專利名稱：?jiǎn)尉t副爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及烙煉單晶爐，特別是一種單晶爐副爐。
背景技術(shù)：
目前的單晶爐副爐的爐體只有單層，由于爐子工作時(shí)爐體的溫度較高， 并且長(zhǎng)時(shí)間的處于高溫狀態(tài)，爐壁容易損壞，縮短了爐子的使用壽命。這時(shí) 對(duì)副爐體的降溫很重要，不好的降溫方法不僅不能起到降溫的作用，反而對(duì) 爐體有損壞作用，縮短副爐的使用壽命。目前只有對(duì)爐體的外表面進(jìn)行冷卻。 發(fā)明目的
針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種使用壽命長(zhǎng)的單晶爐 副爐。
實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下
單晶爐副爐，具有中空型的爐體，爐體的兩端分別設(shè)有法蘭，爐體上具
有抽取真空的真空抽口，所述爐體內(nèi)設(shè)有夾層，爐體的上側(cè)壁設(shè)有出水孔座，
下側(cè)壁設(shè)有進(jìn)水孔座，出水孔座、進(jìn)水孔座與夾層相連通。
所述的進(jìn)水孔座、出水孔座與爐體通過(guò)焊接固定。 所述的爐體兩端的法蘭與爐體通過(guò)雙面焊接固定。 所述的夾層與爐體通過(guò)雙面焊接固定。
采用了上述方案，所述爐體內(nèi)設(shè)有夾層，爐體的上側(cè)壁設(shè)有出水孔座， 下側(cè)壁設(shè)有進(jìn)水孔座，出水孔座、進(jìn)水孔座與夾層相連通。通過(guò)對(duì)本實(shí)用新 型的夾層注水，對(duì)爐體進(jìn)行冷卻，提高了冷卻的效果。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的剖面結(jié)構(gòu)圖中，1、夾層，2、真空抽口， 3、進(jìn)水孔座，4、爐體，5、出水孔座，
6、法蘭。
具體實(shí)施方式
如圖l、 2所示，單晶爐副爐，具有中空型的爐體4，爐體4的兩端分別 設(shè)有法蘭6，爐體4上具有抽取真空的真空抽口 2，所述爐體4內(nèi)設(shè)有夾層1， 爐體4的上側(cè)壁設(shè)有出水孔座5，下側(cè)壁設(shè)有進(jìn)水孔3座，出水孔座5、進(jìn)水 孔座3與夾層1相連通。
單晶爐副爐在工作過(guò)程中，爐體4的溫度過(guò)高，這時(shí)從副爐的進(jìn)水孔對(duì)
夾層1進(jìn)行注水，即可對(duì)副爐體4冷卻。
權(quán)利要求1、單晶爐副爐，具有中空型的爐體，爐體的兩端分別設(shè)有法蘭，爐體上具有抽取真空的真空抽口，其特征在于所述爐體內(nèi)設(shè)有夾層，爐體的上側(cè)壁設(shè)有出水孔座，下側(cè)壁設(shè)有進(jìn)水孔座，出水孔座、進(jìn)水孔座與夾層相連通。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的單晶爐副爐，其特征在于所述的進(jìn)水孔座、 出水孔座與爐體通過(guò)焊接固定。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐副爐，其特征在于所述的爐體兩端的 法蘭與爐體通過(guò)雙面焊接固定。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的單晶爐副爐，其特征在于所述的夾層與爐體 通過(guò)雙面焊接固定。
專利摘要本實(shí)用新型涉及熔煉單晶爐，特別是一種單晶爐副爐。單晶爐副爐，具有中空型的爐體，爐體的兩端分別設(shè)有法蘭，爐體上具有抽取真空的真空抽口，所述爐體內(nèi)設(shè)有夾層，爐體的上側(cè)壁設(shè)有出水孔座，下側(cè)壁設(shè)有進(jìn)水孔座，出水孔座、進(jìn)水孔座與夾層相連通。通過(guò)對(duì)本實(shí)用新型的夾層注水，對(duì)爐體進(jìn)行冷卻，提高了冷卻的效果。
文檔編號(hào)C30B35/00GK201395638SQ20092003968
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2009年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者潘國(guó)強(qiáng), 潘燕萍 申請(qǐng)人:潘燕萍;潘國(guó)強(qiáng)