專利名稱：線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路板，且特別涉及一種線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
連接不同層的圖案化線路層。如中國(guó)臺(tái)灣專利公告第1231166號(hào)"線路連接 結(jié)構(gòu)及其工藝"所提及的先前技術(shù)，由于導(dǎo)電孔多由激光成孔工藝所形成， 其成孔寬度多為一致，然而其深度過深(約超過lOO)im),使得導(dǎo)電孔的縱 橫比(深度/寬度的比例)過高，導(dǎo)致導(dǎo)電膜不平均地形成于導(dǎo)電孔內(nèi)。當(dāng)導(dǎo) 電膜的厚度繼續(xù)增加時(shí)，在靠近導(dǎo)電孔的頂部的導(dǎo)電膜將相互連接，且在靠 近導(dǎo)電孔的底部附近將會(huì)產(chǎn)生空孔。因此，上述專利提出了一種線路連接結(jié) 構(gòu)及其工藝，以導(dǎo)電墊電性導(dǎo)通于二圖案化線路層之間，相較于二導(dǎo)電孔的 寬度不變的情況下，二導(dǎo)電孔的深度相對(duì)較淺，使得二導(dǎo)電孔的縱橫比較小， 以有效地防止鍍膜產(chǎn)生空孔或氣泡。
然而，上述專利僅能增加一個(gè)導(dǎo)電墊的厚度，對(duì)于降低二導(dǎo)電孔的深度 仍有一定的限制。此外，上述專利是以雙面板的一側(cè)作為導(dǎo)電墊，只適用于 非埋入式線路，無法適用于埋入式線路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)，可降低二圖案化線路層之間的 導(dǎo)電孔的深度，以防止鍍膜時(shí)產(chǎn)生空孔或氣泡。
本發(fā)明提出一種線路連接工藝，包括下列步驟首先，提供連接層，該 連接層包括核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該獨(dú)立連接墊貫過該核心層，并 分別形成第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二表面上，其中該第一孔墊與該 第二孔墊電性導(dǎo)通；提供第一導(dǎo)電層、至少一第一介電層、至少一第二介電 層以及第二導(dǎo)電層；壓合該第一導(dǎo)電層、該第一介電層、該連接層、該第二 介電層以及該第二導(dǎo)電層，以形成雙面板；對(duì)應(yīng)于該第一孔墊，形成貫穿該
第一導(dǎo)電層以及該第一介電層的第一開孔；對(duì)應(yīng)于該第二孔墊，形成貫穿該 第二導(dǎo)電層以及該第二介電層的第二開孔；形成第一導(dǎo)電材料于該第一開孔 中，以形成第一導(dǎo)電柱；以及形成第二導(dǎo)電材料于該第二開孔中，以形成第 二導(dǎo)電柱。
本發(fā)明提出一種線路連接結(jié)構(gòu)，包括連接層、第一介電層、第二介電層、 第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層。連接層具有核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該 獨(dú)立連接墊貫過該核心層，并分別具有第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二 表面上，其中該第一孔墊與該第二孔墊電性導(dǎo)通。第一介電層配置在核心層 的表面，且具有配置在該第一孔墊上的第一導(dǎo)電柱，第二介電層配置在核心 層的另一表面，且具有配置在該第二孔墊上的第二導(dǎo)電柱。第一導(dǎo)電層配置 在該第一介電層上，并與該第一導(dǎo)電柱電性連接。第二導(dǎo)電層配置在該第二 介電層上，并與該第二導(dǎo)電柱電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一開孔以及第二開孔包括以激光成孔、等離 子體蝕孔或機(jī)械鉆孔所形成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第 一導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)于第 一孔墊的第 一環(huán)形 墊，該第一環(huán)形墊于壓合該第一導(dǎo)電層于該第一介電層上時(shí)內(nèi)埋于該第一介 電層中。此外，第二導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)于該第二孔墊的第二環(huán)形墊，該第二環(huán) 形墊于壓合該第二導(dǎo)電層于該第二介電層上時(shí)內(nèi)埋于該第二介電層中。
本發(fā)明又提出一種線路連接工藝，包括下列步驟首先，4是供連接層， 該連接層包括核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該獨(dú)立連接墊貫過該核心層， 并分別形成第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二表面上，其中該第一孔墊與 該第二孔墊電性導(dǎo)通；接著，提供第一導(dǎo)電層、至少一第一介電層、至少一 第二介電層以及第二導(dǎo)電層；壓合該第一導(dǎo)電層、該第一介電層、該連接層、 該第二介電層以及該第二導(dǎo)電層，以形成多板；對(duì)應(yīng)于該第一孔墊，形成貫 穿該第一導(dǎo)電層以及該第一介電層的第一開孔；對(duì)應(yīng)于該第二孔墊，形成貫
穿該第二導(dǎo)電層以及該第二介電層的第二開孔；之后，形成第一導(dǎo)電材料于
該第一開孔中，以形成第一導(dǎo)電柱；形成第二導(dǎo)電材料于該第二開孔中，以 形成第二導(dǎo)電柱。
本發(fā)明又提出一種線路連接結(jié)構(gòu)，包括連接層、第一介電層、第二介電 層、第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層。連接層具有核心層以及至少一獨(dú)立連接墊， 該獨(dú)立連接墊貫過該核心層，并分別具有第一孔墊及第二孔墊于該核心層的
二表面上，其中該第一孔墊與該第二孔墊電性導(dǎo)通。第一介電層配置在該核 心層的表面，且具有配置在該第一孔墊上的第一導(dǎo)電柱。第二介電層配置在 該核心層的另一表面，且具有配置在該第二孔墊上的第二導(dǎo)電柱。第一導(dǎo)電 層配置在該第一介電層上，并與該第一導(dǎo)電柱電性連接。第二導(dǎo)電層配置在 該第二介電層上，并與該第二導(dǎo)電柱電性連接。
本發(fā)明因采用設(shè)有獨(dú)立連接墊的連接層，以電性導(dǎo)通位于二圖案化線路 層之間的二導(dǎo)電柱，因此二導(dǎo)電柱的深度及縱橫比相對(duì)較小，進(jìn)而提高鍍膜
的成品率。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并
配合附圖，作詳細(xì)iJt明如下。


圖1A-圖1F是本發(fā)明第一實(shí)施例的線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖2是第一實(shí)施例的變化例的示意圖。
圖3A-圖3E是本發(fā)明第二實(shí)施例的線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖4是一種具有本發(fā)明的線路連接結(jié)構(gòu)的多層線路板的示意圖。 附圖標(biāo)記說明
100.連接層110:核心層
112、 114:上、下表面120:獨(dú)立連接墊
122第一孔墊124:第二孔墊
126、 126，導(dǎo)電柱130:第一導(dǎo)電層
132第一環(huán)形墊134:第一開孔
136第一導(dǎo)電柱140:第一介電層
150第二介電層160:第二導(dǎo)電層
162第二環(huán)形墊164:第二開孔
166第二導(dǎo)電柱200、400:雙面板
300連接層310:核心層
320獨(dú)立連接墊330:第一導(dǎo)電層
330a:第一線路圖案334:第一開孔
336導(dǎo)電柱340:第一介電層
350第二介電層360:第二導(dǎo)電層 360a:第二線路圖案 366:第二導(dǎo)電柱 510:上層圖案化線^各 530:下層圖案化線路 W:寬度
364:第二開孔 500:多層線路板 520:線路連接結(jié)構(gòu) D:間3巨
具體實(shí)施例方式
圖1A 圖1F是本發(fā)明第一實(shí)施例的線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)的示意圖。 請(qǐng)參考圖1A,首先提供連接層100，其包括核心層110以及獨(dú)立連接墊120 (數(shù)量不拘)。核心層110為樹脂、膠片或含玻纖的介電材料，而獨(dú)立連接 墊120貫通核心層110的上、下表面，并分別形成笫一孔墊122以及第二孔 墊124于核心層110之上、下表面112、 114上。由圖1A可知，第一孔墊 122與第二孔墊124之間的距離即為核心層110的厚度。在本實(shí)施例中，雙 面覆有第一孔墊122以及第二孔墊124的連接層100,例如以雙面銅箔基板 經(jīng)圖案化形成多個(gè)成對(duì)配置的第一孔墊122以及第二孔墊124,每一對(duì)第一 孔墊122以及第二孔墊124再以貫穿核心層110的導(dǎo)電柱126電性連接，以 形成圖1A所示的獨(dú)立連接墊120。
接著，請(qǐng)參考圖1B以及圖1C,提供第一導(dǎo)電層130、第一介電層140、 第二介電層150以及第二導(dǎo)電層160，并接續(xù)壓合第一導(dǎo)電層130、第一介 電層140、連接層100、第二介電層150以及第二導(dǎo)電層160，以形成雙面板 200。第一導(dǎo)電層130更可具有第一環(huán)形墊132,其對(duì)應(yīng)于第一孔墊122，而 第二導(dǎo)電層160更可具有第二環(huán)形墊162，其對(duì)應(yīng)于第二孔墊124。第一環(huán) 形墊132在壓合過程中可內(nèi)埋于第一介電層140中，且第二環(huán)形墊162在壓 合過程中也可內(nèi)埋于第二介電層150中，因而形成具有二內(nèi)埋線路的雙面板 200。在本實(shí)施例中，由于連接層IOO僅作為連接第一、第二導(dǎo)電層130、 160 的媒介，并不需要特別制作線路圖案，因此第一/第二孔墊122、 124的面積 可適當(dāng)調(diào)整而大于或等于第一/第二環(huán)形墊132、 162的面積，如此可放寬層 間對(duì)位的要求。
接著，請(qǐng)參考圖1D,當(dāng)完成雙面板200的壓合步驟之后，對(duì)應(yīng)于第一 孔墊122的位置，形成貫穿第一導(dǎo)電層130以及第一介電層140的第一開孔 134,以使第一開孔134的底部顯露出第一孔墊122。同樣，對(duì)應(yīng)于第二孔墊
124的位置，形成貫穿第二導(dǎo)電層160以及第二介電層150的第二開孔164, 以使第二開孔164的底部顯露出第二孔墊124。形成第一、第二開孔134、 164的方式例如是激光成孔、等離子體蝕孔或機(jī)械鉆孔等，但其他光蝕刻技 術(shù)或化學(xué)蝕刻技術(shù)亦可適用。
值得注意的是，第一導(dǎo)電層130上的第一環(huán)形墊132于形成第一開孔134 之后，顯露于第一開孔134的一端。由圖1D可知，以激光成孔的第一開孔 134的寬度W大致上與第一環(huán)形墊132的孔徑相當(dāng)。由于激光所形成的第一 開孔134的寬度一致，因此當(dāng)?shù)谝婚_孔134的深度變小，其縱橫比(深度/ 寬度的比例)也會(huì)隨之縮小。然而，本發(fā)明與已知技術(shù)不同的是，第一導(dǎo)電 層130與第二導(dǎo)電層160之間有三層介電層，即第一介電層140、核心層110 及第二介電層150，因此第一導(dǎo)電層130與第二導(dǎo)電層160之間的間距D比 已知只有二層介電層的間距來得大，以有效解決漏電流的問題。另外，本發(fā) 明采用雙面設(shè)有第一/第二孔墊的獨(dú)立連接墊120，可使第一、第二開孔134、 164的深度變小，且第一、第二開孔134、 164的深度僅為第一導(dǎo)電層130 與第二導(dǎo)電層160之間的間距D的三分之一或更小，突破已知技術(shù)的瓶頸及 限制。
接著，請(qǐng)參考圖1E以及圖1F，將第一導(dǎo)電材料填入于第一開孔134中， 以形成與第一導(dǎo)電層130電性連接的第一導(dǎo)電柱136。同樣，將第二導(dǎo)電材 料填入于第二開孔164中，以形成與第二導(dǎo)電層160電性連接的第二導(dǎo)電柱 166。第一、第二導(dǎo)電材料例如是銅、銀或電阻小于等于導(dǎo)電層及電性連接 墊的適當(dāng)材料。
形成第一、第二導(dǎo)電柱136、 166的方法例如是全面性電鍍導(dǎo)電材料于 第一導(dǎo)電層130、第二導(dǎo)電層160、第一孔墊122以及第二孔墊124上(如 圖1E所示)、或是選擇性電鍍/噴印導(dǎo)電材料于第一、第二開孔134、 164中。 完成上述的鍍膜工藝之后，更可進(jìn)行銅層薄化的步驟，即對(duì)第一、第二導(dǎo)電 層130、 160及其上方的導(dǎo)電材料進(jìn)行蝕刻，以形成第一線路圖案以及第二 線路圖案，如圖1F所示的第一環(huán)形墊132以及第二環(huán)形墊162。銅層薄化 的步驟例如是全面性蝕刻第一、第二導(dǎo)電層130、 160及其上方的導(dǎo)電材料， 或選擇性蝕刻第一、第二導(dǎo)電層130、 160及其上方的導(dǎo)電材料以形成所需 的線路圖案。
雖然上述線路連接工藝配合圖式的說明依序完成圖1D的激光成孔、圖
1E的鍍孔以及圖1F的銅層薄化，但本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者均可推知其變化 而變更其工藝的步驟及方式，因此本發(fā)明的圖式并未限制可具體實(shí)施的方 式。此外，本發(fā)明雖以雙層的第一、第二導(dǎo)電層130、 160為例，但亦可適 用在單層的導(dǎo)電層，而任一導(dǎo)電層可選擇不經(jīng)過圖案化工藝以作為完整的導(dǎo) 電平面或接地平面。同時(shí)，本發(fā)明不限定應(yīng)用在埋入式線路上，亦可應(yīng)用在 非埋入式(外露的)線路或兩者組合的線路。
在上述第一實(shí)施例中，雙面覆有第一孔墊122以及第二孔墊124的連接 層100亦可變化為如下的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖2的變化例第一孔墊122以及第 二孔墊124之間的導(dǎo)電柱126，偏離第一開孔134與第二開孔164的中心軸。 同樣，第一開孔134與第二開孔164的位置亦可適當(dāng)改變，其余的結(jié)構(gòu)如同 第一實(shí)施例所述，在此不再贅述。
圖3A-圖3F是本發(fā)明第二實(shí)施例的線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)的示意圖。 請(qǐng)參考圖3A，首先提供連接層300,其包括核心層310以及獨(dú)立連接墊320 (數(shù)量不拘)，如同圖1A所示的具有獨(dú)立連接墊120的連接層100。接著， 在圖3A中，提供第一導(dǎo)電層330、第一介電層340、第二介電層350以及第 二導(dǎo)電層360，并接續(xù)壓合第一導(dǎo)電層330、第一介電層340、連接層300、 第二介電層350以及第二導(dǎo)電層360,以形成雙面板400。
接著，請(qǐng)參考圖3C，當(dāng)完成雙面板400的壓合步驟之后，對(duì)應(yīng)于第一 孔墊322的位置，形成貫穿第一導(dǎo)電層330以及第一介電層340的第一開孔 334,以使第一開孔334的底部顯露出第一孔墊322。同樣，對(duì)應(yīng)于第二孔墊 324的位置，形成貫穿第二導(dǎo)電層360以及第二介電層350的第二開孔364, 以使第二開孔364的底部顯露出第二孔墊324。形成第一、第二開孔334、 364的方式例如是激光成孔、等離子體蝕孔或機(jī)械鉆孔等，但其他光蝕刻技 術(shù)或化學(xué)蝕刻技術(shù)亦可適用。
值得注意的是，本發(fā)明采用雙面設(shè)有第一/第二孔墊的獨(dú)立連接墊320， 可使第一、第二開孔334、 364的深度變小，以突破已知技術(shù)的瓶頸及限制， 進(jìn)而提高鍍膜的成品率。
接著，請(qǐng)參考圖3D，將第一導(dǎo)電材料填入于第一開孔334中，以形成 與第一導(dǎo)電層330電性連接的第一導(dǎo)電柱336。同樣，將第二導(dǎo)電材料填入 于第二開孔364中，以形成與第二導(dǎo)電層360電性連接的第二導(dǎo)電柱366。 第一、第二導(dǎo)電材料例如是銅、銀或電阻小于等于導(dǎo)電層及電性連接墊的適
當(dāng)材料。
之后，請(qǐng)參考圖3E,圖案化第一導(dǎo)電層330及其上方的導(dǎo)電材料，以 形成第一線路圖案330a,而第一線路圖案330a例如是外露的焊墊A/或線路。 此外，圖案化第二導(dǎo)電層360及其上方的導(dǎo)電材料，以形成第二線路圖案 360a,而第二線路圖案360a例如是外露的焊墊及/或線;洛。除了圖案化第一 導(dǎo)電層330及第二導(dǎo)電層360上方的導(dǎo)電材料之外，本發(fā)明另一實(shí)施例中亦 可選擇性保留或減除導(dǎo)電材料。
圖4是一種具有本發(fā)明的線路連接結(jié)構(gòu)的多層線路板的示意圖。當(dāng)完成 上述二實(shí)施例其中之一的線路連接工藝時(shí)，例如以疊合或?qū)盈B方式分別制作 至少一上層圖案化線路510以及至少一下層圖案化線路530于本發(fā)明的線路 連接結(jié)構(gòu)520之上、下表面上，以形成四層、六層或八層等多層線路板500。 在本實(shí)施例中，上層圖案化線路510例如是芯片、電感、電阻等元件的配線 線路，其可經(jīng)由本發(fā)明的線路連接結(jié)構(gòu)520與下層圖案化線路530電性連接， 而下層圖案化線路530例如是焊球、導(dǎo)電膠、接腳等介面的配線線路，用以 傳遞電學(xué)信號(hào)。
綜上所述，本發(fā)明的線路連接工藝及其結(jié)構(gòu)具有下列優(yōu)點(diǎn) (1)本發(fā)明可縮小激光成孔的縱橫比，防止鍍膜時(shí)產(chǎn)生空孔或氣泡。 (2 )本發(fā)明可采用雙面設(shè)有第一/第二孔墊的獨(dú)立連接墊可電性導(dǎo)通位 于二圖案化線路層之間的二導(dǎo)電柱，因此二導(dǎo)電柱的深度及縱橫比相對(duì)較 小，進(jìn)而提高鍍膜的成品率。
(3) 本發(fā)明亦可采用單面設(shè)有獨(dú)立連接墊的連接層，可使開孔的深度 變小，以縮小開孔的縱橫比。
(4) 連接層除了電性連接上、下導(dǎo)電層之外，更可補(bǔ)強(qiáng)雙面板的剛性， 以及增加上、下導(dǎo)電層的間的間距和操作可靠度。
(5) 第一、第二開孔的深度僅為第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的間的間距 的三分之一或更小，突破已知技術(shù)的瓶頸及限制。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更 動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種線路連接工藝，包括提供連接層，該連接層包括核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該獨(dú)立連接墊貫過該核心層，并分別形成第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二表面上，其中該第一孔墊與該第二孔墊電性導(dǎo)通；提供第一導(dǎo)電層、至少一第一介電層、至少一第二介電層以及第二導(dǎo)電層；壓合該第一導(dǎo)電層、該第一介電層、該連接層、該第二介電層以及該第二導(dǎo)電層，以形成多板；對(duì)應(yīng)于該第一孔墊，形成貫穿該第一導(dǎo)電層以及該第一介電層的第一開孔；對(duì)應(yīng)于該第二孔墊，形成貫穿該第二導(dǎo)電層以及該第二介電層的第二開孔；形成第一導(dǎo)電材料于該第一開孔中，以形成第一導(dǎo)電柱；以及形成第二導(dǎo)電材料于該第二開孔中，以形成第二導(dǎo)電柱。
2. 如權(quán)利要求1所述的線路連接工藝，還包括圖案化第一導(dǎo)電層及其上 方的該第一導(dǎo)電材料，以形成第一線路圖案。
3. 如權(quán)利要求1所述的線路連接工藝，還包括圖案化第二導(dǎo)電層及其上 方的該第二導(dǎo)電材料，以形成第二線路圖案。
4. 如權(quán)利要求1所述的線路連接工藝，其中該第一導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)于該 第一孔墊的第一環(huán)形墊，該第一環(huán)形墊于壓合該第一導(dǎo)電層于該第一介電層 上時(shí)內(nèi)埋于該第一介電層中。
5. 如權(quán)利要求4所述的線路連接工藝，其中該第一環(huán)形墊于形成該第一 開孔之后，對(duì)應(yīng)顯露于該第一開孔的一端。
6. 如權(quán)利要求1所述的線路連接工藝，其中該第二導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)于該 第二孔墊的第二環(huán)形墊，該第二環(huán)形墊在壓合該第二導(dǎo)電層于該第二介電層 上時(shí)內(nèi)埋于該第二介電層中。
7. 如權(quán)利要求6所述的線路連接工藝，其中該第二環(huán)形墊于形成該第二 開孔之后，對(duì)應(yīng)顯露于該第二開孔的一端。
8. —種線路連接結(jié)構(gòu)，包括 連接層，具有核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該獨(dú)立連接墊貫過該核心 層，并分別具有第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二表面上，其中該第一孔墊與該第二孔墊電性導(dǎo)通；第一介電層，配置在該核心層的表面，且具有配置在該第一孔墊上的第 一導(dǎo)電柱；第二介電層，配置在該核心層的另一表面，且具有配置在該第二孔墊上 的第二導(dǎo)電柱；第一導(dǎo)電層，配置在該第一介電層上，并與該第一導(dǎo)電柱電性連接；以及第二導(dǎo)電層，配置在該第二介電層上，并與該第二導(dǎo)電柱電性連接。
9. 如權(quán)利要求8所述的線路連接結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)于該 第一孔墊的第一環(huán)形墊。
10. 如權(quán)利要求8所述的線路連接結(jié)構(gòu)，其中該第二導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)于該 第二孔墊的第二環(huán)形墊。
11. 一種線路連接工藝，包括提供連接層，該連接層包括核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該獨(dú)立連接 墊貫過該核心層，并分別形成第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二表面上， 其中該第一孔墊與該第二孔墊電性導(dǎo)通；提供第一導(dǎo)電層、至少一第一介電層、至少一第二介電層以及第二導(dǎo)電層；壓合該第一導(dǎo)電層、該第一介電層、該連接層、該第二介電層以及該第 二導(dǎo)電層，以形成多板；對(duì)應(yīng)于該第一孔墊，形成貫穿該第一導(dǎo)電層以及該第一介電層的第一開孔；對(duì)應(yīng)于該第二孔墊，形成貫穿該第二導(dǎo)電層以及該第二介電層的第二開孔；形成第一導(dǎo)電材料于該第一開孔中，以形成第一導(dǎo)電柱；以及 形成第二導(dǎo)電材料于該第二開孔中，以形成第二導(dǎo)電柱。
12. 如權(quán)利要求11所述的線路連接工藝，還包括圖案化該第一導(dǎo)電層及 其上方的該第一導(dǎo)電材料，以形成第一線路圖案。
13. 如權(quán)利要求11所述的線路連接工藝，還包括圖案化該第二導(dǎo)電層及 其上方的該第二導(dǎo)電材料，以形成第二線路圖案。
14. 一種線路連接結(jié)構(gòu)，包括連接層，具有核心層以及至少一獨(dú)立連接墊，該獨(dú)立連接墊貫過該核心 層，并分別具有第一孔墊及第二孔墊于該核心層的二表面上，其中該第一孔墊與該第二孔墊電性導(dǎo)通；第一介電層，配置在該核心層的表面，且具有配置在該第一孔墊上的第一導(dǎo)電柱；以及第二介電層，配置在該核心層的另一表面，且具有配置在該第二孔墊上 的第二導(dǎo)電柱；第一導(dǎo)電層，配置在該第一介電層上，并與該第一導(dǎo)電柱電性連接；以及第二導(dǎo)電層，配置在該第二介電層上，并與該第二導(dǎo)電柱電性連接。
15. 如權(quán)利要求14所述的線路連接結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層及其上方的 導(dǎo)電材料具有對(duì)應(yīng)于該第 一孔墊的第 一線路圖案。
16. 如權(quán)利要求14所述的線路連接結(jié)構(gòu)，其中該第二導(dǎo)電層及其上方的 導(dǎo)電材料具有對(duì)應(yīng)于該第二孔墊的第二線路圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種線路連接結(jié)構(gòu)及其工藝。該線路連接結(jié)構(gòu)包括連接層、第一介電層、第二介電層、第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層。連接層具有雙面設(shè)有第一/第二孔墊的獨(dú)立連接墊，用以降低第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層的間的導(dǎo)電孔的深度，以改善縱橫比過高的問題，進(jìn)而提高鍍膜的成品率。
文檔編號(hào)H05K1/11GK101351091SQ20071013642
公開日2009年1月21日 申請(qǐng)日期2007年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月16日
發(fā)明者余丞博, 余丞宏 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司