專利名稱：低溫共燒陶瓷基板的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低溫共燒陶瓷基板的結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是指一種低溫共燒 陶瓷基板表層內(nèi)部的連接點(diǎn)的改良結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
低溫共燒陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic, LTCC)的技術(shù)，主要目的是 將二度空間的被動(dòng)組件，也就是電阻、電容及電感等電路組件，整合成為一三度空間的電路 結(jié)構(gòu)。使用摻雜了金、銀、銅等金屬的導(dǎo)電膠作為電極，并利用網(wǎng)印技術(shù)將電路設(shè)計(jì)在一層 層的陶瓷生胚層上，接著在大約1000°c以下的溫度，把所有生胚層疊壓并一次燒結(jié)，使金屬 與陶瓷緊密的結(jié)合在一起，而形成一低溫共燒陶瓷基板。如此一來，將可使原先大面積的電 路立體化，提高電路的組裝密度，并大幅度的縮小電子組件的體積，且使用陶瓷作為材料， 更具有節(jié)省成本的優(yōu)點(diǎn)。然而，若欲進(jìn)一步提高陶瓷基板的堆疊層數(shù)時(shí)，則會(huì)有不良的效果產(chǎn)生。因?yàn)楫?dāng) 較厚的陶瓷基板在共燒時(shí)，內(nèi)部的導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)經(jīng)常會(huì)因?yàn)闊Y(jié)條件控制不良而形成許多孔 隙、或是包覆氣體于其內(nèi)。并且，陶瓷基板燒結(jié)后還需要使用研磨制程，令基板的表面平坦， 才可將薄膜形成于基板表面。但經(jīng)過了研磨之后，基板的表面結(jié)構(gòu)會(huì)變的較為脆弱。因此， 若后續(xù)欲在該陶瓷基板表面上進(jìn)行較高溫度的薄膜制程時(shí)，基板內(nèi)部存在的氣體很容易因 為熱膨脹產(chǎn)生的壓力作用，而使由表面導(dǎo)電膠孔接點(diǎn)處排出，而破壞了上方建立的薄膜結(jié) 構(gòu)。故進(jìn)行薄膜制程的時(shí)候，這種出氣現(xiàn)象很容易造成基板的毀壞，如此一來，將會(huì)限制陶 瓷基板的發(fā)展，而無法有效應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)。因此，若僅通過調(diào)整燒結(jié)的制程條件來解決此高溫出氣的問題，不但困難度高，效 果有限，更必須花費(fèi)昂貴的物料與人力成本來進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試。而對(duì)于不同的陶瓷基板結(jié)構(gòu)， 其所調(diào)整的制程條件的結(jié)果也無法相互適用，必須每個(gè)個(gè)案獨(dú)立進(jìn)行改善處理，非常的不 經(jīng)濟(jì)。綜上所述，申請(qǐng)人有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，乃經(jīng)悉心地試驗(yàn)與研究，提出本發(fā)明的 “低溫共燒陶瓷基板的結(jié)構(gòu)及其制造方法”，以克服上述缺陷。以下為本案的簡(jiǎn)要說明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是主要目的是提供一種多層陶瓷基板表層內(nèi)部的連接點(diǎn)的改良結(jié)構(gòu)及其 制造方法，通過改善現(xiàn)有方法所造成的缺陷與不足，來達(dá)到節(jié)省成本、降低不良率以及提升 應(yīng)用領(lǐng)域等功效。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出一種低溫共燒陶瓷基板，包括一基板，其包含堆疊的若干 個(gè)陶瓷結(jié)構(gòu)層并具有一第一表面；一電路結(jié)構(gòu)，其位于該基板內(nèi)；一通孔，其位于該第一表 面并與該電路結(jié)構(gòu)相連接；以及一第一結(jié)構(gòu)層，其位于該通孔中并與該電路結(jié)構(gòu)相連接。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為硬度大 于維式硬度值100的導(dǎo)體。
較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)可選自鎳、 銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層可選自單一金屬、 合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層更具有一第二表 面，該第二表面的高度可超過，或低于，或相等于該第一表面的高度。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該基板的厚度至少為1.5毫米 以上。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，更包含一第二結(jié)構(gòu)層，位于該通孔之 上并與該第一結(jié)構(gòu)層相連接。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第二結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為硬度大 于維式硬度值100的金屬。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第二結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)可選自鎳、 銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第二結(jié)構(gòu)層可選自單一金屬、 合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該第二結(jié)構(gòu)層 的材料為一后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該電路結(jié)構(gòu)與該第一結(jié)構(gòu)層之間更包含一第一結(jié)合層。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)合層的材料可選自銅、 鎳、鈷、金、鉬、銀等及其彼此所組合而成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該第二結(jié)構(gòu)層 之間更包含一第二結(jié)合層。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第二結(jié)合層的材料可選自鈦 鎢、銅、鎳、鉻等及其彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該第一結(jié)構(gòu)層的厚度至少為2 微米以上。根據(jù)本發(fā)明的另一構(gòu)想，提出一種低溫共燒陶瓷基板，包括一基板，其包含堆疊的 若干個(gè)陶瓷結(jié)構(gòu)層并具有一第一表面；一電路結(jié)構(gòu)，其位于該基板內(nèi)，其中該電路結(jié)構(gòu)具有 一電路接點(diǎn)，且該電路接點(diǎn)位于該第一表面之上；以及一結(jié)構(gòu)層，其覆蓋在該電路接點(diǎn)上。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為硬度大于維 式硬度值100的導(dǎo)體。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)可選自鎳、銠、 鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該結(jié)構(gòu)層可選自單一金屬、合金 以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該結(jié)構(gòu)層的材料為一后燒結(jié)制 程導(dǎo)電膠。
較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該基板的厚度至少為1. 5毫米 以上。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該結(jié)構(gòu)層的厚度至少為1微米 以上。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，更包含一結(jié)合層，其位于該結(jié)構(gòu)層與 該電路接點(diǎn)之間；以及一金屬層，其位于該結(jié)構(gòu)層之上，且具有低電阻的特性。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該金屬層的材質(zhì)可選自銅、鎳、 金、銀、錫、鋁等及其彼此所組合而成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，其中該結(jié)合層的材質(zhì)可選自鈦鎢、 銅、鎳、鉻等或是由彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。根據(jù)本發(fā)明的又一構(gòu)想，提出一種制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其步驟包括提 供若干個(gè)陶瓷生胚層；形成一電路結(jié)構(gòu)于該若干個(gè)陶瓷生胚層上；堆疊該若干個(gè)陶瓷生胚 層；燒結(jié)該若干個(gè)陶瓷生胚層使其互相結(jié)合而形成一基板；形成一通孔于該基板的上表 面，并使該通孔與該電路結(jié)構(gòu)相連接；以及形成一第一結(jié)構(gòu)層于該通孔內(nèi)。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括研磨該基板的上 表面。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中形成該第一結(jié)構(gòu)層 時(shí)是處于真空的狀態(tài)下，且該方法更包括固化該第一結(jié)構(gòu)層以及；研磨該基板的上表面以 及該第一結(jié)構(gòu)層。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括形成一第二結(jié)構(gòu) 層于該基板上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括固化該第二結(jié)構(gòu) 層；研磨該第二結(jié)構(gòu)層的上表面；以及移除部分的第二結(jié)構(gòu)層。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中形成該第一結(jié)構(gòu)層 時(shí)是處于真空的狀態(tài)下，且該第一結(jié)構(gòu)層也同時(shí)覆蓋在該基板的上表面，該方法更包括固 化該第一結(jié)構(gòu)層；研磨該第一結(jié)構(gòu)層的上表面；以及移除部分的第一結(jié)構(gòu)層。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層的材 質(zhì)為硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第二結(jié)構(gòu)層的材 質(zhì)為硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該 第二結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)可選自鎳、銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該 第二結(jié)構(gòu)層可選自單一金屬、合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該 第二結(jié)構(gòu)層的材料為一后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該基板的厚度至少 為1.5毫米以上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層的厚度至少為2微米以上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括形成一第一結(jié)合 層于該通孔內(nèi)；以及該第一結(jié)構(gòu)層形成于該結(jié)合層上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括形成一第二結(jié)合 層于該第一結(jié)構(gòu)層上；以及該第二結(jié)構(gòu)層形成于該第二結(jié)合層與該基板上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第二結(jié)合層的材 料可選自鈦鎢、銅、鎳、鉻等及其彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)合層的材 料可選自銅、鎳、鈷、金、鉬、銀等及其彼此所組合而成的合金的其中之一。根據(jù)本發(fā)明的又一構(gòu)想，提出一種制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其步驟包括提 供若干個(gè)陶瓷生胚層；形成一電路結(jié)構(gòu)于該若干個(gè)陶瓷生胚層上；堆疊該若干個(gè)陶瓷生胚 層；形成一通孔于該若干個(gè)陶瓷生胚層的表面層上，并使該通孔與該電路結(jié)構(gòu)相連接；燒 結(jié)該若干個(gè)陶瓷生胚層使其互相結(jié)合而形成一基板；以及形成一第一結(jié)構(gòu)層于該通孔內(nèi)。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括研磨該基板的上 表面。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中形成該第一結(jié)構(gòu)層 時(shí)是處于真空的狀態(tài)下，且該方法更包括固化該第一結(jié)構(gòu)層；研磨該基板的上表面以及該第一結(jié)構(gòu)層。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括形成一第二結(jié)構(gòu) 層于該基板上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括固化該第二結(jié)構(gòu) 層；研磨該第二結(jié)構(gòu)層的上表面；以及移除部分的第二結(jié)構(gòu)層。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中形成該第一結(jié)構(gòu)層 時(shí)是處于真空的狀態(tài)下，且該第一結(jié)構(gòu)層也同時(shí)覆蓋在該基板的上表面，該方法更包括固 化該第一結(jié)構(gòu)層；研磨該第一結(jié)構(gòu)層的上表面；以及移除部分的第一結(jié)構(gòu)層。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層的材 質(zhì)為硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第二結(jié)構(gòu)層的材 質(zhì)為硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該 第二結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)可選自鎳、銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該 第二結(jié)構(gòu)層可選自單一金屬、合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該 第二結(jié)構(gòu)層的材料為一后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該基板的厚度至少 為1.5毫米以上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層的厚 度至少為2微米以上。
較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括形成一第一結(jié)合 層于該通孔內(nèi)；以及該第一結(jié)構(gòu)層形成于該結(jié)合層上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包括形成一第二結(jié)合 層于該第一結(jié)構(gòu)層上；以及該第二結(jié)構(gòu)層形成于該第二結(jié)合層與該基板上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第二結(jié)合層的材 料可選自鈦鎢、銅、鎳、鉻等及其彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該第一結(jié)合層的材 料可選自銅、鎳、鈷、金、鉬、銀等及其彼此所組合而成的合金的其中之一。根據(jù)本發(fā)明的再一構(gòu)想，提出一種制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其步驟包括提 供若干個(gè)陶瓷生胚層；形成一電路結(jié)構(gòu)于該若干個(gè)陶瓷生胚層上；堆碟該若干個(gè)陶瓷生胚 層并于堆疊后的最上層露出一電路接點(diǎn)；燒結(jié)該若干個(gè)陶瓷生胚層使其互相結(jié)合而形成一 基板；以及形成一結(jié)構(gòu)層于該電路接點(diǎn)上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為 硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)可 選自鎳、銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該結(jié)構(gòu)層可選自單 一金屬、合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該結(jié)構(gòu)層的材料為 一后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該基板的厚度至少 為1.5毫米以上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該結(jié)構(gòu)層的厚度至 少為1微米以上。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，更包含形成一結(jié)合層，其 位于該結(jié)構(gòu)層與該電路接點(diǎn)之間；以及形成一金屬層，其位于該結(jié)構(gòu)層之上，且具有低電阻 的特性。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該金屬層的材質(zhì)可 選自銅、鎳、金、銀、錫、鋁等及其彼此所組合而成的合金的其中之一。較佳地，本發(fā)明所提出的制造低溫共燒陶瓷基板的方法，其中該結(jié)合層的材質(zhì)可 選自鈦鎢、銅、鎳、鉻等或是由彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。


圖IA為本發(fā)明中第一實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為本發(fā)明中第一實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖IC為本發(fā)明中第一實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖ID為本發(fā)明中第一實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖；圖IE為本發(fā)明中第一實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖；圖IF為本發(fā)明中第一實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖；0083]圖IG為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0084]圖IH為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0085]圖II為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0086]圖IJ為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0087]圖IK為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0088]圖IL為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0089]圖IM為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0090]圖IN為本發(fā)明中第--實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0091]圖2A為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0092]圖2B為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0093]圖2C為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0094]圖2D為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0095]圖2E為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0096]圖2F為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0097]圖2G為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0098]圖2H為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0099]圖21為本發(fā)明中第二二實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0100]圖3A為本發(fā)明中第三Ξ實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖0101]圖3B為本發(fā)明中第三Ξ實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0102]圖3C為本發(fā)明中第三Ξ實(shí)施列的低溫共燒陶瓷基板的完成結(jié)構(gòu)示意圖0103]附圖標(biāo)號(hào)說明0104]10基板0105]11電路結(jié)構(gòu)0106]12通孔0107]13第一結(jié)構(gòu)層0108]14第二結(jié)構(gòu)層0109]15第一結(jié)合層0110]16第二結(jié)合層0111]17光阻0112]20基板0113]21電路結(jié)構(gòu)0114]22通孔0115]23第一結(jié)構(gòu)層0116]24第一結(jié)合層0117]25光阻0118]30基板0119]31電路結(jié)構(gòu)0120]32電路接點(diǎn)0121]33結(jié)構(gòu)層
34 結(jié)合層35 金屬層
具體實(shí)施例方式本發(fā)明將可由以下的實(shí)施例說明而得到充分了解，使得熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的技術(shù)人 員可以據(jù)以完成，然本發(fā)明的具體實(shí)施并非可由下列實(shí)施例而被限制其實(shí)施型態(tài)。以下說明本發(fā)明的第一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖IA-圖1E，其為本發(fā)明所提出的低溫共 燒陶瓷基板的結(jié)構(gòu)示意圖。首先將陶瓷粉與黏著劑混合，并經(jīng)過成型與干燥之后形成一層 層的陶瓷生胚層，接著利用網(wǎng)版印刷的技術(shù)將電路設(shè)計(jì)在每一層的陶瓷生胚層上，并將各 層堆疊起來，如此即可在堆疊完的陶瓷生胚層內(nèi)形成一立體的電路結(jié)構(gòu)11，此時(shí)對(duì)整個(gè)陶 瓷生胚層進(jìn)行燒結(jié)操作，可令陶瓷生胚層及其內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)11緊密結(jié)合在一起，而形成 一基板10，如圖IA所示。接著利用蝕刻的技術(shù)，在基板10的上表面形成一通孔12，如圖IB 所示，此時(shí)再于通孔12內(nèi)以電鍍的方式將一第一結(jié)構(gòu)層13填滿其中，如圖IC所示。最后 用機(jī)械加工的方法使整個(gè)基板10的表面磨平，如圖ID所示，以利后續(xù)基板上制程操作的進(jìn) 行。研磨基板10的表面時(shí)，可無需令第一結(jié)構(gòu)層13的高度相等于基板表面的高度。也 就是說，第一結(jié)構(gòu)層13的高度也可超過基板表面的高度，唯一需要注意的是，令第一結(jié)構(gòu) 層13的表面平整即可?；蛘呤侨鐖DIE所示，電鍍第一結(jié)構(gòu)層13時(shí)，高度也可低于其兩側(cè) 基板表面的高度。此外，在圖IB進(jìn)行電鍍通孔后，即如圖IC所示，若第一結(jié)構(gòu)層13表面的 平整度在能夠接受的范圍之下，則不需要進(jìn)行研磨基板10的步驟。第一結(jié)構(gòu)層13的材料可選用硬度大于100HV (維式硬度值大于100)的導(dǎo)體，也就 是維式硬度值大于100的材料，在此以金屬為例，例如鎳、銠、鉬、鈷、鈀鈷合金以及其彼此 所形成的合金的其中之一等等，或是以單一金屬、合金或是復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層來構(gòu)成。也就 是說，第一結(jié)構(gòu)層13可為一鎳金屬層，或是鈀鈷合金金屬層，或是如銠金屬層、鉬金屬層等 互相疊加而形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層。另外，其也可為通過粉末或膠體形式燒結(jié)而成的含 金屬成分的固體材料。當(dāng)然材料的選用也非只限定于金屬。選用硬度大于100HV的導(dǎo)體材 料，是保障第一結(jié)構(gòu)層13有可靠的硬度，不會(huì)輕易的被高溫出氣的現(xiàn)象所破壞，進(jìn)而影響 到整體組件的完整性。而在形成通孔12時(shí)，其需接觸到基板10內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)11，之后形成于通孔12中 的第一結(jié)構(gòu)層13也需接觸到電路結(jié)構(gòu)11，如此當(dāng)基板10上欲再形成其余的結(jié)構(gòu)與電路時(shí)， 才可以使整體的電路連結(jié)并導(dǎo)通。此外，基板10的厚度至少為1.5毫米以上，而第一結(jié)構(gòu) 層13的厚度則至少為2微米以上。由于本發(fā)明的目的在于避免制程中的高溫使得陶瓷基板內(nèi)部存在的氣體因熱膨 脹的影響而噴出，破壞了基板表面所建立的組件結(jié)構(gòu)，因此，第一結(jié)構(gòu)層13的存在，即是為 了達(dá)到阻擋氣體的功效。而第一結(jié)構(gòu)層13的厚度則至少為2微米以上，如此一來，第一結(jié) 構(gòu)層13才得以有足夠的厚度來避免出氣的現(xiàn)象。假如基板10內(nèi)的氣體過多，僅僅第一結(jié)構(gòu)層13仍未能抑制出氣現(xiàn)象時(shí)，也可在基 板10的表面再制作一第二結(jié)構(gòu)層14，如圖IF所示，在此需注意，第一結(jié)構(gòu)層13及第二結(jié)構(gòu) 層14所使用的材料可以是相同的，也可以使用不同的材料。同樣的，第二結(jié)構(gòu)層14的材料可選用硬度大于100HV的導(dǎo)體材料，包括以單一金屬、合金或是復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層來構(gòu)成， 也可為通過粉末或膠體形式燒結(jié)而成的含金屬成分的固體材料，且第二結(jié)構(gòu)層14需和第 一結(jié)構(gòu)層13相連接以維持電路的導(dǎo)通。此外，在電路結(jié)構(gòu)11與第一結(jié)構(gòu)層13之間，也可利用電鍍的方式，形成一第一結(jié) 合層15。如此一來，將可以提高電路結(jié)構(gòu)11與第一結(jié)構(gòu)層13之間異種材料的結(jié)合力，而 使兩者結(jié)合更加穩(wěn)固，并增加整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。第一結(jié)合層15的材料可選自銅、鎳、鈷、金、 鉬、銀等其中之一及其彼此所組合而成的合金。因此在制程上，于通孔12形成后，先于其中 形成一第一結(jié)合層15，接著再形成第一結(jié)構(gòu)層13覆蓋其上，若有需要，則再形成一第二結(jié) 構(gòu)層14覆蓋其上，如圖IG所示。同樣地，當(dāng)?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)層13與第二結(jié)構(gòu)層14使用不同材料，或是第二結(jié)構(gòu)層14使 用電鍍方式形成時(shí)，在第一結(jié)構(gòu)層13與第二結(jié)構(gòu)層14之間，可以利用濺鍍的方式，先形成 一第二結(jié)合層16，如圖IH所示，藉以提高第一結(jié)構(gòu)層13與第二結(jié)構(gòu)層14之間、以及基板表 面與第二結(jié)構(gòu)層14之間的異種材料之結(jié)合力，使該結(jié)合效果更加穩(wěn)固，或是用以作為建立 第二結(jié)構(gòu)層14的電鍍制程時(shí)所需的導(dǎo)電種子層，使第二結(jié)構(gòu)層14可以輕易的形成在基板 10上。第二結(jié)合層16的材料可選自鈦鎢、銅、鎳、鉻等其中之一或是由彼此所組合而成的復(fù) 合層。當(dāng)然若有必要的話，第一結(jié)合層15與第二結(jié)合層16也可同時(shí)存在，如圖II所示。在本實(shí)施例中，第一結(jié)構(gòu)層13的材料也可改為使用后制程導(dǎo)電膠。首先對(duì)陶瓷生 胚層進(jìn)行燒結(jié)后形成一基板10，并利用蝕刻的技術(shù)，在基板10的上表面形成一通孔12，如 圖IA和圖IB所示。此時(shí)再將基板10置入一真空的環(huán)境當(dāng)中，使用后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠為材 料，以網(wǎng)印技術(shù)在通孔12內(nèi)形成第一結(jié)構(gòu)層13，如圖IJ所示，固化后并以機(jī)械加工的方式 將基板表面上多余的結(jié)構(gòu)層去除，如圖ID所示。如前述，若基板10內(nèi)的氣體過多，僅僅第一結(jié)構(gòu)層13仍未能抑制出氣現(xiàn)象時(shí)，同 樣可于基板10的表面上再形成一第二結(jié)構(gòu)層14。請(qǐng)參閱圖IF和圖1G。在圖ID所示的步 驟之后，于基板10上再制作一第二結(jié)構(gòu)層14，如圖IF所示。而為了提高電路結(jié)構(gòu)11與第 一結(jié)構(gòu)層13之間異種材料的結(jié)合力，同樣可在其間形成一第一結(jié)合層15。若有需要，則再 形成一第二結(jié)構(gòu)層14覆蓋在第一結(jié)構(gòu)層13上，如圖IG所示。并且，由于此處第一結(jié)構(gòu)層 13使用后制程導(dǎo)電膠為材料，而第二結(jié)構(gòu)層14以電鍍的方式使用硬度大于100HV的導(dǎo)體材 料，包括以單一金屬、合金或是復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層來構(gòu)成，也可為通過粉末或膠體形式燒結(jié) 而成的含金屬成分的固體材料。故于第一結(jié)構(gòu)層13與第二結(jié)構(gòu)層14之間，可形成一第二 結(jié)合層16，以提高異種材料的結(jié)合力，或是作為建立第二結(jié)構(gòu)層14的電鍍制程時(shí)所需的導(dǎo) 電種子層，如圖IH所示。當(dāng)然若有必要的話，第一結(jié)合層15與第二結(jié)合層16也可同時(shí)存 在，如圖II所示。或者，可以直接利用由后制程導(dǎo)電膠構(gòu)成、厚度超過基板表面的第一結(jié)構(gòu)層13，來 取代并省略第二結(jié)構(gòu)層的制作。如圖1A、圖IB和圖IJ所示，在基板10的上表面形成通孔 12后，在真空的環(huán)境中形成第一結(jié)構(gòu)層13。并令第一結(jié)構(gòu)層13在基板10上方具有如同第 二結(jié)構(gòu)層14般足夠的厚度。固化后磨平該第一結(jié)構(gòu)層13的表面。接著如圖1K、圖IL和 圖IM所示，以光阻17定義圖形，并利用蝕刻的技術(shù)去除多余的第一結(jié)構(gòu)層13，最后移除光 阻17，即完成了本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板。當(dāng)然，為提高異種材料之間的結(jié)合力， 第一結(jié)構(gòu)層13與電路結(jié)構(gòu)11之間可具有一第一結(jié)合層15，如圖IN所示。
接著說明本發(fā)明的第二實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖2A-圖2H。相較于第一實(shí)施例，最大的不 同是，本實(shí)施例中在圖2A中尚未進(jìn)行燒結(jié)操作，而是在尚未燒結(jié)的堆疊的陶瓷生胚層表面 上，改用如自動(dòng)打孔機(jī)打出通孔22之后，再進(jìn)行燒結(jié)。之后同樣利用電鍍或是在真空下填 入后制程導(dǎo)電膠的方式，形成第一結(jié)構(gòu)層23，再把基板20的表面磨平，如此即完成本發(fā)明 所提出的低溫共燒陶瓷基板。在圖2A-圖2C中，首先將形成基板表面的上下兩層生胚層利用自動(dòng)打孔機(jī)打出通 孔22之后、維持通孔22內(nèi)凈空，不填入任何物質(zhì)，再將該兩層生胚層與可堆疊形成立體電 路結(jié)構(gòu)21的中間部分生胚疊層相互對(duì)準(zhǔn)并疊合后進(jìn)行燒結(jié)，使其內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)21與陶 瓷結(jié)構(gòu)緊密結(jié)合，形成一表面層具有通孔結(jié)構(gòu)22的基板20，如圖2A所示。接著如圖2B所 示，再以電鍍的方式，形成一第一結(jié)構(gòu)層23于通孔22內(nèi)，并以機(jī)械加工的方式，將基板20 表面上多余的結(jié)構(gòu)層去除。此時(shí)，第一結(jié)構(gòu)層23可選用硬度大于100HV的導(dǎo)體材料，包括 以單一金屬、合金或是復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層來構(gòu)成，也可為通過粉末或膠體形式燒結(jié)而成的 含金屬成分的固體材料?；蛘?，第一結(jié)構(gòu)層23可使用后制程導(dǎo)電膠來構(gòu)成。首先如圖2A所示，當(dāng)基板20 形成通孔22并燒結(jié)完成后，將基板20置于真空的環(huán)境下，以網(wǎng)印技術(shù)填入后制程導(dǎo)電膠于 通孔22內(nèi)形成第一結(jié)構(gòu)層23，如圖2D所示。再以機(jī)械加工的方式，將基板20表面上多余 的結(jié)構(gòu)層去除，如圖2C所示。此外，為了提高電路結(jié)構(gòu)21與第一結(jié)構(gòu)層23之間異種材料的結(jié)合力，在前述的方 式中，可在電路結(jié)構(gòu)21與第一結(jié)構(gòu)層23之間，利用電鍍的方式形成一第一結(jié)合層M，如圖 21所示。若基板20內(nèi)的氣體過多，僅僅第一結(jié)構(gòu)層23仍未能抑制出氣現(xiàn)象時(shí)，也可使基板 20的表面上再形成一第二結(jié)構(gòu)層(未顯示)。該第二結(jié)構(gòu)層可以電鍍的方式，選用硬度大于 100HV的導(dǎo)體材料，包括以單一金屬、合金或是復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層來構(gòu)成，也可為通過粉末 或膠體形式燒結(jié)而成的含金屬成分的固體材料，形成在基板20上以覆蓋該第一結(jié)構(gòu)層23。請(qǐng)參閱圖2A、圖2D-圖2G。在基板20形成通孔22并燒結(jié)完成后，在圖2D所示的 步驟時(shí)，于基板20上覆蓋足夠厚度的后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠，厚度超過基板表面的第一結(jié)構(gòu)層 23，來取代并省略第二結(jié)構(gòu)層的制作。當(dāng)固化后磨平該第一結(jié)構(gòu)層23的表面。接著以光阻 25定義需覆蓋在基板20上的圖形，并利用蝕刻技術(shù)去除多余的第一結(jié)構(gòu)層23，最后移除光 阻25，即完成了本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板。同樣的，為提高異種材料之間的結(jié)合力，此處仍可在電路結(jié)構(gòu)21與第一結(jié)構(gòu)層23 之間，利用電鍍的方式形成第一結(jié)合層M，如圖2H所示。另外，在第一結(jié)構(gòu)層23與第二結(jié) 構(gòu)層之間，則可利用濺鍍的方式形成一第二結(jié)合層(未顯示)，以提高第一結(jié)構(gòu)層23與第二 結(jié)構(gòu)層之間異種材料的結(jié)合力，且也可提高第二結(jié)構(gòu)層與基板20之間異種材料的結(jié)合力。第一結(jié)構(gòu)層23表面的高度可超過，或低于，或相等于基板20表面的高度。在形成 通孔22時(shí)，其需接觸到基板20內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)21，第一結(jié)構(gòu)層23也需接觸到電路結(jié)構(gòu)21， 且第二結(jié)構(gòu)層需接觸到第一結(jié)構(gòu)層23。此外，基板20的厚度至少為1.5毫米以上，而第一 結(jié)構(gòu)層23的厚度則至少為2微米以上。綜合上述的第一與第二實(shí)施例，基本上在于形成通孔前是否對(duì)基板進(jìn)行燒結(jié)操 作。并且對(duì)于第一結(jié)構(gòu)層與第二結(jié)構(gòu)層而言，其可使用相同或不同的材料。舉例而言，兩者可同時(shí)使用高硬度金屬(硬度大于100HV的導(dǎo)體材料)或是后制程導(dǎo)電膠；或者第一結(jié)構(gòu) 層以電鍍的方式將高硬度金屬形成于通孔后，第二結(jié)構(gòu)層則用后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠形成在基 板的表面上，固化后研磨第二結(jié)構(gòu)層的表面，并同樣利用光阻定義圖形；或者是第一結(jié)構(gòu)層 使用后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠形成在通孔內(nèi)，固化后使用研磨將基板表面的多余結(jié)構(gòu)層去除，第 二結(jié)構(gòu)層則使用電鍍的方式將高硬度金屬形成于基板表面。接著再說明本發(fā)明的第三實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖3A、圖3B，其為本發(fā)明所提出的低溫 共燒陶瓷基板的結(jié)構(gòu)示意圖。基板30內(nèi)具有一電路結(jié)構(gòu)31，且電路結(jié)構(gòu)31于基板30的表 面上露出一電路接點(diǎn)32。此時(shí)直接于電路接點(diǎn)32的表面上，覆蓋一結(jié)構(gòu)層33，也可達(dá)到防 止高溫出氣的現(xiàn)象產(chǎn)生。結(jié)構(gòu)層33形成的方式可以使用物理沉積、化學(xué)沉積、物理/化學(xué)沉積混用或是電 化學(xué)沉積等。而結(jié)構(gòu)層33的材料可選用硬度大于100HV的導(dǎo)體材料，包括以單一金屬、合 金或是復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層來構(gòu)成，也可為通過粉末或膠體形式燒結(jié)而成的含金屬成分的固 體材料，或是使用后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。此外，基板30的厚度至少為1. 5毫米以上。結(jié)構(gòu)層 3的厚度則至少為1微米以上?；蛘?，如圖3C所示，在電路接點(diǎn)上利用濺鍍或蒸鍍的方式覆蓋一結(jié)合層34，再于 其上覆蓋結(jié)構(gòu)層33，接著再于結(jié)構(gòu)層33上覆蓋一金屬層35。結(jié)合層34可以提高結(jié)構(gòu)層33 與基板30之間異種材料的結(jié)合力、或是作為結(jié)構(gòu)層33電鍍時(shí)所需的導(dǎo)電種子層，使結(jié)構(gòu)層 33可以輕易的形成在基板30上。當(dāng)然，結(jié)合層34也可以提高結(jié)構(gòu)層33與電路結(jié)構(gòu)31之 間異種材料的結(jié)合力。結(jié)合層；34的材料可為鈦鎢、銅、鎳、鉻等其中之一或是由彼此所組合 而成的復(fù)合層；金屬層35則使用具有低電阻特性的材料，如銅、鎳、金、銀、錫、鋁等及其彼 此所組合而成的合金的其中之一，如此可以降低該表面結(jié)構(gòu)的整體電阻值，減少訊號(hào)傳輸 時(shí)的干擾，提升陶瓷基板的質(zhì)量。綜上所述，本發(fā)明所提出的低溫共燒陶瓷基板，不但制程條件簡(jiǎn)單，所需的燒結(jié)條 件也可互相通用，因此可大幅節(jié)省基板的制作成本，并降低不良率。此外，本發(fā)明所提出的 方法，是將第一結(jié)構(gòu)層形成在通孔中，如此可以增加第一結(jié)構(gòu)層與通孔側(cè)壁之間的接觸面 積，提高填塞及密封導(dǎo)電膠的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。再者，用以防止高溫出氣現(xiàn)象的第一與第二結(jié)構(gòu)層，其厚度與材質(zhì)可依實(shí)際需求 改變或調(diào)整，因此得以制作出厚度遠(yuǎn)高于業(yè)界水平的陶瓷基板。本發(fā)明所提出的低溫共燒 陶瓷基板，其應(yīng)用領(lǐng)域可包含探針卡、微電子產(chǎn)品、通訊、軍事、航空、汽車、醫(yī)療以及消費(fèi)型 電子產(chǎn)品等等，故極為廣泛。以目前科技發(fā)展的趨勢(shì)來說，對(duì)于電子組件需要小體積、高密 度、耐高溫、高頻以及高Q值的需求勢(shì)必是越來越高，同時(shí)也越來越嚴(yán)格，故本發(fā)明對(duì)于低 溫共燒陶瓷基板的技術(shù)及其未來的發(fā)展性而言，實(shí)乃一大突破。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，不能用以來限定本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍。 即但凡依照本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等的變化與修飾，皆應(yīng)仍屬于本發(fā)明所涵蓋的范圍。
權(quán)利要求
1.一種低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，包括一基板，其包含堆疊的若干個(gè)陶瓷結(jié)構(gòu)層并具有一第一表面；一電路結(jié)構(gòu)，其位于該基板內(nèi)；一通孔，其位于該第一表面并與該電路結(jié)構(gòu)相連接；以及一第一結(jié)構(gòu)層，其位于該通孔中并與該電路結(jié)構(gòu)相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為 硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為 鎳、銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。
4.如權(quán)利要求2所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層為單一金 屬、合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。
5.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層還具有一 第二表面，該第二表面的高度可超過，或低于，或相等于該第一表面的高度。
6.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的基板的厚度至少為1.5 毫米以上。
7.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，還包含一第二結(jié)構(gòu)層，其位于 該通孔之上并與該第一結(jié)構(gòu)層相連接。
8.如權(quán)利要求7所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第二結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為 硬度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。
9.如權(quán)利要求7所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第二結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為 鎳、銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。
10.如權(quán)利要求7所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第二結(jié)構(gòu)層為單一金 屬、合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。
11.如權(quán)利要求1或7所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層與第 二結(jié)構(gòu)層的材料為一后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。
12.如權(quán)利要求1或7所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的電路結(jié)構(gòu)與第一 結(jié)構(gòu)層之間更包含一第一結(jié)合層。
13.如權(quán)利要求12所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)合層的材料 為銅、鎳、鈷、金、鉬、銀及其彼此所組合而成的合金的其中之一。
14.如權(quán)利要求7所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層與第二結(jié) 構(gòu)層之間更包含一第二結(jié)合層。
15.如權(quán)利要求14所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第二結(jié)合層的材料 為鈦鎢、銅、鎳、鉻及其彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。
16.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的第一結(jié)構(gòu)層的厚度至 少為2微米以上。
17.—種低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，包括一基板，其包含堆疊的若干個(gè)陶瓷結(jié)構(gòu)層并具有一第一表面；一電路結(jié)構(gòu)，其位于該基板內(nèi)，其中該電路結(jié)構(gòu)具有一電路接點(diǎn)，且該電路接點(diǎn)位于該 第一表面之上；以及一結(jié)構(gòu)層，其覆蓋在該電路接點(diǎn)上。
18.如權(quán)利要求17所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為硬 度大于維式硬度值100的導(dǎo)體。
19.如權(quán)利要求18所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為鎳、 銠、鉬、鈷、鈀以及其彼此所形成的合金的其中之一。
20.如權(quán)利要求18所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的結(jié)構(gòu)層為單一金屬、 合金以及復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬層的其中之一。
21.如權(quán)利要求17所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的基板的厚度至少為 1.5毫米以上。
22.如權(quán)利要求17所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的結(jié)構(gòu)層的材料為一 后燒結(jié)制程導(dǎo)電膠。
23.如權(quán)利要求17所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的結(jié)構(gòu)層的厚度至少 為1微米以上。
24.如權(quán)利要求17所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，更包含一結(jié)合層，其位于該結(jié)構(gòu)層與該電路接點(diǎn)之間；以及至少一金屬層，其位于該結(jié)構(gòu)層之上，且具有低電阻的特性。
25.如權(quán)利要求M所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的金屬層的材質(zhì)為銅、 鎳、金、銀、錫、鋁及其彼此所組合而成的合金的其中之一。
26.如權(quán)利要求M所述的低溫共燒陶瓷基板，其特征在于，所述的結(jié)合層的材質(zhì)為鈦 鎢、銅、鎳、鉻或是由彼此所組合而成的復(fù)合層的其中之一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種低溫共燒陶瓷基板，包括一基板，其包含堆疊的若干個(gè)陶瓷結(jié)構(gòu)層并具有一第一表面；一電路結(jié)構(gòu)，其位于該基板內(nèi)；一通孔，其位于該第一表面并與該電路結(jié)構(gòu)相連接；以及一第一結(jié)構(gòu)層，其位于該通孔中并與該電路結(jié)構(gòu)相連接。
文檔編號(hào)H05K1/02GK102044518SQ20091020721
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月12日
發(fā)明者呂如梅, 范宏光, 陳弘仁 申請(qǐng)人:旺矽科技股份有限公司