低溫多晶硅tft基板結(jié)構(gòu)的制作方法及低溫多晶硅tft基板結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法及低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶石圭(LowTemperature Poly-silicon, LTPS)薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)在高分辨率有源液晶顯不(Active MatrixLiquid Crystal Display,AMLCD)以及有機(jī)發(fā)光二極管(Active-Matrix Organic Light Emitting D1de,AM0LED)顯示器領(lǐng)域有很大的應(yīng)用價值和潛力。
[0003]與非晶硅(a-Si)技術(shù)相比，LTPS TFT的迀移率高，器件穩(wěn)定性好。LTPS TFT的迀移率可達(dá)幾十至幾百cm2/Vs，可以滿足高分辨率AMIXD及AMOLED顯示器的要求。因此，低溫多晶硅顯示器的反應(yīng)速度較快，且有高亮度、高解析度與低耗電量等優(yōu)點。除了作為像素開關(guān)，LTPS TFT還可以構(gòu)建周邊驅(qū)動電路，實現(xiàn)片上集成系統(tǒng)。
[0004]準(zhǔn)分子激光退火處理(Excimer Laser Annealing，ELA)是利用激光的瞬間脈沖照射到非晶硅表面，使其溶化并重新結(jié)晶的技術(shù)。因為AMOLED驅(qū)動需要開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT，其中，驅(qū)動TFT應(yīng)具有較一致的電性從而具有一致的驅(qū)動能力，以防止在顯示過程中導(dǎo)致顏色不均等問題。這就需要驅(qū)動TFT區(qū)域的多晶硅的晶粒具有較好的一致性，并且晶粒的尺寸較大。
[0005]然而目前的ELA結(jié)晶技術(shù)對于晶粒的一致性和晶粒的大小不能做到有效控制，所以結(jié)晶狀況在整個基板的分布上很不均勻，導(dǎo)致驅(qū)動TFT區(qū)域多晶硅晶粒的一致性較差，且晶粒相對較小，使得驅(qū)動TFT的電性一致性和電性穩(wěn)定性較差，容易導(dǎo)致畫質(zhì)不良等現(xiàn)象的產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，可以使驅(qū)動TFT區(qū)域的多晶硅的晶粒具有較好的一致性，且晶粒相對較大，可保證驅(qū)動TFT的電性一致性。
[0007]本發(fā)明的目的還在于提供一種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，驅(qū)動TFT區(qū)域的多晶硅的晶粒一致性較好，且晶粒相對較大，驅(qū)動TFT的電性一致性較好。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供基板，所述基板包括開關(guān)TFT區(qū)域與驅(qū)動TFT區(qū)域，在所述基板上沉積導(dǎo)熱絕緣薄膜，并對所述導(dǎo)熱絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，得到位于所述驅(qū)動TFT區(qū)域的導(dǎo)熱絕緣層；
[0010]步驟2、在所述基板上沉積緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述導(dǎo)熱絕緣層；
[0011]步驟3、在所述緩沖層上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到位于所述開關(guān)TFT區(qū)域的第一非晶硅段、及位于所述驅(qū)動TFT區(qū)域的第二非晶硅段；
[0012]步驟4、對所述第一非晶硅段、第二非晶硅段進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使所述第一非晶硅段、第二非晶硅段結(jié)晶，分別轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝欢嗑Ч瓒巍⒌诙嗑Ч瓒危?br>[0013]步驟5、在所述緩沖層上沉積層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述第一多晶硅段、第二多晶硅段；
[0014]步驟6、在所述層間絕緣層上沉積金屬層，并對所述金屬層進(jìn)行圖案化處理，分別對應(yīng)所述第一多晶硅段、第二多晶硅段的上方形成第一柵極與第二柵極。
[0015]所述基板為玻璃基板或硅基板。
[0016]所述導(dǎo)熱絕緣層的材料為氧化鎂或氧化鋁。
[0017]所述導(dǎo)熱絕緣層的圖案為均勻分布且大小一致的圓形、或方形。
[0018]所述步驟2采用化學(xué)氣相沉積法制得所述緩沖層。
[0019]所述緩沖層的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。
[0020]所述步驟3采用氣相沉積法制得所述非晶硅層。
[0021]所述步驟4采用爐管、準(zhǔn)分子激光退火處理設(shè)備、或化學(xué)氣相沉積加熱室對所述第一非晶硅段、第二非晶硅段進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理。
[0022]本發(fā)明還提供一種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，包括開關(guān)TFT區(qū)域和驅(qū)動TFT區(qū)域；
[0023]所述開關(guān)TFT區(qū)域包括基板、設(shè)于所述基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的第一多晶硅段、設(shè)于所述緩沖層上覆蓋所述第一多晶硅段的層間絕緣層、及對應(yīng)所述第一多晶硅段上方設(shè)于所述層間絕緣層上的第一柵極；
[0024]所述驅(qū)動TFT區(qū)域包括基板、設(shè)于所述基板上的導(dǎo)熱絕緣層、設(shè)于所述基板上覆蓋所述導(dǎo)熱絕緣層的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的第二多晶硅段、設(shè)于所述緩沖層上覆蓋所述第二多晶硅段的層間絕緣層、及對應(yīng)所述第二多晶硅段上方設(shè)于所述層間絕緣層上的第二柵極。
[0025]所述基板為玻璃基板或硅基板；所述導(dǎo)熱絕緣層的材料為氧化鎂或氧化鋁；所述導(dǎo)熱絕緣層的圖案為均勻分布的圓形、或方形；所述緩沖層的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，通過在驅(qū)動TFT區(qū)域的緩沖層下方設(shè)置有規(guī)律且大小一致的導(dǎo)熱絕緣層圖案，在進(jìn)行后續(xù)準(zhǔn)分子激光退火處理使非晶硅層結(jié)晶的過程中，導(dǎo)熱絕緣層會吸收熱量，從而使非晶硅的冷卻速度加快，形成晶核，并在退火過程逐漸生
[0027]長，由于導(dǎo)熱絕緣層具有有規(guī)律且大小一致的圖案，從而使驅(qū)動TFT區(qū)域形成的多晶硅層的晶粒具有較好的一致性，且晶粒相對較大，保證了驅(qū)動TFT的電性一致性，提升了驅(qū)動TFT的電性穩(wěn)定性，避免了畫質(zhì)不良等現(xiàn)象的產(chǎn)生。本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，驅(qū)動TFT區(qū)域的緩沖層下方設(shè)置有有規(guī)律且大小一致的導(dǎo)熱絕緣層圖案，驅(qū)動TFT區(qū)域的多晶硅層的晶粒一致性較好，且晶粒相對較大，驅(qū)動TFT的電性一致性較好，電性穩(wěn)定性較好。
【附圖說明】
[0028]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0029]附圖中，
[0030]圖1為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；
[0031]圖2為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟I的示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2的示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟3的示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟4的示意圖；
[0035]圖6為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟5的示意圖；
[0036]圖7為本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟6的示意圖暨本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0037]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0038]請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0039]步驟1、如圖2所示，提供基板I，所述基板I包括開關(guān)TFT區(qū)域與驅(qū)動TFT區(qū)域，在所述基板I上沉積導(dǎo)熱絕緣薄膜，并對所述導(dǎo)熱絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，得到位于所述驅(qū)動TFT區(qū)域的導(dǎo)熱絕緣層10。
[0040]具體的，所述基板I可以是玻璃基板或硅基板。
[0041]具體的，所述導(dǎo)熱絕緣層10的材料為氧化鎂或氧化鋁。
[0042]具體的，通過一道光罩對所述導(dǎo)熱絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，于所述驅(qū)動TFT區(qū)域得到呈均勻分布且大小一致的圓形、方形等圖案的導(dǎo)熱絕緣層10。
[0043]步驟2、如圖3所示，在所述基板I上沉積緩沖層2，所述緩沖層2覆蓋所述導(dǎo)熱絕緣層10。
[0044]具體的，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法制得所述緩沖層2。
[0045]具體的，所述緩沖層2的材料可以是氧化硅、氮化硅、或二者的組合。
[0046]步驟3、如圖4所示，在所述緩沖層2上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到位于所述開關(guān)TFT區(qū)域的第一非晶硅段31、及位于所述驅(qū)動TFT區(qū)域的第二非晶娃段32。
[0047]具體的，采用氣相沉積法制得所述非晶硅層。
[0048]步驟4、如圖5所示，對所述第一非晶硅段31、第二非晶硅段32進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理(Excimer Laser Annealer, ELA)使所述第一非晶娃段3