí)，像導(dǎo)電性膏那樣，不會(huì)隨著固化收縮而在表層上形成凹部。(7)形成芯基板的外層導(dǎo)體層及導(dǎo)體電路在上述(6)中在形成了電鍍通孔沈的基板的兩面的整面上覆蓋形成了鍍膜(圖 3(a))之后，實(shí)施采用了壓凹法的蝕刻處理，并在電鍍通孔沈的上方并與其緊鄰地形成蓋鍍層觀，并且形成了由電源層30Ρ及接地層30Ε構(gòu)成的外層導(dǎo)體電路30 (圖3 (b))。這些外層導(dǎo)體電路30的厚度優(yōu)選處于10 75 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于20 40 μ m的范圍內(nèi)。其理由是因?yàn)?，在厚度不?0 μ m的情況下，導(dǎo)體電阻較大，在厚度超過 75 μ m時(shí)，難以使形成于芯基板上的層間絕緣層變平坦，或基板會(huì)變厚。在該實(shí)施例中，將外層導(dǎo)體電路30的厚度設(shè)為35 μ m。通過上述(1) (7)的工序，形成了通過電鍍通孔沈使基板兩面的外層導(dǎo)體電路 30相互電連接、并且也通過電鍍通孔沈進(jìn)行內(nèi)層導(dǎo)體電路16與外層導(dǎo)體電路30之間的電連接的多層芯基板32。(8)在外層導(dǎo)體電路上形成粗糙化層在上述多層芯基板32的兩面上進(jìn)行黑化處理及還原處理，在外層的導(dǎo)體電路30 的側(cè)面及上表面(包括通孔的連接盤表面在內(nèi))形成了粗糙化層34(圖3(c))。(9)填充樹脂填充材料在上述多層芯基板32的外層的未形成導(dǎo)體電路的部位、即外層的導(dǎo)體電路之間的間隙中填充了樹脂填充材料36(圖4(a))。該樹脂填充材料可以采用與在上述(6)的工序中填充到貫通孔21內(nèi)的樹脂填充材料M相同的材料。(10)研磨外層導(dǎo)體電路上表面通過帶式研磨器等對完成了上述樹脂填充的基板的單面進(jìn)行研磨，除去設(shè)于外層導(dǎo)體電路30的側(cè)面及上表面的粗糙化面34中的、設(shè)于上表面的粗糙化層，并且使得在導(dǎo)體電路30的外緣部上未殘留樹脂填充材料36，接著，為了去除由上述研磨造成的傷痕，再用拋光輪等對外層導(dǎo)體電路30的上表面進(jìn)一步進(jìn)行研磨。對基板的另一面也同樣地進(jìn)行這樣的一系列的研磨而使其平滑。接著，進(jìn)行在100°C的條件下加熱1小時(shí)、在150°C的條件下加熱1小時(shí)的加熱處理，使樹脂填充材料36固化(圖4(b))。另外，可以根據(jù)需要省略向外層導(dǎo)體電路之間的間隙填充樹脂填充材料的步驟， 在這種情況下，通過層疊于多層芯基板上的層間絕緣層的樹脂層也可以同時(shí)進(jìn)行層間絕緣層的形成和對外層導(dǎo)體電路之間間隙的填充。(11)在外層導(dǎo)體電路上表面形成粗糙化層用噴射器將蝕刻液噴涂到上述(10)工序中平滑化了的外層導(dǎo)體電路30P、30E的表面(包括通孔的連接盤在內(nèi))，從而在外層導(dǎo)體電路的上表面形成了粗糙化層38(圖 4(c))。(12)形成層間樹脂絕緣層在形成了上述粗糙化層38的外層的導(dǎo)體電路表面上載置在上述(C)中形成的樹脂膜40，并對其進(jìn)行臨時(shí)壓接來裁斷之后，再采用真空層壓裝置將其貼付到基板表面上，從而形成了層間樹脂絕緣層42(圖5(a))。(13)形成導(dǎo)通孔形成用開口接著，在層間樹脂絕緣層上隔著形成有厚度為1. 2mm的貫通孔的掩模，使用波長為10. 4 μ m的二氧化碳激光并在光束直徑為4. 0mm、凹帽頭模式、脈沖寬度為10 25 μ秒、 掩模的貫通孔直徑為Φ 1. 0 2. 2mm、發(fā)射1 3次的照射條件下，在層間樹脂絕緣層42上形成了直徑為30 70 μ m的導(dǎo)通孔用開口 44(圖5(b))。(14)形成粗糙化層在將設(shè)有上述導(dǎo)通孔用開口 44的基板32浸漬在膨潤液中并對其進(jìn)行水洗之后， 將其浸漬在含有60g/l的高錳酸的80°C的溶液中10分鐘，從而使分散于層間樹脂絕緣層 42的固化樹脂中的鱗片狀粒子自層間樹脂絕緣層表面上脫落，而在包括導(dǎo)通孔用開口 44 的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層42的表面上形成了粗糙化層46(圖5(c))。該粗糙化層46 的粗糙度為0.01 2μπι。(15)施加催化劑核接著，在將完成了上述處理的基板32浸漬于中和溶液(* X (Shipley)社制)后對其進(jìn)行水洗。之后，也可以通過O2等離子、或CF4等粒子等物理方法來實(shí)施除去殘存于導(dǎo)通孔底部上的樹脂或粒子的殘?jiān)娜ノ厶幚怼２⑶?，在?jīng)過了粗面化處理的該基板的表面上施加鈀催化劑，使催化劑核附著在層間樹脂絕緣層42的表面及導(dǎo)通孔用開口 44的內(nèi)壁面上。(16)形成無電解鍍銅膜接著，將在上述(1 的工序中施加了催化劑的基板32浸漬于下述那樣組成的無電解鍍銅水溶液中，而在粗糙化層46的整個(gè)表面上形成厚度為0. 6 3. 0 μ m的無電解鍍銅膜48，從而得到了在包括導(dǎo)通孔用開口 44的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層42的表面上形成有導(dǎo)體層的基板(圖5(d))。(無電解鍍銅名存液)
硫酸銅0. 03mol/l
EDTA 0. 200mol/l
HCHO 0. 18g/l
NaOH 0. 100mol/l
α , α ‘-聯(lián)二二呲啶100mg/l
聚乙二醇0.10g/l
(電鍍條件)
以34°C的液體溫度浸漬40分鐘
(17)在形成有無電解鍍銅膜48的基板上涂敷市場上出售的液態(tài)類型的感光性堿
型蝕刻油墨(例如，太陽油墨社制、PER-20系列)，使其臨時(shí)干燥之后，在基板上載置掩模并進(jìn)行曝光、顯影處理，從而設(shè)置了厚度為7. 5 30 μ m的阻鍍層50(圖6(a))。另外，之后成為信號線的部分形成為L/S = 5/5 μ m。作為阻鍍層，也可以采用除上述之外的例如二子- — 一卜> (Nichigo-Morton) 社制的商品名稱為“ΝΙΤ225”或“ΝΙΤ215”、或日本公開專利公報(bào)2004-317874所記載的感光性樹脂組成物。(18)接著，對基板32實(shí)施電解電鍍，在未形成阻鍍層50的部位形成了厚度為 7. 5 17. 5μπι的電解鍍銅膜52(圖6(b))。另外，這次以下述的電鍍液和條件進(jìn)行，從而得到了 7.5μπι的電解鍍銅膜。(電解鍍銅液)硫酸2. 24mol/l硫酸銅0. ^mol/l添加劑19. 5ml/l( T卜于夕夕夕弋"> (ATOTECH JAPAN)社制、商品名稱力"，〉F GL)(電解電鍍條件)電流密度lA/dm2時(shí)間35士5分鐘溫度22 士 2°C(19)并且，在剝離除去了阻鍍層之后，以下述的蝕刻方法溶解除去該阻鍍層下面的無電解電鍍膜，而制成了獨(dú)立的導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56 (圖6 (c))。另外，將信號布線做成L/S = 5/5 μ m(L、S都是層間絕緣層上的間隔)，并使其內(nèi)的5根信號線形成大致平行，做成了第1、3、5根信號布線與IC連接，而第2、4根信號布線未與IC連接而作為測定用布線(相當(dāng)于在后述的評價(jià)試驗(yàn)1中所采用的試驗(yàn)用布線)。(蝕刻方法)將印刷電路板用基板搬入到蝕刻處理區(qū)域中，并采用具有在蝕刻處理區(qū)域進(jìn)行搬運(yùn)的傳送帶、和噴射噴嘴的水平搬運(yùn)蝕刻裝置進(jìn)行蝕刻。從印刷電路板用電路板的上下自可調(diào)整多個(gè)噴射噴霧壓力的上述噴射噴嘴中噴霧出蝕刻液。在本實(shí)施例中，為了使導(dǎo)體電路的形狀成為梯形，一邊使狹縫噴嘴等的直進(jìn)型噴射噴嘴的頭部搖動(dòng)一邊進(jìn)行蝕刻。(蝕刻條件)
噴嘴與工件間隔:50mm
噴射噴霧壓力:0. 05MPa 0
蝕刻液的種類氯化銅
蝕刻溫度:45°C
蝕刻時(shí)間:10 60秒對于由這樣的蝕刻條件形成的截面形狀的調(diào)整，是通過改變噴霧壓力、或調(diào)整蝕刻時(shí)間，只使用設(shè)于蝕刻裝置上部的噴嘴或設(shè)于下部的噴嘴中的任一噴嘴而進(jìn)行的。在該實(shí)施例中，采用狹縫噴嘴、將蝕刻時(shí)間設(shè)為10秒、使被蝕刻面朝上，只采用設(shè)于蝕刻裝置上部的噴嘴來進(jìn)行蝕刻。之后，通過表面研磨等將導(dǎo)體電路的厚度調(diào)整至 5μπι(Τ)以下。
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(20)接著，進(jìn)行表面粗糙化處理(例如，通過采用^ ,々(MEC)株式會(huì)社制、商品名稱“ > ”工” > F Cz-8100”的蝕刻進(jìn)行的粗糙化處理或黑化處理)，從而在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面(包括側(cè)面)上形成了粗糙化面58 (圖6 (d))。之后，按照上述(1) 00)的工序制作出1張相同的基板，并通過沖孔等對應(yīng)測定IW1-W2I的部位進(jìn)行穿孔，而做成測定用樣品。將該測定用樣品的導(dǎo)體電路及導(dǎo)體電路之間的垂直截面研磨成可以觀察的程度， 以100 3500倍對該研磨部分進(jìn)行了 SEM觀察之后拍攝照片，使用標(biāo)尺測定了完成后的線間寬度Wl (導(dǎo)體上部側(cè)間隔)及W2 (導(dǎo)體下部側(cè)間隔)。結(jié)果，如表1所示，上述那樣的8部位的數(shù)據(jù)(與上述的用于算出σ的數(shù)據(jù)相同的部位的值)的IW1-W2I的值為0.5 μ m(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值) 1. 75 μ m(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最大值)，基本滿足了(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0.35X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，W1-W2的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.23 μ m。(21)對在上述00)中形成了粗糙化面58的基板重復(fù)進(jìn)行上述(1 Q0)的工序，形成了第2層層間樹脂絕緣層60，并在該層間樹脂絕緣層60上進(jìn)一步形成上層導(dǎo)體電路62及導(dǎo)通孔64，從而得到了多層電路板(圖7(a))。(22)形成阻焊劑層接著，在上述中得到的多層電路板的兩面上涂覆了 12 30μπι厚度的市場上出售的阻焊劑組成物，并以70°C加熱20分鐘、70°C加熱30分鐘的條件進(jìn)行干燥處理，而形成了阻焊劑層66(圖7(b))。之后，使描畫有阻焊劑開口部的圖案的厚度為5mm的光掩模緊貼在阻焊劑層66上，并以lOOOmJ/cm2的紫外線進(jìn)行曝光，在DMTG溶液中進(jìn)行顯影處理， 從而形成了直徑為20(^!11開口68(圖7((3))。然后，再以80°C加熱1小時(shí)、100°C加熱1小時(shí)、120°C加熱1小時(shí)、150°C加熱3小時(shí)的條件分別進(jìn)行加熱處理而使阻焊劑層66固化，形成了具有露出了上層導(dǎo)體電路62的表面那樣的開口 68、厚度為10 25 μ m的阻焊劑圖案。03)形成鎳-金層接著，將形成了阻焊劑圖案的基板浸漬在無電解鍍鎳液中，在從開口 68中露出的上層導(dǎo)體電路62的表面上形成了厚度為5μπι的鍍鎳層，再將該電路板浸漬于無電解鍍金液中，在鍍鎳層上形成了厚度為0.03 μ m的鍍金層，形成鎳-金層70(圖7(d))。除了該鎳-金層之外，也可以形成單層的錫或貴金屬(金、銀、鈀、鉬等)層。(24)形成錫焊凸塊之后，在上述電路板的一面?zhèn)?IC芯片安裝側(cè))的從上述阻焊劑層66的開口 68 露出的上層導(dǎo)體電路62的表面上印刷含有錫-鉛的錫焊膏，并在另一面?zhèn)壬贤瑯佑∷⒑绣a-銻的錫焊膏之后，以200°C進(jìn)行回流焊而形成了外部端子，從而制造出具有錫焊凸塊72 的多層印刷電路板(圖8)。通過錫焊凸塊72在上述多層印刷電路板上安裝IC芯片74，進(jìn)而安裝芯片電容器 76。然后，通過外部端子78將安裝有IC芯片74及芯片電容器76的多層印刷電路板安裝在母板80上(圖9)。實(shí)施例2
改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為7. 5 μ m/7. 5 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為7. 5 μ m，除此之外與實(shí)施例 1相同地制造出多層印刷電路板。在該實(shí)施例中，|W1_W2|的值為0. 675μπι 2. 775μπι，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. 35Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，IW1-W2的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.33 μ m。實(shí)施例3改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為10. 0 μ m/10. 0 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為10. 0 μ m，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。在該實(shí)施例中，|W1_W2|的值為0. 9μπι 3. 6μπι，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. ;35Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差O為1.27 μ m。實(shí)施例4改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為12. 5 μ m/12. 5 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為12. 5 μ m，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為1. 25 μ m 4. 375 μ m，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0. X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1_W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為Ι.Μμπι。實(shí)施例5改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為15. 0 μ m/15. 0 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為15. 0 μ m，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為1. ;35μπι 5. 25μπι，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.;35μπι。實(shí)施例6除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為1. 7μπι 3. 7μπι，基本滿足(0. !35Χ導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. 73Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差O為1.77 μ m。實(shí)施例7除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例2相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為2. 475μπι 5. 475μπι，基本滿足(0. !35Χ導(dǎo)體電路厚度Τ) (0.73Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|ffl-W2的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.76μπι。實(shí)施例8除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例3相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為3. 5μπι 7. 3μπι，基本滿足(0. !35Χ導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. 73Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差O為1.78 μ m。實(shí)施例9
除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例4相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為4. 25μπι 9. 25μπι，基本滿足(0. !35Χ導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. 73Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.65 μ m。實(shí)施例10除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例5相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為5. 25 μ m 10. 95 μ m，基本滿足(0. ；35X導(dǎo)體電路厚度T) (0.73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.72 μ m。實(shí)施例11除了如下述地變更蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。與實(shí)施例1不同，進(jìn)行了 2次蝕刻。第1次蝕刻與實(shí)施例1相同。之后，在1個(gè)制品的被分割出的4個(gè)區(qū)域(為了采集數(shù)據(jù)而分割成的4個(gè)區(qū)域)內(nèi)，用聚酰亞胺膠帶(kapton tape)等覆蓋2個(gè)區(qū)域。并且，一邊使狹縫噴嘴搖頭一邊只對未覆蓋的部分進(jìn)行20秒鐘的蝕刻，之后剝離聚酰亞胺膠帶等。另外，使用的噴嘴與被蝕刻面的朝向與實(shí)施例1相同。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為0.5 μ m 3.65 μ m，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0. 73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差O為2.01 μ m。實(shí)施例12除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例2相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為0. 675μπι 5. 625μπι，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度Τ) (0.73Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差ο為2.13 μ m。實(shí)施例13除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例3相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為0. 9μπι 7. 6μπι，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度Τ) (0. 73Χ導(dǎo)體電路厚度Τ)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差O為2. 2 μ m。實(shí)施例14除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例4相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為1.25“111 9.25“111，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0. 73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2. 45 μ m。實(shí)施例15除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例5相同地制造出多層印刷電路板。在本實(shí)施例中，|W1_W2|的值為1.5μπι 10. 95 μ m，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0. 73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.58 μ m。實(shí)施例16
除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 1相同地制造出多層印刷電路板。另外，在導(dǎo)體電路形成之后對Wl和W2進(jìn)行測定。實(shí)施例17除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 2相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例18除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 3相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例19除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 4相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例20除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 5相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例21除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 6相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例22除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 7相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例23除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 8相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例24除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 9相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例25除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 10相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例26除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 11相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例27除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 12相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例28除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 13相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例四除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 14相同地制造出多層印刷電路板。實(shí)施例30除了在導(dǎo)體電路M及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例 15相同地制造出多層印刷電路板。參考例1除了第2次蝕刻不是由狹縫噴嘴進(jìn)行的蝕刻，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻液中浸漬1分鐘之外，其余與實(shí)施例14相同地制造出多層印刷電路板。在本參考例中，|W1_W2|的值為1.25“111 9.25“111，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0.73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。但是，在本實(shí)施例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差ο為2.58 μ m。參考例2除了未在導(dǎo)體電路形成之后形成粗糙化面之外，其余與參考例1相同地制造出多層印刷電路板。比較例1除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。比較例2除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。比較例3除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。比較例4除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。比較例5除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。比較例6除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。在本比較例中，|W1_W2|的值為3.9μπι 4. 3μπι，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 78Τ 0. 86Τ。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.58 μ m。比較例7除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。
在本比較例中，|W1_W2|的值為6. 075μπι 6. 6μπι，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 81Τ 0. 88Τ。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.78 μ m。比較例8除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。在本比較例中，|W1_W2|的值為7. 7μπι 8.6μπι，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 77Τ 0. 86Τ。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.62 μ m。比較例9除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。在本比較例中，|W1_W2|的值為9. 625 μ m 10. 875 μ m，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 77T 0. 87T。并且，W1-W2的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.73 μ m。比較例10除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。在本比較例中，|W1-W2的值為12 μ m 12. 75 μ m，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 8T 0. 85T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.88 μ m。比較例11除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。比較例12除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。比較例13除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。比較例14除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。比較例15除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。參考例3除了在導(dǎo)體電路的表面上形成了粗糙化面之外，其余與比較例11相同地制造出多層印刷電路板。參考例4在實(shí)施例1中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為20. 0 μ m/20. 0 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為20. 0 μ m。 另外，不使狹縫噴嘴搖頭。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。參考例5在實(shí)施例16中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為20. 0 μ m/20. 0 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為20. 0 μ m。 另外，不使狹縫噴嘴搖頭。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。參考例6
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在實(shí)施例1中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為20. 0 μ m/20. 0 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為20. 0 μ m。 將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒。結(jié)果，IW1-W2 I的值為15. 4 μ m 17. 2 μ m,與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 77T 0.86T。并且，|W 1-W2 |的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.58μπι。參考例7在實(shí)施例16中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號線的L/S為20. 0 μ m/20. 0 μ m、導(dǎo)體電路厚度T為20. 0 μ m。 而且，將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒。結(jié)果，|W1-W2 I的值為15. 6 μ m 17. 0 μ m,與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0. 78T 0.85T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.77 μ m。參考例8在實(shí)施例11中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例11相同地制造出多層印刷電路板。在本參考例中，|W1_W2|的值為0.5 μ m 3.65 μ m，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0.73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸滲蝕刻，因此蝕刻速度隨部位不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此IW1-W2I的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為 2. 43 μ m0參考例9除了在導(dǎo)體電路形成之后未在該導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例8相同地制造出多層印刷電路板。參考例10在實(shí)施例12中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例12相同地制造出多層印刷電路板。在本參考例中，|W1_W2|的值為0.75 μ m 5. 475 μ m，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0.73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此IW1-W2I的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為 2. 34μ m0參考例11除了在導(dǎo)體電路形成之后未在該導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例10相同地制造出多層印刷電路板。參考例12在實(shí)施例13中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例13相同地制造出多層印刷電路板。在本參考例中，|W1_W2|的值為1.(^111 7.3“111，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0.73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位的不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此IW1-W2I的標(biāo)準(zhǔn)偏差O 為 2. 45 μ m0
參考例13除了在導(dǎo)體電路形成之后未在導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例 12相同地制造出多層印刷電路板。參考例14在實(shí)施例15中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例15相同地制造出多層印刷電路板。在本參考例中，|W1-W2|的值為1. 50 μ m 10. 95 μ m，基本滿足(0. IOX導(dǎo)體電路厚度T) (0.73X導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位的不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此IW1-W2I的標(biāo)準(zhǔn)偏差O 為 2. 62 μ m。參考例15除了在導(dǎo)體電路形成之后未在導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例 14相同地制造出多層印刷電路板。對按照以上說明的實(shí)施例1 30、參考例1 15、比較例1 15制造出的多層印刷電路板進(jìn)行下述的評價(jià)試驗(yàn)。另外，制造出的各多層印刷電路板上的導(dǎo)體電路的最小導(dǎo)體電路寬度L( μ m)、最小導(dǎo)體電路之間距S(ym)、導(dǎo)體電路厚度Τ(μπι)、|ffl-W2| (ym)的最小值(min)、最大值 (max)、|ffl-W2的最小值(min)與厚度T的關(guān)系、|W1_W2|的最大值(max)與厚度T的關(guān)系、|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ (ym)及粗糙化面的有無示于表1_1及表1_2。另外，在表1-1及表1-2中省略了 L、S、T、|W1_W2|及σ的單位。表1-1
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權(quán)利要求
1.一種印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路采用添加法形成，其截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，將上述導(dǎo)體電路的截面上的4個(gè)頂點(diǎn)設(shè)為A、 B、C、D，并將連接這些頂點(diǎn)A、B、C、D所形成的梯形的面積設(shè)為&，將上述導(dǎo)體電路的截面面積設(shè)為S1，則0. 8彡S1ZS0彡1. 2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其特征在于，在將相鄰的上述導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路上表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W 1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系滿足下式的要求0. IOT ( W1-W2 ( 0. 73T......(1)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的印刷電路板，其特征在于，上述|W1-W2|為0.35T以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的印刷電路板，其特征在于，上述|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差ο 為(0. 04T+2)以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔 W2為15 μ m以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2為 15 μ m以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
11.一種印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，W2為15 μ m以下；將上述導(dǎo)體電路的截面上的4個(gè)頂點(diǎn)設(shè)為A、B、C、D，并將連接這些頂點(diǎn)A、B、C、D所形成的梯形的面積設(shè)為Stl，將上述導(dǎo)體電路的截面面積設(shè)為S1，則0. 8 ( S1ZiSci ( 1. 2。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的厚度T為5μπι 以上、25μπι以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的最小導(dǎo)體寬度L/ 最小間隔S為5 μ m/5 μ m以上且15 μ m/15 μ m以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種印刷電路板，交替層疊絕緣層和導(dǎo)體電路而成，各導(dǎo)體電路采用添加法形成、且具有梯形截面，其中，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路上側(cè)間隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系滿足0.10T≤|W1-W2|≤0.73T。根據(jù)這樣的構(gòu)成，即使搭載了被高速驅(qū)動(dòng)的IC，也可以抑制串音和信號延遲，防止IC的誤動(dòng)作。
文檔編號H05K3/46GK102170752SQ20111009269
公開日2011年8月31日 申請日期2005年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者中井通, 玉木昌德 申請人:揖斐電株式會(huì)社