專利名稱：制造發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造發(fā)光器件的方法，該發(fā)光器件具有高度穩(wěn)定的發(fā)光元件，并且其中降低了對發(fā)光元件中變化的影響。
背景技術(shù)：
采用發(fā)光元件的顯示器與具有液晶層的顯示器相比具有寬視角、高速響應(yīng)、低功率損耗等優(yōu)點(diǎn)，其正處于研發(fā)之中。
依賴于制造條件，在一些情況下元件內(nèi)包含的電極之間的區(qū)域中發(fā)生短路。之后，電流集中流入短路部分。此時(shí)，電流不再流到其它區(qū)域，且發(fā)光元件整體進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)，這就產(chǎn)生了缺陷。
因此提出一種方法，當(dāng)在有機(jī)EL元件的缺陷部分內(nèi)預(yù)先發(fā)生介質(zhì)擊穿時(shí)，該方法不破壞元件的正常部分(參考文獻(xiàn)1日本專利公告No.2003-282253)。
參考文獻(xiàn)1公開了，當(dāng)通過實(shí)施老化處理發(fā)生介質(zhì)擊穿的時(shí)候，該老化處理在有機(jī)EL元件的陽極和陰極之間施加電壓，施加在兩個(gè)電極之間的電壓范圍被最優(yōu)化。特別地，其公開了通過對有機(jī)EL元件施加反向偏壓來測量流動電流，找出缺陷部分的擊穿電壓和有機(jī)EL元件的擊穿電壓，然后得出老化處理期間所施加的電壓范圍內(nèi)兩個(gè)擊穿電壓的電壓范圍。
參考文獻(xiàn)1還公開了因?yàn)橐部梢圆捎糜袡C(jī)EL元件的普通驅(qū)動電路來實(shí)施老化處理，因此老化專用電路不是必要的。
發(fā)光元件具有隨時(shí)間退化及初始退化，以及在退化中變化的問題。參考文獻(xiàn)1公開，氧和水被認(rèn)為是產(chǎn)生暗區(qū)的原因，所述暗區(qū)是從像素邊緣隨時(shí)間形成的不發(fā)光區(qū)域，且在密封元件的步驟中所采用的填充氣體中的氧氣濃度被設(shè)定為等于或者小余在老化處理步驟中的濃度。
參考文獻(xiàn)1還公開了所謂的被動型顯示面板，其中陽極和陰極分別在相互垂直的方向上延伸以形成帶狀。其還進(jìn)一步公開了所施加的用于老化處理的電壓從-8V到-36V間選擇。
然而，如上所述所施加的電壓在將晶體管連接到每個(gè)發(fā)光元件的主動型的情況下可能會損壞晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種新型的具有低初始退化的發(fā)光元件，以及一種顯示器件，其中通過一種用來驅(qū)動具有發(fā)光元件的顯示器件的新方法，減少了初始退化，并減少了隨時(shí)間退化中的變化。
考慮到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)特征在于顯示器件(本發(fā)明的顯示器件在下文中稱作發(fā)光器件)包括具有第一電極的發(fā)光元件，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層。這種顯示器件由老化驅(qū)動。該老化驅(qū)動可以強(qiáng)制性地引起初始退化。通過隨后將顯示器件安裝在產(chǎn)品上，可以提供在其中減少了在發(fā)光元件的退化中的變化的發(fā)光器件。在老化驅(qū)動中，除了正向電壓之外，可以將反向電壓施加到發(fā)光元件上。因此，可以預(yù)先檢測到可能會導(dǎo)致缺陷的潛在的短路部分。
本發(fā)明的特定特征在于發(fā)光器件包括發(fā)光元件，該元件包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；連接至發(fā)光元件的晶體管；以及連接至發(fā)光元件的監(jiān)視發(fā)光元件，其中通過向老化處理中的發(fā)光元件施加正向電壓來實(shí)施驅(qū)動。
本發(fā)明的另一特征是該發(fā)光器件包括發(fā)光元件，該元件包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；連接至發(fā)光元件的晶體管；以及連接至發(fā)光元件的監(jiān)視發(fā)光元件，其中通過向老化處理中的發(fā)光元件施加正向電壓和反向電壓來實(shí)施驅(qū)動。
此外，在本發(fā)明中，發(fā)光元件工作時(shí)，發(fā)光元件顯示圖像，且該圖像的位置可以以預(yù)定的間隔改變。因此，形成像素部分，從而使得發(fā)光器件內(nèi)的像素?cái)?shù)量相對于顯示器像素的數(shù)量過剩。
注意，在本發(fā)明中金屬氧化物是氧化鉬、氧化釩或者氧化錸。也可以采用金屬的氮化物或者氧氮化物代替金屬氧化物。
根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得具有一致的退化狀態(tài)和高穩(wěn)定性，換言之，可以實(shí)現(xiàn)高可靠性的發(fā)光元件。此外，還能夠獲得其中減少了隨時(shí)間而退化中變化的高質(zhì)量發(fā)光器件。


圖1A和1B是本發(fā)明的驅(qū)動電路的時(shí)序圖。
圖2A和2B是示出輸入本發(fā)明驅(qū)動電路的信號的時(shí)序圖。
圖3示出了本發(fā)明的顯示面板。
圖4示出了本發(fā)明的顯示面板。
圖5A和5B示出了本發(fā)明的顯示面板和驅(qū)動電路。
圖6是示出本發(fā)明的驅(qū)動電路的電路圖。
圖7是示出本發(fā)明的驅(qū)動電路的電路圖。
圖8A到8D示出了用于本發(fā)明的發(fā)光器件的顯示方法。
圖9A到9D示出了用于本發(fā)明的發(fā)光器件的顯示方法。
圖10示出了本發(fā)明的發(fā)光元件。
圖11A到11C是本發(fā)明的發(fā)光器件中像素部分的橫截面圖。
圖12A到12C是本發(fā)明的發(fā)光器件中像素部分的橫截面圖。
圖13A和13B示出應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光器件的像素電路。
圖14示出應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光器件的像素電路。
圖15A和15B示出采用本發(fā)明的發(fā)光元件的循環(huán)測試結(jié)果。
圖16示出采用本發(fā)明的發(fā)光元件的循環(huán)測試結(jié)果。
圖17示出了表示發(fā)光元件的厚度和驅(qū)動電壓之間的關(guān)系的結(jié)果。
圖18示出了表示發(fā)光元件的厚度和驅(qū)動電壓之間的關(guān)系的結(jié)果。
圖19示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的厚度和驅(qū)動電壓之間的關(guān)系的結(jié)果。
圖20示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的吸收光譜的結(jié)果。
圖21A到21F示出裝配有本發(fā)明的發(fā)光器件的電子設(shè)備。
圖22示出裝配有本發(fā)明的發(fā)光器件的蜂窩電話。
圖23示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電壓和電流密度之間關(guān)系的結(jié)果。
圖24示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電壓和亮度之間關(guān)系的結(jié)果。
圖25示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的亮度和電流效率之間關(guān)系的結(jié)果。
圖26示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的紅螢烯濃度和隨時(shí)間的退化之間關(guān)系的結(jié)果。
圖27示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電壓和電流密度之間關(guān)系的結(jié)果。
圖28示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的氧化鉬濃度和電流密度之間關(guān)系的結(jié)果。
圖29示出了表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電壓和電流密度之間關(guān)系的結(jié)果。
圖30示出了采用本發(fā)明的發(fā)光元件的循環(huán)測試結(jié)果。
具體實(shí)施例方式
下文中將參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明并不限定于接下來的說明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易理解，不脫離本發(fā)明的精神和范圍，能夠?qū)Ρ景l(fā)明的形式和細(xì)節(jié)做出各種各樣的改變。因此，本發(fā)明不能理解為限定于下面對于實(shí)施方式的說明中。注意，用相同的參考標(biāo)記來表示圖示出實(shí)施方式的附圖中相同的部件或者具有相似功能的部分，并且省略重復(fù)性的說明。
(實(shí)施方式1)關(guān)于發(fā)光器件，在完成了TFT的制造步驟之后，進(jìn)行沉積發(fā)光層材料和密封的步驟。將處于該狀態(tài)中的發(fā)光器件稱為發(fā)光模塊。在發(fā)光模塊中，用于輸入外部信號的導(dǎo)線被連接到設(shè)置有每一個(gè)元件的顯示面板上。隨后，將發(fā)光模塊進(jìn)行一段時(shí)間的老化處理(aging)，安裝在產(chǎn)品上，之后完成成為發(fā)光器件。下面解釋在該實(shí)施方式中用于老化處理(老化驅(qū)動)所采用的驅(qū)動。
在該實(shí)施方式中，將時(shí)間灰度級法應(yīng)用于老化驅(qū)動，該方法中將一個(gè)幀周期劃分為多個(gè)子幀周期?？梢允┘诱螂妷海⑶掖送?，也可以施加反向電壓。注意，如果將使得發(fā)光元件發(fā)光所施加的電壓稱作正向電壓，施加反向電壓意味著在正向電壓中施加相互交換較高的電位和較低電位的電壓。
圖1A和1B是時(shí)序圖，示出在施加反向電壓的情況下的老化驅(qū)動周期。注意在僅僅施加正向電壓的情況下，可以采用其中省略了反向電壓周期的時(shí)序圖。
圖1A和1B是時(shí)序圖，示出其中在一秒之內(nèi)重寫60幀圖像的一個(gè)幀周期。縱軸表示掃描線G(從第一行到最后一行)，水平軸表示時(shí)間。注意，在掃描線G中，假定任意的掃描線處于第i行(i是自然數(shù))。
一個(gè)幀周期包括m(m是大于1的自然數(shù))個(gè)子幀周期SF1、SF2、...、SFm，且m個(gè)子幀周期SF1、SF2、...、SFm分別包括寫操作周期Ta1、Ta2、...、Tam和顯示周期(發(fā)光周期)Ts1、Ts2、...、Tsm。一個(gè)幀周期還包括反向電壓施加周期。另一方面，包括寫操作周期和顯示周期的周期被稱作正向電壓施加周期。
如圖1A所示，在該實(shí)施方式中解釋了在包括三個(gè)子幀周期的情況下的時(shí)序圖。一個(gè)幀周期包括子幀周期SF1到SF3。在子幀周期中包括的每個(gè)寫操作周期Ta1到Ta3中，信號順次輸入給像素。之后，開始每個(gè)顯示周期Ts1到Ts3。
一個(gè)幀周期包括顯示周期Ts3之后的反向電壓施加周期(FRB)。注意，本發(fā)明中，每一個(gè)幀周期不必包括反向電壓施加周期。在一個(gè)幀周期的末尾不必必須要設(shè)置反向電壓施加周期。例如，可以將其設(shè)置在任一個(gè)顯示周期Ts1到Ts3之后。此外，可以將反向電壓施加給處在顯示周期內(nèi)、并且依賴于像素結(jié)構(gòu)而并不發(fā)光的像素。
圖1B中的時(shí)序圖示出在集中在第i行的掃描線上的情況下，寫操作周期Ta1到Ta3、顯示周期Ts1到Ts3以及反向電壓施加周期(FRB)。在寫操作周期和顯示周期交替開始之后，反向電壓施加周期開始。
通過這樣提供老化驅(qū)動周期以及向發(fā)光元件施加正向電壓，能夠引起初始退化。發(fā)光元件中的初始退化迅速發(fā)展，其將導(dǎo)致亮度變化。因此，通過完全地促使在像素部分的發(fā)光元件中的初始退化，可以減緩?fù)嘶p少亮度變化。發(fā)光元件中的初始退化是迅速的，而隨后隨時(shí)間的退化是緩慢的。因此，在每一個(gè)發(fā)光元件中的初始退化是很難控制的，這導(dǎo)致每個(gè)發(fā)光元件在退化中的變化。
此外，可以在老化驅(qū)動周期內(nèi)向發(fā)光元件施加反向電壓。通過在老化驅(qū)動周期內(nèi)施加反向電壓，能夠預(yù)先檢測到可能會導(dǎo)致缺陷的潛在的短路部分。
在發(fā)光元件中引起缺陷的因素是由于陽極和陰極之間的微小凸起引發(fā)的短路。當(dāng)施加反向電壓時(shí)，大量電流趨于集中流向該微小凸起。當(dāng)這種電流量超過預(yù)定值的時(shí)候，會發(fā)生電介質(zhì)擊穿并且陽極和陰極之間發(fā)生短路。隨后當(dāng)施加正向電壓時(shí)，短路處成為黑點(diǎn)，并被檢測出為缺陷。這樣，通過在老化驅(qū)動周期中施加反向電壓，可以檢測出可以導(dǎo)致缺陷的具有微小凸起的發(fā)光元件。
這種反向電壓使得在老化驅(qū)動的早期階段，可以檢測出可能導(dǎo)致缺陷的電位微小凸起，并且對其采取措施。
當(dāng)檢測出缺陷時(shí)，作為對其的措施可以將其修復(fù)。例如，可以通過激光照射切掉或者移除缺陷從而將其修復(fù)。通過切掉或者移除缺陷，或者說是短路部分，可以采用正常形成的發(fā)光區(qū)進(jìn)行顯示。
注意，向發(fā)光元件施加反向電壓的時(shí)序，也就是，反向電壓施加周期并沒有限定在圖1A和圖1B中所示出的那些。換言之，不必在每一個(gè)幀中都提供反向電壓施加周期。此外，在一個(gè)幀的后半部分中不必提供反向電壓施加周期。
發(fā)光元件的陽極電壓和陰極電壓可以以下列次序中的任何一種相互交換在增加陰極電位之后降低陽極電位，以及在降低陽極電位之后增加陰極電位。
正如采用老化驅(qū)動的情況，僅僅能夠施加正向電壓，或者另外，在驅(qū)動方法中還可以在安裝在產(chǎn)品上之后施加反向電壓。
(實(shí)施方式2)本發(fā)明還具有在安裝在產(chǎn)品上之后對發(fā)光元件中的退化進(jìn)行校正的功能。因此，在本實(shí)施方式中說明的是安裝有監(jiān)視電路的發(fā)光模塊中顯示面板的結(jié)構(gòu)，該監(jiān)視電路用于校正發(fā)光元件中的退化。注意，在本實(shí)施方式中說明了主動型發(fā)光器件。
在圖3中，在絕緣基板之上設(shè)置了像素部分40、信號線驅(qū)動電路43、第一掃描線驅(qū)動電路41、第二掃描線驅(qū)動電路42以及監(jiān)視電路64。
像素部分40設(shè)置有多個(gè)像素10，且每一個(gè)像素都設(shè)置有發(fā)光元件13以及連接到發(fā)光元件13并具有控制電流源功能的晶體管12(下文中稱作驅(qū)動晶體管)。發(fā)光元件連接到電源18。注意，在下面的實(shí)施方式中將舉例說明像素10的具體電路結(jié)構(gòu)。
在上面的實(shí)施方式中所描述的老化驅(qū)動可以依照從信號線驅(qū)動電路43、第一掃描線驅(qū)動電路41、和第二掃描線驅(qū)動電路42輸入的信號來實(shí)施。
圖4是放大圖，示出了監(jiān)視電路64的結(jié)構(gòu)和設(shè)置在像素中的發(fā)光元件13。監(jiān)視電路64包括監(jiān)視發(fā)光元件66、連接至監(jiān)視發(fā)光元件66的晶體管111(下文中稱作監(jiān)視控制晶體管)、以及其輸出端子連接到監(jiān)視控制晶體管的柵極且其輸入端子連接到監(jiān)視控制晶體管的其中一個(gè)電極以及監(jiān)視發(fā)光元件上的反相器112。恒流源105通過監(jiān)視電流線(下文中稱為監(jiān)視線)113連接到監(jiān)視控制晶體管111。在該實(shí)施方式中，恒流源105可以是能夠提供恒定電流并且能夠采用例如晶體管來制造的任意電路。監(jiān)視控制晶體管111具有控制將電流從監(jiān)視線提供給多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件中的每一個(gè)的作用。由于監(jiān)視線113連接到多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件66的電極上，其電位連同電極電位的改變而改變。恒流源可以具有向監(jiān)視線113提供恒定電流的功能。
在監(jiān)視電路64和像素部分40之間設(shè)置有緩沖放大器電路110。該緩沖放大器電路110是具有諸如相等的輸入和輸出電位、高輸入阻抗以及高輸出電流容量特性的電路。因此，本發(fā)明并不局限于緩沖放大器電路，只要使用具有這些特性的電路即可。這種緩沖放大器電路具有連同監(jiān)視發(fā)光元件66的其中一個(gè)電極中電位的變化，而改變施加于包含在像素部分40之內(nèi)的發(fā)光元件13的電壓的功能。
注意圖4中的恒流源105和緩沖放大器電路110對應(yīng)于圖3中的監(jiān)視控制電路65。
監(jiān)視發(fā)光元件66和發(fā)光元件13在相同的條件下以相同的步驟來制造，從而也具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，它們對于環(huán)境溫度的改變和隨時(shí)間進(jìn)行的退化具有相同或者幾乎相同的特性。對于每一發(fā)光元件的特定結(jié)構(gòu)，可以參看下面的實(shí)施方式。
如上所述的監(jiān)視發(fā)光元件66與電源18相連接。在這里，連接到發(fā)光元件13的電源和連接到監(jiān)視發(fā)光元件66的電源具有相等的電位；因此，用相同的參考標(biāo)記表示它們并稱其為電源18。
注意，假定監(jiān)視控制晶體管111的極性為p溝道型來說明該實(shí)施方式。然而，本發(fā)明并不限定于此，也可以替換為采用n溝道型。在那種情況下，外圍電路結(jié)構(gòu)也需適當(dāng)?shù)刈兓?br> 注意，在該實(shí)施方式中，可以在相同的絕緣基板20或者不同的基板之上設(shè)置恒流源105和緩沖放大器電路110。
不限制監(jiān)視電路64的位置，并且可以在信號線驅(qū)動電路43和像素部分40之間，或者在第一掃描線驅(qū)動電路41或者第二掃描線驅(qū)動電路42和像素部分40之間設(shè)置監(jiān)視電路64。
在前述結(jié)構(gòu)中，從恒流源105向監(jiān)視發(fā)光元件66施加恒定電流。當(dāng)在這種狀態(tài)下發(fā)生環(huán)境溫度變化或者隨時(shí)間的退化的時(shí)候，監(jiān)視發(fā)光元件66的阻抗改變。例如，當(dāng)引起隨時(shí)間的退化時(shí)，監(jiān)視發(fā)光元件66的阻抗增加。之后，由于提供給監(jiān)視發(fā)光元件66的電流值是恒定的，在監(jiān)視發(fā)光元件66的兩端之間的電位差改變。特別地，在監(jiān)視發(fā)光元件66的電極之間的電位差改變。此時(shí)，由于連接到電源18的電極電位被固定，連接到恒流源105的電極的電位改變。將該電極之間的電位差通過監(jiān)視線113施加給緩沖放大器電路110。
換言之，將電極之間的電位差輸入給緩沖放大器電路110的輸入端子。將從緩沖放大器電路110的輸出端子輸出的電位通過驅(qū)動晶體管12提供給發(fā)光元件13。特別地，提供被輸出的電位作為發(fā)光元件13的一個(gè)電極的電位。
從而，將與環(huán)境溫度的變化以及隨時(shí)間的退化相關(guān)的在監(jiān)視發(fā)光元件66中的改變反饋給發(fā)光元件13。于是，發(fā)光元件13能夠依照環(huán)境溫度變化以及隨時(shí)間的退化以某一亮度來發(fā)光。因此，能夠提供高質(zhì)量的發(fā)光器件，其能夠獨(dú)立于環(huán)境溫度變化以及隨時(shí)間的退化的影響來顯示圖像。
此外，由于設(shè)置了多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件66，其中的電位變化能夠被平均化并提供給發(fā)光元件13。
對于其中發(fā)生短路等情況的監(jiān)視發(fā)光元件的替換方案，可以通過提供多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件66來準(zhǔn)備。
此外，本發(fā)明中設(shè)置了連接到監(jiān)視發(fā)光元件66的監(jiān)視控制晶體管111和反相器112。提供這些元件，是考慮到由于監(jiān)視發(fā)光元件66中的缺陷(包括初始缺陷和隨時(shí)間的退化)導(dǎo)致監(jiān)視電路64的故障。特別地，通過控制監(jiān)視控制晶體管111接通和關(guān)斷，能夠防止由于監(jiān)視發(fā)光元件66中的缺陷而提供大量電流。反相器112具有當(dāng)多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件中的任何一個(gè)短路時(shí)，輸出使監(jiān)視控制晶體管關(guān)斷的電位的功能，。此外，反相器112具有當(dāng)多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件中沒有任何一個(gè)短路時(shí)，輸出使監(jiān)視控制晶體管接通的電位的功能。
此外，由于采用了多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件66，即使當(dāng)它們中的一個(gè)具有缺陷的時(shí)候也能夠?qū)嵤┍O(jiān)視操作，因此本實(shí)施方式是優(yōu)選的。此外，多個(gè)監(jiān)視發(fā)光元件能夠使監(jiān)視操作平均化，這是優(yōu)選的。
本發(fā)明的發(fā)光器件優(yōu)選具有圖3中的選擇電路46。選擇電路46包括晶體管49和模擬開關(guān)50。每條信號線都配置有晶體管49和模擬開關(guān)50。反相器51具有產(chǎn)生擦除信號(WE)的反相信號的功能。晶體管49的柵電極連接到選擇信號線52。源電極和漏電極之一連接到信號線，另一個(gè)則連接到電源53。將模擬開關(guān)50設(shè)置在第二鎖存電路48和各個(gè)信號線之間。電源53具有電位，在該電位下像素10的驅(qū)動晶體管12關(guān)斷。當(dāng)驅(qū)動晶體管12為n型時(shí)，電源53具有L電平的電位，當(dāng)驅(qū)動晶體管12為p型時(shí)，電源53具有H電平的電位。
圖2A和2B示出輸入給信號線驅(qū)動電路43、第一掃描線驅(qū)動電路41或者第二掃描線驅(qū)動電路42的信號的波形。圖2A示出了啟動時(shí)鐘信號(SCK)、它的反相信號(SCKB)、啟動脈沖信號(SSP)、根據(jù)上述信號產(chǎn)生的采樣信號(Samp.1到Samp.4)、視頻信號(數(shù)據(jù))、鎖存信號(SLAT)以及擦除信號(WE)，其從顯示面板外部輸入給信號線驅(qū)動電路43。在每一采樣信號被選擇的周期內(nèi)，對應(yīng)于每一信號線的視頻信號順次輸入給第一鎖存電路47，并根據(jù)鎖存信號保持第二鎖存電路48。
此時(shí)，假定在周期T1期間擦除信號處于L電平，而在周期T2期間擦除信號處于H電平，解釋每一周期中選擇電路46的工作。每一周期T1和T2對應(yīng)于一半的水平掃描周期。
在周期T1中，擦除信號處于L電平，晶體管49為接通狀態(tài)，模擬開關(guān)50是非導(dǎo)通狀態(tài)。之后，多個(gè)信號線S1到Sn通過配置在每一列中的晶體管49電連接到電源53。此時(shí)，像素10中的開關(guān)晶體管11為接通狀態(tài)，這樣使得電源53的電位等于驅(qū)動晶體管12中的柵電極電位。之后，驅(qū)動晶體管12為關(guān)斷狀態(tài)，這樣使得包含在發(fā)光元件13中的兩個(gè)電極的電位彼此相等。在發(fā)光元件13的兩個(gè)電極之間沒有電流流過，也不發(fā)光。這樣，不依賴于視頻信號的狀態(tài)，電源53的電位被傳送到驅(qū)動晶體管12的柵電極，開關(guān)晶體管11被置于關(guān)斷狀態(tài)，包含在發(fā)光元件13中的兩個(gè)電極的電位變得彼此相等。該操作被稱為擦除操作。
在周期T2中，擦除信號處于H電平，晶體管49為關(guān)斷狀態(tài)，模擬開關(guān)50為導(dǎo)通狀態(tài)。之后，保持在第二鎖存電路48內(nèi)的一行視頻信號被同時(shí)輸入給多個(gè)信號線S1到Sn。此時(shí)，像素10中的開關(guān)晶體管11為接通狀態(tài)，視頻信號通過開關(guān)晶體管11傳送給驅(qū)動晶體管12的柵電極。依照所輸入的視頻信號，驅(qū)動晶體管12被設(shè)置為接通或者關(guān)斷狀態(tài)，發(fā)光元件13的兩個(gè)電極每一個(gè)都具有不同電位或者相等的電位。這樣，依照視頻信號，驅(qū)動晶體管12被設(shè)定成接通狀態(tài)或者關(guān)斷狀態(tài)，發(fā)光元件13的兩個(gè)電極彼此具有不同的電位或者相等的電位。該操作被稱為寫操作。
圖2B示出了從顯示面板外部輸入給第一掃描線驅(qū)動電路41或者第二掃描線驅(qū)動電路42的信號的波形。它示出了門時(shí)鐘信號(GCK)、它的反相信號(GCKB)、從第一掃描線驅(qū)動電路或者第二掃描線驅(qū)動電路輸入給第i行中的掃描線的門啟動脈沖(GSP(i))、以及擦除信號(WE)。根據(jù)這些信號，確定掃描線的電位。當(dāng)掃描線的電位處于L電平時(shí)，虛線表示出不恒定的狀態(tài)。
還在選擇了掃描線的周期內(nèi)，類似地提供T1和T2。因此，能夠?qū)ε渲贸蓶鸥裥问降拿總€(gè)發(fā)光元件實(shí)施寫操作和擦除操作。
正如上面所述，本發(fā)明的發(fā)光器件可以優(yōu)選具有選擇電路46，且可以將實(shí)施擦除操作和寫操作的驅(qū)動方法應(yīng)用于它。采用這種驅(qū)動方法，可以提高孔徑比，這是因?yàn)殚_關(guān)晶體管11和驅(qū)動晶體管12和像素10中的晶體管一樣充足。
可以采用在圖2A和2B中示出的驅(qū)動波形，實(shí)施在上面的實(shí)施方式中描述的老化驅(qū)動。
注意，本發(fā)明的驅(qū)動方法并不局限于此，并且能夠根據(jù)像素結(jié)構(gòu)來決定。
(實(shí)施方式3)在本發(fā)明中，在將發(fā)光模塊安裝在產(chǎn)品上之后，除了正向電壓，還可以將反向電壓施加到發(fā)光元件13和監(jiān)視發(fā)光元件66。這樣，在本實(shí)施方式中說明了在安裝發(fā)光模塊之后施加反向電壓的情況。
利用監(jiān)視發(fā)光元件66進(jìn)行解釋。為了施加反向電壓，將監(jiān)視發(fā)光元件的陽極和陰極電位相互交換。因此，使得監(jiān)視線113的電位變得低于電源18的電位。還有發(fā)光元件13，為了施加反向電壓，可以將陽極和陰極電位相互交換。
此時(shí)，在將發(fā)光元件13和監(jiān)視發(fā)光元件66中的陽極電位反相之后，優(yōu)選反相陰極電位。在預(yù)定的反向電壓周期之后，陽極電位恢復(fù)，且陰極電位然后恢復(fù)。
如上所述，其中施加了反向電壓的驅(qū)動方法能夠在安裝了發(fā)光模塊之后被實(shí)施。注意，采用類似于用于老化驅(qū)動所使用的驅(qū)動電路，能夠?qū)嵤┰诎惭b發(fā)光模塊之后施加反向電壓的驅(qū)動。因此，不必提供用于老化驅(qū)動的新驅(qū)動電路。此外，圖1A和1B能夠作為驅(qū)動的時(shí)序圖而參考。
作為在將發(fā)光模塊安裝在產(chǎn)品之上之后對發(fā)光元件施加反向電壓的結(jié)果，能夠改進(jìn)發(fā)光元件13和監(jiān)視發(fā)光元件66的缺陷狀況，以增強(qiáng)可靠性。此外，在一些情況下，發(fā)光元件13和監(jiān)視發(fā)光元件66可能具有初始缺陷，即由于外部材料的粘連而導(dǎo)致陽極和陰極短路、由陽極和陰極中的微小凸起產(chǎn)生的針孔、以及電致發(fā)光層的不均勻。當(dāng)引起這些初始缺陷時(shí)，根據(jù)信號不能進(jìn)行發(fā)光或者不發(fā)光，且大部分電流流過短路元件。因此，引起圖像不能被令人滿意地顯示的問題。這種缺陷可能在任意像素中出現(xiàn)。
在陽極和陰極之間的另一種短路可以在安裝發(fā)光模塊之后隨著時(shí)間而發(fā)生(隨著時(shí)間退化)。這種缺陷也稱為漸進(jìn)型缺陷。即使在引起漸進(jìn)型缺陷時(shí)，也能夠通過正如在本發(fā)明中對發(fā)光元件13和監(jiān)視發(fā)光元件66周期性地施加反向電壓來校正缺陷。發(fā)光元件13或者監(jiān)視發(fā)光元件66能夠正常操作。
當(dāng)將反向電壓施加給發(fā)光元件13和監(jiān)視發(fā)光元件66時(shí)，電流局部地流向短路部分。短路部分產(chǎn)生熱從而被氧化或者碳化，且短路部分可以被絕緣。之后，電流流到短路部分以外的區(qū)域，且發(fā)光元件13或者監(jiān)視發(fā)光元件66能夠正常操作。
此外，施加反向電壓能夠防止圖像預(yù)燒(burn-in)。圖像預(yù)燒由發(fā)光元件13中的退化引起，并在變化時(shí)變得明顯可識別。然而，通過如本發(fā)明中的施加反向電壓可以減少退化。因此，能夠防止圖像預(yù)燒。
(實(shí)施方式4)本發(fā)明中，可以提供用于防止由發(fā)光元件中亮度變化引起預(yù)燒的結(jié)構(gòu)。因此，在本實(shí)施方式中說明了用于防止預(yù)燒的結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施方式中所描述的發(fā)光器件的像素部分中，像素的數(shù)量相對于顯示器像素的數(shù)量是冗余的。顯示器像素的數(shù)量是對應(yīng)于一幀數(shù)據(jù)的像素?cái)?shù)量。通過這樣提供冗余數(shù)量的像素，顯示屏能夠進(jìn)行移位。因此，能夠防止顯示屏的預(yù)燒。
參照圖8A到8D說明這種顯示屏的運(yùn)轉(zhuǎn)。顯示面板5100具有配置有多個(gè)像素的顯示區(qū)5101。在顯示該顯示屏幕的周期期間，顯示屏5102位于如圖8A所示的顯示區(qū)5101的左上部。在另一個(gè)周期中，顯示屏5102位于如圖8B所示的顯示區(qū)5101的右上部。在又一個(gè)周期中，顯示屏5102位于如圖8C所示的左下部。還在另一個(gè)周期中，顯示屏5102位于如圖8D所示的右下部。這樣，顯示屏被移位。因?yàn)橛脩舨粫械讲贿m，優(yōu)選以這種方式將顯示屏移位。
因此，在顯示區(qū)中的發(fā)光元件的退化過程是均勻的，且能夠減少顯示屏的預(yù)燒。
注意，圖8A到8D示出顯示屏5102以最大限度移位，之后設(shè)置于顯示區(qū)5101的一端。然而，本發(fā)明并不限定于此。例如，在顯示區(qū)5101中顯示的圖像可以以各種方向被移位，而不需要在顯示區(qū)5101內(nèi)移位顯示屏5102。特別地，下面說明在顯示區(qū)中移位特定圖形的情況。在一個(gè)周期內(nèi)，圖形等位于如圖9A中所示出的顯示區(qū)5101內(nèi)。在另一周期內(nèi)，圖形等正如圖9B所示從圖9A向右移位一個(gè)像素。在又一周期內(nèi)，圖形等正如圖9C所示從圖9A向下移位一個(gè)像素。在再一周期內(nèi)，圖形等正如圖9D所示從圖9C向右移位一個(gè)像素。這樣，圖形等從像素移位到像素。在這種情況下，像素的數(shù)量不必相對于顯示器像素的數(shù)量是冗余的。
如上所述，在顯示區(qū)5101中顯示的圖像可以以各種方向移位。換言之，可以防止圖像在相同的位置顯示很長時(shí)間。
特別地，用于例如時(shí)鐘、電池、無線電波情況等的圖標(biāo)顯示的發(fā)光元件，其需要在相同的位置顯示很長時(shí)間，則趨于比其它的發(fā)光元件更顯著地退化。那么，就很容易引起預(yù)燒趨勢。通過正如本實(shí)施方式中的移位顯示屏能夠防止預(yù)燒。
(實(shí)施方式5)在發(fā)明中，發(fā)光元件包括金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層。因?yàn)榧词乖诨旌蠈蛹雍駮r(shí)，所施加的電位只有微小變化，所以發(fā)光元件可以通過采用這種混合層來加厚。注意，在下面的實(shí)施例中描述用于檢驗(yàn)所施加的電位只有微小變化的試驗(yàn)。在該實(shí)施方式中，說明具有金屬氧化物和有機(jī)化合物混合層的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
如圖10所示，本發(fā)明的發(fā)光元件具有彼此相對的第一電極3101和第二電極3102，第一層3111、第二層3112和第三層3113順次層疊在第一電極3101之上。在這種發(fā)光元件中，當(dāng)施加電壓使得第一電極3101的電位變得高于第二電極3102，從第一層3111向第二層3112注入空穴，并從第三層3113向第二層3112注入電子?？昭ê碗娮釉诘诙?112中復(fù)合以激發(fā)發(fā)光材料。之后，當(dāng)回到基態(tài)時(shí)，被激發(fā)的發(fā)光材料發(fā)光。
在這種發(fā)光元件中，能夠加厚每一個(gè)發(fā)光元件。此外，除了第一電極和第二電極之外的至少一層的厚度可以優(yōu)選為在發(fā)出每種顏色光的各個(gè)發(fā)光元件中有所區(qū)別。因此，能夠增大每種顏色的光提取效率。例如，發(fā)出紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光的發(fā)光元件共用具有不透光特性的第一電極3101和具有透光特性的第二電極3102，并且它們每一個(gè)都具有第一層、第二層和第三層。那么，第一層可以對應(yīng)每一發(fā)光顏色都有所區(qū)別。因此，能夠防止光提取效率的降低，這是由在直接通過第二電極識別光的情況與通過第二電極識別由第一電極反射的光的情況之間的光路差引起的。
特別地，當(dāng)光進(jìn)入第一電極時(shí)，在反射光中發(fā)生相位顛倒，從而產(chǎn)生光干涉效應(yīng)。因此，在發(fā)光區(qū)和反射電極之間的光程(也就是折射率×距離)為發(fā)射波長乘以(2m-1)/4(m是給定的正整數(shù))或者是發(fā)射波長的1/4、3/4、5/4...的情況下，光提取效率增加。同時(shí)，在光程為發(fā)射波長乘以m/2(m是給定的正整數(shù))或者是發(fā)射波長的1/2、1、3/2...的情況下，光提取效率降低。
因此，在本發(fā)明的每一發(fā)光元件中，第一到第三層中的任一層的厚度有所區(qū)別，這樣使得在發(fā)光區(qū)和反射電極之間的光程，換言之是折射率×距離，為發(fā)射波長乘以(2m-1)/4(m是給定的正整數(shù))。
特別地，在第一到第三層中，在其中電子和空穴復(fù)合的層與反射電極之間的層的厚度可以有所區(qū)別?？蛇x擇的，在其中電子和空穴復(fù)合的層與透光電極之間的層的厚度可以有所區(qū)別。此外還可選擇的，兩個(gè)層的厚度都可以有所區(qū)別。因此，可以從外部有效地提取光。
特別地，當(dāng)通過采用蒸發(fā)掩模的蒸發(fā)法來形成第一到第三層，從而區(qū)分至少一層的厚度的時(shí)候，能夠采用同樣的蒸發(fā)掩模。另一方面，為了使得電極的厚度有區(qū)別，需要進(jìn)行光刻步驟和蝕刻步驟，這將導(dǎo)致工藝步驟數(shù)量的增加。
換言之，本發(fā)明能夠不增加工藝步驟數(shù)量而防止降低光提取效率。
為了區(qū)分第一到第三層的任一層的每個(gè)厚度，層被加厚。這樣，在本發(fā)明中，采用有機(jī)化合物和作為無機(jī)化合物的金屬氧化物的混合層作為被加厚的層。
通常，由于驅(qū)動電壓增加，不優(yōu)選加厚發(fā)光元件中的層。然而，正如在下面的實(shí)施例中所描述的，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過采用含有有機(jī)化合物和作為無機(jī)化合物的金屬氧化物的層作為被加厚的層，驅(qū)動電壓本身降低，且即使在層被加厚時(shí)也不升高。
通過加厚第一到第三層中的任一層，能夠防止在第一和第二電極之間的短路，且能夠提供具有極小初始退化的新的發(fā)光元件。因此，能夠改進(jìn)發(fā)光元件的成品率，這是非常優(yōu)選的。
接著，說明第一到第三層和電極的材料。
第一層3111是空穴生成層，例如，作為第一層111，可以使用包含空穴傳輸物質(zhì)和具有接收來自空穴傳輸物質(zhì)中電子的特性的物質(zhì)的層。相對于空穴傳輸物質(zhì)，優(yōu)選包含具有從空穴傳輸物質(zhì)中接收電子的特性的物質(zhì)，使得其滿足0.5到2的摩爾比(也就是，具有從空穴傳輸物質(zhì)中接收電子的特性的物質(zhì)/空穴傳輸物質(zhì))。
空穴傳輸層物質(zhì)是具有傳輸空穴而不是電子的特性的物質(zhì)?？梢圆捎美?，芳族胺化合物的有機(jī)化合物，比如4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯(lián)苯(縮寫α-NPD)、4，4’-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯侒]聯(lián)苯(縮寫TPD)、4，4’，4”-三(N，N-二苯胺)三苯胺(縮寫TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]三苯胺(縮寫MTDATA)或者4，4’-二{N-[4-(N，N-二-m-甲苯基胺)苯基]-N-苯胺}聯(lián)苯(縮寫DNTPD)，酞菁化合物，比如酞菁(縮寫H2Pc)，銅酞菁(CuPc)或者氧礬酞菁(縮寫VOPc)等。注意，空穴傳輸層并不只限定于這些材料。
作為具有從空穴傳輸物質(zhì)中接收電子的特性的物質(zhì)，例如可以采用金屬氧化物，比如氧化鉬、氧化釩、或者氧化釕。此外，也可以應(yīng)用金屬的氮化物或者氧氮化物。注意，具有從空穴傳輸物質(zhì)中接收電子的特性的物質(zhì)并不限定于此。
可以通過共同蒸發(fā)法形成第一層3111，其中混合了空穴傳輸物質(zhì)和具有從空穴傳輸物質(zhì)中接收電子的特性的物質(zhì)。特別地，通過結(jié)合相同種類的方法或者不同種類的方法，能夠形成第一層3111，例如，采用電阻加熱蒸發(fā)的共同蒸發(fā)法，采用電子束蒸發(fā)的共同蒸發(fā)法，采用電阻加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)的共同蒸發(fā)法，采用電阻加熱蒸發(fā)和濺射的形成方法，采用電子束蒸發(fā)和濺射的形成方法等。另外，上面描述的實(shí)例是考慮形成包含兩種材料的層而給出的；然而，通過結(jié)合同種方法或者不同種類的方法，也能夠形成含有三種或者更多種類材料的層。
第一層3111可以包含另一種有機(jī)化合物，例如，紅螢烯。通過添加紅螢烯能夠增強(qiáng)可靠性。
另外，第一層3111是包含金屬氧化物的層，比如氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鈷或者氧化銅。另外，也可以應(yīng)用金屬的氮化物或者氧氮化物。
然而，優(yōu)選形成如上所述的具有包含有機(jī)化合物和金屬氧化物的層的第一層3111，這是因?yàn)槟軌蛱岣唠妼?dǎo)率。當(dāng)電導(dǎo)率高時(shí)，能夠加厚第一層3111。
第二層3112是包括發(fā)光層的層。第二層3112可以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。例如，如圖10中所示，第二層3112可以具有包括電子傳輸層3124、空穴傳輸層3122以及空穴注入層3121和發(fā)光層3123的多層結(jié)構(gòu)，或者是發(fā)光層3123的單層。注意，發(fā)光物質(zhì)是具有良好的發(fā)光效率并能夠發(fā)出所期望的發(fā)射波長的光的物質(zhì)。
優(yōu)選第二層3112是其中將發(fā)光物質(zhì)分散在具有與發(fā)光物質(zhì)相比更大的能量間隙的物質(zhì)層上的層。然而，第二層并不限定于此。注意，能量間隙指的是在LUMO電平和HOMO電平之間的能量間隙。此外，發(fā)光物質(zhì)可以是具有良好發(fā)光效率且能夠發(fā)出所期望的發(fā)射波長的光的物質(zhì)。
作為用于分散到發(fā)光物質(zhì)的物質(zhì)，例如，能夠采用蒽衍生物，比如9，10-二(2-萘基)-2-叔-丁蒽(縮寫t-BuDNA)，咔唑衍生物，比如4，4’-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫CBP)，金屬絡(luò)合物，比如二[2-(2-羥基苯基)嘧啶]鋅(縮寫Znpp2)或者二[2-(2-羥苯基)苯并噁唑]鋅(縮寫ZnBOX)等。然而，用于分散發(fā)光物質(zhì)的物質(zhì)并不特別地限定于這些材料。如上所述的結(jié)構(gòu)能夠防止從發(fā)光物質(zhì)發(fā)出的光由于濃度而熄滅。
當(dāng)將第二層3112形成為用于發(fā)出白光的發(fā)光層的時(shí)候，通過利用蒸發(fā)法等在第一電極101之上順次層壓TPD(芳香二元胺)、3-(4-特-正丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯)-1，2，4-三唑(縮寫TAZ)、三(8-喹啉)鋁(縮寫Alq3)，摻雜有尼羅紅的Alq3，尼羅紅是一種紅色發(fā)光色素，以及Alq3來形成第二層3112。
可選擇的，也可以通過利用蒸發(fā)法等在第一電極101之上順次層壓NPB、摻雜有二萘嵌苯的NPB、摻雜有DCM1的二(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚-鋁(縮寫B(tài)Alq)、BAlq以及Alq3來形成。
另外，通過將作為電子傳輸劑的30wt％的2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-特-正丁基苯基)-1，3，4-惡二唑(縮寫PBD)分散到PVK之中以及將足夠量的四種色素(TPB、香豆素6、DCM1、尼羅紅)分散，能夠獲得白光發(fā)射。
注意，發(fā)光層的材料可以從除了上面所描述的發(fā)光材料之外的能夠提供白光發(fā)射的材料中適當(dāng)選擇。
此外，當(dāng)?shù)诙?112具有層壓結(jié)構(gòu)以及發(fā)出具有彼此互補(bǔ)的色彩關(guān)系的彩色光的材料的時(shí)候，例如，將發(fā)紅光的和發(fā)藍(lán)綠光的用作第一層和第二層的發(fā)光材料，也能夠獲得白光發(fā)射。
此外，可以采用發(fā)出紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光的發(fā)光材料形成第二層3112。
為了獲得紅光發(fā)射，可以應(yīng)用下面的物質(zhì)4-二氰亞甲基-2-異丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-某基)乙烯基]4H-吡喃(縮寫DCJTI)、4-二氰亞甲基-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-某基)乙烯基]4H-吡喃(縮寫DCJT)、4-二氰亞甲基-2-特-丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-某基)乙烯基]4H-吡喃(縮寫DCJTB)、periflanthene、2-5-二氰-1，4-二[2-(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-某基)乙烯基]苯、二[2，3-二(4-氟苯基)喹喔啉]乙酰丙酮化銥(縮寫Ir[Fdpq]2(acac))等。然而，本發(fā)明不必限定于這些材料，能夠發(fā)出發(fā)射光譜的峰值處于600nm到680nm的光的物質(zhì)都可以被采用。
為了獲得綠光發(fā)射，可以應(yīng)用N，N’-喹吖二甲基酮(縮寫DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-喹啉)鋁(縮寫Alq3)等。然而，本發(fā)明不限定于這些材料，能夠發(fā)出發(fā)射光譜的峰值處于500nm到550nm的光的物質(zhì)都可以被采用。
為了獲得藍(lán)光發(fā)射，可以應(yīng)用下面的物質(zhì)9，10-二(2-萘基)-特-丁蒽(縮寫t-BuDNA)、9，9’-二蒽、9，10-聯(lián)苯蒽(縮寫DPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(縮寫DNA)、二(2-甲基-8-喹啉)-4-苯酚-鎵(縮寫B(tài)Gaq)、二(2-甲基-8-喹啉)-4-苯酚-鋁(縮寫B(tài)Alq)等。然而，本發(fā)明不限定于這些材料，能夠發(fā)出發(fā)射光譜的峰值處于420nm到500nm的光的物質(zhì)都可以被采用。
第三層3113是電子發(fā)生層。例如，可以采用包含電子傳輸物質(zhì)和包含具有將電子施加給電子傳輸物質(zhì)的性能的物質(zhì)的層作為第三層3113。注意，電子傳輸物質(zhì)是具有傳輸電子而不是空穴的性能的物質(zhì)。例如，可以采用金屬絡(luò)合物，比如三(8-喹啉)鋁(縮寫Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉)鋁(縮寫Almq3)、二(10-羥苯基[H]-喹啉)鈹(縮寫B(tài)eBq2)、二(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚鋁(縮寫B(tài)Alq)、二[2-(2-羥苯基)苯并噁唑]鋅(縮寫Zn(BOX)2)或者二[2-(2-羥苯基)苯并噻唑]鋅(縮寫Zn(BTZ)2)。此外，可以采用下列物質(zhì)作為電子傳輸層2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-特-正丁基苯基)-1，3，4-惡二唑(縮寫PBD)、1，3-二[5-(p-特-正丁基苯基)-1，3，4-惡二唑-2-某基]苯(縮寫OXD-7)、3-(4-特-正丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯)-1，2，4-三唑(縮寫TAZ)、3-(4-特-正丁基苯基)-4-(4-乙烷基苯基)-5-(4-聯(lián)苯)-1，2，4-三唑(縮寫p-EtTAZ)、紅菲繞啉(bathophenanthroline)(縮寫B(tài)Phen)、bathocuproin(batho亞銅試劑)(縮寫B(tài)CP)、4，4’-二(5-甲苯噁唑-2-某基)芪(縮寫B(tài)zOS)等。然而，電子傳輸物質(zhì)并不限定于這些材料。
此外，可以采用諸如鋰或者銫這些堿金屬、諸如鎂或者鈣這些堿土金屬、諸如鉺或者鐿這些稀土金屬等作為具有向電子傳輸物質(zhì)注入電子的特性的物質(zhì)。然而，具有向電子傳輸物質(zhì)注入電子的特性的物質(zhì)并不限定于此。注意，相對于電子傳輸物質(zhì)優(yōu)選包含具有向電子傳輸物質(zhì)注入電子的特性的物質(zhì)，使得其滿足0.5到2的摩爾比(也就是，具有向電子傳輸物質(zhì)注入電子的特性的物質(zhì)/電子傳輸物質(zhì))。
此外，第三層3113可以是含有諸如氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅、氧化錫或者氧化鈦物質(zhì)的層。
在上面所描述的發(fā)光元件中，在包含在第三層3113內(nèi)的電子傳輸物質(zhì)，和包含在第二層3112中在和各層中的第三層3113接觸的層中所含的物質(zhì)之間的電子吸引力的差值優(yōu)選為2eV或者更少，更優(yōu)選1.5eV或者更少。當(dāng)采用n-型半導(dǎo)體制得第三層3113時(shí)，在n-型半導(dǎo)體的功函數(shù)，和包含在第二層3112中在和各層中的第三層3113接觸的層中所含的物質(zhì)的電子吸引力的差值優(yōu)選為2eV或者更少，更優(yōu)選1.5eV或者更少。
注意，在第二層3112具有層狀結(jié)構(gòu)的情況下，包含在第二層3112中的與各層中的第三層3113接觸的層與電子傳輸層3124相對應(yīng)。
第二層3112可以為具有發(fā)光層的單層結(jié)構(gòu)，或者是沒有電子傳輸層3124的結(jié)構(gòu)等。
如上所述，第二層3112和第二電極3102由第三層3113連接，因此，電子可以被很容易的從第二電極3102注入第二層3112。
隨后，說明電極的情況。采用能夠透射可見光的導(dǎo)電物質(zhì)形成第一電極3101和第二電極3102其中之一。因此，通過第一電極3101和第二電極3102其中之一能夠在外部激勵(lì)發(fā)光。
作為形成第一電極3101的材料，除了鋁(Al)或者透光材料，比如氧化銦錫(ITO)、含有氧化硅的氧化銦錫(也稱作ITSO)或者含有2％到20％的氧化鋅的氧化銦，還有金屬材料金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)等。第一電極可以具有這些材料之一的單層結(jié)構(gòu)或者是它們的多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)谝浑姌O需要具有透光特性的時(shí)候，即使在采用具有不透光特性的金屬材料的情況下，也能夠通過薄型化使其形成，具有透光性。此外，可以在其上層壓透光材料。自然，可以采用半透光的單層金屬材料。注意，第一電極3101的材料并不限定于這些材料。
作為形成第二電極3102的材料，除了透光材料，比如氧化銦錫(ITO)、含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)或者含有2％到20％的氧化鋅的氧化銦，還有金屬材料金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)等。第二電極3102可以具有這些材料之一的單層結(jié)構(gòu)或者是它們的多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)诙姌O需要具有透光特性的時(shí)候，即使在采用具有不透光特性的金屬材料的情況下，也能夠通過薄型化使其形成，具有透光性。此外，可以在其上層壓透光材料。自然，可以采用半透光的單層金屬材料。注意，第二電極3102的材料并不限定于這些材料。
可以通過濺射法、蒸發(fā)法等形成第一電極3101或第二電極3102。
如上所述，可以在第三層3113和發(fā)光層3123之間形成電子傳輸層3124。以這種方式，通過提供電子傳輸層3124能夠增加從發(fā)光層3123到第二電極3102或者包含金屬的第三層3113之間的距離。這樣光可以由于金屬而防止熄滅。注意，電子傳輸層3124具有傳輸由第二電極3102注入到發(fā)光層3123的電子的功能。
采用上述的Alq3、Almq3、BeBq2、BAlq、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2、PBD、OXD-7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCP等形成電子傳輸層3124。不限定于這些材料，可以通過采用其中電子遷移率高于空穴的遷移率的電子傳輸物質(zhì)形成電子傳輸層。特別地，優(yōu)選通過采用具有10-6cm2/Vs或者更高的電子遷移率的物質(zhì)形成電子傳輸層3124。此外，電子傳輸層3124可以具有通過將兩層或者更多層由上述物質(zhì)制得的層結(jié)合來形成的多層結(jié)構(gòu)。
在該實(shí)施方式中，如圖10中所示，空穴傳輸層3122能夠在第一電極3101和發(fā)光層3123之間形成。以這種方式，通過提供空穴傳輸層3122能夠增加從發(fā)光層3123到第一電極3101或者含有金屬氧化物的第一層3111之間的距離。這樣，光可以由于金屬而防止熄滅。注意，空穴傳輸層3122具有傳輸由第一電極3101注入到發(fā)光層3123的空穴的功能。
可將上述的α-NPD、TPD、TDATA、MTDATA、DNTPD等用于空穴傳輸層3122。然而，空穴傳輸層3122并不特別限定于此。可以采用其中空穴遷移率高于電子遷移率的上述空穴傳輸物質(zhì)形成空穴傳輸層3102。特別地，優(yōu)選采用具有10-6cm2/Vs或者更高的空穴遷移率的物質(zhì)形成空穴傳輸層3122?？昭▊鬏攲?122可以具有通過將兩層或者更多層由上述物質(zhì)制得的層結(jié)合來形成的多層結(jié)構(gòu)。
如圖10所示，可以在第一電極3101和空穴傳輸層3122之間設(shè)置空穴注入層3121。注意，空穴注入層3121具有幫助空穴從第一電極3101注入到空穴傳輸層3122的功能。注意，由于存在第一層3111，設(shè)置空穴注入層3121不是必須的。換言之，第一層3111可以具有幫助空穴注入的功能。
可以采用金屬氧化物比如氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢或者氧化錳來形成空穴注入層3121。此外，也可以采用上面所述的酞菁化合物，比如H2Pc、CuPc或者VOPc，芳族胺化合物，比如DNTPD或者高分子量材料比如聚(乙烯基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸酯)混合物(PEDOT/PSS)。此外，可以采用上述含有空穴傳輸物質(zhì)和具有從空穴傳輸物質(zhì)中接收電子的特征的物質(zhì)來形成空穴注入層3121?？昭ㄗ⑷雽?121并不限定于此。另外，空穴注入層3121也可以用作第一層3111。
這樣，非常優(yōu)選在能被加厚的發(fā)光元件上實(shí)施老化驅(qū)動。原因如下。當(dāng)發(fā)光元件很薄時(shí)，在陽極和陰極之間引發(fā)多處短路。老化處理需要被執(zhí)行較長時(shí)間，目的是修復(fù)發(fā)光元件中的短路。然而，在如本發(fā)明中的被加厚的發(fā)光元件中，減少了陽極和陰極之間的短路數(shù)量；因此，通過實(shí)施老化驅(qū)動可以簡單地修復(fù)短路部分。
(實(shí)施方式6)在該實(shí)施方式中，參照圖13A和13B以及14說明在發(fā)光器件中所包含的像素的等效電路圖。
圖13A是像素的等效電路圖的實(shí)例，其包括信號線6114，電源線6115，掃描線6116和6119，以及發(fā)光元件13、晶體管11、12和6118，以及位于信號線6114、電源線6115和掃描線6116和6119之內(nèi)區(qū)域中的電容元件16。從信號線驅(qū)動電路向信號線6114輸入視頻信號。晶體管11被稱作開關(guān)晶體管，其能夠根據(jù)輸入給掃描線6116的選擇信號來對送入晶體管12的柵電極的視頻信號電位的供給進(jìn)行控制。晶體管12被稱作驅(qū)動晶體管，其能夠根據(jù)視頻信號電位來對送入發(fā)光元件13的電流的供給進(jìn)行控制。根據(jù)對應(yīng)于所提供的電流發(fā)光元件的發(fā)光條件來實(shí)施顯示。電容元件16能夠保持在晶體管12的柵電極和源電極之間的電位。晶體管6118被稱作擦除晶體管，其能夠通過使得晶體管12的柵電極和源電極之間的電位彼此相等來強(qiáng)制電流不流入發(fā)光元件13。因此，子幀周期的長度可能小于用于將視頻信號輸入所有像素的周期的長度。注意，在圖13A中示出了電容元件16；然而，如果晶體管12的柵電極電容或者其它寄生電容能夠代替它，就不需要設(shè)置它。
圖13B是像素的等效電路圖，其中是在圖13A中所示的像素中又另外設(shè)置了晶體管6125和導(dǎo)線6126。通過導(dǎo)線6126來固定晶體管6125的柵電極電位。此外，將晶體管12串連連接到電源線6115和發(fā)光元件13之間的晶體管6125上。因此，在圖13B中，晶體管6125控制提供給發(fā)光元件13的電流量，并且晶體管12控制是否有電流提供或者不提供給發(fā)光元件13。
可以通過數(shù)學(xué)方法驅(qū)動在上文中圖13A和13B中示出的像素的等效電路。
圖14示出的像素的等效電路可以通過數(shù)字方法或者模擬方法來驅(qū)動。在圖14中，設(shè)置了信號線6114，電源線6115，以及掃描線6116，以及發(fā)光元件6113，晶體管6110、6120和6121，以及位于信號線6114、電源線6115、和掃描線6116之內(nèi)區(qū)域中的電容元件6112。在圖14中，晶體管6120和6121組成電流鏡像電路，并且它們都是p型晶體管。在這種電路中，在應(yīng)用數(shù)字方法的情況下，從信號線6114輸入數(shù)字視頻信號，且提供給發(fā)光元件6113的電流量由時(shí)間灰度標(biāo)法來控制。在應(yīng)用模擬方法的情況下，從信號線6114輸入模擬視頻信號，且提供給發(fā)光元件6113的電流量根據(jù)信號值來控制。
即使在數(shù)字方法或者模擬方法能這樣應(yīng)用于像素電路的情況下，也能將正向電壓施加周期和反向電壓施加周期設(shè)置在如圖1A和1B所示出的且在前面的實(shí)施方式中所描述的用于老化驅(qū)動等的一幀中。
換言之，能夠不受像素結(jié)構(gòu)限制地應(yīng)用其中施加了反向電壓和正向電壓的驅(qū)動方法。此外，也可以不受像素結(jié)構(gòu)限制地應(yīng)用老化驅(qū)動。
該實(shí)施方式可以和上述實(shí)施方式自由組合。
(實(shí)施方式7)在本實(shí)施方式中說明包含發(fā)光元件的像素的橫截面結(jié)構(gòu)。參照圖11A到11C描述在用于控制供給如上所述的發(fā)光元件的電流源的驅(qū)動晶體管是p型薄膜晶體管(TFT)的情況下，像素的橫截面結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，其電壓能夠被晶體管控制的，包括在發(fā)光元件中的陽極和陰極這兩電極之一，被稱作第一電極，而另一個(gè)被稱作第二電極。圖11A到11C示出了第一電極是陽極而第二電極是陰極的情況；然而，第一電極可以是陰極而第二電極可以是陽極。
圖11A是TFT6001為p型的情況下像素的橫截面圖，從發(fā)光元件6003中發(fā)出的光通過第一電極6004來提取。在圖11A中，發(fā)光元件6003的第一電極6004電連接到TFT6001。
TFT6001覆蓋有層間絕緣膜6007，以及具有形成在層間絕緣膜6007之上的開口的堤部6008。第一電極6004在堤部6008的開口內(nèi)部分地露出，第一電極6004、電致發(fā)光層6005和第二電極6006順次層疊在開口上。電致發(fā)光層6005對應(yīng)于圖10中的第一層3111、第二層3112以及第三層3113。
可以采用有機(jī)樹脂膜、無機(jī)絕緣膜或者由硅氧基材料形成的包括Si-O-Si鍵的絕緣膜(下文中稱為硅氧基絕緣膜)形成層間絕緣膜6007。注意，硅氧基具有由硅(Si)和氧(O)鍵合形成的構(gòu)架。采用至少包含氫的有機(jī)基(比如烷基或者芳烴)作為取代基。還可以采用氟代基作為取代基。另外，可以采用至少包含氫的有機(jī)基或者氟代基作為取代基?？梢詫⒈环Q作低介電常數(shù)材料(低k材料)的材料用于層間絕緣膜6007。
可以采用有機(jī)樹脂膜、無機(jī)絕緣膜或者硅氧基絕緣膜能夠形成堤部6008。例如，丙烯酸、聚酰亞胺、聚酰胺等能夠被用作有機(jī)樹脂膜，氧化硅。氮氧化硅等被用作無機(jī)絕緣膜。特別地，將感光性有機(jī)樹脂膜用作堤部6008，在堤部6008內(nèi)形成開口并設(shè)在第一電極6004之上，且將堤部的一側(cè)形成為具有連續(xù)曲率的傾斜表面。因此，能夠防止第一電極6004和第二電極6006彼此連接。
采用透光材料或者采用具有能透光的厚度的材料來形成第一電極6004，且采用適用于陽極的材料來形成。特定的材料可以涉及前面的實(shí)施方式。注意的是，當(dāng)采用除了發(fā)光材料之外的其它材料時(shí)，形成第一電極6004使其具有能夠透光的這樣的厚度(優(yōu)選為大約5nm到30nm)。
采用反光或者屏蔽材料或者采用具有能夠反射或者屏蔽光的厚度的材料來形成第二電極6006，且可以采用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或者它們的混合物等來形成。特定的材料可以涉及前面的實(shí)施方式。
在圖11A中示出的像素中，從發(fā)光元件6003中發(fā)出的光能夠通過第一電極6004如輪廓箭頭所示的被提取。
其次，圖11B是TFT6011為p型的情況下像素的橫截面圖，從發(fā)光元件6013中發(fā)出的光通過第二電極6016來提取。在圖11B中，發(fā)光元件6013的第一電極6014電連接到TFT6011。另外，在第一電極6014之上順次層疊電致發(fā)光層6015和第二電極6016。
采用反光或者屏蔽材料或者采用具有能夠反射或者屏蔽光的厚度的材料來形成第一電極6014，且采用適用于陽極的材料來形成?？梢圆捎门c圖11A中所示出的第二電極的材料相類似的材料來形成。
采用透光材料或者采用具有能透光的厚度的材料來形成第二電極6016，且可以采用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或者它們的混合物等來形成?？梢圆捎门c圖11A中所示出的第一電極的材料相類似的材料來形成。
可以像在圖11A中的電致發(fā)光層6005的情形那樣形成電致發(fā)光層6015。
在圖11B所示出的像素中，從發(fā)光元件6013發(fā)出的光能夠通過第二電極6016如輪廓箭頭所示的被提取。
接下來，圖11C是TFT6021為p型的情況下像素的橫截面圖，從發(fā)光元件6023中發(fā)出的光通過第一電極6024和第二電極6026來提取。在圖11C中，發(fā)光元件6023的第一電極6024電連接到TFT6021。另外，在第一電極6024之上順次層疊電致發(fā)光層6025和第二電極6026。
可以像在圖11A中的第一電極6004的情形那樣形成第一電極6024?？梢韵裨趫D11B中的第二電極6016的情形那樣形成第二電極6026。可以像在圖11A中的電致發(fā)光層6005的情形那樣形成電致發(fā)光層6025。
在圖11C所示出的像素中，從發(fā)光元件6023發(fā)出的光能夠通過第一電極6024和第二電極6026如輪廓箭頭所示的被提取。
本實(shí)施方式可以和前面的實(shí)施方式自由組合。
(實(shí)施方式8)參照圖12A到12C描述在本實(shí)施方式中，在用于控制供給發(fā)光元件的電流源的驅(qū)動晶體管是n型TFT的情況下，像素的橫截面結(jié)構(gòu)。注意，圖12A到12C示出了第一電極是陰極而第二電極是陽極的情況；然而，第一電極可以是陽極而第二電極可以是陰極。
圖12A是TFT6031為n型的情況下像素的橫截面圖，從發(fā)光元件6033中發(fā)出的光通過第一電極6034來提取。在圖12A中，發(fā)光元件6033的第一電極6034電連接到TFT6031。另外，在第一電極6034之上順次層疊電致發(fā)光層6035和第二電極6036。
采用透光材料或者采用具有能透光的厚度的材料來形成第一電極6034，且可以采用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或者它們的混合物等來形成。特定的材料可以涉及前面的實(shí)施方式。
采用反光或者屏蔽材料或者采用具有能夠反射或者屏蔽光的厚度的材料來形成第二電極6036，且采用適用于陽極的材料來形成。特定的材料可以涉及前面的實(shí)施方式。
可以像在圖11A中的電致發(fā)光層6005的情形那樣形成電致發(fā)光層6035。當(dāng)電致發(fā)光層6035具有除了發(fā)光層之外的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的任何一個(gè)的時(shí)候，在第一電極6034之上順次層疊電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。
在圖12A中示出的像素的情況中，從發(fā)光元件6033中發(fā)出的光能夠通過第一電極6034如輪廓箭頭所示的被提取。
其次，圖12B是TFT6041為n型的情況下像素的橫截面圖，從發(fā)光元件6043中發(fā)出的光通過第二電極6046來提取。在圖12B中，發(fā)光元件6043的第一電極6044電連接到TFT6041。另外，在第一電極6044之上順次層疊電致發(fā)光層6045和第二電極6046。
采用反光或者屏蔽材料或者采用具有能夠反射或者屏蔽光的厚度的材料來形成第一電極6044，且可以采用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、或者它們的混合物等來形成。特定的材料可以涉及前面的實(shí)施方式。
采用光透材料或者采用具有能夠透光的厚度的材料來形成第二電極6046，且采用適用于陽極的材料來形成。特定的材料涉及前面的實(shí)施方式。注意的是，當(dāng)采用除了透光導(dǎo)電氧化物材料之外的其它材料時(shí)，形成第二電極6046使其具有能夠透光的這樣的厚度(優(yōu)選為大約5nm到30nm)。
可以像在圖12A中的電致發(fā)光層6035的情形那樣形成電致發(fā)光層6045。
在圖12B所示出的像素中，從發(fā)光元件6043發(fā)出的光能夠通過第二電極6046如輪廓箭頭所示的被提取。
接下來，圖12C是TFT6051為n型的情況下像素的橫截面圖，從發(fā)光元件6053中發(fā)出的光通過第一電極6054和第二電極6056來提取。在圖12C中，發(fā)光元件6053的第一電極6054電連接到TFT6051。另外，在第一電極6054之上順次層疊電致發(fā)光層6055和第二電極6056。
可以像在圖12A中的第一電極6034的情形那樣形成第一電極6054。可以像在圖12B中的第二電極6046的情形那樣形成第二電極6056?？梢韵裨趫D12A中的電致發(fā)光層6035的情形那樣形成電致發(fā)光層6055。
在圖12C所示出的像素中，從發(fā)光元件6053發(fā)出的光能夠通過第一電極6054和第二電極6056如輪廓箭頭所示的被提取。
本實(shí)施方式可以和前面的實(shí)施方式自由組合。
(實(shí)施方式9)如下所示，可以給出設(shè)置有本發(fā)明的發(fā)光器件的電子裝置的實(shí)例電視裝置(也簡稱為電視或者電視接收機(jī))、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、蜂窩電話裝置(也簡稱為蜂窩電話或者手機(jī))、便攜式信息終端如PDA、便攜式游戲機(jī)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器(monitor)、計(jì)算機(jī)、音頻放音裝置如汽車音響、包括記錄介質(zhì)如家用游戲機(jī)的圖像重放裝置等等。下面參照圖21A到21F說明它們的實(shí)例。
圖21A所示的便攜式信息終端包括主體9201、顯示部分9202等。顯示部分9202能夠應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件。因此，有可能提供一種便攜式信息終端，其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
圖21B所示的數(shù)碼攝像機(jī)包括顯示部分9701、顯示部分9702等。顯示部分9701和顯示部分9702能夠應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件。因此，有可能提供一種數(shù)碼攝像機(jī)，其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
圖21C所示的蜂窩電話包括主體9101、顯示部分9102等。顯示部分9102能夠應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件。因此，有可能提供一種蜂窩電話，其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
圖21D所示的便攜式電視裝置包括主體9301、顯示部分9302等。顯示部分9302能夠應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件。因此，有可能提供一種便攜式電視裝置，其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。另外，本發(fā)明的發(fā)光器件可以被應(yīng)用在范圍從安裝在便攜式終端比如蜂窩電話、便攜式的媒體電視裝置上的小型電視裝置到大型電視裝置(例如40寸或者更大)的廣大電視裝置的領(lǐng)域中。
圖21E所示的便攜式計(jì)算機(jī)包括主體9401、顯示部分9402等。顯示部分9402能夠應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件。因此，有可能提供一種便攜式計(jì)算機(jī)，其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
圖21F所示的電視裝置包括主體9501、顯示部分9502等。顯示部分9502能夠應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件。因此，有可能提供一種電視裝置，其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件，有可能提供一種電子裝置，具有取決于均勻化的退化狀態(tài)的高可靠性以及取決于隨時(shí)間而退化的變化的降低而改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
(實(shí)施方式10)在本實(shí)施方式中說明配置有在前面的實(shí)施方式中所描述的顯示面板的完整的蜂窩電話900的實(shí)例。
在如圖22所示的蜂窩電話900中，利用樞軸910將包括操作開關(guān)904、麥克風(fēng)905等的主體(A)901連接到包括顯示面板(A)908、顯示面板(B)909、揚(yáng)聲器906等的主體(B)902上，并使其能夠被接通或者關(guān)閉。顯示面板(A)908和顯示面板(B)909和電路板907一起安放在主體(B)902的底板903中。顯示面板(A)908和顯示面板(B)909的像素部分配置成能夠通過接通形成在底板903內(nèi)的視窗可見。
關(guān)于顯示面板(A)908和顯示面板(B)909，可以根據(jù)蜂窩電話900的功能大致確定其規(guī)格，比如像素?cái)?shù)量。例如，顯示面板(A)908和顯示面板(B)909能夠被組合起來分別作為主屏幕和子屏幕。在應(yīng)用二側(cè)顯示面板的情況下，該二側(cè)顯示面板在兩側(cè)方向上發(fā)光，一個(gè)二側(cè)顯示面板能夠?qū)嵤╋@示面板(A)的顯示和顯示面板(B)的顯示。
至少顯示面板(A)908配置有具有本發(fā)明的監(jiān)視發(fā)光元件的顯示面板，并且在將顯示面板安裝在底板903上之前進(jìn)行老化驅(qū)動。因此，配置有本發(fā)明的顯示面板的蜂窩電話能夠獲得其由于退化狀態(tài)均勻化而具有高可靠性并且由于隨時(shí)間而退化的變化的降低而具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
通過采用這種顯示面板，顯示面板(A)908可以是顯示字符和圖像的高清晰度彩色顯示屏，且顯示面板(B)909可以是顯示文本信息的單色信息顯示屏。特別地，當(dāng)顯示面板(B)909是具有較高清晰度的主動矩陣型時(shí)，其能夠顯示各種類型的文本信息，以提高每一屏幕的信息顯示密度。例如，當(dāng)顯示面板(A)908是具有64灰度標(biāo)度和260000色的2到2.5寸QVGA(320點(diǎn)×240點(diǎn))面板，以及顯示面板(B)909是具有2-8灰度和180到220ppi的單色高清晰度面板的時(shí)候，能夠顯示日本漢字(中國字符)、阿拉伯字母等以及羅馬字母、平假名(日本草書音節(jié)字符)以及片假名(日本角形音節(jié)字符)。
根據(jù)本實(shí)施方式的蜂窩電話能夠根據(jù)其功能或者應(yīng)用修改為各種方式。例如，其可以是通過在樞軸910內(nèi)應(yīng)用圖像元件而配置有攝像頭的蜂窩電話。即使當(dāng)將操作開關(guān)904、顯示面板(A)908和顯示面板(B)909設(shè)置在一個(gè)底板中并且被集成的時(shí)候，也能夠獲得前面所述的效果。此外，當(dāng)將該實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)應(yīng)用到設(shè)置有多個(gè)顯示部分的信息顯示終端中時(shí)，也能夠獲得相似的效果。
(實(shí)施例1)在本實(shí)施例中將特別說明在產(chǎn)品上安裝發(fā)光模塊之前和之后的驅(qū)動方法，以及用于該方法的驅(qū)動電路。
正如在前面的實(shí)施方式中所描述的，在將其安裝在產(chǎn)品上之前對發(fā)光模塊進(jìn)行老化處理，以在發(fā)光元件內(nèi)部引起初始退化。此時(shí)，優(yōu)選提供反向電壓施加周期以簡單檢測發(fā)光元件中的退化和缺陷。在印刷電路板之上形成用于實(shí)施這種驅(qū)動的驅(qū)動電路81并將其通過如圖5A中所示的FPC80連接到包括像素部分40、信號線驅(qū)動電路43以及掃描線驅(qū)動電路41的顯示面板。
隨后，在和產(chǎn)品末端的底板內(nèi)的發(fā)光模塊相結(jié)合之前，如圖5B所示地移除用于老化驅(qū)動的驅(qū)動電路。特別地，優(yōu)選移除在老化驅(qū)動中用于施加反向電壓的驅(qū)動電路。在本實(shí)施例中，通過切掉印刷電路板來移除驅(qū)動電路。自然的，可以將驅(qū)動電路從印刷電路板分離。
如上所述的驅(qū)動電路可以和基底之上的像素部分一體成型。這樣，可以通過刻線或者切割來切分基底來移除驅(qū)動電路。
如上所述的驅(qū)動電路可以再生用于多個(gè)發(fā)光模塊。這樣，可以將驅(qū)動電路放在老化處理室中并通過端子連接到發(fā)光模塊，可以僅僅在斑點(diǎn)上進(jìn)行老化驅(qū)動。
此外，如上所述的驅(qū)動電路可以保持安裝在面板上。其能夠不需要向驅(qū)動電路輸入信號以及操作它而安裝。
如上所述，將其在產(chǎn)品上安裝之后不需要施加反向電壓就能驅(qū)動發(fā)光模塊。因此，驅(qū)動電路能夠不需要被移除而防止被操作。
圖6示出用于驅(qū)動電路的電源系統(tǒng)。電源系統(tǒng)包括電源IC4002和其外圍部件。電源IC包括開關(guān)調(diào)節(jié)器4003、4004和4005、運(yùn)行放大器、恒流源4006以及電平移位電路4007。來自電池的電壓VATT在開關(guān)調(diào)節(jié)器4003、4004和4005中逐步升高或者降低，并被提供給顯示面板。通過逐步升高來自電平移位電路4007中的控制IC4001的信號并將其提供給開關(guān)電路4008，能夠進(jìn)行具有正向電壓和反向電壓的AC驅(qū)動。
下面說明開關(guān)電路4008的操作。首先，當(dāng)向發(fā)光元件施加正向電壓的時(shí)候，電流通過連接到運(yùn)行放大器的輸出端的開關(guān)流進(jìn)連接到顯示面板上每一發(fā)光元件的R端子(R)、G端子(G)和B端子(B)。此時(shí)，陰極連接到GND。然而，不一定將陰極連接到GND，只要電壓對于確保發(fā)光元件發(fā)光足夠高就好。
接下來，當(dāng)將反向電壓施加給發(fā)光元件的時(shí)候，將R端子、G端子和B端子通過開關(guān)電路4008連接到GND。此時(shí)，陰極連接到開關(guān)調(diào)節(jié)器4004的輸出端。由于開關(guān)調(diào)節(jié)器4004的輸出電壓比GND高出很多，反向電壓被施加給每一發(fā)光元件。
在老化驅(qū)動時(shí)能夠?qū)嵤┤缟纤龅腁C驅(qū)動。
圖7示出了在老化驅(qū)動之后用于將發(fā)光模塊安裝在產(chǎn)品上的電源系統(tǒng)。該電源系統(tǒng)包括電源IC4102和其外圍部件。電源IC包括開關(guān)調(diào)節(jié)器4103、4104和4105、運(yùn)行放大器以及恒流源4106。電池電壓VATT在開關(guān)調(diào)節(jié)器4103、4104和4105中逐步升高或者降低，并被提供給顯示面板。將R端子、G端子和B端子連接到運(yùn)行放大器的輸出端，且將陰極連接到GND。然而，不一定將陰極連接到GND，只要電壓對于確保發(fā)光元件發(fā)光足夠高就好。
注意，如圖6所示的開關(guān)電路4008并沒有在圖7中設(shè)置。這是由于，如果在老化處理步驟中除去初始缺陷，且不產(chǎn)生發(fā)展性缺陷，在將發(fā)光模塊安裝在產(chǎn)品上之后，不必實(shí)施AC驅(qū)動。特別地，本發(fā)明中含有氧化鉬的發(fā)光元件很厚且很難隨時(shí)間而退化。因此，在安裝到產(chǎn)品上之后幾乎不需要設(shè)置反向電壓施加周期。
因此，如上所述能夠切掉或者移除開關(guān)電路4008。所以，部件數(shù)量可以從38減少到30；這樣得到大約20％的縮減。特別地，半導(dǎo)體元件如電路的數(shù)量能從14減少到6；這樣獲得大約60％的縮減。這促進(jìn)了安裝后部件面積的縮減以及部件的成本縮減。
另外，可以從電源IC4002去除電平移位電路4007。這能夠促進(jìn)電源IC降低成本。在顯示面板之上形成的AC驅(qū)動元件以及在用于驅(qū)動像素的驅(qū)動電路上設(shè)置的AC驅(qū)動電路保留原配置；然而，由于這些不會造成成本增長，不會引發(fā)問題。此外，可以控制AC驅(qū)動電路等使得其在被安裝到產(chǎn)品上之后不再操作。
注意，本實(shí)施例的發(fā)光模塊可能配置有用于圖像移位的電路。這是因?yàn)橥ㄟ^不施加反向電壓的圖像移位可以防止老化。
這樣，能夠制造高穩(wěn)定的發(fā)光模塊，其中引起初始退化以平衡退化狀態(tài)。在將發(fā)光模塊安裝到產(chǎn)品上之后，可以提供發(fā)光器件，其中減少了隨時(shí)間的退化且改進(jìn)了圖像質(zhì)量。另外，由于能夠去除不必要的驅(qū)動電路，還可以獲得產(chǎn)品尺寸和重量上的縮減。當(dāng)驅(qū)動電路和基底一體成型的時(shí)候，通過去除驅(qū)動電路，可將像素部分縮小。此外，驅(qū)動電路可以重復(fù)使用，其能夠促進(jìn)降低組件的成本。
(實(shí)施例2)在本實(shí)施例中，具體說明設(shè)置有像素部分的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)，其中像素的數(shù)量相對于顯示器像素是冗余的，用于以一定間隔移動顯示屏。例如在該實(shí)施例中，采用具有QVGA清晰度(320×240＝76800像素)的顯示面板，并且在每行和列的方向上設(shè)置有四個(gè)多余的像素從而具有324×244＝79056像素的清晰度。
那么，在特定的間隔移動顯示屏。在本實(shí)施例中在向發(fā)光器件施加電源的時(shí)候進(jìn)行移動。因?yàn)橛脩艉茈y注意到顯示屏的移動，優(yōu)選在施加電源的時(shí)候移動顯示屏。
在每一次施加電源的時(shí)候，在冗余像素的范圍內(nèi)，移動量可以不同。在本實(shí)施例中，在每行和列的方向上提供了四個(gè)冗余像素；換言之，在行方向上設(shè)置了±2個(gè)冗余像素，且在列方向上設(shè)置了±2個(gè)冗余像素。因此，顯示屏的移動量的范圍是在每行和列方向上為±2個(gè)像素。
總共有25條路徑移動顯示屏行方向上5條(-2，-1，0，1，2)以及列方向上五條(-2，-1，0，1，2)。
注意，通過改變掃描觸發(fā)信號(啟動脈沖SP)的時(shí)序，能夠?qū)嵤╋@示屏移位。
另外，存儲電路等能夠記錄在哪里顯示過圖像。
即使在施加電源之后，可以以預(yù)定間隔移動圖像，例如，以大約5分鐘的間隔，以大約10分鐘的間隔，以大約30分鐘的間隔，以大約一個(gè)小時(shí)的間隔等。間隔越短，顯示時(shí)間常常越平均，且能夠獲得更強(qiáng)的防止被老化的效果。然而，當(dāng)間隔太短，會導(dǎo)致屏幕閃爍。
當(dāng)施加電源之后這樣移動圖像時(shí)，優(yōu)選如圖9A到9D所示的從像素到像素移動圖像。由于移位很難被用戶識別，優(yōu)選如上所述的從像素到像素的移動圖像。
以這種方式移動，圖像可能會模糊，且能夠減少老化灰度標(biāo)中的迅速變化。當(dāng)增加移動量的時(shí)候，這種模糊的效果變得更加顯著。
(實(shí)施例3)本實(shí)施例描述了循環(huán)測試的結(jié)果，證明在含有氧化鉬的發(fā)光元件中幾乎不發(fā)生隨時(shí)間的退化，且其比不含有氧化鉬的元件要厚。
圖15A示出了在表1中所示的樣本1到6的每一個(gè)上，在實(shí)施老化驅(qū)動之前(第一狀態(tài))，實(shí)施老化驅(qū)動之后(第二狀態(tài))以及在室溫下實(shí)施驅(qū)動60小時(shí)，假定的實(shí)際操作(第三狀態(tài))，有缺陷的像素?cái)?shù)量的計(jì)量結(jié)果。



如表1中的情況所示由監(jiān)視發(fā)光元件進(jìn)行的校正指的是根據(jù)在上面的實(shí)施方式中所描述的環(huán)境溫度等對提供給發(fā)光元件的電流值進(jìn)行校正，有一些實(shí)施或者不實(shí)施校正的情況。如表1的情況所示的反向電壓施加指的是在老化驅(qū)動和實(shí)際操作驅(qū)動中施加除了正向電壓之外的反向電壓，且有一些實(shí)施或者不實(shí)施施加的情況。
圖15A示出總體上有缺陷的像素的數(shù)量較小。注意，在圖15A中，有缺陷的像素的數(shù)量為0的情況在曲線圖中用一條線表示。其還示出即便在驅(qū)動進(jìn)行了60小時(shí)之后有缺陷的像素的數(shù)量也沒有很多增長。特別地，在老化處理時(shí)向其施加反向電壓的樣本4中，有缺陷的像素的數(shù)量在驅(qū)動進(jìn)行了60小時(shí)之后不但沒有增長反而降低了。
圖15B示出了在樣本1到4上進(jìn)行循環(huán)測試的結(jié)果。樣本1到4是新制得的樣本，這樣使得其具有相似于表1中的那些樣本的元件結(jié)構(gòu)。關(guān)于循環(huán)測試的條件，以8小時(shí)的間隔溫度在85℃到-40℃之間變化，實(shí)施驅(qū)動64小時(shí)，其被稱為四種狀態(tài)。
如圖15B所示，發(fā)現(xiàn)在被施加循環(huán)測試的樣本1中有缺陷的像素的數(shù)量很大，但是總體上有缺陷的像素的數(shù)量較小。注意，在圖15B中，在曲線圖中有缺陷的像素的數(shù)量為0的情況用一條線表示。
接下來，圖30示出了在不含有氧化鉬的發(fā)光元件和含有氧化鉬的發(fā)光元件上進(jìn)行循環(huán)測試的結(jié)果。關(guān)于測試樣本的結(jié)構(gòu)，樣本9和10具有的結(jié)構(gòu)為ITSO\α-NPB∶氧化鉬∶紅螢烯(成分比為1∶0.15∶0.04wt％)(120nm)\α-NPB(10nm)\Alq3∶香豆素(成分比為1∶0.01wt％)(40nm)\Alq3(40nm)\氟化鋰(LiF2)(1nm)\Al(200nm)；樣本11和12，ITSO\DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯(成分比為1∶0.5∶0.04wt％)(120nm)\α-NPB(10nm)\Alq3∶香豆素(成分比為1∶0.01wt％)(40nm)\Alq3(40nm)\氟化鋰(LiF2)(1nm)\Al(200nm)；以及樣本13和14，ITSO\CuPc(20nm)\α-NPB(40nm)\Alq3∶香豆素(成分比為1∶0.01wt％)(40nm)\Alq3(40nm)\氟化鋰(LiF2)(1nm)\Al(200nm)。
如圖15所示，第一狀態(tài)指的是在老化處理之前的狀態(tài)；第二狀態(tài)，老化處理之后；第四狀態(tài)，在進(jìn)行循環(huán)測試之后。圖30示出，對于不包含氧化鉬的發(fā)光元件，在四種狀態(tài)中缺陷數(shù)量增加了。在另一方面，其還示出，對于包含氧化鉬的發(fā)光元件，在第一狀態(tài)、第二狀態(tài)以及第四狀態(tài)沒有或者幾乎沒有缺陷。還有，其示出由于含有氧化鉬即使當(dāng)?shù)谝粚拥某煞植煌瑫r(shí)，也沒有或幾乎沒有缺陷。這樣，在本發(fā)明的發(fā)光元件中，所述發(fā)光元件厚于沒有氧化鉬的發(fā)光元件，有缺陷的像素的數(shù)量能夠減少。再者，通過在老化驅(qū)動時(shí)檢測預(yù)驅(qū)動缺陷能夠減少實(shí)際驅(qū)動時(shí)缺陷的增長。
隨后，圖16示出在表2示出的樣本7和8上進(jìn)行循環(huán)測試的結(jié)果。樣本7在陰極側(cè)具有氧化鉬，以及樣本8除了陰極側(cè)之外還在陽極側(cè)具有。


于是，發(fā)現(xiàn)有缺陷的像素的數(shù)量總體上較小且即使在陰極側(cè)上具有氧化鉬時(shí)也是有效的。
(實(shí)施例4)在本實(shí)施例中說明發(fā)光元件的厚度和驅(qū)動電壓之間的關(guān)系。
圖17是曲線圖，示出了在ITO\CuPc(20nm)\α-NPB(Xnm)\Alq3∶DMQd(37.5nm)\Alq3(37.5nm)\氟化鈣(CaF2)(1nm)\Al(200nm)的元件結(jié)構(gòu)中，α-NPB的厚度X為60nm(樣本11)、80nm(樣本12)、100nm(樣本13)、120nm(樣本14)、140nm(樣本15)以及160nm(樣本16)的情況下的電流密度(mA/cm2)與電壓(V)特性。注意，“∶”指的是采用電阻加熱蒸發(fā)共同蒸發(fā)多種材料以形成混合層，“\”指的是從左側(cè)順次層壓每一層。下文同樣。表3示出關(guān)于α-NPD的厚度(X nm)的電壓(V)特性的結(jié)果。


表三示出，當(dāng)α-NPB的厚度增加時(shí)，電壓也增加。因此，當(dāng)α-NPB的厚度增加時(shí)，獲得預(yù)定電流密度的驅(qū)動電壓也增加。
圖18是曲線圖，示出了在ITO\氧化鉬(Ynm)\CuPc(20nm)\α-NPB(40nm)\Alq3∶DMQd(37.5nm)\Alq3(37.5nm)\氟化鈣(CaF2)(1nm)\Al(200nm)的元件結(jié)構(gòu)中，在氧化鉬的厚度Y為20nm(樣本17)、50nm(樣本18)以及100nm(樣本19)的情況下的電流密度(mA/cm2)與電壓(V)特性。表4示出關(guān)于氧化鉬的厚度(Y nm)的電壓(V)特性的結(jié)果。


表四示出，當(dāng)氧化鉬的厚度增加時(shí)，電壓也增加。因此，當(dāng)氧化鉬的厚度增加時(shí)，獲得預(yù)定電流密度的驅(qū)動電壓也增加。
如上所述，發(fā)現(xiàn)當(dāng)發(fā)光元件的厚度增加時(shí)，驅(qū)動電壓增加。
然而，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)作為形成了包含有機(jī)化合物和其是無機(jī)化合物的金屬氧化物的層的結(jié)果，即使當(dāng)厚度增加時(shí)，驅(qū)動電壓也不增加。圖19是曲線圖，示出了在其中DNTPD被用作有機(jī)化合物以及氧化鉬被用作金屬氧化物，且采用電阻加熱蒸發(fā)來共同蒸發(fā)它們以形成其混合層的元件結(jié)構(gòu)中的電流密度(mA/cm2)與電壓(V)特性。注意，特定的元件結(jié)構(gòu)是ITSO\DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯(Znm)\α-NPB(10nm)\Alq3∶香豆素6(37.5nm)\Alq3(37.5nm)\LiF(1nm)\Al(200nm)，以及DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯的厚度Z為40nm(樣本20)、80nm(樣本21)、120nm(樣本22)和160nm(樣本23)。注意，通過共同蒸發(fā)紅螢烯能夠增加可靠性。表5示出關(guān)于DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯的厚度(Znm)電壓(V)特性的結(jié)果。


表五示出，即使當(dāng)DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯的厚度(Z nm)增加時(shí)，電壓也不增加且保持幾乎恒定。還發(fā)現(xiàn)，在圖19中所示出的元件中，降低了電壓本身。
圖27示出了當(dāng)采用和圖19中所示出的元件結(jié)構(gòu)相似的元件結(jié)構(gòu)，以及DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯層的厚度Z為50nm、120nm、200nm或者300nm時(shí)的電流密度與電壓關(guān)系。盡管圖27采用了不同于圖19中的電流密度級，其也示出了即使當(dāng)DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯層的厚度(Z nm)增長時(shí)，電壓也不增長且保持為幾乎恒定。
圖28示出了當(dāng)DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯層的厚度(Z nm)為120nm且氧化鉬的濃度有區(qū)別時(shí)的電流密度-電壓關(guān)系。當(dāng)DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯＝1wt％∶Qwt％∶0.02wt％時(shí)，氧化鉬的濃度Q設(shè)定在0.33、0.67、1.00或者1.33。在每一濃度示出了幾乎相同的狀態(tài)，但是發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電壓增長時(shí)，隨氧化鉬濃度的增加電流密度降低。圖17到19示出了尋找在含有有機(jī)化合物和金屬氧化物的層的厚度，與驅(qū)動電壓之間的關(guān)系的經(jīng)驗(yàn)結(jié)果，且本發(fā)明并不限定于上面的元件結(jié)構(gòu)。
還有，圖29示出了在類似于圖17中所示的元件結(jié)構(gòu)的包括發(fā)光層且采用了有機(jī)化合物和氧化鉬作為金屬氧化物的元件中，當(dāng)紅螢烯的厚度W分別為80nm、120nm、160nm以及200nm時(shí)，元件具有ITSODNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯(W nm)\α-NPB(10nm)\Alq3∶DMQd(40nm)Alq3(40nm)\氟化鋰(LiF)(1nm)\Al(200nm)的結(jié)構(gòu)。對于每一厚度顯示出幾乎相同的狀態(tài)。但是發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電壓增加時(shí)，隨DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯厚度的增加電流密度降低。
在采用其中即使當(dāng)厚度增加時(shí)也不必增加驅(qū)動電壓的這種發(fā)光元件時(shí)，可以在發(fā)光元件中獲得較低的功率損耗。
另外，通過如本實(shí)施例中所描述的增加DNTPD∶氧化鉬∶紅螢烯的厚度能夠防止在第一電極和第二電極之間的短路。因此，能夠增加具有本發(fā)明元件結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的生產(chǎn)效率。
(實(shí)施例5)在本實(shí)施例中，檢測金屬氧化物氧化鉬、高效空穴傳輸有機(jī)化合物α-NPD以及氧化鉬∶α-NPD的特性。通過蒸發(fā)法形成它們的每一層膜，采用電阻加熱蒸發(fā)通過共同蒸發(fā)法形成氧化鉬∶α-NPD的膜。
如表6中所示，氧化鉬∶α-NPD，其是氧化鉬和α-NPD的混合物，比單獨(dú)的氧化鉬或者α-NPD具有低了大約0.1eV到0.2eV的離化電位。換言之，發(fā)現(xiàn)增強(qiáng)了空穴注入特性。


圖20示出了這些膜的吸收光譜。在圖20中，氧化鉬和α-NPD的每一個(gè)都不具有可見光區(qū)內(nèi)的特征峰值。另一方面，氧化鉬∶α-NPD(稱為鉬-氧化物-混合層)的吸收率比單獨(dú)氧化鉬的情況大幅降低。這樣，發(fā)現(xiàn)，通過采用氧化鉬∶α-NPD形成發(fā)光元件，比采用氧化鉬大幅降低了光的吸收損耗。
在圖20中，氧化鉬∶α-NPD具有大約500nm的新的吸收峰值。可以認(rèn)為這是由于在氧化鉬和α-NPD之間形成了充電晶體管絡(luò)合物。氧化鉬作為受體，α-NPD作為供體。注意，這證實(shí)了可將胺基化合物比如DNTPD以及α-NPD能夠作為供體。
根據(jù)經(jīng)驗(yàn)結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過混合有機(jī)化合物與特定的無機(jī)化合物能夠獲得增效(synergistic effect)而采用它們中單獨(dú)任一個(gè)不能得到該效果。此外，還發(fā)現(xiàn)，優(yōu)選將金屬氧化物氧化鉬用作無機(jī)化合物。
(實(shí)施例6)在本實(shí)施例中，改變在含有金屬氧化物的層中包含的紅螢烯的濃度，在室溫下100小時(shí)之后測量亮度。表7示出被測樣本的元件結(jié)構(gòu)以及紅螢烯的濃度比率(wt％)。在被測樣本中，將ITSO用作第一電極，Al用作第二電極。



圖23、24和25分別示出了在具有如表7所示的紅螢烯濃度的樣本的初始狀態(tài)中，電流密度與電壓，亮度與電壓以及電流密度與亮度之間關(guān)系的結(jié)果。如圖23、24和25所示，不含有紅螢烯的樣本和含有紅螢烯的樣本顯示出相似的情形，含有紅螢烯的缺陷沒有被發(fā)現(xiàn)。
圖26示出在每一個(gè)紅螢烯濃度下在100小時(shí)之后亮度退化的比率。注意，該樣本的初始亮度為3000cd/cm2以及相對于初始亮度的退化比率用百分比表示。盡管在100小時(shí)之后在每一樣本中亮度退化了，但是發(fā)現(xiàn)包含大量紅螢烯的樣本比不含有紅螢烯或者小量紅螢烯的樣本退化的少且可靠得多。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；晶體管，連接到發(fā)光元件；以及監(jiān)視發(fā)光元件，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓來實(shí)施驅(qū)動。
2.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；晶體管，連接到發(fā)光元件；以及監(jiān)視發(fā)光元件，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓和反向電壓來實(shí)施驅(qū)動。
3.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；以及晶體管，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓來實(shí)施驅(qū)動，以及用發(fā)光元件顯示圖像，且以預(yù)定間隔改變圖像的位置。
4.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；以及晶體管，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓和反向電壓來實(shí)施驅(qū)動，以及用發(fā)光元件顯示圖像，且以預(yù)定間隔改變圖像的位置。
5.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；以及晶體管，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓來實(shí)施驅(qū)動，用發(fā)光元件顯示圖像，以及形成像素部分，使得像素的數(shù)量相對于顯示器像素的數(shù)量是冗余的，從而以預(yù)定間隔改變圖像的位置。
6.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；以及晶體管，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓和反向電壓來實(shí)施驅(qū)動，用發(fā)光元件顯示圖像，以及形成像素部分，使得像素的數(shù)量相對于顯示器像素的數(shù)量是冗余的，從而以預(yù)定間隔改變圖像的位置。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括連接至發(fā)光元件的監(jiān)視發(fā)光元件。
8.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括連接至發(fā)光元件的監(jiān)視發(fā)光元件。
9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括連接至發(fā)光元件的監(jiān)視發(fā)光元件。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括連接至發(fā)光元件的監(jiān)視發(fā)光元件。
11.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；晶體管，連接到發(fā)光元件；以及監(jiān)視發(fā)光元件，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓來實(shí)施驅(qū)動，用發(fā)光元件顯示圖像，以及以預(yù)定間隔改變圖像的位置。
12.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光元件，包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層；晶體管，連接到發(fā)光元件；以及監(jiān)視發(fā)光元件，連接到發(fā)光元件，其中通過在具有發(fā)光元件的面板的老化處理中向發(fā)光元件施加正向電壓和反向電壓來實(shí)施驅(qū)動，用發(fā)光元件顯示圖像，以及以預(yù)定間隔改變圖像的位置。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
14.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
15.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
16.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
17.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
18.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
19.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
20.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中用激光照射由老化處理檢測出的短路部分。
21.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
22.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
23.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
24.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
25.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
26.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
27.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
28.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物是氧化鉬。
29.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
30.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
31.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
32.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
33.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
34.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
35.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
36.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中金屬氧化物形成為與第一電極接觸。
37.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
38.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
39.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
40.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
41.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
42.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
43.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
44.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中采用ITO形成第一電極或者第二電極。
45.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件和監(jiān)視發(fā)光元件在相同的步驟中形成。
46.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件和監(jiān)視發(fā)光元件在相同的步驟中形成。
47.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件和監(jiān)視發(fā)光元件在相同的步驟中形成。
48.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件和監(jiān)視發(fā)光元件在相同的步驟中形成。
全文摘要
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種新型的具有低初始退化的發(fā)光元件，以及一種顯示器件，其中通過一種驅(qū)動具有發(fā)光元件的顯示器件的新方法，減少了初始退化，并減少了隨時(shí)間退化中的變化。本發(fā)明的一個(gè)特征在于顯示器件包括發(fā)光元件，該元件包括第一電極，與第一電極相對的第二電極，以及在第一電極和第二電極之間設(shè)置的金屬氧化物和有機(jī)化合物的混合層，且這種顯示器件經(jīng)受老化驅(qū)動。
文檔編號H05B33/10GK1791288SQ200510131568
公開日2006年6月21日 申請日期2005年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月29日
發(fā)明者山崎舜平, 早川昌彥, 鐮田康一郎, 戶松浩之, 池田壽雄, 坂田淳一郎 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所