專利名稱：基板、電子元件及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板、電子元件及它們的制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上已公知一種這樣制造的電子元件，其通過基板(單層板)中形成導(dǎo)電部以穿透基板的基，并通過堆疊這種其中形成有導(dǎo)電部的單層板和連接單層鍍(plate)(層間連接)而形成，所述基板包括由絕緣材料制成的基和形成在基的上表面與下表面上的導(dǎo)電層。在這種類型的電子元件中使用的單層板中的導(dǎo)電部通過例如以下描述的方法形成。圖16和圖17是用于解釋形成單層板的導(dǎo)電部的步驟的圖。
首先，制備由絕緣材料制成的基1，其具有預(yù)定厚度，并在其上表面上形成導(dǎo)電膜2，在其下表面上形成下導(dǎo)電層3。用作抗蝕劑的干膜6粘著到基1，以便于覆蓋導(dǎo)電膜2，然后經(jīng)受曝光和顯影由此形成對(duì)應(yīng)于后面描述的導(dǎo)電部的直徑的孔7，如圖16A中所示。接著，蝕刻在孔7的底部暴露的導(dǎo)電膜2，以去除在孔7中暴露的導(dǎo)電膜2并暴露基1，如圖16B中所示。在基1在孔7的底部暴露后，干膜6被分離，并且通過激光照射形成對(duì)應(yīng)于孔7的直徑的開口部8，以暴露下導(dǎo)電層3，如圖16C中所示。然后，在下導(dǎo)電層的暴露表面和形成的開口部8經(jīng)受除污(desmear)并且這些表面被清洗后，均勻地變?yōu)榛瘜W(xué)鍍的非電解鍍應(yīng)用到基板1的上層側(cè)并應(yīng)用到開口部8以形成非電解鍍層9，如圖16D中所示。
在非電解鍍層9形成后，利用用作功率饋給膜(電極)的非電解鍍層9應(yīng)用電解鍍，以在開口部8內(nèi)和導(dǎo)電膜2上沉積金屬10，如圖17A中所示。然后，在如圖17B中所示通過電解鍍利用金屬10填充開口部8的內(nèi)部后，導(dǎo)電膜2和下導(dǎo)電層3通過減去法(subtractive method)來圖案化，以形成上布線圖案4和下布線圖案5，并且導(dǎo)電部11形成在開口部8中，如圖17C中所示。
此外，作為用于形成單層板的導(dǎo)電部的方法，還已知的是例如在通孔的底部使用非電解鍍層以改進(jìn)在基和導(dǎo)電部之間的氣密性的一種方法，參考未審查日本專利申請(qǐng)KOKAI公布No.H5-335713；以及應(yīng)用其它處理來代替非電解鍍的一種方法，參考未審查日本專利申請(qǐng)KOKAI公布No.2003-110211。
但是，當(dāng)在形成非電解鍍層9后應(yīng)用電解鍍以利用金屬10來填充開口部時(shí)，因?yàn)榉请娊忮儗?和金屬10形成在導(dǎo)電膜2上，鍍層在基1的一側(cè)的整個(gè)表面上形成得厚。這降低了圖案蝕刻性能，并且當(dāng)布線圖案通過蝕刻形成時(shí)布線圖案的橫截面變?yōu)樘菪?，如圖17C中所示，從而引起尺度準(zhǔn)確度降低和不能形成具有窄寬度的布線圖案的問題。
此外，當(dāng)非電解鍍層9形成并利用用作電極的非電解鍍度層9來應(yīng)用電鍍時(shí)，與開口部?jī)?nèi)部相比新的鍍?nèi)芤焊嗟膽?yīng)用到非電解鍍層9的表面。這促進(jìn)了在表面上電鍍層的生長(zhǎng)，在金屬10填入開口部8之前以電解鍍層阻塞了開口部8，并可能在導(dǎo)電部11的內(nèi)部產(chǎn)生空的空間(所謂的空隙)。
即使在應(yīng)用另外的預(yù)處理而不使用非電解鍍的情形中也可能出現(xiàn)相同的問題。
在使用非電解鍍作為電鍍的預(yù)處理或使用類似于非電解鍍的其它預(yù)處理(此后，這些將稱作非電解鍍等)的情形中，使用金屬催化劑以便于將鍍粘著到除了導(dǎo)電部的其它部(絕緣部)。但是，如果金屬催化劑余留在布線層的表面上，可能引起如絕緣電阻降低、布線圖案中的短路等的麻煩。特別地，最近的電子元件采用更窄的節(jié)距，越來越增加了這些麻煩的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這些問題，本申請(qǐng)人提出一種方法，該方法從導(dǎo)電膜側(cè)形成由在待形成導(dǎo)電部的區(qū)域中的下導(dǎo)電層做底部的開口部；通過使用下導(dǎo)電層作為電極從開口部的底部生長(zhǎng)金屬鍍，并當(dāng)金屬鍍達(dá)到導(dǎo)電膜以結(jié)束在開口部中形成導(dǎo)電部時(shí)，通過使用導(dǎo)電膜和導(dǎo)電部作為電極在導(dǎo)電膜和導(dǎo)電部上生長(zhǎng)金屬鍍直到金屬鍍變得足夠厚來形成上導(dǎo)電層(見未審查的日本專利申請(qǐng)KOKAI公布No.2005-19918)。
由于根據(jù)這種方法可除去非電解鍍等的步驟，有可能實(shí)現(xiàn)制造步驟的簡(jiǎn)化。此外，由于導(dǎo)電膜用作所謂的停止物，即使多個(gè)開口部具有不一致的體積，當(dāng)導(dǎo)電部變得電連續(xù)到導(dǎo)電膜時(shí)，電極面積增加并且電流密度隨此顯著地降低。因此，鍍的沉積速度降低，并可抑制對(duì)鍍的高度的影響，即使開口部具有不同體積。
如果基板尺寸擴(kuò)大，形成在基板中的開口部(通孔)數(shù)目沿著這種尺寸改變而增加。如果開口部的數(shù)目增加，開口部的不一致性變得更大，在通過鍍連接下導(dǎo)電層和導(dǎo)電膜的工藝中，這將引起當(dāng)導(dǎo)電部和導(dǎo)電膜在任意其它開口部中更快地接觸時(shí)，在導(dǎo)電部和導(dǎo)電膜還沒有接觸的一些開口部中鍍的不充分沉積和鍍的不完全填充。這是因?yàn)閷?dǎo)電部和導(dǎo)電膜更快接觸區(qū)域，包括它們的相鄰區(qū)域，致使電流密度的集中并降低了到它們周圍的開口部的電流供給。由此，待供給到每個(gè)開口部的電流的分布變得不一致，且鍍沉積的速率變得不同。這將導(dǎo)致不充分的沉積、具有空的空間的沉積或鍍沉積的不一致高度。在這種情形中，可采取不同的措施，如增加應(yīng)用鍍的時(shí)間、增加電流供給的量、改變鍍?nèi)芤旱慕M分等。但是，難以在所有開口部中均勻地填充鍍。
在以上描述的這種情形中，可以想到如以上提到的未審查的日本專利申請(qǐng)KOKAI公開No.2005-19918中所授的使用導(dǎo)電膜作為所謂的停止物。然而，此方法可抑制還未接觸導(dǎo)電膜的導(dǎo)電部的生長(zhǎng)，且在有許多開口部的情形中不會(huì)是有效的方法。此外，在開口部的形狀是不均勻的或開口部形狀不同的情形中，存在風(fēng)險(xiǎn)即下導(dǎo)電層和導(dǎo)電膜可能在一些區(qū)域中不彼此連接。因此，有對(duì)具有高電可靠性的基板和電子元件、以及對(duì)具有高電可靠性且更為有效的基板和電子元件的制造方法的需求。
此外，如果開口部具有凹陷的形狀，在開口部焊接電子元件的性能是低的，并且在半導(dǎo)體單元直接通過倒裝芯片封裝附著到基板的情形中，可能產(chǎn)生接合缺陷。另外，如果開口部具有凹陷的形狀，堆疊的基板將具有余留在基板內(nèi)部和表面中的下基板的凹陷部，導(dǎo)致在處理多層化時(shí)的接合缺陷。此外，如果開口部具有凹陷，在電特性退化之外，還引起如降低的熱導(dǎo)電性的麻煩，這將妨礙輻射性能并最終導(dǎo)致電特性和產(chǎn)品壽命的退化。因此，需要使基板適于元件的倒裝芯片封裝和多層化，并需要通過利用鍍填充開口部來將基板變平，以使基板具有更高的密度、更小的尺寸、更高的輻射性能以及更高的連接可靠性。
考慮上述問題提出了本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種基板和電子元件的制造方法，該方法不涉及非電解鍍等的步驟、具有高電可靠性并且是有效的。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有高電可靠性的基板和電子元件。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種基板和電子元件及它們的制造方法，該基板與電子元件具有高密度和多個(gè)開口部，并適于小尺寸化、模塊化和致密化。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)方面的基板制造方法包括導(dǎo)電部形成步驟，通過在具有開口的第一導(dǎo)電部件中形成絕緣溝槽來形成彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部；以及金屬鍍填充步驟，在導(dǎo)電部形成步驟形成多個(gè)導(dǎo)電部后，通過使用第二導(dǎo)電部件作為用于電鍍的功率饋給電極來執(zhí)行電鍍以從在第一絕緣部件的開口部中的第二導(dǎo)電部件側(cè)生長(zhǎng)金屬鍍，在開口部中填充金屬鍍，該開口部如此形成以便于從在第一導(dǎo)電部件中的開口到第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透夾在第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件之間的第一絕緣部件。
根據(jù)此配置，由于在形成多個(gè)導(dǎo)電部后，通過電鍍從第一絕緣部件中的開口部中的第二導(dǎo)電部件側(cè)生長(zhǎng)金屬鍍以在第一絕緣部件的開口部中填充金屬鍍，鍍電流密度不突然改變，且鍍填充可穩(wěn)定地執(zhí)行。從而，有可能提供具有高電可靠性的基板和電子元件。另外，有可能在開口部中有效地填充鍍。此外，由于不執(zhí)行非電解鍍步驟，可簡(jiǎn)化制造工藝。因此，有可能防止在非電解鍍步驟中使用的金屬催化劑等的余留，并改進(jìn)電子元件的電可靠性。
優(yōu)選地，在導(dǎo)電部形成步驟，第一導(dǎo)電部件分成第一導(dǎo)電部，通過圍繞在第一導(dǎo)電部件中開口的溝槽形成；以及第二導(dǎo)電部，不包括在第一導(dǎo)電部件中的開口。例如，在導(dǎo)電部形成步驟，第二導(dǎo)電部如此形成以便于圍繞第一導(dǎo)電部。
優(yōu)選地，在導(dǎo)電部形成步驟，第一導(dǎo)電部如此形成以便于小于第二導(dǎo)電部。
在導(dǎo)電部形成步驟，絕緣溝槽可形成在第一導(dǎo)電部件中，使得待形成的多個(gè)導(dǎo)電部具有布線圖案。
本方法可進(jìn)一步包括連接步驟，在金屬鍍填充步驟將金屬鍍填充在開口部中后，通過使用第一導(dǎo)電部件或第二導(dǎo)電部件作為用于電鍍的功率饋給電極而將金屬鍍填充在形成在第一導(dǎo)電部件中的絕緣溝槽中，電連接多個(gè)導(dǎo)電部。
本方法可進(jìn)一步包括絕緣部件形成步驟，在導(dǎo)電部形成步驟形成多個(gè)導(dǎo)電部后，在絕緣溝槽中形成第二絕緣部件，使得多個(gè)導(dǎo)電部不電連接；以及絕緣部件去除步驟，在金屬鍍填充步驟在開口部中填充金屬鍍后，去除第二絕緣部件，并且在金屬鍍填充步驟，在絕緣部件形成步驟在絕緣溝槽中形成第二絕緣部件后，金屬鍍可填充在開口部中。
在絕緣部件形成步驟，可形成第二絕緣部件以便于徹底地覆蓋第二導(dǎo)電部。
在導(dǎo)電部形成步驟，可形成絕緣溝槽使得溝槽寬度是第一導(dǎo)電部件厚度的兩倍至二十倍。
在第一絕緣部件中的開口部可如此形成以便于小于在第一導(dǎo)電部件中的開口，并離第一導(dǎo)電部件中的開口具有預(yù)定的距離。
本方法還包括清洗步驟，在金屬鍍填充步驟在開口部中填充金屬鍍前，清洗開口部和暴露在開口部中的第二導(dǎo)電部件的表面。
根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面的電子元件的制造方法包括導(dǎo)電部形成步驟，通過在第一導(dǎo)電部件中形成絕緣溝槽而形成彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部件包括在基板中，該基板包括具有開口的第一導(dǎo)電部件、第二導(dǎo)電部件和夾在第一和第二導(dǎo)電部件之間的第一絕緣部件；金屬鍍填充步驟，在導(dǎo)電部形成步驟形成多個(gè)導(dǎo)電部后，通過使用第二導(dǎo)電部件作為用于電鍍的功率饋給電極來執(zhí)行電鍍以從在第一絕緣部件的開口部中的第二導(dǎo)電部件側(cè)生長(zhǎng)金屬鍍，在開口部中填充金屬鍍，該開口部如此形成以便于從第一導(dǎo)電部件中的開口到第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透第一絕緣部件；以及堆疊步驟，堆疊基板，所述基板在第一絕緣部件中的開口部已利用金屬鍍填充。
根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)方面的基板包括第一導(dǎo)電部件，包括通過絕緣溝槽彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部，并具有開口；第二導(dǎo)電部件；以及第一絕緣部件，夾在第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件之間，具有開口部，形成在第一絕緣部件中以便于從第一導(dǎo)電部件中的開口到第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透第一絕緣部件；以及金屬鍍，通過使用第二導(dǎo)電部件作為用于電鍍的功率饋給電極而執(zhí)行的電鍍，從開口部中的第二導(dǎo)電部件側(cè)填充在開口部中。
根據(jù)本發(fā)明，即使在具有許多開口部(這些開口部的尺寸和形狀可以不同)的基板中也可利用導(dǎo)電材料牢固地填充開口部，允許基板具有高的連接可靠性。因此，此開口部可用作在信號(hào)傳輸系統(tǒng)中連接線、在地系統(tǒng)中連接線、在地和電磁屏蔽之間連接線以及在功率供給系統(tǒng)中連接線的開口部，還可為如輻射片的發(fā)展的應(yīng)用使用。
第一導(dǎo)電部件可包括由圍繞第一導(dǎo)電部件中開口的溝槽形成的第一導(dǎo)電部和不包括第一導(dǎo)電部件開口的第二導(dǎo)電部。例如，第二導(dǎo)電部可如此形成以便于圍繞第一導(dǎo)電部。
優(yōu)選地，第一導(dǎo)電部如此形成以便于小于第二導(dǎo)電部。
優(yōu)選地，第一導(dǎo)電部件如此形成，使得形成的多個(gè)導(dǎo)電部具有布線圖案。
根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)方面的電子元件包括堆疊在一起的基板，每個(gè)基板包括具有開口的第一導(dǎo)電部件、第二導(dǎo)電部件以及夾在第一和第二導(dǎo)電部件之間的第一絕緣部件，其中開口部如此形成以便于從第一導(dǎo)電部件中的開口到第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透第一絕緣部件，第一導(dǎo)電部件包括通過絕緣溝槽彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部，以及通過使用第二導(dǎo)電部件作為用于電鍍的功率饋給電極，將金屬鍍從第一絕緣部件的開口部中的第二導(dǎo)電部件側(cè)填充在第一絕緣部件中的開口部中。


通過對(duì)下列詳細(xì)描述和附圖的閱讀，本發(fā)明的這些目的和其它目的以及優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的單層板結(jié)構(gòu)的圖；圖2是圖1的單層板的平面視圖；圖3A至圖3C是示出通過堆疊圖1的單層板而形成的電子元件的結(jié)構(gòu)的圖；圖4A和圖4B是示出包括圖1的單層板的其它電子元件結(jié)構(gòu)的圖；圖5A至圖5E是用于解釋圖1的單層板的制造工藝的圖；圖6A至圖6D是用于解釋根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的單層板的制造工藝的圖；圖7是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的單層板的結(jié)構(gòu)的圖；
圖8A至圖8H是示出溝槽的其它實(shí)例的圖；圖9A至圖9D是用于解釋根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的單層板的制造工藝的圖；圖10是示出單層板的另一個(gè)實(shí)例的圖；圖11A至圖11G是用于解釋圖10的單層板的制造工藝的圖；圖12A至圖12G是用于解釋圖10的單層板的制造工藝的圖；圖13A至圖13D是用于解釋圖10的單層板的另一制造工藝的圖；圖14A至圖14D是用于解釋圖10的單層板的另一制造工藝的圖；圖15A和圖15B是示出開口部的其它實(shí)例的圖；圖16A至圖16D是用于解釋常規(guī)單層板的制造工藝的圖；以及圖17A至圖17C是用于解釋常規(guī)單層板的制造工藝的圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖解釋根據(jù)本發(fā)明的基板和電子元件及它們的制造方法。圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例由單層板組成的基板的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
如圖1中所示，單層板(基板)20包括基(第一絕緣部件)22、上導(dǎo)體(第一導(dǎo)電部件)24、下導(dǎo)體(第二導(dǎo)電部件)26、導(dǎo)電部30和導(dǎo)電部36。
基22由具有預(yù)定厚度的絕緣部件組成。不同種類的絕緣樹脂基板、陶瓷基板等可用作基22。
其底部由下導(dǎo)體26組成的開口部28形成在基22中以便于穿透基22。開口28形成為具有從基22的下表面?zhèn)?下導(dǎo)體26側(cè))到基22的上表面?zhèn)?上導(dǎo)體24側(cè))增加的直徑。利用此增加的直徑，鍍材料易于進(jìn)入開口部28，并且空隙更難以產(chǎn)生在待形成的導(dǎo)電部30內(nèi)部。此外，上導(dǎo)體24和導(dǎo)電部30更容易達(dá)到氣密接觸，從而改善了接合強(qiáng)度。因此，有可能防止導(dǎo)電部30被外力從開口部28分開的問題。這種開口部28在許多這種開口部形成在基22中的情形中將具有更大的效果，因?yàn)楸景l(fā)明的方法是即使當(dāng)在基22中形成的多個(gè)開口28顯著不均勻時(shí)，也能在每個(gè)開口部28中牢固地形成導(dǎo)電部30的一種方法。
上導(dǎo)體24由導(dǎo)體組成，并形成在基22上。圖2示出單層板20的平面視圖。為了使上導(dǎo)體24的形狀更容易理解，導(dǎo)電部30和導(dǎo)電部36從圖2中省略。如圖2中所示，上導(dǎo)體24具有形成來穿透通過上導(dǎo)體24的開口24a和為了絕緣目的的溝槽24b。
開口24a形成在對(duì)應(yīng)于基22的開口部28的位置。根據(jù)本發(fā)明，開口部28a形成為小于在上導(dǎo)體24中的開口24a，并具有離在上導(dǎo)體24中的開口24a的預(yù)定距離。例如，在上導(dǎo)體24中的開口24a是具有260μm的直徑的圓的形狀的情形中，開口部28形成為使其最上平面以具有160μm的直徑的圓的形狀形成，以從由于在上導(dǎo)體24中的開口24a而暴露的基22的上表面穿透基22的方式形成以暴露下導(dǎo)體26，并具有離上導(dǎo)體24中的開口24a的預(yù)定距離。
溝槽24b以穿透上導(dǎo)體24的溝渠的形狀形成，并將上導(dǎo)體24形成(分開)為電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部。需要形成溝槽24b以便于將上導(dǎo)體24分成多個(gè)導(dǎo)電部，并形成溝槽24b例如使得第一導(dǎo)電部圍繞開口24a(開口24a包括在第一導(dǎo)電部中)。根據(jù)本實(shí)施例，溝槽24b形成為像環(huán)的形狀，以圍繞開口24a的周圍，如圖2中所示。因此，上導(dǎo)體24分成第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d，該第一導(dǎo)電部24c具有形成在中心的開口24a，形成該第二導(dǎo)電部24d以圍繞第一導(dǎo)電部24c。
這里，優(yōu)選地(通過分開)形成溝槽24b使得形成在開口24a附近的導(dǎo)電部將盡可能的小。在圖2中所示的本實(shí)施例的情形中，優(yōu)選地例如(通過分開)將第一導(dǎo)電部24c形成為盡可能地小于第二導(dǎo)電部24d。這是為了在后面描述的形成導(dǎo)電部30的工藝中即使當(dāng)沉積的鍍接觸第一導(dǎo)電部24c時(shí)，也不允許電流密度突然改變。槽24b可多個(gè)地形成，并可形成為例如格構(gòu)的形狀。
此外，在溝槽24b利用鍍填充的情形中(在第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d電連接的情形中)，優(yōu)選地槽24b具有2t到20t的寬度，更為優(yōu)選地具有4t到20t的寬度，其中t是上導(dǎo)體24的厚度。這是因?yàn)槿绻麥喜?4b的寬度小于2t，存在這種危險(xiǎn)，即可能不是所有的開口部28都填充有鍍，使得填充有鍍的在開口部28附近的溝槽24b將比還未填充有鍍的開口部28更快地利用鍍被填充(以鍍沉積結(jié)束)。上述寬度范圍進(jìn)一步是因?yàn)?，如果溝?4b的寬度超過20t，存在溝槽24b可能沒有填充有鍍的危險(xiǎn)。例如，在上導(dǎo)體24的厚度是12μm的情形中，優(yōu)選地溝槽24b的寬度是約24μm到240μm，并更為優(yōu)選地是約48μm到240μm。
注意到，在溝槽24b覆蓋有例如第二絕緣部件以便于不被以鍍填充的情形中(在第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d不電連接的情形中)，如在后面描述的基板的制造方法中如圖5C中所示，對(duì)溝槽24b沒有寬度的具體優(yōu)選范圍，因?yàn)闇喜?4b不會(huì)填充有鍍，并且寬度可因此例如大于20t。
下導(dǎo)體26由導(dǎo)體組成。下導(dǎo)體26形成在基22的整個(gè)下表面上。
導(dǎo)電部30由金屬鍍組成，并形成在開口部28內(nèi)部。導(dǎo)電部36由金屬鍍組成，并形成在導(dǎo)電部30和上導(dǎo)體24上。導(dǎo)電部30和導(dǎo)電部36只通過電鍍形成，而無需執(zhí)行如非電解鍍等需要保持溶液的高成本和用于溶液的高材料成本的預(yù)處理。因此，如下面將描述的，當(dāng)導(dǎo)電部30和導(dǎo)電部36形成時(shí)，非電解鍍等的預(yù)處理工藝變得不需要。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)制造工藝的縮短和低價(jià)制造。此外，由于不需要如非電解鍍等的預(yù)處理工藝，有可能例如防止用來在非電解鍍中改善反應(yīng)速度的金屬催化劑余留在布線圖案?jìng)?cè)，由此改善電子元件的可靠性。此外，由于上導(dǎo)體24和導(dǎo)電部30可以是用于電鍍的功率饋給電極，布線圖案所需的膜厚度(上導(dǎo)體24和導(dǎo)電部36的厚度)可通過電鍍的時(shí)間管理等來確保。
在如上所述組成的單層板20具有在由電鍍拋光形成的導(dǎo)電部30和導(dǎo)電部36的表面上的凸起和凹陷、并具有被圖案化以形成電極圖案的下導(dǎo)體26后，通過堆疊包括單層板20的基板等形成多層化的板(電子元件)。如上所述，通過利用鍍填充開口部28并平坦化單層板20，有可能通過倒裝芯片封裝將元件附著到基板，使基板適于多層化、致密化和小尺寸化，并使基板具有高輻射特性和高連接可靠性。圖3和圖4示出電子元件的實(shí)例。
在圖3A中，在其上沒有形成下導(dǎo)體26的兩個(gè)單層板20設(shè)置在上導(dǎo)體24和下導(dǎo)體26形成在其上的最下的單層板20上。通過例如熱壓接合來堆疊這些板，形成如圖3B中所示的電子元件。在圖3C中，在其上沒有形成下導(dǎo)體26的單層板設(shè)置在上導(dǎo)體24和下導(dǎo)體26形成在其上的單層板20以上，并且在其上沒有形成上導(dǎo)體24的單層板設(shè)置在單層板20下。通過例如熱壓接合來堆疊這些板，形成如圖3B中所示的電子元件。
在圖4A中，通過在其上形成上導(dǎo)體24和下導(dǎo)體26的兩個(gè)單層板20之間設(shè)置半固化片(prepreg)(粘附片)38并粘著(堆疊)單層板20，形成電子元件。通孔可用作基板間的布線。在圖4B中，通過將RCC39粘著到在其上形成上導(dǎo)體24和下導(dǎo)體26的單層板20的上側(cè)和下側(cè)，形成電子元件。即，單層板20用作中心層(核心材料)，而布線層堆疊在中心層(核心材料)的兩個(gè)表面上。
接著將解釋基板和電子元件的制造方法。圖5是用于解釋制造單層板的步驟的圖。
首先，制備基22，基22具有預(yù)定厚度并由絕緣材料制成，上導(dǎo)體24形成在基22的整個(gè)上表面上，下導(dǎo)體26形成在基22的整個(gè)下表面上。接著，例如，在抗蝕劑(干膜)設(shè)置在上導(dǎo)體24上的預(yù)定區(qū)域時(shí)執(zhí)行蝕刻工藝(光蝕刻)，由此在上導(dǎo)體24中形成預(yù)定數(shù)目的圓形開口24a和環(huán)狀溝槽24b。由此，上導(dǎo)體24被分成在其中形成開口24a的第一導(dǎo)電部24c和設(shè)置以便圍繞第一導(dǎo)電部24c的第二導(dǎo)電部24d。
因?yàn)橹篱_口部28可通過后面描述的以小功率輸出并具有小數(shù)目射程的碳酸氣體激光等來形成，并因?yàn)閷?duì)開口部28的形狀和位置準(zhǔn)確性的考慮，開口24a等通過上述的蝕刻工藝形成。在此蝕刻工藝中，蝕刻上導(dǎo)體24使得形成等于或大于將形成開口部28的區(qū)域的形狀。
然后，如日本專利申請(qǐng)No.2005-63464中所述，通過將噴射(blasting)、激光處理、或等離子體處理應(yīng)用到在上導(dǎo)體24(第一導(dǎo)電部24c)的開口24a中暴露的基22的預(yù)定區(qū)域來去除絕緣材料，直到下導(dǎo)體26暴露，來形成預(yù)定數(shù)目的開口部28。在使用激光處理的情形中，通常的情形是碳酸氣體激光用來處理由絕緣材料組成的絕緣部件(基22)，而YAG激光(釔鋁石榴石激光)用來處理導(dǎo)體。然而，存在碳酸氣體激光用來處理導(dǎo)體和絕緣部件的一些情形。因此，在使用這些激光的情形中，對(duì)于形成開口24a和溝槽24b而言，在上導(dǎo)體24上的蝕刻工藝不再需要。此外，在使用不同的激光的情形中，從改進(jìn)處理效率的觀點(diǎn)，導(dǎo)體和絕緣部件可加載到相同的定位機(jī)構(gòu)上以待被連續(xù)地處理。
這里，優(yōu)選地將開口部28形成為使其直徑從基22的下表面?zhèn)鹊缴媳砻鎮(zhèn)仍黾?。通過此增加的直徑，在后面描述的鍍填充到開口部28中對(duì)鍍而言進(jìn)到開口部28中變得更容易，并且減少了在待形成的導(dǎo)電部30內(nèi)部產(chǎn)生空隙的機(jī)會(huì)。此外，對(duì)上導(dǎo)體24和導(dǎo)電部30而言達(dá)到氣密接觸變得更容易，從而改進(jìn)了接合強(qiáng)度。
此外，開口部28形成為小于開口24a并具有離開口24a的預(yù)定距離。例如，開口部28形成為具有160μm直徑的圓的形狀，使得其具有離開口24a50μm的距離。這種開口部28a形成的狀態(tài)如圖5A中所示。
在形成預(yù)定數(shù)目的開口部28后，例如，執(zhí)行如等離子體處理的使用化學(xué)或電化學(xué)污物(smear)去除工藝的除污工藝，以清洗開口部28的內(nèi)部和下導(dǎo)體26的內(nèi)部開口表面(在開口部28中暴露的暴露表面)，如日本專利申請(qǐng)No.2005-63464中所描述的。在開口部28通過激光等形成的情形中，通過激光碳化或金屬化的有機(jī)物和附著物出現(xiàn)在開口部28的內(nèi)壁等上。如果這些出現(xiàn)，開口部28的內(nèi)壁的絕緣性能降低，并且因此在后面描述的利用導(dǎo)電材料對(duì)開口部28的電鍍填充中，從開口部28的內(nèi)壁生長(zhǎng)的鍍將變得顯著。這將引起在開口部28的中心處的不充分沉積并阻礙鍍填充的性能。由此，根據(jù)本實(shí)施例，在形成預(yù)定數(shù)目的開口部28后，清洗開口部28的內(nèi)部等。
接著，由例如光敏樹脂等絕緣材料制成的作為第二絕緣部件的掩模32設(shè)置在上導(dǎo)體24等上，使得待填充在開口部28中的金屬鍍可不接觸上導(dǎo)體24的第二導(dǎo)電部24d。根據(jù)本實(shí)施例，將掩模32設(shè)置為整個(gè)覆蓋溝槽24b和第二導(dǎo)電部24d。
孔32a形成在掩模32中以便暴露開口部28和作為用于后面描述的電解鍍的功率饋給電極的第一導(dǎo)電部24c的一部分。此外，由例如光敏樹脂等絕緣材料制成的掩模34也形成在下導(dǎo)體26的下表面上。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了圖5B中所示狀態(tài)。
優(yōu)選地在后面描述的電鍍執(zhí)行前，開口部28、上導(dǎo)體24的暴露表面和下導(dǎo)體26的內(nèi)部開口表面(在開口部28中暴露的下導(dǎo)體26的暴露表面)利用等離子體或噴射等處理。
接著，通過使用下導(dǎo)體26作為電鍍電極(功率饋給電極)執(zhí)行電解鍍。將通過鍍而沉積的金屬將從開口部28中的最下面位置、即下導(dǎo)體26的暴露表面生長(zhǎng)。然后，隨著從下導(dǎo)體26開始的金屬鍍的生長(zhǎng)持續(xù)，開口部28的內(nèi)部填充有金屬鍍，且導(dǎo)電部30形成在開口部28中，如圖5C中所示。
這里，由于上導(dǎo)體24通過溝槽24b分成第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d，即使沉積的鍍達(dá)到基板的最上層以和第一導(dǎo)電部24c進(jìn)行接觸，也不會(huì)發(fā)生鍍電流密度的突然改變。因此，即使形成在基板中的開口部28的數(shù)目大，并且開口部28顯著變化，仍可穩(wěn)定地執(zhí)行鍍的填充。從而，有可能提供具有高電可靠性的基板和電子元件。此外，有可能利用鍍有效地填充開口部28。
此外，由于第二導(dǎo)電部24d完全地覆蓋有掩模32，即使當(dāng)沉積的鍍達(dá)到基板的最上層時(shí)，沉積的鍍和第二導(dǎo)電部24d也不會(huì)彼此接觸。因此，將不會(huì)有鍍電流密度突然改變的機(jī)會(huì)。因此，即使形成在基板中的開口部28的數(shù)目大，并且開口部28顯著變化，仍可穩(wěn)定地執(zhí)行鍍的填充。從而，有可能提供具有高電可靠性的基板和電子元件。此外，有可能利用鍍有效地填充開口部28。
此外，由于掩模34形成在下導(dǎo)體26的下表面上，如日本專利申請(qǐng)No.2005-63464中所述，因此保持了在基板上側(cè)和下側(cè)之間的應(yīng)力平衡，并可防止基板破裂和變形。另外，由于下導(dǎo)體26可限制在功率饋給部和所鍍的表面處被暴露，可減少下導(dǎo)體26受到的損壞。此外，鍍沉積可在開口部28中穩(wěn)定地執(zhí)行。這是因?yàn)?，如果鍍?nèi)芤赫持奖潮砻?下導(dǎo)體26)，在開口部28中的電流密度將減少，并且在開口部28中可能不能穩(wěn)定地執(zhí)行鍍沉積。
當(dāng)所有的開口部28填充有鍍并且導(dǎo)電部30形成在開口部28中時(shí)，將掩模32從上導(dǎo)體24分離。此外，將掩模34從下導(dǎo)體26分離。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了圖5D中所示狀態(tài)。
接著，通過使用上導(dǎo)體24的第一導(dǎo)電部24c作為電鍍電極(功率饋給電極)來執(zhí)行電鍍。如圖5E中所示，待通過鍍沉積的金屬(導(dǎo)電部36)將導(dǎo)電地連結(jié)(join)開口部28的上表面處已填充的導(dǎo)體(導(dǎo)電部30)和上導(dǎo)體24(第一導(dǎo)電部24c)，并通過填充溝槽24b導(dǎo)電地連結(jié)第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了層間連接。注意到，電鍍可通過使用下導(dǎo)體26作為功率饋給電極來執(zhí)行。同樣在此情形中，類似上導(dǎo)體24用作電鍍電極的情形，導(dǎo)電部30和上導(dǎo)體24可導(dǎo)電地連結(jié)。導(dǎo)電部30的高度可根據(jù)鍍條件和溶液組成來控制。
如上所述，由于鍍(導(dǎo)電部30)和開口部28以上的鍍(導(dǎo)電部36)可獨(dú)立地沉積，有可能使鍍填充的部免于產(chǎn)生空隙，穩(wěn)定沉積高度，并以良好的填充獲得在導(dǎo)體層之間的導(dǎo)電連結(jié)。
此外，由于不執(zhí)行非電解鍍步驟，有可能實(shí)現(xiàn)制造步驟的簡(jiǎn)化。此外，有可能防止用來改善非電解鍍過程的反應(yīng)速度的金屬催化劑余留在布線圖案?jìng)?cè)，以改善電子元件的電可靠性。而且，在上導(dǎo)體24中形成所需圖案時(shí)，不降低圖案蝕刻性能。這給了上導(dǎo)體24更好的尺度準(zhǔn)確性，并可使布線的尺度準(zhǔn)確性比常規(guī)的更好。因此，可容易地實(shí)現(xiàn)電子元件的電路常數(shù)的容限的窄化。此外，可形成具有窄布線寬度的圖案。結(jié)果，有可能處理用于實(shí)現(xiàn)更高頻率的布線圖案。
接著，如日本專利申請(qǐng)No.2005-63464中所描述的，拋光從單層板20向上突起的鍍(導(dǎo)電部30、導(dǎo)電部36)的凸起和凹陷，由此可制造圖1中所示基板。此外，通過將預(yù)定的圖案化應(yīng)用于下導(dǎo)體26等來形成電極圖案，并如圖3A中所示，通過將在其上沒有形成下導(dǎo)體26的兩個(gè)單層板20設(shè)置在具有形成的電極圖案的單層板20以上并在熱塑樹脂用作絕緣層的條件下熱壓接合這些板，有可能制造如圖3B中所示的這種電子元件。
如上所解釋的，根據(jù)本實(shí)施例，在上導(dǎo)體24分成第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d后，通過使用下導(dǎo)體26作為功率饋給電極來執(zhí)行電鍍，以利用鍍填充開口部28。因此，即使當(dāng)已沉積的鍍接觸第一導(dǎo)電部24c時(shí)，鍍電流密度也不會(huì)突然改變。因此，即使當(dāng)形成在基板中的開口部28的數(shù)目大并且開口部28的不一致顯著時(shí)，仍有可能穩(wěn)定地執(zhí)行鍍填充。從而，有可能提供具有高電可靠性的基板和電子元件。此外，有可能有效地利用鍍填充開口部28。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)橛糜诜请娊忮兊牟襟E可以省略，可實(shí)現(xiàn)制造步驟的簡(jiǎn)化。此外，當(dāng)所需圖案形成在上導(dǎo)體24中時(shí)，不降低圖案蝕刻性能。因此可改進(jìn)上導(dǎo)體24的尺度準(zhǔn)確性。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，由于第二導(dǎo)電部24d完全地覆蓋有掩模32，即使當(dāng)沉積的鍍達(dá)到基板的最上層時(shí)，沉積的鍍和第二導(dǎo)電部24d不彼此接觸。因此，鍍電流密度不突然變化，鍍填充可進(jìn)一步穩(wěn)定地執(zhí)行。
而且，根據(jù)本實(shí)施例，對(duì)于導(dǎo)電部30和導(dǎo)電部36，鍍沉積(形成)可獨(dú)立地執(zhí)行。因此，有可能使鍍填充的部免于產(chǎn)生空隙，穩(wěn)定沉積高度，并以良好的填充實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)體層之間的導(dǎo)電連結(jié)。從而，有可能改進(jìn)電子元件的電可靠性。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，但可以不同方式修改或應(yīng)用。下面將解釋可應(yīng)用于本發(fā)明的其它實(shí)施例。
在以上描述的實(shí)施例中，本發(fā)明通過采用這種情形作為實(shí)例來解釋，在該情形中通過放置掩模32來將鍍填充在開口部28中，以便完全地覆蓋溝槽24b和第二導(dǎo)電部24d并且通過使用下導(dǎo)體26作為功率饋給電極來執(zhí)行電鍍。然而，在分開上導(dǎo)體24后只需要通過使用下導(dǎo)體26作為功率饋給電極來執(zhí)行電鍍以利用鍍來填充開口部28。由此，掩模32可以不放置。同樣在此情形中，鍍電流密度不突然改變，并且鍍填充可穩(wěn)定地執(zhí)行。
此外，只需要形成掩模32使得填充在開口部28中的導(dǎo)體不接觸第二導(dǎo)電部24d。由此，如圖6A中所示，例如，環(huán)形的掩模41可放置在第一導(dǎo)電部24c上，而掩模42可放置在第二導(dǎo)電部24d上。在這種情形中，如圖6B中所示，通過執(zhí)行使用下導(dǎo)體26作為電鍍電極(功率饋給電極)的電鍍，來利用金屬鍍填充開口部28，并且如圖6C和圖6D中所示，通過執(zhí)行使用第一導(dǎo)電部24c作為電鍍電極(功率饋給電極)的電鍍，導(dǎo)電地連結(jié)鍍的導(dǎo)體(導(dǎo)電部30)和上導(dǎo)體24(第一導(dǎo)電部24c和第二導(dǎo)電部24d)。
在以上描述的實(shí)施例中，本發(fā)明通過采用這種情形作為實(shí)例來解釋，在該情形中開口部28形成為具有小于開口24a直徑的直徑，并在開口部28和開口24a之間保持預(yù)定的距離。然而，開口部28的直徑和開口24a的直徑可以相同，如圖7中所示。同樣在此情形中，通過放置掩模32以便不允許金屬鍍接觸分開的第二導(dǎo)電部24d，有可能以穩(wěn)定的速度持續(xù)地填充開口部28。
在以上描述的實(shí)施例中，本發(fā)明通過采用這種情形作為實(shí)例來解釋，在該情形中形成一個(gè)溝槽24b以便于圍繞一個(gè)開口24a(開口部28)。只需要形成溝槽24b以便于將上導(dǎo)體24分成多個(gè)導(dǎo)電部。這是因?yàn)槿绻蠈?dǎo)體分成多個(gè)導(dǎo)電部，鍍電流密度不容易改變。
例如，可形成預(yù)定數(shù)目的溝槽24b以便于圍繞多個(gè)開口24a，如圖8A至圖8H中所示，或可形成多個(gè)溝槽24b使得基板可分成電子元件單元。
圖9A示出在形成一個(gè)溝槽24b以便于圍繞兩個(gè)開口24a(開口部28)的情形中的單層板20的結(jié)構(gòu)。在這種情形中，例如，通過在第一導(dǎo)電部24c上放置環(huán)形的掩模41、在第二導(dǎo)電部24d上放置掩模42以及在導(dǎo)電部24e上放置掩模43，如圖9B中所示；并通過使用下導(dǎo)體26作為電鍍電極(功率饋給電極)來執(zhí)行電鍍，利用金屬鍍填充開口部28，如圖9C中所示；并通過執(zhí)行使用第一導(dǎo)電部24c作為電鍍電極(功率饋給電極)的電鍍，導(dǎo)電地連結(jié)鍍的導(dǎo)體(導(dǎo)電部30)和上導(dǎo)體24(第一導(dǎo)電部24c至導(dǎo)電部24e)，如圖9D中所示。
此外，如圖10中所示，溝槽24b可形成在上導(dǎo)體24中，使得待形成在基22上的多個(gè)導(dǎo)電部24f可具有所需的布線圖案。在此情形中，在基板的制造工藝中無需進(jìn)一步形成作為布線圖案的圖案，使得有可能進(jìn)一步簡(jiǎn)化基板的制造工藝。圖10中所示的基板(單層板)的制造工藝將參考圖11和圖12來解釋。圖11和圖12是示出在圖10的X-X橫截面處的基板的制造步驟的圖。
第一，在其上堆疊了上導(dǎo)體24和下導(dǎo)體26的基22上，干膜5 1放置在上導(dǎo)體24上，而干膜52放置在下導(dǎo)體26上，如圖11A中所示。接著，干膜51被曝光和顯影以成為對(duì)應(yīng)于圖11B中所示布線圖案的形狀，并通過使用干膜51作為掩模執(zhí)行蝕刻，由此如圖11C中所示開口24a和溝槽24b形成在預(yù)定位置。這里，如圖10中所示由于沒有開口部28形成在導(dǎo)電部243下，導(dǎo)電部243隨著溝槽24b形成而形成。然后，暴露在開口24a中的基22的預(yù)定區(qū)域經(jīng)受激光處理或等離子體處理以去除絕緣材料，直到暴露下導(dǎo)體26，由此如圖11D中所示地形成開口部28。接著，如圖11E中所示去除干膜51和52，并且通過除污處理、由化學(xué)或等離子體處理等的處理去除在開口部28上的附著物。然后，如圖11F中所示，干膜53放置在上導(dǎo)體24上，而干膜54放置在下導(dǎo)體26上。干膜53被曝光和顯影，以利用干膜53覆蓋導(dǎo)電部243，如圖11G中所示。這里，導(dǎo)電部243的周圍可覆蓋有干膜53。
接著，通過使用下導(dǎo)體26作為電鍍電極執(zhí)行電鍍，以在開口部28中形成導(dǎo)電部30(30a至30e)，如圖12A中所示。此外，在如圖12B中所示執(zhí)行電鍍直到導(dǎo)電部30(30a至30e)和其周圍的上導(dǎo)體24彼此接觸后，去除干膜53和54。由此，導(dǎo)電部241至243形成在基22上，如圖12C中所示。然后，干膜55放置在上導(dǎo)體24上，而干膜56放置在下導(dǎo)體26上，如圖12D中所示，并且干膜56根據(jù)下導(dǎo)體26的形狀被曝光和顯影，如圖12E中所示。然后，在如圖12F中所示通過使用干膜56作為掩模執(zhí)行蝕刻后，去除干膜55和56。由此基板可被制造，如圖12G中所示。
可替換地，處于圖11F中所示狀態(tài)中的干膜53可被曝光和顯影以在導(dǎo)電部243和溝槽24b上以及開口部28的周圍形成干膜53，如圖13A中所示。在此情形中，根據(jù)與圖12A至圖12C中所示那些過程類似的過程，導(dǎo)電部241至243可形成在基22上，如圖13B至圖13D中所示。此外，基板可根據(jù)與圖12D至圖12G中所示那些過程類似的過程來制造。應(yīng)注意的是，可拋光處在圖13C中所示狀態(tài)中的導(dǎo)電部241和242的上表面，以便可平坦化導(dǎo)電部241和242的上表面。
處在圖11F中所示狀態(tài)中的干膜53可被曝光和顯影，以如圖14A中所示在導(dǎo)電部243上和在導(dǎo)電部241與導(dǎo)電部242之間形成干膜53。同樣在此情形中，根據(jù)與圖12A至圖12C中所示那些過程類似的過程，導(dǎo)電部241至243可形成在基22上，如圖14B至圖14D中所示。此外，可根據(jù)與圖12D至圖12G中所示那些過程類似的過程來制造基板。
在以上描述的實(shí)施例中，本發(fā)明通過采用這種情形作為實(shí)例來解釋，在該情形中開口部28形成為具有從下導(dǎo)體26側(cè)向著上導(dǎo)體24增加的直徑。然而，例如，開口部28可形成以便于使其直徑從上導(dǎo)體24側(cè)向著下導(dǎo)體26增加，如圖15A中所示。此外，開口部28可不使其直徑變化，如圖15B中所示。
在以上描述的實(shí)施例中，本發(fā)明通過采用這種情形作為實(shí)例來解釋，在該情形中上導(dǎo)體24形成在基22以上同時(shí)下導(dǎo)體26設(shè)置在基22下。這種設(shè)置可以顛倒。
本發(fā)明可應(yīng)用于不同類型的基板和電子元件。例如，本發(fā)明可應(yīng)用于低溫共燒陶瓷(LTCC)。作為此情形的一個(gè)應(yīng)用實(shí)例，低溫共燒陶瓷基板的通孔可通過使用根據(jù)本發(fā)明的基板制造方法來形成。此外，作為使用低溫共燒陶瓷基板的更優(yōu)選的電子元件(多層化的基板)的應(yīng)用實(shí)例，例如，通過使用傳統(tǒng)低溫共燒陶瓷基板作為核心層，并粘著本發(fā)明的基板作為表面層，可形成多層化基板。
在不離開本發(fā)明的寬廣精神和范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明可進(jìn)行不同的實(shí)施例和改變。以上描述的實(shí)施例旨在說明本發(fā)明，而不是限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是由實(shí)施例示出。在本發(fā)明權(quán)利要求的等同意義內(nèi)和在權(quán)利要求內(nèi)進(jìn)行的不同修改被認(rèn)為在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板制造方法，包括導(dǎo)電部形成步驟，通過在具有開口的第一導(dǎo)電部件(24)中形成絕緣溝槽(24b)來形成彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部；以及金屬鍍填充步驟，在所述導(dǎo)電部形成步驟形成所述多個(gè)導(dǎo)電部后，通過使用第二導(dǎo)電部件(26)作為用于電鍍的功率饋給電極來執(zhí)行電鍍以從第一絕緣部件(22)的開口部(28)中的所述第二導(dǎo)電部件側(cè)生長(zhǎng)金屬鍍，在所述開口部(28)中填充金屬鍍，所述開口部(28)如此形成以便于從所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口到所述第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透夾在所述第一導(dǎo)電部件(24)和所述第二導(dǎo)電部件(26)之間的所述第一絕緣部件(22)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，其中在所述導(dǎo)電部形成步驟，所述第一導(dǎo)電部件被分成第一導(dǎo)電部，通過圍繞所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口的所述溝槽形成；以及第二導(dǎo)電部，不包括所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的基板制造方法，其中在所述導(dǎo)電部形成步驟，所述第二導(dǎo)電部如此形成以便于圍繞所述第一導(dǎo)電部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的基板制造方法，其中在所述導(dǎo)電部形成步驟，所述第一導(dǎo)電部如此形成以便于小于所述第二導(dǎo)電部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，其中在所述導(dǎo)電部形成步驟，所述絕緣溝槽形成在所述第一導(dǎo)電部件中，使得待形成的所述多個(gè)導(dǎo)電部具有布線圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，進(jìn)一步包括連接步驟，在所述金屬鍍填充步驟使金屬鍍填充在所述第一絕緣部件中的所述開口部中后，通過使用所述第一導(dǎo)電部件或所述第二導(dǎo)電部件作為用于電鍍的功率饋給電極在形成在所述第一導(dǎo)電部件中的所述絕緣溝槽中填充金屬鍍，來電連接所述多個(gè)導(dǎo)電部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，進(jìn)一步包括絕緣部件形成步驟，在所述導(dǎo)電部形成步驟形成所述多個(gè)導(dǎo)電部后，在所述絕緣溝槽中形成第二絕緣部件(32)，使得所述多個(gè)導(dǎo)電部不電連接；以及絕緣部件去除步驟，在所述金屬鍍填充步驟使金屬鍍填充在所述第一絕緣部件中的所述開口部中后，去除所述第二絕緣部件(32)，其中在所述金屬鍍填充步驟，在所述絕緣部件形成步驟使所述第二絕緣部件形成在所述絕緣溝槽中后，將金屬鍍填充在所述第一絕緣部件中的所述開口部中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的基板制造方法，其中在所述絕緣部件形成步驟，所述第二絕緣部件如此形成以便于完全地覆蓋所述第二導(dǎo)電部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，其中在所述導(dǎo)電部形成步驟，所述絕緣溝槽如此形成，使得所述溝槽的寬度是所述第一導(dǎo)電部件厚度的兩倍至二十倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，其中在所述第一絕緣部件中的所述開口部如此形成，以便于小于在所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口，并具有離所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口的預(yù)定距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的基板制造方法，進(jìn)一步包括清洗步驟，在所述金屬鍍填充步驟使金屬鍍填充在所述第一絕緣部件中的所述開口部中前，清洗所述開口部和暴露在所述開口部中的所述第二導(dǎo)電部件的表面。
12.一種電子元件的制造方法，包括導(dǎo)電部形成步驟，通過在包括在基板(20)中的第一導(dǎo)電部件(24)中形成絕緣溝槽(24b)來形成彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部，所述基板(20)包括具有開口的所述第一導(dǎo)電部件(24)、第二導(dǎo)電部件(26)以及夾在所述第一和第二導(dǎo)電部件(24，26)之間的第一絕緣部件(22)；金屬鍍填充步驟，在所述導(dǎo)電部形成步驟形成所述多個(gè)導(dǎo)電部后，通過使用所述第二導(dǎo)電部件(26)作為用于電鍍的功率饋給電極來執(zhí)行電鍍以從所述第一絕緣部件的開口部(28)中的所述第二導(dǎo)電部件側(cè)生長(zhǎng)金屬鍍，在所述開口部(28)中填充金屬鍍，所述開口部(28)如此形成以便于從所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口到所述第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透所述第一絕緣部件(22)；以及堆疊步驟，堆疊所述基板(20)，在所述第一絕緣部件(22)中的所述基板(20)的開口部(28)已填充有金屬鍍。
13.一種基板，包括第一導(dǎo)電部件(24)，包括通過絕緣溝槽(24b)彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部，并具有開口；第二導(dǎo)電部件(26)；以及第一絕緣部件(22)，夾在所述第一導(dǎo)電部件(24)和所述第二導(dǎo)電部件(26)之間，具有開口部(28)，所述第一絕緣部件(22)中如此形成以便于從所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口到所述第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透所述第一絕緣部件(22)；以及金屬鍍，通過使用所述第二導(dǎo)電部件(26)作為用于電鍍的功率饋給電極而執(zhí)行的電鍍，從所述開口部中的所述第二導(dǎo)電部件側(cè)填充在開口部(28)中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的基板，其中所述第一導(dǎo)電部件包括第一導(dǎo)電部，通過圍繞所述第一導(dǎo)電部件中的所述開口的所述溝槽形成；以及，第二導(dǎo)電部，不包括所述第一導(dǎo)電部件的所述開口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的基板，其中所述第二導(dǎo)電部如此形成以便于圍繞所述第一導(dǎo)電部。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的基板，其中所述第一導(dǎo)電部如此形成以便于小于所述第二導(dǎo)電部。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的基板，其中形成所述第一導(dǎo)電部件，使得待形成的所述多個(gè)導(dǎo)電部具有布線圖案。
18.一種電子元件，包括堆疊在一起的基板(20)，每個(gè)基板(20)包括具有開口的第一導(dǎo)電部件(24)、第二導(dǎo)電部件(26)以及夾在所述第一和第二導(dǎo)電部件(24，26)之間的第一絕緣部件(22)，其中開口部(28)如此形成以便于從所述第一導(dǎo)電部件(24)中的所述開口到所述第二導(dǎo)電部件的一側(cè)穿透所述第一絕緣部件(22)；所述第一導(dǎo)電部件(24)包括通過絕緣溝槽(24b)彼此電絕緣的多個(gè)導(dǎo)電部；以及通過使用所述第二導(dǎo)電部件(26)作為用于電鍍的功率饋給電極的電鍍，將金屬鍍從所述第一絕緣部件的所述開口部中的所述第二導(dǎo)電部件側(cè)填充在所述第一絕緣部件(22)中的開口部(28)中。
全文摘要
為了在形成在電子元件的基(22)中的開口部(28)中填充導(dǎo)電材料，溝槽(24b)形成為在上導(dǎo)體(24)中圍繞開口(24a)，且上導(dǎo)體(24)被分成第一導(dǎo)電部(24c)和圍繞第一導(dǎo)電部(24c)的第二導(dǎo)電部(24d)。形成掩模(32)，使得待填充在開口部(28)中的導(dǎo)體(30)不接觸第二導(dǎo)電部(24d)。通過使用下導(dǎo)體(26)作為電極從開口部(28)中的下導(dǎo)體(26)側(cè)生長(zhǎng)金屬鍍，以利用金屬鍍來填充開口部(28)。通過使用上導(dǎo)體(24)或下導(dǎo)體(26)作為電極的電鍍，連結(jié)填充在開口部(28)和上導(dǎo)體(24)中的金屬鍍。
文檔編號(hào)H05K3/46GK1870861SQ20061007844
公開日2006年11月29日 申請(qǐng)日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月26日
發(fā)明者桑島一, 后藤真史 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社