專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)el器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于顯示器用途的有機(jī)EL器件和該有機(jī)EL器件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在顯示器用途中，使用自發(fā)光型的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL器件的研究非常 盛行。能夠期待有機(jī)EL器件實(shí)現(xiàn)高發(fā)光亮度和發(fā)光效率。這是因?yàn)椋淠軌蛞缘碗妷簩?shí)現(xiàn) 高電流密度。能夠進(jìn)行多色顯示、特別是能夠進(jìn)行全色顯示的高精細(xì)的多色發(fā)光有機(jī)EL器 件的實(shí)用化在顯示器的技術(shù)領(lǐng)域中備受期待。為了將有機(jī)EL器件作為彩色顯示器實(shí)用化的重要課題是，除了實(shí)現(xiàn)高精細(xì)度之 外，還要具有包含色再現(xiàn)性的長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。但是，在多色發(fā)光有機(jī)EL器件中，存在通過(guò)一 定期間的驅(qū)動(dòng)發(fā)光特性(電流-亮度特性)顯著下降的缺點(diǎn)。該發(fā)光特性的下降的代表性原因是暗斑的成長(zhǎng)?！鞍蛋摺笔侵赴l(fā)光缺陷點(diǎn)。由于元 件中的氧或水分，在驅(qū)動(dòng)時(shí)和保存中進(jìn)行有機(jī)EL元件的構(gòu)成層的材料的氧化或凝聚，由此 產(chǎn)生該暗斑。暗斑的成長(zhǎng)在通電中當(dāng)然會(huì)進(jìn)行，在保存中也會(huì)進(jìn)行。特別是，暗斑的成長(zhǎng)， (1)由于存在于元件的周?chē)耐獠凯h(huán)境的氧或水分而加速，(2)被作為吸附物存在于構(gòu)成 層中的氧或水分所影響，( 受到吸附于器件制造時(shí)使用的部件的水分或制造時(shí)的水分的 浸入的影響。當(dāng)該成長(zhǎng)繼續(xù)進(jìn)行，暗斑在有機(jī)EL器件的發(fā)光面整體擴(kuò)散。在現(xiàn)有技術(shù)中，作為防止向有機(jī)EL元件的構(gòu)成層的水分的浸入的方法，有使用金 屬罐、玻璃板密封有機(jī)EL元件的方法，或者在密封有機(jī)EL元件的空間內(nèi)配置干燥劑的方 法。但是，為了具有輕量且薄型的有機(jī)EL器件的特征，關(guān)注不使用干燥劑地以薄膜進(jìn)行密 封的技術(shù)。作為密封用的薄膜，使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，公 開(kāi)了使用氧化硅的密封用的膜。但是，氧化硅在氧和水分的透過(guò)性這一點(diǎn)上較差，因此不能 夠抑制暗斑的產(chǎn)生。在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了使用氮化硅的密封用的膜。但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn) 2中對(duì)于密封顆粒的方法和抑制裂紋的產(chǎn)生的方法并沒(méi)有公開(kāi)。此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，公 開(kāi)了將SiH4、N2、NH3用作反應(yīng)氣體的密封用的膜。在專(zhuān)利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了將SiH4、N2、H2用 作反應(yīng)氣體的密封用的膜。有機(jī)EL器件，特別是在底部發(fā)光型結(jié)構(gòu)中，在玻璃基板上形成彩色濾光片層和 CCM層(色變換層)，為了填埋其臺(tái)階差而利用聚酰亞胺硅樹(shù)脂等有機(jī)樹(shù)脂形成平坦化層 (過(guò)敷層(over coat))。進(jìn)一步，為了防止來(lái)自該平坦化層的殘留水分向有機(jī)EL層擴(kuò)散，設(shè) 置有Si02、SiN等鈍化層。之后，將ΙΤ0、IZO等透明電極作為陽(yáng)極形成為條紋狀，在其上將 反錐形狀的陰極分離層形成為與透明電極正交的條紋狀。之后，形成作為發(fā)光層的有機(jī)EL 層，進(jìn)一步在其上部形成鋁等的反射電極作為陰極。作為發(fā)光層的有機(jī)EL層極為不耐氧和 水分，因此如果大氣或水分從稍微露出的部分和陰極的缺陷部分浸入并到達(dá)有機(jī)EL層，則 成長(zhǎng)為被稱(chēng)為DA(暗區(qū)域)或DS(暗斑)的發(fā)光缺陷點(diǎn)。此外，擔(dān)心陰極(反射電極)也 發(fā)生氧化而導(dǎo)致導(dǎo)電性和反射率變差。于是，一般是在將氧和水分抑制至極限的腔室內(nèi)，將罩玻璃等密封基板與吸濕劑一起，由紫外線(xiàn)固化的環(huán)氧樹(shù)脂等密封，而防止空氣和水分的 浸入。但是，在利用罩玻璃等的密封基板的密封方法中，在與有機(jī)EL器件相對(duì)的位置放入 吸濕劑，因此并不適用于具有從上部取出光的頂部發(fā)光型結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL器件。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2001-176653號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2005-183147號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2005-285659號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)2004-63304號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而提出，其目的在于提供一種有機(jī)EL器件和其制造方法，該 有機(jī)EL器件的水分和氧的阻斷性?xún)?yōu)異，并且能夠防止有機(jī)EL器件的劣化。本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題，提供一種有機(jī)EL器件，其包括基板；形成在上述基板 上的有機(jī)EL元件；和形成在上述有機(jī)EL元件之上的密封膜，其中，上述密封膜是含有H的 氮化硅膜，上述含有H的氮化硅膜中的H含量為0. 85 0. 95at %。此外，本發(fā)明提供一種有機(jī)EL器件的制造方法，其至少包括在基板上形成有機(jī) EL元件的步驟；和在上述有機(jī)EL元件上形成密封膜的步驟，其中，形成上述密封膜的步驟 中，至少包括為了形成含有氫原子或氫分子的氮化硅膜，將SiH4、NH3、N2、H2以上述H2的添 加流量相對(duì)于上述隊(duì)的流量為1 5體積％的方式進(jìn)行混合的階段。在本發(fā)明中，能夠提供水分和氧的阻斷性?xún)?yōu)異，并且能夠防止有機(jī)EL元件的劣化 的有機(jī)EL器件和其制造方法。


圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL器件的概略圖。
圖2是表示本發(fā)明的有機(jī)EL器件的一個(gè)例子的截面圖。
圖3是表示氮化硅膜成膜時(shí)的氣壓與內(nèi)部應(yīng)力的關(guān)系的圖。
附圖標(biāo)記
10基板
20有機(jī)EL元件
21第一電極
22有機(jī)EL層
23第二電極
30密封膜
40色變換濾光片層
50平坦化層
60鈍化層
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL器件的概略圖。本發(fā)明的有機(jī)EL器件至少包括基板 10、形成在上述基板10上的有機(jī)EL元件20和形成在上述有機(jī)EL元件20上的密封膜30。
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基板10并無(wú)特別限定，能夠使用一般使用的任意的材料形成?；迥軌蚴褂媚?夠耐受在其它的構(gòu)成層的形成中使用的各種條件(例如使用的溶劑(溶媒)、溫度等)的 任意的材料形成。此外，基板優(yōu)選具有優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性。為了形成基板而使用的透明 材料包括玻璃，或者聚烯烴、聚甲基丙烯酸酯(polymethyl methacry-ralte)速度等丙烯 酸樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙酯(polyethylene terephtha-rate)速度等聚酯樹(shù)脂、聚碳酸酯 (polycarbonate)樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂等樹(shù)脂。在使用上述樹(shù)脂的情況下，基板可以為剛性 也可以為撓性?；蛘?，特別是在頂部發(fā)光型(top emission)有機(jī)EL器件的情況下，基板可 以使用硅、陶瓷等不透明材料形成。能夠使用能夠保持絕緣性和有機(jī)EL元件的形態(tài)的具有 剛性的平坦材料而形成。有機(jī)EL元件20并沒(méi)有特別限定，能夠使用一般使用的任意的材料形成，具有由兩 個(gè)電極夾著的有機(jī)EL層。密封膜30為了防止氧和水分向有機(jī)EL元件20透過(guò)，形成在上述有機(jī)EL元件20 之上。本發(fā)明的密封膜30是氮化硅(SiNx)。密封膜30能夠使用CVD法等方法而形成。密 封膜30的形成是向有機(jī)EL元件20上進(jìn)行成膜。因此，優(yōu)選將成膜到達(dá)溫度抑制為100°C 以下，使得在成膜時(shí)不會(huì)對(duì)有機(jī)EL元件20造成損傷。此外，作為密封膜30，為了抑制氧和水分的透過(guò)，使氮化硅膜的膜質(zhì)致密是有效 的。為此，在使用CVD法進(jìn)行成膜時(shí)，優(yōu)選使氮化硅膜的成膜速度為2. 8nm/sec以下。作為成膜速度的調(diào)整，例如提高CVD裝置的Rf輸出，使反應(yīng)氣體(SiH4、NH3為)流 量變多，由此能夠提高成膜速度。提高成膜速度，即縮短成膜處理時(shí)間，會(huì)對(duì)密封膜的覆蓋 性(coverage)和鈍化性造成影響。在成膜速度為2. Snm/sec時(shí)，對(duì)于具有凹凸的圖案，氮 化硅膜能夠可靠地覆蓋。當(dāng)成膜速度超過(guò)3. Onm/sec時(shí)，在凹凸上的氮化硅膜的一部分能 夠看到膜厚較薄的部分。在成膜速度為3. 58nm/sec時(shí)，在凹凸的角的部分會(huì)看到裂縫(表 1)。由此，為了保持鈍化性，優(yōu)選氮化硅膜的成膜速度為3. Onm/sec，更優(yōu)選為2. Snm/sec以 下。對(duì)于成膜速度的下限來(lái)說(shuō)，如果過(guò)慢會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)效率的下降，因此優(yōu)選為2. lnm/sec。在本發(fā)明中，在氮化硅膜的成膜時(shí)，通過(guò)作為反應(yīng)氣體添加氫(H2氣體)，使得 密封膜30難以與水分反應(yīng)。這是因?yàn)椋ㄟ^(guò)添加一定量的氫，氮化硅膜表面的懸空鍵 (dangling bond)減少，氮化硅分子狀態(tài)穩(wěn)定化。供給至CVD裝置的SiH4氣體和NH3氣體在 成膜室內(nèi)分解為自由基分子并再結(jié)合，由此在基板上堆積成為氮化硅(SiNx)膜。實(shí)際上，在 氮化硅膜中也有H(氫原子)，也能夠稱(chēng)為SiNH膜。SiNH膜中的含H率與作為反應(yīng)氣體的 SiH4氣體和NH3氣體的混合比相關(guān)聯(lián)，根據(jù)這些反應(yīng)氣體的混合比，氫的吸收量發(fā)生變化。 由此，根據(jù)H2氣體的添加流量，能夠使SiNH膜中的含H率變化。壓氣體的添加流量相對(duì)于 作為反應(yīng)氣體的N2氣體的流量為1 5體積％。通過(guò)采用該范圍，氮化硅膜(SiNH膜)中 的含H量為0. 85 0. 95at% (atomic percent，原子百分比)。在不足1體積％時(shí)水分透 過(guò)量增加，當(dāng)超過(guò)5體積％時(shí)會(huì)看到氮化硅膜的色變化，由于覆蓋性的下降的促進(jìn)導(dǎo)致水 分透過(guò)量增加。氮化硅膜中的含H量能夠使用RBS分析法進(jìn)行測(cè)定。另一方面，作為產(chǎn)生DA (暗區(qū)域(dark area))或DS (暗斑(darkspot))的一個(gè)主 要原因，能夠舉出存在顆粒這一原因。在密封膜30不能夠完全覆蓋顆粒的情況下，密封膜 30的覆蓋性變差，此時(shí)密封膜30會(huì)透過(guò)水分或氧，并發(fā)展為DA或DS。特別是在有機(jī)EL元 件20的第二電極上具有密封膜30的方式中，在第二電極的形成時(shí)和電極分離壁的形成時(shí)產(chǎn)生顆粒的情況下，其大小較大的為Iym左右。為了密封該顆粒，優(yōu)選密封膜30的膜厚為 1 5 μ m，更優(yōu)選膜厚的下限為3 μ m。當(dāng)膜厚超過(guò)5 μ m時(shí)，氮化硅膜自身的顆粒增加，作為 密封膜有時(shí)并不適合。此外，氮化硅膜的內(nèi)部應(yīng)力較大，因此由于經(jīng)時(shí)變化在氮化硅膜本身可能會(huì)發(fā)生 裂紋和剝離。因此，優(yōu)選調(diào)整通過(guò)CVD法成膜氮化硅膜時(shí)的氣壓，使得內(nèi)部應(yīng)力的絕對(duì)值為 50MI^以下。此處，在應(yīng)力為正側(cè)的情況下，氮化硅膜中力在拉伸方向作用，在應(yīng)力為負(fù)側(cè)的 情況下，氮化硅膜中力在壓縮方向作用。當(dāng)應(yīng)力超過(guò)正50MPa時(shí)，氮化硅膜整體剝離，在應(yīng) 力不足負(fù)50MPa時(shí)，在氮化硅膜的整個(gè)面產(chǎn)生裂紋。內(nèi)部應(yīng)力使用光學(xué)式非接觸翹曲測(cè)定 法進(jìn)行測(cè)定。以下基于圖2所示的例子說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)EL器件。圖2是本發(fā)明的有機(jī)EL器 件的一個(gè)例子。圖2的有機(jī)EL器件是底部發(fā)光型(bottom emission)有機(jī)EL器件。另外， 本發(fā)明并不限定于此。基板10也可以在其表面上進(jìn)一步含有多個(gè)開(kāi)關(guān)元件(TFT等)和配線(xiàn)等。該結(jié)構(gòu) 對(duì)于制作具有多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光部的有源矩陣驅(qū)動(dòng)型有機(jī)EL器件是有效的。位于基板10與有機(jī)EL層22之間的第一電極21和位于有機(jī)EL層22的與基板10 相反的一側(cè)的第二電極23，具有向有機(jī)EL層22注入載流子和與外部驅(qū)動(dòng)電路連接的功能。 第一電極21、有機(jī)EL層22和第二電極23構(gòu)成有機(jī)EL元件20。第一電極21和第二電極 23可以分別是陽(yáng)極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)中的任意一個(gè)。而且，第一 電極21和第二電極23中的任意一方為陽(yáng)極，另一方為陰極。此外，第一電極21和第二電 極23，在任意一方為透明電極的條件下，可以為反射電極也可以為透明電極。在頂部發(fā)光型 構(gòu)造中，優(yōu)選第一電極21為反射電極，第二電極23為透明電極。在底部發(fā)光型構(gòu)造中，優(yōu) 選第二電極23為反射電極，第一電極21為透明電極。用作第一電極21或第二電極23的反射電極，能夠使用高反射率的金屬(鋁、銀、 鉬、鎢、鎳、鉻等)或它們的合金，或無(wú)定形合金(NiP、NiB、CrP或CrB等)而形成。從相對(duì) 于可見(jiàn)光能夠得到80%以上的反射率的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選的材料包含銀合金。能夠使用 的銀合金包含銀和選自由第十族的鎳或鉬、第一族的銣和第十四族的鉛構(gòu)成的組中的至少 一種金屬的合金，或者銀與選自由第二族的鎂和鈣構(gòu)成的組中的至少一種的金屬的合金。用作第一電極21或第二電極23的透明電極能夠使用Sn02、In203、In-Sn氧化物、 In-Si氧化物、&ι0、或Si-Al氧化物等導(dǎo)電性金屬氧化物而形成。透明電極為用于將來(lái)自 有機(jī)EL層的光向外部取出的路徑，因此希望在波長(zhǎng)400 SOOnm的范圍內(nèi)具有50%以上的 透過(guò)率，優(yōu)選具有85%以上的透過(guò)率。第一電極21和第二電極23能夠使用電阻加熱方式或電子束加熱方式的蒸鍍法或 濺射法而形成。在使用蒸鍍法時(shí)，能夠在1. OXlO-4Pa以下的壓力下，以0. 1 IOOnm/秒的 成膜速度進(jìn)行成膜。另一方面，在采用DC磁控管濺射法等濺射法時(shí)，能夠使用Ar等惰性氣 體作為濺射氣體，在0. 1 2. 0 左右的壓力下進(jìn)行成膜。在以濺射法形成第二電極23時(shí)， 為了防止作為被成膜基板的表面的有機(jī)EL層22的劣化，優(yōu)選不將形成在靶(target)附近 的等離子體直接照射在有機(jī)EL層22上。為了防止電極短路，可以在第一電極21上形成電極分離壁。電極分離壁具有反錐 狀的截面形狀。電極分離壁能夠使用CVD法或?yàn)R射法形成。
有機(jī)EL層22位于第一電極21與第二電極23之間，與各個(gè)電極接觸。是作為發(fā) 光部的核心的層。有機(jī)EL層22至少包含發(fā)光層，根據(jù)需要包含空穴輸送層、空穴注入層、 電子輸送層和/或電子注入層。例如，有機(jī)EL層22能夠具有以下的層結(jié)構(gòu)。(1)陽(yáng)極/發(fā)光層/陰極(2)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極(3)陽(yáng)極/發(fā)光層/電子注入層/陰極(4)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(5)陽(yáng)極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(6)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層(7)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層
/陰極
丨電子注入層/陰極 電極21或第二電極
另外，在上述(1) (7)的各結(jié)構(gòu)中，陽(yáng)極和陰極分別是第-23中的任一個(gè)。發(fā)光層能夠使用公知的材料形成。用于得到藍(lán)色到藍(lán)綠色的光的材料， 例如包括苯并噻唑(benzothiazole)類(lèi)化合物、苯并咪唑(benzoimidazole)類(lèi) 化合物或苯并噁唑(benzoxazole)類(lèi)化合物等熒光增白劑；以三(8_羥基喹啉) (tris (8-hydroxyquinolinato))鋁絡(luò)合物(Alq3)為代表的鋁絡(luò)合物等金屬螯合化氧化合 物；4，4，-雙(二苯乙烯基)(bis(diphenylvinyl))聯(lián)苯(biphenyl) (DPVBi)等苯乙烯基 苯類(lèi)化合物；芳香族二亞甲基(aromatic dimethyldiene)類(lèi)化合物；縮合芳香環(huán)化合物； 環(huán)集合化合物；和卟啉類(lèi)化合物等?；蛘?，還能夠通過(guò)在主體化合物中添加摻雜劑，形成產(chǎn)生各種波長(zhǎng)區(qū)域的光的發(fā) 光層。此時(shí)，作為主體化合物，能夠使用聯(lián)苯乙烯(distyryl arylene)類(lèi)化合物、N，N’_ 二 甲苯基(ditolyl)-N，N，- 二苯基聯(lián)苯胺(diphenyl biphenylamine) (TPD)、Alq3 等。另一 方面，作為摻雜劑，能夠使用茈(藍(lán)紫色)、香豆素6(藍(lán)色)、喹吖啶酮類(lèi)化合物(藍(lán)綠色 藍(lán)色)、紅熒烯(黃色)、4_( 二氰亞甲基(dicyanomethylene) )-2-(對(duì)二甲氨基苯乙烯基 (p-dimethyl amino styryl))-6-甲基(methyl)-4-H-批喃(DCM，紅色)、鉬八乙基卟啉 (octaethylporphyrin)絡(luò)合物(PtOEPjlfe)等。空穴輸送層能夠使用具有三芳胺(triarylamine)部分構(gòu)造、咔唑(cartazole) 部分構(gòu)造、或噁二唑(oxadiazole)部分構(gòu)造的材料形成?？昭ㄝ斔蛯拥膬?yōu)選材料包 括 TPD,4,4'-雙[N-(l-萘基(naphthyl))-N-苯胺(phenylamino)]聯(lián)苯(biphenyl) (α -NPD)、MTDAPB (鄰、間、對(duì))、間-MTDATA等。空穴注入層能夠使用包含銅酞青絡(luò)合物 (copperphthalocyanine complex) (CuPc)等白勺 1 青(phthalocyanine) (Pc)類(lèi)、陰丹dr林 (indanthrene)類(lèi)化合物等材料而形成。電子輸送層能夠使用Alq3等鋁絡(luò)合物、PBD或TPOB等噁二唑(oxadiazole) 派生物、TAZ等三唑(triazole)派生物、三嗪(triazine)派生物、苯基喹噁啉 (phenylquinoxalins)類(lèi)、BMB-2T等噻吩(thiophene)派生物等的材料而形成。電子注入 層能夠使用Alq3等鋁絡(luò)合物、或摻雜有堿金屬或堿土類(lèi)金屬的鋁的羥基喹啉(quinolinol) 絡(luò)合物等的材料而形成。除了以上的各構(gòu)成層之外，能夠任意選擇地在有機(jī)EL層22與用作陰極的第一電 極21或第二電極23中的任一個(gè)之間，任意選擇地形成用于進(jìn)一步提高載流子注入效率的緩沖層。緩沖層能夠使用堿金屬、堿土金屬或它們的合金，或稀土類(lèi)金屬，或這些金屬的氟 化物等電子注入性材料而形成。進(jìn)一步，在有機(jī)EL層22的上表面，為了緩和形成第二電極23時(shí)的損傷，優(yōu)選形成 由MgAg等構(gòu)成的損傷緩和層。構(gòu)成有機(jī)EL層22的各層，具有用于實(shí)現(xiàn)期望的特性的足夠的膜厚是重要的。優(yōu)選 發(fā)光層、空穴輸送層、電子輸送層和電子注入層具有2 50mm的膜厚，空穴注入層具有2 200mm的膜厚。此外，任意選擇的緩沖層，從減少驅(qū)動(dòng)電壓和提高透明性的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選具 有IOnm以下的膜厚。有機(jī)EL層22的各構(gòu)成層、緩沖層和損傷緩和層能夠使用蒸鍍(電阻加熱蒸鍍或 電子束加熱蒸鍍)等相應(yīng)技術(shù)中已知的任意的方法進(jìn)行制作。色變換濾光片層40是用于調(diào)整來(lái)自有機(jī)EL層22的光的色相的層。本發(fā)明的“色 變換濾光片層”是彩色濾光片層、色變換層、彩色濾光片層與色變換層的疊層體的總稱(chēng)。彩色濾光片層是使特定的波長(zhǎng)區(qū)域的光透過(guò)的層。彩色濾光片層具有提高來(lái)自有 機(jī)EL層22或色變換層的光的色純度的功能。彩色濾光片層能夠使用市售的平板顯示器用 彩色濾光片材料(例如富士膠片電子材料公司制造的彩色馬賽克等)。為了形成彩色濾光 片層，能夠使用旋轉(zhuǎn)涂膠、輥涂、鑄造(cast)、深涂(de印coat)等涂敷法。此外，通過(guò)涂敷 法形成的膜，可以通過(guò)光刻法等進(jìn)行圖案形成，形成具有期望的圖案的彩色濾光片層。色變換層是吸收特定的波長(zhǎng)區(qū)域的光并進(jìn)行波長(zhǎng)分布變換，放出不同的波長(zhǎng)區(qū)域 的光的層。色變換層至少包含熒光色素，根據(jù)需要也可以包含基體樹(shù)脂(matrix resin) 0 熒光色素吸收來(lái)自有機(jī)EL層22的光，射出期望的波長(zhǎng)區(qū)域(例如紅色區(qū)域、綠色區(qū)域或藍(lán) 色區(qū)域)的光。吸收從藍(lán)色到藍(lán)綠色區(qū)域的光、射出紅色區(qū)域的熒光的熒光色素，例如包含羅 丹明B、羅丹明6G、羅丹明3B、羅丹明101、羅丹明110、磺酰羅丹明(Sulforhodamine)、 堿性紫(basic violet)ll、堿性紅2等羅丹明類(lèi)色素；花青類(lèi)色素(cyaine system dyes) ； 1-乙基-2-W-(對(duì)二甲氨基苯(p-dimethylaminophenyl))-1,3- T 間 二烯基 (butadienyl)]-吡啶翁(pyridinium)-高氯酸鹽(吡啶(pyridine) 1)等的吡啶類(lèi)色素； 和噁嗪(oxazine)類(lèi)色素?；蛘?，可以使用具有上述的熒光性的各種染料(直接染料、酸性 染性、鹽基性染料、分散染料等)。吸收從藍(lán)色到藍(lán)綠色區(qū)域的光、射出綠色區(qū)域的熒光的熒光色素，例如包含 3-(2'-苯并噻唑酯(benzothiazolyl))-7-二 乙氨基香豆素(diethylamino coumarin) (香豆素 6)、3-(2，-苯并咪唑(benzimidazolyl))-7- 二乙氨基香豆素(diethyl amino coumarin)(香豆素 7)、3_(2，-N-甲基苯并咪唑(methylbenzimidazolyl))-7- 二 乙氨基香豆素(香豆素30)、2，3，5，6-1Η，4Η-四氫(tetrahydro)-8-三氟甲基喹啉 (trifluormethylquinolizin) (9，9a，l_gh)香豆素(香豆素153)等香豆素類(lèi)色素；溶劑黃 (solvent yellow) 11、溶劑黃116等萘酰亞胺(naphthalimido)類(lèi)色素；和堿性黃(basic yellow) 51等香豆素色素色染料等?；蛘?，可以使用上述的具有熒光性的各種染料(直接染 料、酸性染料、鹽基性染料、分散染料等)。作為色變換層的基體樹(shù)脂，能夠使用丙烯酸樹(shù)脂、各種硅聚合物或能夠代替它們 的任意的材料。例如，作為基體樹(shù)脂，能夠使用直鏈(straight)型硅聚合物、改性樹(shù)脂型硅聚合物。色變換層能夠使用旋轉(zhuǎn)涂膠、輥涂、鑄造、深涂等涂敷法或蒸鍍法而形成。在使用 多種熒光色素形成色變換層時(shí)，混合規(guī)定比率的多種熒光色素和基體樹(shù)脂而形成準(zhǔn)備混合 物。也能夠使用該準(zhǔn)備混合物進(jìn)行蒸鍍。或者，可以使用共同蒸鍍法形成色變換層。共同蒸 鍍法通過(guò)將多種熒光色素分別配置于不同的加熱部位并分別加熱它們而實(shí)施。根據(jù)需要， 也可以將熒光色素和基體樹(shù)脂的混合物配置在加熱部位，作為蒸鍍?cè)词褂谩Ｌ貏e是多種熒 光色素的特性(蒸鍍速度和/或蒸鍍氣壓等)有很大不同時(shí)，使用共同蒸鍍法是有利的。在基板10與第一電極21之間形成色變換濾光片層40時(shí)，優(yōu)選以覆蓋色變換濾光 片層40的方式形成平坦化層50。平坦化層50使用于形成有機(jī)EL元件20的面平坦，對(duì)于 防止有機(jī)EL元件中的斷線(xiàn)和短路等故障的發(fā)生是有效的。平坦化層50能夠使用光固化性 樹(shù)脂、光熱并用固化性樹(shù)脂、熱固化性樹(shù)脂、熱可塑性樹(shù)脂等而形成。平坦化層50能夠使用 旋轉(zhuǎn)涂膠、輥涂、鑄造、深涂等涂敷法形成。為了防止包含在該平坦化層50中的殘留水分向有機(jī)EL層22擴(kuò)散，可以以覆蓋平 坦化層50的方式形成鈍化層60。鈍化層60能夠使用絕緣性氧化物(Si0x、Ti02、Zr02、A10x 等)、絕緣性氮化物仏1隊(duì)工1隊(duì)等)、無(wú)機(jī)氧化氮化物(SiON等)而形成。鈍化層60能夠使 用等離子體CVD法等的方法形成。為了防止氧和水分向有機(jī)EL元件20透過(guò)，在本發(fā)明中，在第二電極23和電極分 離壁上形成密封膜30。詳細(xì)內(nèi)容如上所述。接著，說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造方法。首先，準(zhǔn)備基板10。在基10之上， 形成由第一電極21和第二電極23夾著有機(jī)EL層22的有機(jī)EL元件20，進(jìn)一步形成密封膜 30。在形成色變換濾光片層40時(shí)，在基板10與第一電極21之間形成。在形成該色變換濾 光片層40時(shí)，優(yōu)選以覆蓋色變換濾光片層40的方式形成平坦化層50。進(jìn)一步，可以以覆蓋 平坦化層50的方式形成鈍化層60。圖2是具有單一的發(fā)光部的有機(jī)EL器件的一個(gè)例子。但是，本發(fā)明的有機(jī)EL器 件也可以具有被獨(dú)立控制的多個(gè)發(fā)光部。例如，使第一電極和第二電極這兩者為由多個(gè)條 紋狀電極構(gòu)成的電極組，使構(gòu)成第一電極的條紋狀電極的延伸方向與構(gòu)成第二電極的條紋 狀電極的延伸方向交叉，形成所謂的無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL器件。此處，在顯示任意的圖 像和/或文字的顯示器用途中，優(yōu)選使構(gòu)成第一電極的條紋狀電極的延伸方向與構(gòu)成第二 電極的條紋狀電極的延伸方向正交?；蛘?，將第一電極分割為多個(gè)部分電極，使多個(gè)部分電 極的各個(gè)與形成在基板上的開(kāi)關(guān)元件一對(duì)一地連接，使第二電極為一體型的共用電極，形 成所謂的有源矩陣驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL器件。另外，在無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)型器件和有源矩陣驅(qū)動(dòng)型器件的任一個(gè)的情況下，優(yōu)選在 構(gòu)成第一電極的多個(gè)部分電極間設(shè)置絕緣膜。絕緣膜能夠使用絕緣性氧化物(Si0x、Ti02、 ZrO2, AlOx等)、絕緣性氮化物(A1NX、SiNx等)、或高分子材料等。進(jìn)一步，在具有被獨(dú)立控制的多個(gè)的發(fā)光部的結(jié)構(gòu)中，使用多種色變換濾光片層， 能夠形成能夠進(jìn)行多色顯示的有機(jī)EL器件。例如，能夠使用紅色、綠色和藍(lán)色的色變換濾 光片層，構(gòu)成紅色、綠色和藍(lán)色的子像素，使以三色的子像素為一組的像素矩陣狀排列，由 此能夠形成能夠進(jìn)行全色顯示的有機(jī)EL器件。在為頂部發(fā)光型有機(jī)EL器件的情況下，在具有薄膜晶體管等的基板上，形成由第一電極和第二電極夾著有機(jī)EL層的有機(jī)EL元件，進(jìn)一步形成由氮化硅構(gòu)成的密封膜。之 后，將形成有彩色濾光片層和CCM層(色變換層)的基板貼合于密封膜的與有機(jī)EL元件側(cè) 的面相反的面，由此得到頂部發(fā)光型的有機(jī)EL器件。實(shí)施例以下表示本發(fā)明的實(shí)施例、比較例，更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于 此。(成膜速度的最佳化)試驗(yàn)例Ia在以激光形成有深度Iym的凹凸?fàn)畹膱D案的Si晶片上，堆積3μπι的氮化硅膜， 以SEM觀(guān)察其截面。成膜條件是，Rf輸出為1. Okw, SiH4氣體流量為60SCCm、NH3氣體流量 為50sccm、N2氣體流量為2500sccm、成膜速度為2. 80nm/sec。評(píng)價(jià)方法是，在凹凸?fàn)顖D案的邊緣部分，觀(guān)察到裂縫狀的元件評(píng)價(jià)為X，雖然沒(méi)有 裂縫但氮化硅膜的表面存在凹陷的元件評(píng)價(jià)為Δ，均勻覆蓋的元件評(píng)價(jià)為〇。在表1中表 示觀(guān)察結(jié)果。試驗(yàn)例Ib Ic根據(jù)表1記載的成膜條件進(jìn)行與試驗(yàn)例Ia同樣的處理。在表1中表示成膜條件 和觀(guān)察結(jié)果。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL器件，其特征在于，包括基板；形成在所述基板上的有機(jī)EL元件；和形成在所述有機(jī)EL元件之上的密封膜， 其中，所述密封膜是含有H的氮化硅膜， 所述含有H的氮化硅膜中的H含量為0. 85 0. 95at%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL器件，其特征在于 所述氮化硅膜的膜厚為1000 5000nm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL器件，其特征在于 所述氮化硅膜的內(nèi)部應(yīng)力的絕對(duì)值為50MPa以下。
4.一種有機(jī)EL器件的制造方法，其特征在于，該制造方法至少包括在基板上形成有機(jī)EL元件的步驟；和在所述有機(jī)EL元件上形成密封膜的步驟， 其中，形成所述密封膜的步驟中，至少包括為了形成含有氫原子或氫分子的氮化硅膜， 將SiH4、NH3、N2、H2以所述H2的添加流量相對(duì)于所述N2的流量為1 5體積％的方式進(jìn)行 混合的階段。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)EL器件的制造方法，其特征在于在形成所述密封膜的步驟中，所述氮化硅膜的成膜速度為2. 8nm/sec以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)EL器件，其包括基板；形成在上述基板上的有機(jī)EL元件；和形成在上述有機(jī)EL元件之上的密封膜，其中，上述密封膜是含有H的氮化硅膜，上述含有H的氮化硅膜中的H含量為0.85～0.95at％。
文檔編號(hào)H05B33/10GK102090142SQ20098010611
公開(kāi)日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2009年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者安達(dá)和哉 申請(qǐng)人:富士電機(jī)控股株式會(huì)社