專(zhuān)利名稱(chēng)：電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電路板。
背景技術(shù)：
在信息、通訊及消費(fèi)性電子產(chǎn)業(yè)中，電路板是所有電子產(chǎn)品不可或缺的基本構(gòu)成 要件。隨著電子產(chǎn)品往小型化、高速化方向發(fā)展，電路板也從單面電路板往雙面電路板、多 層電路板方向發(fā)展。多層電路板由于具有較多的布線面積和較高的裝配密度而得到廣泛的 應(yīng)用，i青參見(jiàn)Takahashi, A·等人于 1992 年發(fā)表于 IEEE Trans, on Components,Packaging, andManufacturing Technology 白勺 JC "High density multilayer printed circuit boardfor HITAC M 880”。多層電路板具有交替排列的多層導(dǎo)電層和多層絕緣層，各層導(dǎo)電層之間通常通過(guò) 導(dǎo)通孔實(shí)現(xiàn)電性連接。導(dǎo)通孔的制作工藝較為復(fù)雜，通常包括孔壁清潔、化學(xué)沉銅、黑化以 及電鍍銅等流程。每個(gè)流程中均有多個(gè)步驟，一個(gè)步驟的處理參數(shù)不當(dāng)就容易造成導(dǎo)通孔 的失效或者不穩(wěn)定。并且，由于導(dǎo)通孔中的銅層一般難以具有均勻的厚度，因此，導(dǎo)通孔通 常具有較大的阻抗。也就是說(shuō)，現(xiàn)有技術(shù)中電路板的制作技術(shù)較為復(fù)雜，而且制成的電路板 中的導(dǎo)通孔難以具有良好的導(dǎo)電性能。也就是說(shuō)，現(xiàn)有技術(shù)中的電路板難以具有良好的信 號(hào)傳輸性能。因此，有必要提供一種具有較佳信號(hào)傳輸性能的電路板。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實(shí)施例說(shuō)明一種電路板。一種電路板，其依次包括第一導(dǎo)電層、第一復(fù)合材料層以及第二導(dǎo)電層，所述第一 導(dǎo)電層形成有第一導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電層形成有第二導(dǎo)電圖形，所述第一復(fù)合材料層 包括聚合物基體以及至少一個(gè)設(shè)置于聚合物基體中的碳納米管束，所述至少一個(gè)碳納米管 束的一端與第一導(dǎo)電圖形電連接，另一端與第二導(dǎo)電圖形電連接。本技術(shù)方案的電路板中具有復(fù)合材料層，所述復(fù)合材料層包括至少一個(gè)碳納米管 束，碳納米管束具有良好的導(dǎo)電性，可以較好地電連接電路板中的各個(gè)導(dǎo)電層，并具有阻抗 小、不易失效、穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。


圖1為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的電路板的示意圖。圖2為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的第一導(dǎo)電層的示意圖。圖3為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的在第一導(dǎo)電層上形成第一催化劑層的示意 圖。圖4為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的在第一催化劑層上生長(zhǎng)多個(gè)碳納米管束的 示意圖。
圖5為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的以聚合物填充多個(gè)碳納米管束的間隙從而
形成第一復(fù)合材料層的示意圖。圖6為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的在第一復(fù)合材料層表面形成第二導(dǎo)電層的
示意圖。
圖7為本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供的電路板的示意圖。圖8為本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供的第一線路基板、第二電路基板和第三電路基
板的示意圖。圖9為本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供的在第一線路基板的相對(duì)兩側(cè)分別壓和第一
電路基板和第二電路基板后的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.一種電路板，其依次包括第一導(dǎo)電層、第一復(fù)合材料層以及第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo) 電層形成有第一導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電層形成有第二導(dǎo)電圖形，所述第一復(fù)合材料層包 括聚合物基體以及至少一個(gè)設(shè)置于聚合物基體中的碳納米管束，所述至少一個(gè)碳納米管束 的一端與第一導(dǎo)電圖形電連接，另一端與第二導(dǎo)電圖形電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述第一復(fù)合材料層具有相對(duì)的第一表 面和第二表面，所述第一表面與第一導(dǎo)電層接觸，所述第二表面與第二導(dǎo)電層接觸，所述至 少一個(gè)碳納米管束自第一表面或自靠近第一表面處向第二表面延伸，所述至少一個(gè)碳納米 管束的延伸方向與第二表面的夾角在80度至100度之間。
3.如權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在于，所述至少一個(gè)碳納米管束的延伸長(zhǎng)度在 20微米至2毫米之間。
4.如權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在于，所述電路板還包括與所述至少一個(gè)碳納 米管束相對(duì)應(yīng)的第一催化劑層，所述第一催化劑層形成于所述至少一個(gè)碳納米管束與所述 第一導(dǎo)電層之間，用于在所述第一導(dǎo)電層上催化生長(zhǎng)所述至少一個(gè)碳納米管束。
5.如權(quán)利要求4所述的電路板，其特征在于，所述至少一個(gè)碳納米管束的延伸長(zhǎng)度和 第一催化劑層的厚度的加和等于第一表面和第二表面之間的距離。
6.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述至少一個(gè)碳納米管束包括多根平行 排列的碳納米管。
7.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述至少一個(gè)碳納米管束為多個(gè)碳納米 管束，所述多個(gè)碳納米管束彼此絕緣地設(shè)置于聚合物基體中。
8.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述電路板還包括第三導(dǎo)電層和第二復(fù) 合材料層，所述第三導(dǎo)電層具有第三導(dǎo)電圖形，所述第二復(fù)合材料層設(shè)置于第一導(dǎo)電層和 第三導(dǎo)電層之間，所述第二復(fù)合材料層也包括聚合物基體以及至少一個(gè)設(shè)置于聚合物基體 中的碳納米管束，所述第二復(fù)合材料層的碳納米管束的一端與第一導(dǎo)電圖形電連接，另一 端與第三導(dǎo)電圖形電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的電路板，其特征在于，所述電路板還包括第四導(dǎo)電層和第三復(fù) 合材料層，所述第四導(dǎo)電層具有第四導(dǎo)電圖形，所述第三復(fù)合材料層設(shè)置于第二導(dǎo)電層和 第四導(dǎo)電層之間，所述第三復(fù)合材料層也包括聚合物基體以及至少一個(gè)設(shè)置于聚合物基體 中的碳納米管束，所述第三復(fù)合材料層的碳納米管束的一端與第二導(dǎo)電圖形電連接，另一 端與第四導(dǎo)電圖形電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的電路板，其特征在于，所述電路板還包括第一催化劑層、第二 催化劑層以及第三催化劑層，所述第一催化劑層與第一復(fù)合材料層的至少一個(gè)碳納米管束 相對(duì)應(yīng)，形成于所述第一復(fù)合材料層的至少一個(gè)碳納米管束與所述第一導(dǎo)電層之間，所述 第二催化劑層與第二復(fù)合材料層的至少一個(gè)碳納米管束相對(duì)應(yīng)，形成于所述第二復(fù)合材料 層的至少一個(gè)碳納米管束與所述第三導(dǎo)電層之間，所述第三催化劑層與第三復(fù)合材料層的 至少一個(gè)碳納米管束相對(duì)應(yīng)，形成于所述第三復(fù)合材料層的至少一個(gè)碳納米管束與所述第 四導(dǎo)電層之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路板，其依次包括第一導(dǎo)電層、第一復(fù)合材料層以及第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層形成有第一導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電層形成有第二導(dǎo)電圖形，所述第一復(fù)合材料層包括聚合物基體以及至少一個(gè)設(shè)置于聚合物基體中的碳納米管束，所述至少一個(gè)碳納米管束的一端與第一導(dǎo)電圖形電連接，另一端與第二導(dǎo)電圖形電連接。本發(fā)明的電路板具有較佳的信號(hào)傳輸性能。
文檔編號(hào)H05K3/46GK102143652SQ201010300948
公開(kāi)日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2010年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月30日
發(fā)明者唐攀, 李小平, 白耀文 申請(qǐng)人:宏恒勝電子科技(淮安)有限公司, 鴻勝科技股份有限公司