專利名稱：：具有主體和摻雜劑功能的金屬有機(jī)化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)電子器件。
背景技術(shù)：
：利用有機(jī)材料的光電器件由于許多理由越來越為人們所需求。用于制造此類器件的許多材料是相對便宜的，因此有機(jī)光電器件具有在成本上比無機(jī)器件有優(yōu)勢的可能。另外，有機(jī)材料的固有性能如它們的柔性可以使得它們非常適合于特殊應(yīng)用，如在柔性基材上制造。有機(jī)光電器件的例子包括有機(jī)發(fā)光器件(OLED)、有機(jī)光敏晶體管、有機(jī)光生伏打電池和有機(jī)光檢測器。對于0LED，有機(jī)材料可以比常規(guī)材料有性能優(yōu)勢。例如，有機(jī)發(fā)射層發(fā)光的波長一般可以容易地用合適的摻雜劑調(diào)節(jié)。在本文中使用的術(shù)語"有機(jī)"包括可用來制造有機(jī)光電器件的聚合物材料以及小分子有機(jī)材料。"小分子"指不是聚合物的任何有機(jī)材料，并且"小分子，，實(shí)際上可以是相當(dāng)大的。在一些情況下小分子可以包括重復(fù)單元。例如，使用長鏈烷基作為取代基不會將一個(gè)分子從"小分子"類型中排除。小分子也可以被引入聚合物中，例如作為在聚合物骨架上的側(cè)基或作為骨架的一部分。小分子也可以用作樹狀分子的芯結(jié)構(gòu)部分，該樹狀分子由在芯結(jié)構(gòu)部分上構(gòu)建的一系列化學(xué)殼組成。樹狀分子的芯結(jié)構(gòu)部分可以是熒光或磷光小分子發(fā)射體。樹狀分子可以是"小分子，，，并且據(jù)信目前在OLED領(lǐng)域中使用的所有樹狀分子是小分子。通常，小分子具有明確定義的、有單一分子量的化學(xué)式，而聚合物的化學(xué)式和分子量在分子與分子之間可以不同。在本文中使用的"有機(jī)"包括烴基和雜原子取代的烴基配體的金屬絡(luò)合物。0LED利用薄的有機(jī)膜，當(dāng)對器件施加電壓時(shí)所述有機(jī)膜會發(fā)光。OLED正在成為人們越來越感興趣的技術(shù)，用于諸如平板顯示器、照明和逆光照明之類的應(yīng)用中。幾種0LED材料和構(gòu)造已被描述在美國專利5,844,363、6，303，238和5，707，745中，它們的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。0LED器件一般(但并不總是)意圖通過電極中的至少一個(gè)發(fā)光，并且一個(gè)或多個(gè)透明電極可能被用于有機(jī)光電器件。例如，透明電極材料如氧化銦錫(IT0)可以被用作底部電極。還可以使用透明頂部電極，如在美國專利5，703，436和5,707,745中/〉開的透明頂部電極，所述美國專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。對于打算僅通過底部電極發(fā)光的器件，頂部電極不需要是透明的，并且可以由具有高導(dǎo)電性的、厚的并且反射性的金屬層組成。類似地，對于打算僅通過頂部電極發(fā)光的器件，底部電極可以是不透明的和/或反射性的。當(dāng)一個(gè)電極不需要是透明的時(shí)，使用較厚的層可提供更好的導(dǎo)電性，并且使用反射性電極可以通過將光反射回透明電極來增加通過所述另一電極發(fā)射的光的量。也可以制造完全透明的器件，其中兩個(gè)電極都是透明的。還可以制造側(cè)邊發(fā)射的0LED，并且在此類器件中一個(gè)或兩個(gè)電極可以是不透明的或反射性的。在本文中使用的"頂部"指最遠(yuǎn)離基材，而"底部"指最接近基材。例如，對于具有兩個(gè)電極的器件，底部電極是最接近基材的電極，并且一般是所制造的第一個(gè)電極。底部電極有兩個(gè)表面，即最接近基材的底面和遠(yuǎn)離基材的頂面。當(dāng)?shù)谝粚颖幻枋鰹?布置在"第二層上，所述第一層遠(yuǎn)離基材來設(shè)置。在所述第一和第二層之間還可以有其它層，除非規(guī)定所述第一層與所述第二層"物理接觸"。例如，陰極可以被描述為"布置在"陽極上，即使在兩者之間有各種有機(jī)層。在本文中使用的"可溶液處理的"是指能夠在液體介質(zhì)中溶解、分散或輸送和/或從液體介質(zhì)中沉積，無論呈溶液或懸浮液的形式。在本文中使用時(shí)并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的，第一"最高已占分子軌道"(H0M0)或"最低未占分子軌道"(LUM0)能級"大于"或"高于，，第二HOMO或LUM0能級，如果所述第一能級更接近于真空能級。因?yàn)殡婋x電位(IP)是作為相對于真空能級的負(fù)能量來測量的，較高的HOMO能級對應(yīng)于具有較小絕對值的IP(不太負(fù)性的IP)。類似地，較高的LUM0能級對應(yīng)于具有較小絕對值的電子親合勢(EA)(不太負(fù)性的EA)。在真空能級在頂部的普通的能級圖上，材料的LUM0能級高于同一材料的H0M0能級。"較高的，，H0M0或LUM0能級比"較低的"HOMO或LUMO能級更接近于這樣的圖的頂部。概述在一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種由下式表示的、包含連接到發(fā)射核的一個(gè)或多個(gè)支鏈的金屬有機(jī)化合物發(fā)射核<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>其中所述發(fā)射核包含一個(gè)金屬原子和配位于該金屬原子的多個(gè)配體；其中每個(gè)支鏈連接到所述多個(gè)配體之一；其中變量"y"具有l(wèi)-3的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"x"獨(dú)立地具有至少2的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"n"獨(dú)立地具有0或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"m，，獨(dú)立地具有l(wèi)或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分RH獨(dú)立地是具有至少兩個(gè)環(huán)的芳基基團(tuán)或具有至少兩個(gè)環(huán)的雜芳基基團(tuán)；其中每個(gè)末端基團(tuán)RT獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)；其中^和R2中的每個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基，其中每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。在某些情況下，在所述支幾o(hù)在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電子器件，其包含陽極；陰極；和布置在所述陽極和所述陰極之間的第一有機(jī)層，其中所述第一有機(jī)層包含本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物。在又一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種制備有機(jī)電子器件的方法，該方法包括提供布置在基材上的第一電極；在所述第一電極上形成第一有機(jī)層，其中所述第一有機(jī)層包含本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物；和形成布置在所述第一有機(jī)層上的第二電極。附圖的簡要說明圖1顯示了一種具有單獨(dú)的電子傳輸層、空穴傳輸層和發(fā)射層以及其它層的有機(jī)發(fā)光器件。圖2顯示了一種不具有單獨(dú)的電子傳輸層的顛倒的有機(jī)發(fā)光器件。圖3顯示了器件實(shí)施例1-4的電流密度對電壓的圖。圖4顯示了器件實(shí)施例1-4的發(fā)光效率對發(fā)光度的圖。圖5顯示了器件實(shí)施例5-10的電流密度對電壓的圖。圖6顯示了器件實(shí)施例5-10的發(fā)光效率對發(fā)光度的圖。圖7顯示了器件實(shí)施例11和12的電流密度對電壓的圖。圖8顯示了器件實(shí)施例11和12的發(fā)光效率對發(fā)光度的圖。圖9顯示了化合物A和B的合成。圖IO顯示了化合物c的合成。圖11顯示了化合物A的MALDI-TOF質(zhì)謙。詳細(xì)敘述一般地，0LED包括布置在陽極和陰極之間并且電連接到陽極和陰極上的至少一個(gè)有才幾層。當(dāng)施加電流時(shí)，陽極注入空穴和陰極注入電子到所述有機(jī)層中。注入的空穴和電子各自向著帶相反電荷的電極遷移。當(dāng)電子和空穴定域在同一分子上時(shí)，形成了"激子"，所述激子是具有激發(fā)能態(tài)的定域的電子-空穴對。當(dāng)激子通過光發(fā)射機(jī)理松馳時(shí)，光被發(fā)射。在一些情況下，所述激子可以定域在受激準(zhǔn)分子或激態(tài)復(fù)合物上。非輻射機(jī)理如熱弛豫也可能發(fā)生，但一般被認(rèn)為是不希望的。初始的0LED采用從發(fā)射分子的單線態(tài)發(fā)光("熒光")的發(fā)射分子，如公開在例如美國專利號4,769,292中的發(fā)射分子，該專利全部內(nèi)容通過引用結(jié)合到本文中。熒光發(fā)射通常在小于10毫微秒的時(shí)間范圍內(nèi)發(fā)生。最近，已經(jīng)證實(shí)了具有從三重態(tài)發(fā)光("磷光，，)的發(fā)射材料的0LED。Baldo等人，"HighlyEfficientPhosphorescentEmissionfromOrganicElectroluminescentDevices",Nature,395巻，151-154,1998("Baldo-I");和Baldo等人，"Veryhigh-efficiencygreenorganic1ight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence，，,Appl.Phys.Lett.，75巻,第1期，4-6(1999)("Baldo-II")，它們的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。磷光可以被稱為"受禁"躍遷，因?yàn)樵撥S遷要求自旋狀態(tài)的改變，并且量子力學(xué)指出這樣的躍遷不是有利的。結(jié)果，磷光一般在超過至少IO毫微秒，典型地大于100亳微秒的時(shí)間范圍內(nèi)發(fā)生。如果磷光的自然輻射壽命太長，則三重態(tài)可能通過非輻射機(jī)理衰減，這樣沒有光被發(fā)射。在非常低的溫度下，在含有具有未共享電子對的雜原子的分子中也常常觀察到有機(jī)磷光。2,2，-聯(lián)吡啶是這樣的分子。非輻射衰減機(jī)理典型地是溫度依賴性的，這樣在液態(tài)氮溫度下顯示磷光的有機(jī)材料典型地在室溫下不顯示磷光。但是，如Baldo所證明的，這一問題可以通過選擇在室溫下發(fā)磷光的磷光化合物來解決。代表性的發(fā)射層包括摻雜或未摻雜的磷光金屬有機(jī)材料，例如在美國專利6,303,238和6，310，360;美國專利申請出版物2002-0034656;2002-0182441;2003-0072964;和WO-02/074015中所公開的。一般地，在OLED中的激子被認(rèn)為是以約3:l的比率產(chǎn)生，即大約75%三重態(tài)和25%單線態(tài)。參見Adachi等人，"Nearly100%InternalPhosphorescentEfficiencyInAnOrganicLightEmittingDevice"，J.Appl.Phys.,90，5048(2001)，它的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。在很多情況下，單線態(tài)激子可以容易地通過"系統(tǒng)間穿越(intersystemcrossing)"將它們的能量轉(zhuǎn)移到三重激發(fā)態(tài)，而三重態(tài)激子不能夠容易地將它們的能量轉(zhuǎn)移到單線激發(fā)態(tài)。結(jié)果，釆用磷光0LED，100°/的內(nèi)量子效率在理論上是可能的。在熒光器件中，三重態(tài)激子的能量一般損失到加熱該器件的無輻射衰變過程，導(dǎo)致低得多的內(nèi)量子效率。利用從三重激發(fā)態(tài)發(fā)射的磷光材料的OLED被公開在例如美國專利6,303,238中，它的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。從三重激發(fā)態(tài)到中間的非三重態(tài)(從所述非三重態(tài)發(fā)生發(fā)射衰減)的躍遷可以先于磷光發(fā)射。例如，配位于鑭系元素上的有機(jī)分子常常從定域在鑭系金屬上的激發(fā)態(tài)發(fā)射磷光。然而，這樣的材料不直接從三重激發(fā)態(tài)發(fā)射磷光，而是從以鑭系金屬離子為中心的原子激發(fā)態(tài)發(fā)射。銪二酮化物絡(luò)合物舉例說明了一組這些類型的物質(zhì)。通過將有機(jī)分子束縛(優(yōu)選通過鍵接)在高原子序數(shù)的原子近處可以相對于熒光增強(qiáng)來自三重態(tài)的磷光。這一被稱作重原子效應(yīng)的現(xiàn)象是通過被稱為自旋軌道耦合的機(jī)理產(chǎn)生的。這樣的磷光躍遷可以從金屬有機(jī)分子如三(2-苯基吡啶)銥(III)的已激發(fā)的金屬到配體電荷轉(zhuǎn)移(MLCT)狀態(tài)觀察到。在本文中使用的術(shù)語"三重態(tài)能量"是指與在給定材料的磷光光譜中可辯別的最高能量特征相對應(yīng)的能量。所述最高能量特征不必是在磷光光譜中具有最大強(qiáng)度的峰，并且它例如可以是在這樣的峰的高能量側(cè)的清楚肩部的局部最大值。圖1顯示了有機(jī)發(fā)光器件100。這些圖不一定按比例畫出。器件IOO可以包括基材110，陽極115，空穴注入層120，空穴傳輸層125，電子封閉層130，發(fā)射層135,空穴封閉層140,電子傳輸層145，電子注入層150,保護(hù)層155和陰極160。陰極160是具有第一導(dǎo)電層162和第二導(dǎo)電層164的復(fù)合陰極。器件100可以通過按照順序沉積所述層來制造?；?10可以是提供所需的結(jié)構(gòu)性能的任何合適基材。基材110可以是柔性的或剛性的。基材110可以是透明的、半透明的或不透明的。塑料和玻璃是優(yōu)選的剛性基材材料的例子。塑料和金屬箔是優(yōu)選的柔性基材材料的例子?；腎IO可以是半導(dǎo)體材料，以幫助電路的制造。例如，基材IIO可以是硅晶片(在它之上制造電路)，能夠控制隨后沉積在基材上的OLED。可以使用其它基材?？梢赃x擇基材110的材料和厚度，以獲得所需的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。陽極115可以是有足夠的導(dǎo)電性以輸送空穴到有機(jī)層中的任何合適陽極。陽極115的材料優(yōu)選具有高于約4eV的功函數(shù)("高功函數(shù)材料")。優(yōu)選的陽極材料包括導(dǎo)電性金屬氧化物，如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO),氧化鋅鋁(AlZnO)，和金屬。陽極115(和基材110)可以是足夠透明的，以制造底部發(fā)光的器件。一種優(yōu)選的透明基材和陽極組合是可商購的、沉積在玻璃或塑料(基材)上的ITO(陽極)。柔性和透明的基材-陽極組合公開在美國專利號5，844，363和6，602，540B2中，它們的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。陽極115可以是不透明的和/或反射性的。反射性陽極115對于一些頂部發(fā)光型器件可能是優(yōu)選的，以增加從器件的頂部發(fā)射出的光的量?？梢赃x擇陽極115的材料和厚度，以獲得所需的導(dǎo)電性和光學(xué)性質(zhì)。當(dāng)陽極115是透明的時(shí)，對于一種具體的材料可能有一定的厚度范圍，即厚度要足夠厚以提供所需的導(dǎo)電性，同時(shí)要足夠薄以提供所需的透明度。可以使用其它陽極材料和結(jié)構(gòu)?？昭▊鬏攲?25可以包括能夠傳輸空穴的材料?？昭▊鬏攲?30可以是本征的(未摻雜的)，或者是摻雜的。摻雜可以用于增強(qiáng)導(dǎo)電性。oc-NPD和TPD是本征空穴傳輸層的例子。p-摻雜的空穴傳輸層的一個(gè)例子是按照50:1的摩爾比率摻雜了F廣TCNQ的m-MTDATA，如在Forrest等人的美國專利申請出版物2003-0230980號中所公開的，該文獻(xiàn)的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。可以使用其它空穴傳輸層。發(fā)射層135可以包括當(dāng)有電流在陽極115和陰極160之間通過時(shí)能夠發(fā)射光的有機(jī)材料。優(yōu)選地，發(fā)射層135含有磷光發(fā)光材料，雖然熒光發(fā)光材料也可以使用。磷光材料因?yàn)榕c此類材料有關(guān)的更高發(fā)光效率而是優(yōu)選的。發(fā)射層135還可以包括能夠傳輸電子和/或空穴、摻雜了發(fā)光材料的主體材料，該發(fā)光材料可以捕獲電子、空穴和/或激子，使得激子經(jīng)由光發(fā)射機(jī)理從發(fā)光材料松馳。發(fā)射層135可以包括兼有傳輸和發(fā)光性能的單一材料。不論發(fā)光材料是摻雜劑或主要成分，發(fā)射層135可以包括其它材料，如調(diào)節(jié)發(fā)光材料的發(fā)射的摻雜劑。發(fā)射層135可以包括能夠在組合時(shí)發(fā)射所需光譜的光線的多種發(fā)光材料。磷光發(fā)光材料的例子包括Ir(ppy)"熒光發(fā)光材料的例子包括DCM和DMQA。主體材料的例子包括Alq3，CBP和mCP。發(fā)光和主體材料的例子公開在Thompson等人的美國專利6,303，238號中，該專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中?？梢砸栽S多方式將發(fā)光材料包括在發(fā)射層135中。例如，發(fā)光小分子可以被引入聚合物中。這可以通過幾種方式來實(shí)現(xiàn)通過將小分子作為單獨(dú)的和不同的分子物種摻雜到聚合物中；或通過將小分子引入到聚合物的骨架中，以形成共聚物；或通過將小分子作為側(cè)基鍵接在聚合物上。可以使用其它發(fā)射層材料和結(jié)構(gòu)。例如，小分子發(fā)光材料可以作為樹狀分子的核存在。許多有用的發(fā)光材料包括鍵接于金屬中心上的一個(gè)或多個(gè)配體。如果配體直接對金屬有機(jī)發(fā)光材料的光活性性能有貢獻(xiàn)，該配體可以被稱為"光活性的"。"光活性的"配體與金屬一起可以提供能級，在發(fā)射光子時(shí)電子從所述能級出來或進(jìn)入所述能級。其它配體可以被稱為"輔助的"。輔助的配體可以改變分子的光活性性能，例如通過使光活性配體的能級發(fā)生位移，但是輔助的配體不直接提供在光發(fā)射中牽涉到的能級。在一個(gè)分子中是光活性的配體在另一個(gè)分子中可以是輔助的。這些"光活性的"和"輔助的"的定義并不是限制性的理論。電子傳輸層145可以包括能夠傳輸電子的材料。電子傳輸層145可以是本征的(未摻雜的)，或者是摻雜的。摻雜可以被用于增強(qiáng)導(dǎo)電性。Alq3是本征電子傳輸層的一個(gè)例子。n-摻雜的電子傳輸層的一個(gè)例子是按照1:1的摩爾比率摻雜了Li的BPhen，如在Forrest等人的美國專利申請出版物2003-0230980號中所公開的，該文獻(xiàn)的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文者?？梢允褂闷渌娮觽鬏攲??？梢赃x擇電子傳輸層的電荷攜帶組分，使得電子能夠有效地從陰極注入到電子傳輸層的L頭O(最低未占分子軌道)能級。"電荷攜帶組分，，是提供實(shí)際上傳輸電子的LUM0能級的材料。這一組分可以是基礎(chǔ)材料，或者它可以是摻雜劑。有機(jī)材料的LUM0能級一般可以由該材料的電子親合勢來表征，而陰極的相對電子注入效率一般可以由陰極材料的功函數(shù)來表征。這意味著電子傳輸層和相鄰的陰極的優(yōu)選性能可以根據(jù)ETL的電荷攜帶組分的電子親合勢和陰極材料的功函數(shù)來確定。特別地，為了實(shí)現(xiàn)高的電子注入效率，陰極材料的功函數(shù)優(yōu)選不比電子傳輸層的電荷攜帶組分的電子親合勢大大約0.75eV以上，更優(yōu)選地，不比電子傳輸層的電荷攜帶組分的電子親合勢大大約0.5eV以上。類似的考慮適用于有電子注入其中的任何層。陰極160可以是現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何合適的材料或材料組合，使得陰極160能夠傳導(dǎo)電子和將電子注入器件100的有機(jī)層中。陰極160可以是透明的或不透明的，并且可以是反射性的。金屬和金屬氧化物是合適的陰極材料的例子。陰極160可以是單個(gè)層，或者可以具有復(fù)合結(jié)構(gòu)。圖1顯示了具有薄的金屬層162和厚的導(dǎo)電性金屬氧化物層164的復(fù)合陰極160。在復(fù)合陰極中，用于所述較厚層164的優(yōu)選材料包括ITO,IZ0和現(xiàn)有技術(shù)中已知的其它材料。美國專利5,703,436，5,707,745，6，548，956B2和6,576,134B2(它們的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中)公開了包括復(fù)合陰極在內(nèi)的陰極的例子，所述復(fù)合陰極具有金屬如Mg:Ag的薄層，在所述金屬薄層上具有層疊的透明的、導(dǎo)電的、濺射沉積的ITO層。陰極16Q的與下面的有機(jī)層接觸的部分(不論它是單層陰極160、復(fù)合陰極的薄金屬層162或一些其它部分)優(yōu)選由具有小于約4eV的功函數(shù)的材料("低功函數(shù)材料")制成。可以使用其它陰極材料和結(jié)構(gòu)。封閉層可以用于減少離開發(fā)射層的電荷載流子(電子或空穴)和/或激子的數(shù)量。電子封閉層130可以布置在發(fā)射層135和空穴傳輸層125之間，以在空穴傳輸層125的方向上阻斷電子離開發(fā)射層135。類似地，空穴封閉層140可以布置在發(fā)射層135和電子傳輸層145之間，以在電子傳輸層145的方向上阻斷空穴離開發(fā)射層135。封閉層還可以用來阻斷激子從發(fā)射層中擴(kuò)散出來。封閉層的理論和使用更詳細(xì)地描述在美國專利6，097，147號和美國專利申請出版物2003-0230980號(Forrest等人)，它們的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。在本文中使用時(shí)并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的，術(shù)語"封閉層"是指提供顯著地抑制電荷載流子和/或激子傳輸通過器件的阻隔性的層，但并不暗示該層必定完全地阻斷電荷裁流子和/或激子。這樣的封閉層在器件中的存在可以導(dǎo)致比沒有封閉層的類似器件明顯更高的效率。同時(shí)，封閉層可以用來將發(fā)射限制到OLED的希望的區(qū)域中。一般地，注入層由可以改進(jìn)電荷載流子從一層(如電極或有機(jī)層)注入到相鄰有機(jī)層中的材料組成。注入層也可以發(fā)揮電荷傳輸功能。在器件100中，空穴注入層120可以是改進(jìn)空穴從陽極115注入空穴傳輸層125中的任何層。CuPc是可用作從ITO陽極115和其它陽極注射空穴的空穴注入層的材料的一個(gè)實(shí)例。在器件100中，電子注入層150可以是改進(jìn)電子向電子傳輸層145中的注入的任何層。LiF/Al是可用作從相鄰層中注射電子到電子傳輸層中的電子注入層的材料的一個(gè)實(shí)例。其它材料或材料組合可以用于注入層。取決于具體器件的構(gòu)型，注入層可以被布置在與在器件100中所示的那些位置不同的位置。在美國專利申請序列號09/931，948(Lu等人)中提供了注入層的更多實(shí)例，所述文獻(xiàn)的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中?？昭ㄗ⑷雽涌梢园ㄈ芤撼练e的材料，如旋涂的聚合物，例如PED0T:PSS，或者它可以是蒸氣沉積的小分子材料，例如CuPc或MTDATA?？昭ㄗ⑷雽?HIL)可以平面化或潤濕陽極表面，以提供從陽極到空穴注射材料的有效的空穴注入?？昭ㄗ⑷雽舆€可以含有電荷攜帶組分，該電荷攜帶組分具有的H0M0(最高已占分子軌道)能級有利地與在HIL的一側(cè)上的相鄰陽極層和在HIL的相對側(cè)上的空穴傳輸層相匹配，如由它們的在這里所述的相對電離電位(IP)能量所定義的。該"電荷攜帶組分"是提供實(shí)際上傳輸空穴的HOMO能級的材料。這一組分可以是HIL的基礎(chǔ)材料，或者它可以是摻雜劑。使用摻雜的HIL允許因?yàn)閾诫s劑的電性能而選擇摻雜劑，并且允許因?yàn)樾螒B(tài)特性如潤濕性、柔性、韌性等而選擇主體。HIL材料的優(yōu)選的性能使得空穴能夠高效地從陽極注入到HIL材料中。特別地，HIL的電荷攜帶組分的IP優(yōu)選不比陽極材料的IP大大約0.7eV以上。更優(yōu)選地，所述電荷攜帶組分的IP不比陽極材料的IP大大約0.5eV以上。類似的考慮適用于空穴注入其中的任何層。HIL材料還不同于通常用于0LED的空穴傳輸層中的普通空穴傳輸材料，因?yàn)檫@樣的HIL材料可以具有明顯低于普通空穴傳輸材料的空穴傳導(dǎo)率的空穴傳導(dǎo)率。本發(fā)明的HIL的厚度可以足夠厚，以幫助平面化或潤濕陽極層的表面。例如，對于非常光滑的陽極表面來說，小至IO腿的HIL厚度可以是可接受的。然而，因?yàn)殛枠O表面往往是非常粗糙的，在一些情況下高達(dá)50認(rèn)的HIL厚度可能是希望的。保護(hù)層可以被用來在后續(xù)制造過程中保護(hù)底層。例如，用于制造金屬或金屬氧化物頂部電極的過程可能損傷有機(jī)層，而保護(hù)層可用于減少或消除此類損傷。在器件100中，保護(hù)層155可以在陰極160的制造過程中減少對底下的有機(jī)層的損傷。優(yōu)選地，保護(hù)層對于它所傳輸?shù)妮d流子類型(在器件100中為電子)來說具有高的載流子遷移率，使得它不顯著地增加器件100的工作電壓。CuPc、BCP和各種金屬酞菁是可用于保護(hù)層中的材料的實(shí)例?？梢允褂闷渌牧匣虿牧辖M合。保護(hù)層155的厚度優(yōu)選是足夠厚的，使得有很少或沒有因在有機(jī)保護(hù)層160沉積之后進(jìn)行的制造工藝所導(dǎo)致的對底下的層的損傷；然而保護(hù)層155的厚度不應(yīng)該厚到顯著增加器件100的工作電壓的程度。保護(hù)層155可以被摻雜，以提高它的傳導(dǎo)性。例如，CuPc或BCP保護(hù)層160可以摻雜Li。保護(hù)層的更詳細(xì)的描述可以在Lu等人的美國專利申請序列號09/931,948中找到，它的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。圖2顯示了顛倒的0LED200。該器件包括基材210，陰極215，發(fā)射層220，空穴傳輸層225，和陽極230。器件200可以通過按照順序沉積所述層來制造。因?yàn)樽畛Ｒ姷腛LED構(gòu)型具有布置在陽極上的陰極，并且器件200具有布置在陽極230下的陰極215，因此器件200可以被稱為"顛倒的"OLED。與討論器件100時(shí)所描述的那些材料類似的材料可用于器件200的相應(yīng)層中。圖2提供了如何從器件100的結(jié)構(gòu)中省略掉一些層的一個(gè)實(shí)例。在圖l和2中示出的簡單層狀結(jié)構(gòu)是作為非限制性例子提供的，并且可以理解，本發(fā)明的實(shí)施方案可以與各種其它結(jié)構(gòu)相結(jié)合使用。所述的特定材料和結(jié)構(gòu)是舉例性質(zhì)的，并且其它材料和結(jié)構(gòu)可以被使用。功能化的OLED可以通過以不同的方式組合所述的各種層來實(shí)現(xiàn)，或者某些層可以被完全省略，基于設(shè)計(jì)、性能和成本因素。沒有具體描述的其它層也可以被包括?？梢允褂贸司唧w描述的那些材料之外的材料。雖然在本文中提供的許多實(shí)施例將各種層描述為包括單一一種材料，但是可以理解，可以使用材料的組合，如主體和摻雜劑的混合物，或更一般地混合物。同時(shí)，這些層可具有各種亞層。在本文中給予各種層的名稱并不是意圖嚴(yán)格限制的。例如，在器件200中，空穴傳輸層225傳輸空穴并將空穴注入到發(fā)射層220中，因此可以被描述為空穴傳輸層或空穴注入層。在一個(gè)實(shí)施方案中，OLED可以被描述為具有設(shè)置在陰極和陽極之間的"有機(jī)層"。該有機(jī)層可以包括單個(gè)層，或者可以進(jìn)一步包括例如討論圖1和2時(shí)所述的不同有機(jī)材料的多個(gè)層。沒有具體描述的結(jié)構(gòu)和材料也可以使用，例如由聚合物材料組成的OLED(PLED),如公開在美國專利號5，247，190(Friend等人)中的PLED,該專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。作為另一個(gè)例子，可以使用具有單個(gè)有機(jī)層的0LED。OLED可以堆疊，例如如在美國專利號5，707，745(Forrest等人)中所述，該專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。OLED結(jié)構(gòu)可以背離在圖1和2中圖示說明的簡單層狀結(jié)構(gòu)。例如，基材可以包括有角度的反射面以改進(jìn)外偶聯(lián)，如在Forrest等人的美國專利號6，091，195中所述的臺式結(jié)構(gòu)，和/或在Bulovic等人的美國專利號5,834,893中描述的坑形結(jié)構(gòu)，所述專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。除非另作說明，各種實(shí)施方案的這些層中的任何一層可以通過任何合適的方法沉積。對于有機(jī)層，優(yōu)選的方法包括熱蒸發(fā)，墨噴(如在美國專利號6，013，982和6，087，196中所述的，所述專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中)，有才幾氣相沉積(OVPD)(如在Forrest等人的美國專利號6，337，102中所述的，該專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中)，和通過有機(jī)蒸氣噴印(0VJP)的沉積(如在美國專利申請?zhí)?0/233，470中所述的，該專利申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中)。其它合適的沉積方法包括旋涂和其它溶液型工藝。溶液型工藝優(yōu)選在氮或惰性氣氛中進(jìn)行。對于其它層，優(yōu)選的方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的圖案化方法包括通過掩模的沉積，冷焊(如在美國專利號6，294，398和6，468，819中描述的方法，所述專利的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中)，和與某些沉積方法如墨噴和0VJD聯(lián)合的圖案化。其它方法也可以使用。被沉積的材料可以被改性，以使得它們與具體的沉積方法相容。例如，取代基如支化或未支化的烷基和芳基可以用于小分子中，以提高它們經(jīng)歷溶液加工的能力。具有不對稱結(jié)構(gòu)的材料可以比具有對稱結(jié)構(gòu)的那些材料有更好的溶液加工性，因?yàn)椴粚ΨQ材料可以有更低的重結(jié)晶傾向。樹狀分子取代基可用來提高小分子經(jīng)歷溶液加工的能力。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，在本文中公開的分子可以以許多不同的方式被取代。例如，取代基可以被加到具有三個(gè)二齒配體的化合物上，使得在加上所述取代基之后，所述二齒配體中的一個(gè)或多個(gè)4皮連在一起以形成例如四齒或六齒配體。可以形成其它這樣的連接。據(jù)信，相對于沒有連接的類似化合物，這一類型的連接可以提高穩(wěn)定性，這是由于在本領(lǐng)域中通常理解為"螯合效應(yīng)"的作用。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案制造的器件可以結(jié)合到各種各樣的消費(fèi)產(chǎn)品中，包括平板顯示器，計(jì)算機(jī)顯示器，電視，廣告牌，內(nèi)部或外部照明和/或發(fā)信號的光源，平視顯示器(headsupdisplay),全透明顯示器，柔性顯示器，激光打印機(jī)，電話，移動電話，個(gè)人數(shù)字助理(PDA)，膝上型計(jì)算機(jī)，數(shù)字式攝象機(jī)，攝像放像機(jī)，取景器，微型顯示器，車輛，大面積幕墻，戲院或露天運(yùn)動場屏幕，或標(biāo)牌。各種控制機(jī)構(gòu)可用來控制根據(jù)本發(fā)明制造的器件，包括無源矩陣和有源矩陣。許多的器件預(yù)計(jì)在人感覺舒適的溫度范圍如18。C到30'C的范圍中使用，更優(yōu)選在室溫(20-25'C)使用。本文中使用的術(shù)語"烷基，，是指烷基結(jié)構(gòu)部分，并且包括直鏈和支化的烷基鏈。在某些情況下，適合在本發(fā)明中用作取代基的烷基基團(tuán)是含有一至十五個(gè)碳原子的那些，其包括甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，異丁基，叔丁基等。另外，所述烷基結(jié)構(gòu)部分本身可以被一個(gè)或多個(gè)取代基取代。本文中使用的術(shù)語"雜烷基"是指包括雜原子的烷基結(jié)構(gòu)部分。在某些情況下，適合在本發(fā)明中用作取代基的雜烷基基團(tuán)是含有一至十五個(gè)碳原子的那些。本文中使用的術(shù)語"芳基基團(tuán)"是指芳基結(jié)構(gòu)部分，并且包括含有至少一個(gè)芳族環(huán)的結(jié)構(gòu)，包括單環(huán)基團(tuán)和多環(huán)的環(huán)體系。所述多環(huán)的環(huán)可以具有兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，其中兩個(gè)原子被兩個(gè)相鄰的環(huán)所共有(所述環(huán)是"稠合的")，其中所述環(huán)中的至少一個(gè)是芳族的。在某些情況下，適合在本發(fā)明中用作取代基的芳基結(jié)構(gòu)部分是含有一個(gè)至三個(gè)芳族環(huán)的那些，其包括苯基，萘基，聯(lián)苯基和菲基。本文中使用的術(shù)語"雜芳基基團(tuán)"是指雜芳基結(jié)構(gòu)部分，并且包括可以包括1-4個(gè)雜原子的單環(huán)雜芳族基團(tuán)。雜芳基結(jié)構(gòu)部分的實(shí)例包括吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、三唑、四唑、吡唑、吡咬、吡溱和嘧啶等。術(shù)語"雜芳基"還包括具有兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)的多環(huán)雜芳族體系，其中兩個(gè)原子由兩個(gè)相鄰的環(huán)共有(所述環(huán)是"稠合的")，其中所述環(huán)中的至少一個(gè)是雜芳基。其它環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。在一個(gè)方面，本發(fā)明提供了具有主體和摻雜劑功能的金屬有機(jī)化合物。所述金屬有機(jī)化合物包含連接到發(fā)射核的一個(gè)或多個(gè)支鏈，其由下式表示發(fā)射核其中所述發(fā)射核包含一個(gè)金屬原子和配位于該金屬原子的多個(gè)配體，并且其中每個(gè)支鏈連接到所述多個(gè)配體之一。所述發(fā)射核表示所述化合物分子的一部分，該部分如果是單獨(dú)的和不同的分子物種，將用作0led的發(fā)射層中的摻雜劑材料。所述金屬可以是適合用在發(fā)射摻雜劑中的各種金屬中的任何一種，包括過渡金屬如銥、鉑、銠、鋨、釕、錸、鈧、鉻、錳、鐵、鈷、鎳或銅。在某些情況下，銥可能是優(yōu)選的，因?yàn)樗挥迷谝恍┳钣行У陌l(fā)射材料中。所述配體可以是適合用在發(fā)射摻雜劑中的各種配體中的任何一種，包括光活性配體和輔助配體。配體中的每一個(gè)可以與其它的配體相同或不同。本文中使用的術(shù)語"支鏈"是指含在由"y，，指示的括號中的聚亞苯基鏈。變量"y"具有1至"p"的整數(shù)值，其中"p"是所述金屬原子的形式氧化態(tài)。每個(gè)變量"x"獨(dú)立地具有至少2的整數(shù)值。每個(gè)變量"n，，獨(dú)立地具有0或更大的整數(shù)值。每個(gè)變量"m"獨(dú)立地具有1或更大的整數(shù)值。所謂"獨(dú)立地，，意指每個(gè)"x"在"y，，的所有情況中是獨(dú)立的；每個(gè)"n"在"x"的所有情況和"y，，的所有情況中是獨(dú)立的；和每個(gè)"m"在"x"的所有情況和"y"的所有情況中是獨(dú)立的。每個(gè)Rh表示主體結(jié)枸部分。每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分Rh在"ra"的所有情況、"x"的所有情況和"y"的所有情況中是獨(dú)立的。本文中使用的術(shù)語"主體結(jié)構(gòu)部分"是指在所述聚亞苯基鏈上的側(cè)鏈基團(tuán)，如果該側(cè)鏈基團(tuán)是單獨(dú)的和不同的分子物種，其可以在發(fā)射層中用作主體材料。各種主體結(jié)構(gòu)部分適合用在本發(fā)明中，包括具有至少兩個(gè)環(huán)的芳基基團(tuán)或具有至少兩個(gè)環(huán)的雜芳基基團(tuán)，如咔唑、苯并[9，10]菲、菲、菲咯啉和它們的衍生物。在某些情況下，每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分RH具有兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，并且優(yōu)選具有三個(gè)或更多個(gè)環(huán)。在某些情況下，每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分RH具有3-6個(gè)環(huán)。在某些情況下，在所述金屬有機(jī)化合物中的所有主體結(jié)構(gòu)部分是相同的。例如，可以使用含呻唑的主體結(jié)構(gòu)部分，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩娜貞B(tài)能量和好的空穴傳輸性能。合適的含咔唑的主體結(jié)構(gòu)部分包括以下組X(并且還包括它們的、在任何環(huán)的任何位置上具有烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)取代基的衍生物)。組X:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>例如，合適的含苯并[9，IO]菲的主體結(jié)構(gòu)部分包括以下組Y(并且還包括它們的、在任何環(huán)的任何位置上具有烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)取代基的衍生物)組Y:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>其它合適的主體結(jié)構(gòu)部分包括以下組z(并且還包括它們的、在任何環(huán)的任何位置上具有烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)取代基的衍生物)組Z:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>和在所述金屬有機(jī)化合物上的主體結(jié)構(gòu)部分的量和類型可以被改變，以調(diào)節(jié)主體結(jié)構(gòu)部分與發(fā)射核的分子量比。不希望被理論限制，但是本發(fā)明人相信，在發(fā)射層中使用混合的主體-摻雜劑體系的0LED的穩(wěn)定性和/或性能對摻雜劑的濃度敏感。太高或太低的摻雜劑濃度可能降低OLED的穩(wěn)定性和/或性能。這樣，在某些情況下，所述發(fā)射核的分子量為所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和的0-30%。在某些情況下，所述發(fā)射核的分子量為所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和的15%-100%。在某些情況下，所述發(fā)射核的分子量為所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分Rh的所述支鏈的分子量之和的15%-30%。在某些情況下，所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和是3，4Q0amu或更小。在某些情況下，所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和是l，600amu或更大。在某些情況下，所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和是1，600-3,400amu。在某些情況下，主體結(jié)構(gòu)部分的量可以通過選擇所述支鏈的長度來改變。這樣，在某些情況下，每個(gè)變量"x"獨(dú)立地在2-7的范圍內(nèi)。在某些情況下，在每個(gè)支鏈中的聚亞苯基鏈含有4-M個(gè)苯基單元。在某些情況下，單獨(dú)的并且不同于所述金屬有機(jī)化合物的另外的主體材料可以與所述金屬有機(jī)化合物組合使用，以進(jìn)一步稀釋所述發(fā)射核的濃度。末端基團(tuán)Rt用于改善所述化合物的溶解性。這樣，每個(gè)末端基團(tuán)Rr可以獨(dú)立地是烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)。在某些情況下，末端基團(tuán)Rr可以是主體結(jié)構(gòu)部分。K和R2中的每一個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基，其中每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。每個(gè)IU在"n"的所有情況、"x，，的所有情況和"y"的所有情況中是獨(dú)立的。每個(gè)R2在"m"的所有情況、"x，，的所有情況和"y"的所有情況中是獨(dú)立的?；湣．?dāng)主體結(jié)構(gòu)部分側(cè)掛在共軛的聚合物鏈上，所述主體結(jié)構(gòu)部分將具有相對低的三重態(tài)能級，因?yàn)樗鲭娮幽芗壉谎厮鲦湹碾x域7C-鍵穩(wěn)定化。但是，為了具有有效的場致磷光，主體結(jié)構(gòu)部分的三重態(tài)能級應(yīng)該比磷光摻雜劑(即所述發(fā)射核)高。因此，為了保持含所述主使得在所述聚亞苯基鏈中的7T-共軛是有限的或者不存在。這將抑制來自所述發(fā)射核的發(fā)射的猝滅?？梢韵拗曝?共輒的一種方式是將每個(gè)苯基單元以間位構(gòu)型連接到相鄰的苯基單元上。許多磷光發(fā)射層，特別是通過真空熱蒸發(fā)制備的那些，是使用分開的主體和摻雜劑材料形成的。這些材料經(jīng)常不是很可溶的，并且經(jīng)常具有不同的溶解性，這在這些層通過溶液加工技術(shù)(例如旋涂或噴墨印刷)進(jìn)行沉積時(shí)將是一個(gè)問題。隨著溶劑蒸發(fā)，一種材料可能早于另一種材料沉淀出來，導(dǎo)致不同材料的不均勻混合和/或相分離或者不均勻的膜。本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物在單一分子中組合了所述主體和摻雜劑功能。這樣，在本發(fā)明的某些實(shí)施方案中，減少了在沉積過程中的不均勻混合、相分離或結(jié)晶的問題。在某些實(shí)施方案中，所述金屬有機(jī)化合物可以充分地溶解在有機(jī)溶劑(例如甲苯或THF)中，從而允許通過溶液加工技術(shù)如旋轉(zhuǎn)澆鑄(spincasting)或噴墨印刷來沉積所述金屬有才幾化合物。例如，所述金屬有機(jī)化合物可以具有至少0.01g/10ral有機(jī)溶劑的溶解度。所述金屬有機(jī)化合物的溶解度可以以各種方式調(diào)節(jié)，例如選擇末端基團(tuán)Rt和/或主體結(jié)構(gòu)部分RH的數(shù)目和類型；或者選擇每個(gè)支鏈的長度。每個(gè)支鏈的長度將依特定的應(yīng)用而改變。例如，每個(gè)所述支鏈可以是足夠長的，以給所述金屬有機(jī)化合物提供在有機(jī)溶劑中的溶解度；抑制在沉積過程中的結(jié)晶或相分離；和/或提供均勻的膜形成。還有，太短的支鏈可以增加發(fā)射核的相對濃度并允許過多的分子間猝滅相互作用。另一方面，太長的支鏈可以稀釋發(fā)射核，當(dāng)所述金屬有機(jī)化合物用于器件如OLED中時(shí)導(dǎo)致低的效率。在某些情況下，每個(gè)變量"x"獨(dú)立地在2-7的范圍內(nèi)。在某些情況下，在每個(gè)支鏈中的聚亞苯基鏈含有4-14個(gè)苯基單元。在某些情況下，所述發(fā)射核由下式表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>其中M是金屬原子；其中L是配位于M的所述多個(gè)配體中的一個(gè)或多個(gè)；其中"P"是金屬M(fèi)的形式氧化態(tài)；并且其中變量"q"具有l(wèi)至"p"的整數(shù)值。在某些情況下，配體L可以是乙酰丙酮根或乙酰丙酮根的衍生物。在某些情況下，所述支鏈中的一個(gè)或多個(gè)連接到L，包括其中L是乙酰丙酮根或乙酰丙酮根的衍生物的情況。結(jié)構(gòu)A和B各自是5或6-員芳族環(huán)，其中A-B表示鍵合的一對芳族環(huán)，其在環(huán)A上通過氮原子和在環(huán)B上通過sp2雜化碳原子配位于M。環(huán)A和B中的每一個(gè)任選分別被基團(tuán)l和L取代，其中l(wèi)和R4中的每一個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基。每個(gè)取代基稠合于或連接于它們各自的環(huán)，并且每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。所述支鏈中的一個(gè)或多個(gè)連接于環(huán)A、環(huán)B或二者。在某些情況下，所述支鏈中的一個(gè)或多個(gè)連接于L。在某些情況下，環(huán)A可以是喹啉或異喹啉。在某些情況下，環(huán)B可以是苯基。在某些情況下，A-B結(jié)構(gòu)是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>Lo，Shih-Chun等人,"Thesynthesisandpropertiesofiridiumcoreddendrimerswithcarbazoledendrons，，，^r《a/7/ci7ec"o//cs7:85-98U006)報(bào)道了樹狀分子，其中所述樹突(dendrons)含有啼唑單元。作為樹狀分子的一般的特征，Lo中描迷的樹狀分子具有重復(fù)的支化結(jié)構(gòu)。與樹狀分子不同，本文中公開的金屬有機(jī)化合物不具有重復(fù)的支化結(jié)構(gòu)。這樣，與組合了主體和摻雜劑功能的樹狀分子相比，某些本文中公開的金屬有機(jī)化合物可以具有一個(gè)或多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。因?yàn)闃錉罘肿泳哂兄貜?fù)的支化結(jié)構(gòu)，隨著每個(gè)連續(xù)世代的增加，在所述樹突支鏈上的官能團(tuán)(例如呼唑)將非線性地增加(例如指數(shù)地增加)。這使得難以控制在所述樹狀分子上的官能團(tuán)的數(shù)目。本文中公開的金屬有機(jī)化合物具有主體結(jié)構(gòu)部分作為在聚亞苯基鏈上的側(cè)鏈基團(tuán)。這樣，本文中公開的某些金屬有機(jī)化合物提供了一種結(jié)構(gòu)，其中主體結(jié)構(gòu)部分的數(shù)目可以線性地變化(例如，相繼地，一次一個(gè))，這允許精確控制在所述化合物上的主體結(jié)構(gòu)部分的數(shù)目。還有，在樹狀分子中，具有樹突的每個(gè)后續(xù)世代的分子的增加的復(fù)雜性對于合成來說是一種挑戰(zhàn)。為了"生長"另一代，指數(shù)地增加的數(shù)目的官能團(tuán)要發(fā)生反應(yīng)。因?yàn)橐恍┕倌軋F(tuán)經(jīng)常不能反應(yīng)，得到的樹狀分子可能具有結(jié)構(gòu)缺陷，或者可能產(chǎn)生副產(chǎn)物，該副產(chǎn)物可能難以除去。本文中公開的金屬有機(jī)化合物具有主體結(jié)構(gòu)部分作為在聚亞苯基鏈上的側(cè)鏈基團(tuán)。這樣，本文中公開的某些金屬有機(jī)化合物提供了允許主體結(jié)構(gòu)部分的模組化互換性(modularinterchangeabi1ity)的結(jié)構(gòu)。這允許在調(diào)節(jié)分子以獲得希望的電化學(xué)或電致發(fā)光性能方面的更大的靈活性。還有，在樹狀分子中，由樹突支鏈產(chǎn)生的位阻干擾可能電子隔離所述發(fā)射核，這通過抑制所述發(fā)射核的電荷捕集和/或分子間電荷傳輸而降低器件效率。在本文中公開的某些金屬有機(jī)化合物中，所述支鏈可以充分保護(hù)所述發(fā)射核不受分子間猝滅作用的影響，但不會使所述發(fā)射核周圍在空間上過度擁擠。還有，在樹狀分子中，所述重復(fù)的支化結(jié)構(gòu)要求在每個(gè)支化點(diǎn)存在附加的取代。這可能影響任何用作支化點(diǎn)的官能團(tuán)的電性能。在本文中公開的金屬有機(jī)化合物中，在所述主體結(jié)構(gòu)部分沒有支化。這樣，在本文中公開的某些金屬有機(jī)化合物中，所述主體結(jié)構(gòu)部分的電性能被保持。Li，Yanqin等人，"Multifunctionalplatinumporphyrindendrimersasemittersinundopedphosphorescentbasedlightemittingdevices",AppliedPhysicsLetters89:061125(2006)報(bào)道了基于鉑卟啉的磷光性多官能的第一代樹狀分子，其結(jié)合有作為發(fā)射中心的賴吟啉核和作為空穴的呼唑側(cè)基以及能量傳輸片斷。所述呼唑側(cè)基通過醚鍵(c-o-c)連接到所述吟啉核。在本文中公開的金屬有機(jī)化合物中，在聚亞苯基鏈中僅使用C-C鍵。不希望受理論束縛，但是本發(fā)明人相信，C-C鍵(特別是比碳-雜原子鍵強(qiáng)的芳族碳-芳族碳鍵)可以改善所述化合物與含醚鍵的化合物相比的電化學(xué)和電致發(fā)光穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)現(xiàn)在將描述本發(fā)明的具體的代表性的實(shí)施方案方案可以如何被實(shí)施。應(yīng)該明白，所述具體的方法藝參數(shù)、裝置等不必然限制本發(fā)明的范圍?；衔锖铣蓪?shí)施例合成了化合物A、B和C(顯示在下面)。圖9顯示了化合物A和B的合成。圖IO顯示了化合物C的合成。，包4#這樣的實(shí)施、材料、條件、工<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>化合物c器件實(shí)施例實(shí)施例器件l-12使用本發(fā)明的化合物制備。這些器件通過在氮?dú)夥罩行亢透哒婵?<10_7托)熱蒸發(fā)來制備。所述陽極電極是約1200埃的氧化銦錫(ITO)，并且所述陰極是10埃的LiF和后面的1，000埃的Al。所有器件在制造之后馬上在氮?dú)馐痔紫?<lPpm的H20和02)中用玻璃蓋子蓋上并用環(huán)氧樹脂密封，并且在包裝材料內(nèi)引入吸濕氣劑。在器件實(shí)施例1中，空穴注入層通過在4000rpm下旋涂化合物1的環(huán)己烷溶液(O.5wt%)，接著在250。C熱交聯(lián)30分鐘來形成。得到的薄膜厚度為約130埃?？昭▊鬏攲油ㄟ^在4000rpm下旋涂化合物2的甲苯溶液(l.OwtW，接著在200。C熱交聯(lián)30分鐘來形成。得到的薄膜厚度為約250埃。發(fā)射層(EML)通過在4000rpm下旋涂化合物A的曱苯溶液(1.0wt。/。)，接著在IO(TC加熱60分鐘來形成。得到的薄膜厚度為約320埃。通過真空熱蒸發(fā)沉積50埃的2，3，6，7，10，11-六苯基苯并[9，10]菲(HPT)層作為電子傳輸層2(ETL2)，并且通過真空熱蒸發(fā)沉積500埃的Alq3層作為電子傳輸層2(ETL1)。器件實(shí)施例2具有與器件實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)，除了EML在2000rpra下旋涂和得到的薄膜厚度為約420埃。器件實(shí)施例3具有與器件實(shí)施例l相同的結(jié)構(gòu)，除了ETL2是IOO埃的BAlq。器件實(shí)施例4具有與器件實(shí)施例2相同的結(jié)構(gòu)，除了ETL2是100埃的BAU。器件實(shí)施例5具有與器件實(shí)施例2相同的結(jié)構(gòu)，除了EML通過旋涂0.5wt%的溶液形成和ETL2是100埃的化合物3。器件實(shí)施例6具有與器件實(shí)施例5相同的結(jié)構(gòu)，除了EML在4000rpm下旋涂。器件實(shí)施例7具有與器件實(shí)施例l相同的結(jié)構(gòu)，除了EML是在2000rpm下旋涂化合物B的甲苯溶液(O.5%)形成的。器件實(shí)施例8具有與器件實(shí)施例7相同的結(jié)構(gòu)，除了EML是在4000rpm下旋涂的。器件實(shí)施例9具有與器件實(shí)施例7相同的結(jié)構(gòu)，除了ETL2是100埃的化合物3。器件實(shí)施例10具有與器件實(shí)施例8相同的結(jié)構(gòu)，除了ETL2是100埃的化合物3。器件實(shí)施例ll具有與器件實(shí)施例2相同的結(jié)構(gòu)，除了HIL是由化合物1和導(dǎo)電摻雜劑CD1(化合物1的5wt%)的0.25wt、環(huán)己烷溶液旋涂形成的；所述HTL在2000rpm下旋涂，并且EML由化合物C的甲苯溶液(O.75%)旋涂。器件實(shí)施例12具有與器件實(shí)施例ll相同的結(jié)構(gòu)，除了EML溶液含有0.375wt。/。的化合物C和0.375wt。/。的化合物4作為附加的主體材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>對比實(shí)施例器件完全通過真空熱蒸發(fā)制備。所述有機(jī)堆疊物如下從IT0表面開始，作為空穴注入層(HIL)的100埃厚的銅酞菁(CuPc)，作為空穴傳輸層(HTL)的300埃的4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(ot-NPD)，作為發(fā)射層(EML)的300埃的用4.5wt%Ir(5-Phppy)3摻雜的CBP，作為ETL2的100埃的BAlq,和作為ETL1的400埃的三(8-羥基喹啉根)合鋁(Alq》。Ir(5-Ph附)3器件特性和制造的總結(jié)顯示在下表la-ld中。表Id還包括在1000cd/m2下的發(fā)光效率、壽命(Tu，定義為在恒定的直流電流下發(fā)光度衰減到其初始值的80%所需要的時(shí)間)和CIE坐標(biāo)(在J=10mA/cm2下)。所述器件的電流-電壓-發(fā)光度(IVL)特性顯示在圖3-8中。<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>所述CIE坐標(biāo)數(shù)據(jù)顯示，使用化合物A-C的器件的發(fā)光顏色與對比例的器件的發(fā)光顏色幾乎相同。這說明化合物A-C的發(fā)射核的電子性能和場致發(fā)光性能沒有受到所述主體結(jié)構(gòu)部分的連接影響。這可能是由于在聚亞苯基鏈中通過間位連接導(dǎo)致的沒有7T-共軛。表Id中的數(shù)據(jù)還顯示，某些實(shí)施例器件的發(fā)光效率與對比器件的發(fā)光效率相同或超過對比器件的發(fā)光效率。這表明，所述主體結(jié)構(gòu)部分與所述發(fā)射核的連接沒有干擾有效的電荷重組或猝滅所述發(fā)射核的發(fā)射。本發(fā)明人相信，化合物A可以優(yōu)先具有空穴傳輸性能。這種信心是基于這樣的觀察結(jié)果，即器件實(shí)施例3和4具有相對低的效率和略微更紅移的CIE坐標(biāo)。這兩個(gè)器件在ETL中使用了弱的空穴封閉材料BAlq，其可能允許空穴泄漏出發(fā)射層。比較而言，在ETL中使用更強(qiáng)的空穴封閉材料(HPT和化合物3)的器件實(shí)施例1、2和5-11明顯更有效。對化合物A的該空穴傳輸性能的一個(gè)可能的解釋是這樣的事實(shí)，即發(fā)射組分(即所述發(fā)射核)占所述分子的相對高的重量百分比-基于作為發(fā)射組分的Ir(5-Phppyh的結(jié)構(gòu)為22°/。，該值大于優(yōu)化的VTE(真空熱蒸發(fā))器件的值(典型地為4-12wt%)。因此，本發(fā)明人相信，本發(fā)明的某些化合物(例如，其中主體結(jié)構(gòu)部分與發(fā)射核相比占相對大的重量百分比的那些)具有一定的空穴傳輸特性，這可以賦予改進(jìn)的器件性能。在許多具有組合的主體-摻雜劑功能的分子中，所述主體相對于摻雜劑而言是差的空穴傳輸體。在這樣的分子中，增加摻雜劑功能體的量(即降低構(gòu)成所述主體的分子的重量比例)將增加所述發(fā)射層的空穴傳導(dǎo)率。相反，增加構(gòu)成所述主體的分子的重量比例將降低所述發(fā)射層的空穴傳導(dǎo)率。這樣，所述層的空穴傳導(dǎo)率可以通過改變所述金屬有機(jī)化合物上的主體結(jié)構(gòu)部分和/或發(fā)射核的量和類型來調(diào)節(jié)，取決于特定的器件結(jié)構(gòu)。例如，在某些情況下，為了減少電荷在發(fā)射層的陰極側(cè)的累積(這將負(fù)面地影響器件效率和穩(wěn)定性)，降低發(fā)射層的空穴傳導(dǎo)率可能是希望的。盡管器件實(shí)施例1-11具有相對短的壽命，本發(fā)明人相信，通過稀頁釋所述化合物的發(fā)射組分可以實(shí)現(xiàn)更長的壽命而不會影響器件效率。這種信心是基于這樣的觀察結(jié)果，即在發(fā)射層中使用了附加的主體材料的器件實(shí)施例12是最穩(wěn)定的實(shí)施例器件，并且是最有效的實(shí)施例器件之一。這樣，所述發(fā)射核的稀釋可以通過添加另一種主體材料或者通過增加所述化合物中主體結(jié)構(gòu)部分的數(shù)目來實(shí)現(xiàn)。在所述金屬有機(jī)化合物通過溶液加工方法沉積時(shí)，所述附加的主體材料也可以通過溶液加工方法沉積。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電子器件，其包含本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物。所述有機(jī)電子器件包含陽極、陰極和布置在所述陽極和所述陰極之間的第一有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物。在某些情況下，第一有機(jī)層是電致發(fā)光層。在某些情況下，第一有機(jī)層可以進(jìn)一步包含單獨(dú)的并且不同于所述金屬有機(jī)化合物的主體材料。在某些情況下，第一有機(jī)層通過溶液加工方法形成。所述有機(jī)電子器件可以是有機(jī)發(fā)光器件，并且因此進(jìn)一步包含其它有機(jī)層，例如空穴注入層、空穴傳輸層或電子傳輸層。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種使用本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物制備有機(jī)電子器件的方法。所述方法包括提供布置在基材上的第一電極；在所述第一電極上形成第一有機(jī)層，其中所述第一有機(jī)層包含本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物；和形成布置在所述第一有機(jī)層上的第二電極。在某些情況下，第一有機(jī)層通過用溶液加工方法沉積所述金屬有機(jī)化合物來形成。有機(jī)電子器件可以進(jìn)一步包含其它有機(jī)層，例如空穴注入層、空穴傳輸層或電子傳輸層。這些其它層中的一層或多層，例如空穴注入或空穴傳輸層，可以通過溶液加工方法形成。應(yīng)該理解，在本文中描述的各種實(shí)施方案僅是作為實(shí)例，并且不是為了限制本發(fā)明的范圍。例如，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，在本文中描述的許多材料和結(jié)構(gòu)可以被其它材料和結(jié)構(gòu)取代。應(yīng)該理解，關(guān)于本發(fā)明為什么發(fā)揮作用的各種理論并不是意圖是限制性的。權(quán)利要求1.一種由下式表示的、包含連接到發(fā)射核的一個(gè)或多個(gè)支鏈的金屬有機(jī)化合物其中所述發(fā)射核包含一個(gè)金屬原子和配位于該金屬原子的多個(gè)配體；其中每個(gè)支鏈連接到所述多個(gè)配體之一；其中變量“y”具有1-3的整數(shù)值；其中每個(gè)變量“x”獨(dú)立地具有至少2的整數(shù)值；其中每個(gè)變量“n”獨(dú)立地具有0或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)變量“m”獨(dú)立地具有1或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分RH獨(dú)立地是具有至少兩個(gè)環(huán)的芳基基團(tuán)或具有至少兩個(gè)環(huán)的雜芳基基團(tuán)；其中每個(gè)末端基團(tuán)RT獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)，雜烷基基團(tuán)，芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)；其中R1和R2中的每個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基，其中每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)，雜烷基基團(tuán)，芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。2.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中在所述鏈內(nèi)的每個(gè)苯基單元以間位構(gòu)型連接到相鄰的苯基單元。3.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述發(fā)射核由下式表示其中M是金屬原子；其中L是配位于M的所述多個(gè)配體中的一個(gè)或多個(gè)；其中"P"是金屬M(fèi)的形式氧化態(tài)；其中變量"q"具有1至"P"的整數(shù)值；其中A和B各自是5或6-員芳族環(huán)，并且其中A-B表示鍵合的一對芳族環(huán)，其在環(huán)A上通過氮原子和在環(huán)B上通過s^雜化碳原子配位于M;其中環(huán)A和B中的每一個(gè)任選分別被基團(tuán)R3和R4取代，其中Rs和R4中的每一個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基，其中每個(gè)取代基稠合于或連接于它們各自的環(huán)，并且其中每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)；其中所述支鏈中的一個(gè)或多個(gè)連接于環(huán)A、環(huán)B或二者。4.權(quán)利要求3的金屬有機(jī)化合物，其中所述結(jié)構(gòu)A—B是5.權(quán)利要求3的金屬有機(jī)化合物，其中環(huán)A是會啉或異會啉，并且環(huán)B是苯基。6.權(quán)利要求5的金屬有機(jī)化合物，其中變量"q"是2，并且L是乙酰丙酮根或乙酰丙酮根的衍生物。7.權(quán)利要求6的金屬有機(jī)化合物，其中所述支鏈之一連接到L。8.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中每個(gè)Rh獨(dú)立地具有3至6個(gè)環(huán)。9.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中每個(gè)Rn獨(dú)立地選自下組啼唑、苯并[9,IO]菲、菲、菲咯淋和它們的衍生物。10.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中每個(gè)變量"x"獨(dú)立地在2-7的范圍內(nèi)。11.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中在每個(gè)支鏈中的所述聚亞苯基鏈含有4-14個(gè)苯基單元。12.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述發(fā)射核的分子量為所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和的15%-100%。13.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述發(fā)射核的分子量為所有帶有主體結(jié)構(gòu)部分RH的所述支鏈的分子量之和的0-30%。14.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述金屬有機(jī)化合物具有至少0.01g/10ml有機(jī)溶劑的溶解度。15.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述金屬原子是銥。16.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述主體結(jié)構(gòu)部分RH選自組X或它們的在主體結(jié)構(gòu)部分任何環(huán)的任何位置上具有烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)取代基的衍生物，其中組X由如下基團(tuán)組成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>17.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化合物，其中所述主體結(jié)構(gòu)部分i選自組X，組Y，組Z，或它們的在主體結(jié)構(gòu)部分任何環(huán)的任何位置上具有烷基基團(tuán)、雜烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)取代基的衍生物，其中組X由如下基團(tuán)組成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中組Z由如下基團(tuán)組成:18.權(quán)利要求1的金屬有機(jī)化化合物，其中所述金屬有機(jī)化合物選自如下化合物組成的組<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>19.一種有機(jī)電子器件，其包含陽極；陰極；和布置在所述陽極和所述陰極之間的第一有機(jī)層，其中所述第一有機(jī)層包含下式的金屬有機(jī)化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>其中所述發(fā)射核包含一個(gè)金屬原子和配位于該金屬原子的多個(gè)配體；其中每個(gè)支鏈連接到所述多個(gè)配體之一；其中變量"y"具有l(wèi)-3的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"x"獨(dú)立地具有至少2的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"n"獨(dú)立地具有0或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"m"獨(dú)立地具有1或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分RH獨(dú)立地是具有至少兩個(gè)環(huán)的芳基基團(tuán)或具有至少兩個(gè)環(huán)的雜芳基基團(tuán)；其中每個(gè)末端基團(tuán)Rt獨(dú)立地逸自下組:烷基基團(tuán)，雜烷基基團(tuán)，芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)；其中Id和R2中的每個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基，其中每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)，雜烷基基團(tuán)，芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。20.權(quán)利要求19的器件，其中所述第一有機(jī)層是場致發(fā)光層。21.權(quán)利要求20的器件，其中所述第一有機(jī)層還包含單獨(dú)的并且不同于所述金屬有機(jī)化合物的主體材料。22.權(quán)利要求19的器件，其中所述器件是有機(jī)發(fā)光二極管。23.權(quán)利要求19的器件，其中所述第一有機(jī)層通過溶液加工形成。24.權(quán)利要求19的器件，其還包含布置在所述第一有機(jī)層和所述陽極之間的笫二有機(jī)層，其中該第二有機(jī)層包含空穴注入材料。25.權(quán)利要求24的器件，其還包含布置在所述第二有機(jī)層和所述第一有機(jī)層之間的第三有機(jī)層，其中該笫三有機(jī)層包含空穴傳輸材料。26.權(quán)利要求25的器件，其還包含布置在所述第一有機(jī)層和所述陰極之間的第四有機(jī)層，其中該第四有機(jī)層包含電子傳輸材料。27.權(quán)利要求26的器件，其還包含布置在所述第四有機(jī)層和所述陰極之間的第五有機(jī)層，其中該第五有機(jī)層包含電子傳輸材料。28.—種制備有機(jī)電子器件的方法，該方法包括提供布置在基材上的第一電極；在所述第一電極上形成笫一有機(jī)層，其中所述第一有機(jī)層包含金屬有機(jī)化合物；和形成布置在所述第一有機(jī)層上的第二電極，其中所述金屬有機(jī)化合物具有下式發(fā)射核其中所述發(fā)射核包含一個(gè)金屬原子和配位于該金屬原子的多個(gè)配體；其中每個(gè)支鏈連接到所述多個(gè)配體之一；其中變量"y"具有l(wèi)-3的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"x"獨(dú)立地具有至少2的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"n"獨(dú)立地具有G或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)變量"m"獨(dú)立地具有1或更大的整數(shù)值；其中每個(gè)主體結(jié)構(gòu)部分IU獨(dú)立地是具有至少兩個(gè)環(huán)的芳基基團(tuán)或具有至少兩個(gè)環(huán)的雜芳基基團(tuán)；其中每個(gè)末端基團(tuán)Rt獨(dú)立地逸自下組:烷基基團(tuán)，雜烷基基團(tuán)，芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)；其中R!和R2中的每個(gè)表示位于它們各自的環(huán)的任何位置的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立選擇的取代基，其中每個(gè)取代基獨(dú)立地選自下組烷基基團(tuán)，雜烷基基團(tuán)，芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。29.權(quán)利要求28的方法，其中形成所述第一有機(jī)層的步驟包括通過溶液加工方法沉積所述金屬有機(jī)化合物。30.權(quán)利要求28的方法，還包括在所述第一電極上面形成第二有機(jī)層，這樣所述第二有機(jī)層被布置在所述第一有機(jī)層和所述笫一電極之間。31.權(quán)利要求30的方法，其中形成所述第二有機(jī)層的步驟包括通過溶液加工方法進(jìn)行沉積。32.權(quán)利要求30的方法，其中所述第二有機(jī)層包含空穴注入材料。33.權(quán)利要求31的方法，還包括交聯(lián)所述第二有機(jī)層。34.權(quán)利要求30的方法，還包括在所述第二有機(jī)層上面形成第三有機(jī)層，這樣所述第三有機(jī)層:f皮布置在所迷第二有機(jī)層和所述第一有機(jī)層之間，其中所述第三有機(jī)層包含空穴傳輸材料。35.權(quán)利要求34的方法，其中形成所述第三有機(jī)層的步驟包括通過溶液力口工方法進(jìn)4亍沉積。36.權(quán)利要求35的方法，還包括交聯(lián)所述第三有機(jī)層。37.權(quán)利要求34的方法，還包括在所述第一有機(jī)層上面沉積第四有機(jī)層，這樣所述第四有機(jī)層被布置在所述第一有機(jī)層和所述陰極之間，其中所述第四有機(jī)層包含電子傳輸材料。38.權(quán)利要求37的方法，其中所述第四有機(jī)層通過真空熱蒸發(fā)沉積。39.權(quán)利要求37的方法，還包括在所述第四有機(jī)層上面沉積第五有機(jī)層，這樣所述第五有機(jī)層被布置在所述第四有機(jī)層和所述陰極之間，其中所述第五有機(jī)層包含電子傳輸材料。全文摘要包含發(fā)射核和連接到所述發(fā)射核的一個(gè)或多個(gè)聚亞苯基支鏈的有機(jī)金屬化合物。提供主體結(jié)構(gòu)部分作為在所述支鏈上的側(cè)鏈基團(tuán)。在某些情況下，所述聚亞苯基鏈?zhǔn)且蚤g位構(gòu)型連接的，以減少鏈中的π-共軛。用于所述金屬有機(jī)化合物中的合適的主體結(jié)構(gòu)部分包括含有咔唑或苯并[9，10]菲結(jié)構(gòu)的那些。在所述金屬有機(jī)化合物上的主體結(jié)構(gòu)部分的量和類型可以被改變，以調(diào)節(jié)主體結(jié)構(gòu)部分與發(fā)射核的分子量比。在某些情況下，所述金屬有機(jī)化合物在有機(jī)溶劑中是足夠可溶的，以允許溶液加工。本發(fā)明還提供了包含本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物的有機(jī)電子器件和使用本發(fā)明的金屬有機(jī)化合物制備有機(jī)電子器件的方法。文檔編號H05B33/14GK101679468SQ200880015460公開日2010年3月24日申請日期2008年3月26日優(yōu)先權(quán)日2007年5月10日發(fā)明者J·布魯克斯,R·孔,夏傳軍申請人:通用顯示公司