專(zhuān)利名稱(chēng)：電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路基板及其制造方法。特別是涉及使用了在平面方向上具有密度差的增強(qiáng)材料片的電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨電子裝置的小型輕量化、高功能高性能化，不限于產(chǎn)業(yè)用的領(lǐng)域、即使在廣闊的民用裝置的領(lǐng)域中，也強(qiáng)烈地要求廉價(jià)地供給能高密度地安裝大規(guī)模集成電路(LSI)等的半導(dǎo)體芯片的多層電路基板。
對(duì)于這樣的市場(chǎng)的要求，進(jìn)行了將與現(xiàn)有的陶瓷多層基板不同的、能更廉價(jià)地供給的樹(shù)脂多層電路基板作成適合于高密度安裝的基板(高密度布線(xiàn)基板)的技術(shù)開(kāi)發(fā)。
作為這樣的電路基板，有在特開(kāi)平6-268345號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的全層內(nèi)通路孔結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂多層基板。該基板是采用能利用導(dǎo)電膏連接任意的布線(xiàn)層的任意的位置的內(nèi)通路連接法、即全層內(nèi)通路孔結(jié)構(gòu)的多樹(shù)脂多層基板，能廉價(jià)地提供適合于高密度安裝的電路基板。
在該電路基板的制造方法中，首先，在被壓縮性的絕緣體層(芳族聚酰胺環(huán)氧半固化片)上形成內(nèi)通路孔，在貫通孔中充填導(dǎo)電膏。其后，在兩側(cè)摞起銅箔，利用熱壓進(jìn)行加熱加壓，使絕緣體層和導(dǎo)電膏樹(shù)脂硬化，謀求銅箔與絕緣體層的粘接，與此同時(shí)，通過(guò)導(dǎo)電膏謀求導(dǎo)電性地連接兩側(cè)的銅箔。最后，對(duì)兩側(cè)的布線(xiàn)圖形進(jìn)行加工，完成兩面電路基板。
該基板實(shí)現(xiàn)了高密度布線(xiàn)和離散性小的低的連接電阻，從市場(chǎng)上得到了高的評(píng)價(jià)。
高密度布線(xiàn)的必要性如上所述，但離散性小的連接電阻的有用性如下所述。即，包含連接電阻的電路電阻在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的方面是重要的參數(shù)，如果在每個(gè)制品中電路電阻不同，則不能進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，或者，制品的電路電阻偏離設(shè)計(jì)值，引起不工作的不良情況。因此，對(duì)于連接電阻，要求離散性小。
特別是在內(nèi)通路的連接中，與現(xiàn)有的通孔連接相比，由于與一個(gè)電路有關(guān)的內(nèi)通路的數(shù)目增加，故對(duì)于離散性的要求變得嚴(yán)格。
但是，在上述的全層內(nèi)通路孔結(jié)構(gòu)的電路基板技術(shù)中，存在以下的問(wèn)題。即，在絕緣體層中使用了芳族聚酰胺無(wú)紡布和環(huán)氧樹(shù)脂的復(fù)合材料(芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料)，但由于芳族聚酰胺纖維是容易吸濕的材料，故必須采取真空包裝等措施，使其不吸濕，而這樣的措施是與成本上升有關(guān)的問(wèn)題。
另一方面，在一般的電路基板中使用的玻璃環(huán)氧基體材料是將環(huán)氧樹(shù)脂浸漬于玻璃纖維的編織布中的基體材料，由于玻璃纖維不吸濕，故在吸濕管理方面是有利的。再者，由于也具有機(jī)械強(qiáng)度高的優(yōu)點(diǎn)，故希望將玻璃環(huán)氧基體材料作為絕緣體層來(lái)實(shí)現(xiàn)內(nèi)通路連接的全層內(nèi)通路孔結(jié)構(gòu)的電路基板。
但是，如果打算將上述的全層內(nèi)通路孔技術(shù)單純地應(yīng)用于玻璃環(huán)氧基體材料，則存在內(nèi)通路的連接電阻的離散性變大的問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明人的研究結(jié)果，已判明了，這是由于增強(qiáng)材料的玻璃編織布在面內(nèi)方向上具有密度的離散性(經(jīng)線(xiàn)和緯線(xiàn)重疊編織的部分和不是這樣的情況的部分)而引起的。詳細(xì)地說(shuō)，在熱壓工序中進(jìn)行加熱加壓時(shí)，在增強(qiáng)材料的密度小的部位(經(jīng)線(xiàn)和緯線(xiàn)重疊編織的部位)上設(shè)置的內(nèi)通路中，由于在側(cè)壁面上增強(qiáng)材料少，故在擠壓中內(nèi)通路在橫方向上擴(kuò)展，即，擠壓壓力在橫方向上散逸了。因此，已判明了，這是由于在內(nèi)通路的縱方向上未施加充分的壓縮力，不能充分地進(jìn)行導(dǎo)電體相互間的連接，故導(dǎo)電性的連接電阻變大了的緣故。
存在下述問(wèn)題以上的導(dǎo)電性的連接電阻的離散性，不僅在浸漬了環(huán)氧樹(shù)脂的玻璃布中呈現(xiàn)出來(lái)，而且即使在無(wú)紡布、片、膜中，由于面方向的厚度不勻或密度的不勻也呈現(xiàn)出來(lái)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述的問(wèn)題而進(jìn)行的，其目的在于提供例如即使在絕緣體層中使用含有以玻璃環(huán)氧基體材料為代表的在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片的基體材料的情況下也實(shí)現(xiàn)高密度布線(xiàn)且離散性小的內(nèi)通路連接電阻的電路基板及其制造方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電路基板是具備由在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片構(gòu)成的電絕緣體層和布線(xiàn)層的電路基板，其中，在上述電絕緣體層的厚度方向上開(kāi)了孔的多個(gè)內(nèi)通路孔中充填了導(dǎo)電體，而且上述布線(xiàn)層與上述導(dǎo)電體連接，其特征在于將在上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分上設(shè)置的上述內(nèi)通路孔的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的上述內(nèi)通路孔的剖面面積小。
其次，本發(fā)明的電路基板的制造方法的特征在于，包含下述工序在具有在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片的絕緣體層上形成充填導(dǎo)電體膏用的多個(gè)內(nèi)通路孔時(shí)，將在上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積小，其次在上述內(nèi)通路孔中充填導(dǎo)電體膏，層疊布線(xiàn)層或形成布線(xiàn)層用的金屬箔，進(jìn)行加熱加壓使其連接到上述導(dǎo)電體膏上。
按照本發(fā)明，可提供即使在絕緣體層中使用含有以玻璃環(huán)氧基體材料為代表的在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片的基體材料的情況下也實(shí)現(xiàn)高密度布線(xiàn)且離散性小的內(nèi)通路連接電阻的電路基板及其制造方法。


圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施例的電路基板的示意性的平面圖。
圖2A～D是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的電路基板的制造方法(貫通孔)的各工序的說(shuō)明圖。
圖3A～B是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的電路基板的制造方法(貫通孔)的各工序的說(shuō)明圖。
圖4A～B是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的電路基板的制造方法(貫通孔)的各工序的說(shuō)明圖。
圖5A～D是本發(fā)明的第1實(shí)施例中的電路基板的制造方法(非貫通孔)的各工序的說(shuō)明圖。
圖6是本發(fā)明的第2實(shí)施例中的多層電路基板的剖面示意圖。
圖7是本發(fā)明的第3實(shí)施例中的多層電路基板的剖面示意圖。
圖8A～D是本發(fā)明的第3實(shí)施例中的多層電路基板的制造方法的說(shuō)明圖。
圖9A～C是本發(fā)明的第3實(shí)施例中的多層電路基板的制造方法的說(shuō)明圖。
圖10A～B是本發(fā)明的第3實(shí)施例中的多層電路基板的制造方法的說(shuō)明圖。
圖11是本發(fā)明的具備了玻璃纖維已突出的內(nèi)通路的第1實(shí)施例中的電路基板的剖面示意圖。
圖12是在本發(fā)明的第2實(shí)施例中得到的4層的電路基板的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
在用導(dǎo)電膏壓接的類(lèi)型中，如果(絕緣體層厚度/通路直徑)的比大于1，則內(nèi)通路的連接電阻變得急劇地不穩(wěn)定，離散性變大。因此，為了實(shí)現(xiàn)電路基板的小直徑通路(例如，直徑為50微米)，最好使絕緣體層的厚度為50微米以下。但是，在玻璃環(huán)氧基體材料、芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料等中，核心的電路基板通常有50微米以上的厚度。此外，如果使核心基板太薄，則機(jī)械強(qiáng)度變小，這是不理想的。因而，最好使薄的絕緣體層的厚度為50微米以下，而且，使絕緣體層厚度/通路直徑的比為1以下。
在本發(fā)明中，在平面方向上具有密度分布的增強(qiáng)材料片最好是由從合成纖維和無(wú)機(jī)纖維中選出的至少一種纖維構(gòu)成的編織布或無(wú)紡布。當(dāng)然，在平面方向上具有密度分布的增強(qiáng)材料片可以是由合成樹(shù)脂構(gòu)成的膜。
此外，較為理想的是，在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片是由玻璃纖維構(gòu)成的編織布。
此外，較為理想的是，在由玻璃纖維構(gòu)成的編織布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊了的部分上設(shè)置的內(nèi)通路的剖面面積比在除此以外的部分上設(shè)置的內(nèi)通路的剖面面積小。
此外，較為理想的是，與剖面面積大的內(nèi)通路孔的側(cè)壁面的突出纖維的突出量比較，剖面面積小的內(nèi)通路孔的側(cè)壁面的突出纖維的突出量較多。
此外，較為理想的是，存在多層布線(xiàn)層，將其中的至少1層的上述布線(xiàn)層埋置于上述絕緣體層內(nèi)。
此外，較為理想的是，在增強(qiáng)材料片的密度大的部位上內(nèi)通路的剖面面積小，在增強(qiáng)材料片的密度小的部位上內(nèi)通路的剖面面積大。
此外，在本發(fā)明的電路基板的單面上也可以還層疊了由被壓縮性的電絕緣材料構(gòu)成的電路基板。
此外，也可以在兩外側(cè)配置了本發(fā)明的電路基板，在其間還層疊了由被壓縮性的電絕緣材料構(gòu)成的電路基板作為核心基板。
此外，也可以將本發(fā)明的電路基板作為核心基板，在上述核心基板的至少單面上還層疊了至少1層由比核心基板的絕緣體層薄的絕緣體層構(gòu)成的電路基板。
此外，較為理想的是，內(nèi)通路孔的大的剖面面積與小的剖面面積比較，是1.15倍以上至10倍以下，更為理想的是，為1.4倍以上至5倍以下，特別理想的是，為1.4倍以上至2倍以下的面積。在不到1.15倍的情況下，難以減小由增強(qiáng)片的密度差引起的電阻的離散性，如果超過(guò)10倍，則通路電阻變得太低，難以減小通路電阻的離散性。
其次，在本發(fā)明的方法中，較為理想的是，將在上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積小的方法是在上述增強(qiáng)材料片的厚度方向上插入旋轉(zhuǎn)鉆頭形成了貫通孔后、在使鉆頭旋轉(zhuǎn)的原有狀態(tài)下一度使其停止、其后拔出上述鉆頭的方法。
此外，較為理想的是，將在上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積小的方法是熱加工型的激光加工法。
此外，較為理想的是，存在多層布線(xiàn)層，將其中的至少1層的布線(xiàn)層埋置于上述絕緣體層內(nèi)。
在上述中，在玻璃環(huán)氧基體材料的情況下，在玻璃布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊編織了的部分和開(kāi)出了玻璃布的眼的部分中，較為理想的是，通路的剖面面積的比為1.15倍以上，更為理想的是，為1.4倍以上。只要在該范圍內(nèi)，就可減小通路電阻的離散性。
按照本發(fā)明的電路基板，可實(shí)現(xiàn)具備離散性小的連接電阻的電路基板。
按照本發(fā)明的另一電路基板，可實(shí)現(xiàn)具備離散性小的連接電阻和高的連接可靠性的電路基板。
此外，在本發(fā)明的另一電路基板中，較為理想的是，將至少1層的上述布線(xiàn)層埋置于上述絕緣體層內(nèi)。按照該例，可實(shí)現(xiàn)具備離散性更小的連接電阻的電路基板。
其次，按照本發(fā)明的多層電路基板，可實(shí)現(xiàn)在全層中具備離散性更小的連接電阻的多層電路基板。
其次，按照本發(fā)明的多層電路基板，將具備離散性小的連接電阻的電路基板作為核心基板，可實(shí)現(xiàn)在表層中具備微細(xì)布線(xiàn)層的多層電路基板。
其次，按照本發(fā)明的電路基板的制造方法，可容易地實(shí)現(xiàn)具備離散性小的連接電阻的電路基板的制造。
在本發(fā)明的第1電路基板的制造方法中，較為理想的是，將至少1層的布線(xiàn)層埋置于上述絕緣體層內(nèi)。按照該例，可容易地實(shí)現(xiàn)具備離散性更小的連接電阻的電路基板的制造。
其次，按照本發(fā)明的多層電路基板的制造方法，可容易地實(shí)現(xiàn)在全層中具備離散性小的連接電阻的多層電路基板的制造。
其次，按照本發(fā)明的多層電路基板的制造方法，將具備離散性小的連接電阻的電路基板作為核心基板，可容易地實(shí)現(xiàn)在表層中具備微細(xì)布線(xiàn)層的多層電路基板的制造。
首先，說(shuō)明在本發(fā)明中使用的材料。
(內(nèi)通路形成用的導(dǎo)電體)形成內(nèi)通路的導(dǎo)電體可使用含有導(dǎo)電性粉末的樹(shù)脂組成物(導(dǎo)電膏)。由于導(dǎo)電膏通過(guò)進(jìn)行壓縮其導(dǎo)電性提高，故是較為理想的。
關(guān)于導(dǎo)電性充填劑，可使用由從金、銀、銅、鎳、鈀、鉛、錫、銦、鉍中選出的至少1種金屬、這些金屬的合金、或混合物構(gòu)成的充填劑。此外，也可使用在上述的金屬、合金或由氧化鋁、氧化硅等的氧化物、或有機(jī)合成樹(shù)脂等構(gòu)成的球上涂敷了上述的金屬、合金的涂敷充填劑。
雖然不是對(duì)形狀作了特別的限定的物體，但可使用粉末、纖維狀充填劑、粉體的造粒體、球狀球或這些的混合物等。
作為在樹(shù)脂組成物的粘接劑中使用的樹(shù)脂，可使用液狀的環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、氰酸酯樹(shù)脂、甲階酚醛樹(shù)脂等。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可使用雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AD型環(huán)氧樹(shù)脂等的縮水甘油醚型的環(huán)氧樹(shù)脂、脂環(huán)式的環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油胺型環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油酯型環(huán)氧樹(shù)脂等的含有2個(gè)以上的環(huán)氧基的環(huán)氧樹(shù)脂等。此外，也可含有環(huán)氧基為1個(gè)的環(huán)氧化合物作為反應(yīng)性稀釋劑。
根據(jù)需要，也可含有丁基セルソルプ、乙基セルソルプ、丁基卡必醇、乙基卡必醇、丁基卡必醇乙酸鹽、乙基卡必醇乙酸鹽、α-萜品醇等的溶劑或分散劑等的添加劑。
此外，作為本發(fā)明的導(dǎo)電體，不限定于上述的導(dǎo)電膏，可使用由金、銀、銅、鎳、鈀、鉛、錫、銦、鉍等的金屬構(gòu)成的通路柱等利用壓接得到導(dǎo)通的類(lèi)型的內(nèi)通路連接材料。
(平面方向上有密度分布的電絕緣體層)作為平面方向上有密度分布的電絕緣體層的材料，可舉出玻璃環(huán)氧基體材料。玻璃環(huán)氧基體材料是將環(huán)氧樹(shù)脂浸漬于玻璃編織布中的復(fù)合材料，在市場(chǎng)上出售了B級(jí)(半硬化狀態(tài))的材料、C級(jí)(硬化狀態(tài))的材料作為電路基板用材料。由于在機(jī)械強(qiáng)度方面良好、能廉價(jià)地得到，故是較為理想的。在其中，與C級(jí)(硬化狀態(tài))的基體材料相比，最好使用B級(jí)(半硬化狀態(tài))的基體材料。這是因?yàn)椋c樹(shù)脂已硬化的狀態(tài)相比，半硬化狀態(tài)的材料容易利用激光進(jìn)行開(kāi)孔加工，與增強(qiáng)材料的玻璃布的加工性的差較大，此外，在半硬化狀態(tài)的材料方面，用來(lái)壓縮導(dǎo)電膏的有效的壓力較小。但是，電絕緣體層不限于該基體材料的例子，可使用含有在平面方向上有密度分布的(密度差)的增強(qiáng)材料片的絕緣體層。作為例子，可使用對(duì)于由PBO(聚對(duì)苯撐苯并雙噁唑)纖維、PBI(聚苯并咪唑)纖維、芳族聚酰胺纖維、PTFE(聚四氟乙烯)纖維、PBZT(聚對(duì)苯撐苯并雙噻唑)纖維或全芳香族聚酯纖維等的有機(jī)纖維或玻璃纖維等的無(wú)機(jī)纖維構(gòu)成的編織布或無(wú)紡布、浸漬了環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、氟樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、PPE(聚苯撐醚)樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰三嗪樹(shù)脂或氰酸聚酯樹(shù)脂等的熱硬化性樹(shù)脂或熱可塑性樹(shù)脂的復(fù)合材料片或復(fù)合材料膜等。
對(duì)于電絕緣體層的厚度不作特別限定，但通?？墒褂檬袌?chǎng)上出售的厚度約0.02mm～0.5mm的材料。絕緣體層的每單位面積的重量最好為50g/m2以上至800g/m2以下的范圍。
(覆蓋膜)
覆蓋膜在制造工序中起到防止因塵埃導(dǎo)致的污染和作為充填導(dǎo)電體時(shí)的掩模的功能，最終被除去。因此，最好在半固化片的至少充填導(dǎo)電體的一側(cè)配置覆蓋膜。此外，最好在與半固化片接觸的面上進(jìn)行脫模處理。覆蓋膜的材料不作限定，但如果舉例的話(huà)，可使用在PET(聚乙烯對(duì)苯二甲酸鹽)膜或PEN(聚乙烯萘)膜上涂敷了硅酮類(lèi)脫模劑的材料。此外，在利用印刷法充填導(dǎo)電膏時(shí)，以下述方式在內(nèi)通路上充填導(dǎo)電膏，即，使其高了相應(yīng)于覆蓋膜的厚度。最后，在剝離膜時(shí)，成為導(dǎo)電膏從內(nèi)通路突出的結(jié)構(gòu)，在熱壓工序中，該突出的部分成為被壓縮的部分。因此，厚度越厚，內(nèi)通路就更好地被壓縮，可實(shí)現(xiàn)低的連接電阻，但相反，如果太厚，則在剝離時(shí)導(dǎo)電膏就被覆蓋膜除去。如果舉出一例，則在200微米以下的孔徑的情況下，厚度最好為35微米以下，在100微米以下的孔徑的情況下，厚度最好為20微米以下。
(金屬箔)作為金屬箔的具體例，可使用電解銅箔或壓延銅箔。在電解銅箔的例子中，市場(chǎng)上出售了厚度約為3微米～70微米的材料，可使用這些材料。厚度薄的材料，特別是厚度為9微米以下的材料，為了操作的方便起見(jiàn)，可使用在其上加上了支撐載體的銅箔。此外，關(guān)于金屬箔的表面粗糙度，作為一例，平均粗糙度Rz為0.5～10微米的范圍。
其次，使用

本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)施例1)圖1是第1實(shí)施例的電路基板的示意性的平面圖。在本實(shí)施例中，說(shuō)明使用玻璃環(huán)氧基板作為含有在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片101的絕緣體層的情況。在圖1中，為了說(shuō)明起見(jiàn)，圖示了基體材料內(nèi)部的玻璃編織布的緯線(xiàn)102a、經(jīng)線(xiàn)102b。在玻璃纖維的重疊編織了的部分(增強(qiáng)材料片的密度大的部分)以外設(shè)置的內(nèi)通路103的剖面面積比在重疊編織了的部分(增強(qiáng)材料片的密度大的部分)上設(shè)置的內(nèi)通路104的剖面面積大。在上述中，在玻璃布的重疊編織了的部分和開(kāi)出了玻璃布的眼的部分中，較為理想的是，通路的剖面面積的比為1.15倍以上，更為理想的是，為1.4倍以上。只要在該范圍內(nèi)，就可減小通路電阻的離散性。
本實(shí)施例的電路基板可如下述那樣來(lái)制造。
首先，制造連接中間體。在B級(jí)(半硬化狀態(tài))的玻璃環(huán)氧基體材料(玻璃環(huán)氧半固化片201)的兩側(cè)面上熱壓接上述覆蓋膜202，在所希望的位置上用機(jī)械鉆頭形成內(nèi)通路孔(在本實(shí)施例中，是貫通孔203、203’)(圖2A)。
接著，用印刷法等在內(nèi)通路孔中充填導(dǎo)電膏204，在充填后，剝離除去覆蓋膜202，完成連接中間體205(圖2B)。
作為在圖2A中的孔加工條件的一例，鉆頭直徑150微米，加工速度；約133孔/分，鉆頭下降速度2m/分，這樣可形成貫通孔203、203’。此時(shí)，在孔貫通后，例如在約0.2秒間，在已下降的狀態(tài)下，保持已旋轉(zhuǎn)的原有狀態(tài)使鉆頭靜止，其后拔出鉆頭。
此時(shí)，在纖維密的部位上，纖維成為抗壓桿件，孔徑203保持原狀，但纖維粗的部分(樹(shù)脂稠的部位)203’由于因加工引起的發(fā)熱、鉆頭的少量的鉆芯搖動(dòng)等的緣故，其孔徑擴(kuò)大。即，孔徑隨加工部的纖維量而連續(xù)地變化，作為其結(jié)果，可得到與開(kāi)出孔的部分的纖維的密度成反比例的孔徑。在此，所謂「反比例」，不是數(shù)學(xué)的意義的反比例，指的是「在增強(qiáng)材料密度大的部分處孔徑變小，在增強(qiáng)材料密度小的部分處孔徑變大」。在以下的說(shuō)明書(shū)中，也以同一意義來(lái)使用該語(yǔ)句。
在通常的電路基板的制造中，在鉆頭貫通了材料后，一般情況下立即使鉆頭上升。這是為了孔的質(zhì)量(在使同一孔徑一致的意義上)、防止鉆頭折斷和加快節(jié)奏。此時(shí)，與纖維的粗密無(wú)關(guān)，加工大致恒定的孔。
例如，在使用約70微米的半固化片進(jìn)行本實(shí)施例的孔加工時(shí)，在玻璃布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊編織了的部分(玻璃纖維的密度最高的部分)處，孔徑為直徑150微米，在開(kāi)了布的眼的部分(玻璃纖維的密度最低的部分)處，孔徑為180微米，在除此以外的部位上，孔徑在150微米至180微米之間，與玻璃纖維的密度成反比例地變小。在構(gòu)成玻璃布的纖維線(xiàn)的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊編織了的部位上設(shè)置的孔的大小為重疊編織中能容納的孔徑以下的大小。
其次，在上述的連接中間體205的兩面上重疊形成布線(xiàn)圖形用的厚度為18微米的金屬箔206，用熱壓進(jìn)行了加熱加壓(圖2C)。熱壓的條件可使用一般的電路基板的熱壓條件，作為例子，是180℃～250℃、30～200kgf/cm2、0.5～2小時(shí)。在該工序中，使半固化片的樹(shù)脂和導(dǎo)電膏的樹(shù)脂硬化，在使其與金屬箔粘接的同時(shí)，通過(guò)導(dǎo)電膏使兩側(cè)的金屬箔相互間導(dǎo)電性地連接。
最后，將金屬箔加工為布線(xiàn)圖形207，完成了兩面電路基板208(圖2D)。關(guān)于布線(xiàn)圖形的加工法，可使用光刻法等一般的電路基板的布線(xiàn)加工法。
內(nèi)通路的剖面面積越大，內(nèi)通路的連接電阻就越低。此外，對(duì)導(dǎo)電充填劑相互間(導(dǎo)電充填劑和銅箔)施加的有效的壓力越大，接點(diǎn)越多或各自的接點(diǎn)也越大，連接電阻就越低。為了增加有效的壓力，在增加熱壓的壓力的同時(shí)，必須作成內(nèi)通路孔的側(cè)壁面不向橫方向擴(kuò)展的結(jié)構(gòu)。在此，所謂側(cè)壁面不向橫方向擴(kuò)展的結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例的形態(tài)中，可以說(shuō)，是在玻璃布的重疊編織了的部位上設(shè)置的孔的大小為重疊編織中能容納的孔徑以下的大小的結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例中，增強(qiáng)材料的密度最大的部分(玻璃布的纖維的重疊編織了的部分)中，由于其側(cè)壁面為難以擴(kuò)展的結(jié)構(gòu)，故形成直徑150微米的內(nèi)通路孔(貫通孔)，在增強(qiáng)材料的密度最小的部分(玻璃布的開(kāi)了眼的部分)中，由于有效壓力最難以施加，故孔徑為180微米，在除此以外的部分中，孔徑在150～180微米間，與玻璃纖維的密度成反比例地減小來(lái)形成。在用上述的孔加工條件制造的本實(shí)施例的內(nèi)通路中，可實(shí)現(xiàn)約2～3mΩ的離散性非常小的連接電阻。內(nèi)通路孔的孔徑不限定于上述的孔徑。
將本實(shí)施例的兩面電路基板208作為核心基板，在其兩側(cè)重疊上述的連接中間體205和金屬箔206(圖3A)，與兩面基板同樣地用熱壓層疊核心基板和半固化片，最后，通過(guò)將金屬箔加工成布線(xiàn)圖形209，可制造4層基板(圖3B)。
使用多層基板作為核心基板，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行上述的層疊工序，可制造更多層的基板。
再有，在本實(shí)施例的多層基板中，在核心基板的兩側(cè)層疊的半固化片中埋置核心基板的布線(xiàn)層207。即，由于也在內(nèi)通路部分中埋置布線(xiàn)層，故熱壓工序中的內(nèi)通路的壓縮率提高，進(jìn)一步降低連接電阻，可減小離散性。
此外，即使在兩面電路基板中，如果使用布線(xiàn)轉(zhuǎn)移法，也可埋置布線(xiàn)層，同樣，可實(shí)現(xiàn)更低的離散性小的連接電阻。詳細(xì)地說(shuō)，如圖4A中所示，可使用在支撐基板(載體)上形成了金屬箔的所謂的帶有載體的金屬箔。作為帶有載體的金屬箔211的例子，在市場(chǎng)上出售了在氧化鋁載體上經(jīng)脫模層層疊了銅箔的制品等。在使用于本發(fā)明的實(shí)施例的情況下，利用刻蝕預(yù)先用氯化鐵水溶液、過(guò)硫酸銨水溶液等對(duì)銅箔進(jìn)行構(gòu)圖，以將布線(xiàn)層210埋置于連接中間體205的方式進(jìn)行了層疊后，可用鹽酸等對(duì)氧化鋁載體進(jìn)行刻蝕來(lái)除去(圖4B)。
作為本實(shí)施例的使用了機(jī)械鉆頭的貫通孔的形成方法，除了上述以外，當(dāng)然也可使用不同的直徑的鉆頭。即，在玻璃纖維的重疊編織了的部分(增強(qiáng)材料片的密度大的部分)以外設(shè)置的內(nèi)通路孔，與在重疊編織了的部分(增強(qiáng)材料片的密度大的部分)上設(shè)置的內(nèi)通路孔相比，使用直徑小的鉆頭。在增強(qiáng)材料的密度分布不規(guī)則的情況下，必須根據(jù)密度分布對(duì)每個(gè)制品選擇鉆頭直徑，但在使用玻璃編織布那樣的密度分布為規(guī)則的增強(qiáng)材料的情況下，不需要這樣的多余的工序(或至少變得簡(jiǎn)便)，是較為理想的。
作為貫通孔的形成方法，除此以外，即使使用通常的電路基板的孔加工法、即、二氧化碳?xì)怏w、YAG、受激準(zhǔn)分子等的激光孔加工法、或沖孔等，也可同樣地形成本實(shí)施例的內(nèi)通路孔(貫通孔)。
其次，如圖11中所示，在利用二氧化碳?xì)怏w激光孔加工法形成了貫通孔的情況下，在玻璃纖維的密度大的部分中形成的內(nèi)通路(孔徑小的內(nèi)通路)702中，成為多條玻璃纖維704突出到內(nèi)通路的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。與此不同，在玻璃纖維的密度小的部分中形成的內(nèi)通路(孔徑大的內(nèi)通路)701中，成為相對(duì)地少的玻璃纖維703突出到內(nèi)通路的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。通過(guò)作成這樣的結(jié)構(gòu)，利用固定效應(yīng)較好地粘接內(nèi)通路與周?chē)慕^緣體層的玻璃環(huán)氧基體材料，相對(duì)于機(jī)械的(和熱的)應(yīng)力，其強(qiáng)度增加，可使小孔徑的內(nèi)通路的連接可靠性提高。由于小孔徑的內(nèi)通路的導(dǎo)電體的接觸點(diǎn)數(shù)少，故與大的內(nèi)通路相比，連接可靠性往往較低。但是，通過(guò)用上述的方法使小的內(nèi)通路的連接可靠性提高，故可使作為基板整體的連接可靠性提高。
作為使用二氧化碳?xì)怏w激光的情況的例子，可使用波長(zhǎng)為9.4微米或10.6微米的二氧化碳?xì)怏w激光。發(fā)射次數(shù)為1～3次是適當(dāng)?shù)?。在這樣的例子的情況下，波長(zhǎng)越長(zhǎng)、發(fā)射次數(shù)越少，本發(fā)明的效果就越顯著。在照射了同一激光時(shí)，開(kāi)孔加工利用因玻璃布基體材料的密度分布的差引起的被加工性的差別。其關(guān)系如下所述。

其次，說(shuō)明激光的波長(zhǎng)。如果是同一能量的激光，則一般來(lái)說(shuō)，波長(zhǎng)越短，激光光斑直徑越小，其結(jié)果，激光的能量密度變大。在能量密度大的激光中，一般來(lái)說(shuō)，容易在難以開(kāi)孔的材料、即使用了玻璃布的片材中進(jìn)行開(kāi)孔，可與基體材料的密度分布無(wú)關(guān)地形成離散性小的孔徑的孔。相反，如果波長(zhǎng)長(zhǎng)，則激光的光斑直徑變大，其結(jié)果，能量密度變小。因此，容易開(kāi)出容易開(kāi)孔的材料、即基體樹(shù)脂的部分的孔，但難以開(kāi)出玻璃布的部分的孔，容易受到基體材料的密度分布的影響。即，玻璃布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊編織了的部分成為小的孔，開(kāi)了編織的眼的部分成為大的孔。因而，激光的波長(zhǎng)以長(zhǎng)為好。
其次，說(shuō)明發(fā)射次數(shù)。激光照射的發(fā)射次數(shù)越多，所投入的能量總量就越大。例如，在2次發(fā)射中，為1次發(fā)射的2倍的能量總量。因此，如果對(duì)同一部位進(jìn)行多次發(fā)射，則能量總量變大，對(duì)于用最初的發(fā)射不能加工的玻璃布，用第2次、第3次的發(fā)射依次進(jìn)行開(kāi)孔加工，也可與基體材料的密度分布無(wú)關(guān)地使孔徑變得均勻。相反，如果發(fā)射次數(shù)少，則容易受到基體材料的密度分布的影響。即，玻璃布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊編織了的部分成為小的孔，開(kāi)了編織的眼的部分成為大的孔。因而，發(fā)射次數(shù)為1～3次是適當(dāng)?shù)摹?br> 在本實(shí)施例中，關(guān)于內(nèi)通路孔，說(shuō)明了貫通孔，但也可作成非貫通孔。關(guān)于非貫通孔的情況的電路基板的作成方法，如圖5A～圖5D中所示。
首先，使在半固化片301的單面上形成了布線(xiàn)圖形302的上述布線(xiàn)轉(zhuǎn)移材料的布線(xiàn)到達(dá)半固化片的一側(cè)，在另一單面上暫時(shí)壓接上述覆蓋膜304。接著，利用二氧化碳?xì)怏w激光孔加工法等在所希望的位置上形成盲通路孔(非貫通孔)305(圖5A)，充填導(dǎo)電體(導(dǎo)電膏)306。除去覆蓋膜(圖5B)，在除去了覆蓋膜的一側(cè)重疊金屬箔307，利用熱壓進(jìn)行加熱加壓(圖5C)。將金屬箔加工為布線(xiàn)圖形308，如果除去布線(xiàn)轉(zhuǎn)移材料的支撐基板303，則完成兩面電路基板(圖5D)。如果將對(duì)金屬箔的圖形進(jìn)行了加工后的層疊體(電路基板轉(zhuǎn)移材料)用作布線(xiàn)轉(zhuǎn)移材料的替代物并將上述的工序重復(fù)進(jìn)行必要的次數(shù)，則可制造多層電路基板。按照該方法，由于與布線(xiàn)圖形的位置相一致地形成通路孔，故可使尺寸一致精度提高。
(實(shí)施例2)圖6是本發(fā)明的第2實(shí)施例的多層電路基板的剖面示意圖。本實(shí)施例的多層基板是在由被壓縮性的絕緣基體材料構(gòu)成的核心基板的至少單面上層疊了在實(shí)施例1中已說(shuō)明的電路基板的結(jié)構(gòu)。在圖中，是將芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料的兩面基板401作為核心基板使用，將在第1實(shí)施例中已說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的玻璃環(huán)氧基體材料的電路基板402層疊在核心基板的兩側(cè)的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例的多層電路基板可如下那樣來(lái)制造。
首先，使用芳族聚酰胺環(huán)氧半固化片制造兩面電路基板。關(guān)于兩面電路基板的作成方法，首先在芳族聚酰胺環(huán)氧半固化片的兩面上暫時(shí)壓接覆蓋膜，形成貫通孔。關(guān)于貫通孔，例如可利用二氧化碳?xì)怏w激光形成孔徑為200微米的貫通孔。芳族聚酰胺環(huán)氧半固化片是將環(huán)氧樹(shù)脂浸漬于芳族聚酰胺的無(wú)紡布中的復(fù)合材料，由于在內(nèi)部存在多個(gè)孔隙而具有被壓縮性，故即使不使用在實(shí)施例1中示出的方法，在內(nèi)通路中也可實(shí)現(xiàn)離散性小的連接電阻。當(dāng)然，如實(shí)施例中所示那樣，如果利用增強(qiáng)材料(此時(shí)，是芳族聚酰胺無(wú)紡布)的密度來(lái)改變孔徑，則離散性變得更小，不用說(shuō)，這是較為理想的。
接著，如果在貫通孔中充填導(dǎo)電膏并除去覆蓋膜，則完成芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料的連接中間體。其后，與實(shí)施例1同樣，可得到芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料的兩面電路基板。此外，可使用激光開(kāi)出貫通孔，也可使用鉆頭開(kāi)出。
將上述基板作為核心基板，從兩側(cè)重疊在實(shí)施例1中已說(shuō)明的連接中間體和金屬箔，與實(shí)施例1同樣地利用熱壓進(jìn)行層疊，將上述金屬箔加工為布線(xiàn)圖形。由此，完成4層基板(在此，所謂4層，指的是布線(xiàn)層)。再有，被壓縮性的核心基板也可以是多層電路基板。在圖12中示出核心基板的布線(xiàn)層為4層的例子。
在需要更多的層時(shí)，可通過(guò)將本實(shí)施例的多層基板作為核心基板重復(fù)進(jìn)行本實(shí)施例的工序，進(jìn)行制造。
在本實(shí)施例的多層基板中，是在全部玻璃環(huán)氧基體材料的絕緣體層中埋置了布線(xiàn)層的結(jié)構(gòu)，如在實(shí)施例1中已說(shuō)明的那樣，可實(shí)現(xiàn)離散性更小的連接電阻。此外，雖然在核心基板中不埋置布線(xiàn)層，但芳族聚酰胺環(huán)氧半固化片的被壓縮性補(bǔ)償了這一點(diǎn)，內(nèi)通路成為可充分壓縮的結(jié)構(gòu)。即，本實(shí)施例的多層電路基板在全層中可實(shí)現(xiàn)離散性更小的連接電阻。再者，在兩側(cè)層疊了玻璃環(huán)氧基體材料的情況下，芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料不暴露于外部，成為難以吸濕的結(jié)構(gòu)。而且，由于玻璃環(huán)氧基體材料在機(jī)械強(qiáng)度方面良好，故與只由芳族聚酰胺環(huán)氧基體材料構(gòu)成的多層基板相比，可實(shí)現(xiàn)在機(jī)械強(qiáng)度方面良好的基板。
(實(shí)施例3)圖7是本發(fā)明的第3實(shí)施例的多層基板的剖面示意圖。本實(shí)施例的多層基板是將第1或第2實(shí)施例的電路基板501作為核心基板、在核心基板的至少單面上層疊了比核心基板的絕緣體層薄的絕緣體層的電路基板502的結(jié)構(gòu)。可在薄的絕緣體層上以低電阻形成更微細(xì)的內(nèi)通路。這是因?yàn)椋词乖谙嗤目讖较?，如果減少內(nèi)通路的長(zhǎng)度、即減薄絕緣體層的厚度，則連接電阻也變小。
說(shuō)明將實(shí)施例2的4層多層基板作為核心基板、使用聚酰亞胺膜作為比核心基板的絕緣體層薄的絕緣體層的情況。
本實(shí)施例的多層基板可如下那樣來(lái)制造。首先，說(shuō)明由聚酰亞胺膜形成的絕緣體層的基板的作成方法。如圖8A中所示，在聚酰亞胺膜601的兩面上形成了粘接劑層602的膜(薄的絕緣體層603)的單面上，如圖8B中所示，暫時(shí)壓接覆蓋膜604，在另一方的單面上暫時(shí)壓接帶有載體的布線(xiàn)圖形(605)。粘接劑層602可使用聚酰亞胺類(lèi)或環(huán)氧類(lèi)的粘接劑。關(guān)于膜的厚度，作為一例，對(duì)于13微米的聚酰亞胺膜，分別形成5微米的粘接劑層。關(guān)于覆蓋膜，可與實(shí)施例相同。此外，關(guān)于布線(xiàn)圖形，可使用在實(shí)施例1中已說(shuō)明的在轉(zhuǎn)移法中使用的帶有載體的銅箔上形成了布線(xiàn)圖形的材料。
其次，如圖8C中所示，在膜上形成非貫通孔，充填導(dǎo)電體606，除去覆蓋膜。由此，完成兩面電路轉(zhuǎn)移材料中間體614。關(guān)于非貫通孔的形成，可使用激光孔加工法。作為一例，可使用UV-YAG激光(3次諧波波長(zhǎng)為355nm)。如果利用UV-YAG激光，由于不對(duì)銅箔造成損傷，可形成微細(xì)的非貫通孔(在本實(shí)施例中，約為30～50微米)，故是較為理想的。
作為導(dǎo)電體，與實(shí)施例1同樣，可使用導(dǎo)電膏。關(guān)于導(dǎo)電膏的充填，可使用括槳印刷法。在非貫通孔的充填中，在充填時(shí)或充填后，最好進(jìn)行減壓。這是為了利用減壓來(lái)除去在從開(kāi)口部充填了膏時(shí)進(jìn)入的氣泡。此外，較為理想的是，關(guān)于銅箔，使用在表面上設(shè)置了凹凸的粗糙化銅箔，在與粘接層之間留下間隙(是與銅箔表面的凹凸對(duì)應(yīng)的微細(xì)的間隙，比導(dǎo)電膏的導(dǎo)電充填劑小)進(jìn)行暫時(shí)壓接。這是因?yàn)?，在?dǎo)電膏的充填時(shí)和加壓時(shí)，導(dǎo)電膏的樹(shù)脂從該間隙被排出，提高了內(nèi)通路中的導(dǎo)電粉的比例，可得到更低的電阻。
其次，如圖8D中所示，在除去了兩面電路轉(zhuǎn)移材料中間體614的覆蓋膜一側(cè)重疊金屬箔607，利用熱壓進(jìn)行加熱加壓。此時(shí)，將布線(xiàn)圖形埋入粘接劑層602中。熱壓的條件可與實(shí)施例1相同。
其次，利用通常的光刻法將金屬箔加工為布線(xiàn)圖形608，完成帶有載體的兩面電路轉(zhuǎn)移材料609(圖9A)。
如果使用上述帶有載體的兩面電路轉(zhuǎn)移材料609代替帶有載體的金屬箔重復(fù)進(jìn)行上述工序，則可制造多層轉(zhuǎn)移材料中間體610(圖9B)或多層電路轉(zhuǎn)移材料611(圖9C)。
已說(shuō)明了使用聚酰亞胺膜作為比核心基板的絕緣體層薄的絕緣體層的情況，但也可在BCB(苯并環(huán)丁烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、芳族聚酰胺、PBO(聚對(duì)苯撐苯并雙噁唑)或全芳香族聚酯等膜上形成粘接劑來(lái)使用。在熱可塑性膜的情況下，如果對(duì)膜本身加熱，則由于具有粘接性，故也可不要粘接劑來(lái)使用。
其次，在核心基板上層疊轉(zhuǎn)移材料。
作為核心基板，可使用在實(shí)施例1或2中已說(shuō)明的電路基板612。如圖10A那樣，將轉(zhuǎn)移材料中間體610層疊在核心基板612的至少一側(cè)，利用熱壓來(lái)層疊。熱壓的條件可與實(shí)施例1相同。最后，如果利用刻蝕除去轉(zhuǎn)移材料中間體的載體，則完成本實(shí)施例的多層基板。
此外，也可經(jīng)實(shí)施例1或2的連接中間體613將本實(shí)施例的(多層)電路轉(zhuǎn)移材料611層疊在核心基板612上，代替使用轉(zhuǎn)移材料中間體來(lái)制造本實(shí)施例的多層基板(圖10B)。
在本實(shí)施例中，示出了用布線(xiàn)轉(zhuǎn)移材料將薄的絕緣體層轉(zhuǎn)移到核心基板上的方法，但如果按照該方法，由于可分別制造在薄的絕緣體層上形成的更微細(xì)的電路和核心基板，故與在核心基板上按順序?qū)盈B上去的方法相比，可減少微細(xì)電路部分的因塵埃引起的污染、并可使整體的成品率提高。
在本實(shí)施例的多層電路基板中，可將在實(shí)施例1和2中已說(shuō)明的具備了離散性小的連接電阻的全層IVH結(jié)構(gòu)的電路基板作為核心基板，在其上形成更高密度的布線(xiàn)層。在只用薄的聚酰亞胺膜的絕緣體層作成基板的情況下，難以使用于要求機(jī)械強(qiáng)度的領(lǐng)域，但本實(shí)施例的多層基板可實(shí)現(xiàn)機(jī)械強(qiáng)度和高密度微細(xì)布線(xiàn)(包含核心基板部分)，特別適合于直接安裝比較大的半導(dǎo)體用的封裝用基板。
作為核心基板，也可使用一般的電路基板(玻璃環(huán)氧通孔基板、組合基板、使用了浸漬環(huán)氧樹(shù)脂的芳族聚酰胺纖維無(wú)紡布的多層基板等)。此外，如圖中所示，也可經(jīng)連接中間體在布線(xiàn)形成用的金屬箔上直接層疊上述轉(zhuǎn)移材料。
權(quán)利要求
1.一種電路基板，具備電絕緣體層，包括在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片；第1內(nèi)通路孔，開(kāi)孔在上述電絕緣體層的厚度方向上，充填了導(dǎo)電體；第2內(nèi)通路孔，開(kāi)孔在上述電絕緣體層的厚度方向上，充填了導(dǎo)電體，具有比上述第1內(nèi)通路孔的剖面面積大的剖面面積；以及第3內(nèi)通路孔，開(kāi)孔在上述電絕緣體層的厚度方向上，充填了導(dǎo)電體，具有比上述第2內(nèi)通路孔的剖面面積大的剖面面積，其中，設(shè)有第2內(nèi)通路孔的部分的增強(qiáng)材料片的密度大于設(shè)有上述第3內(nèi)通路孔的部分的增強(qiáng)材料片的密度，設(shè)有第1內(nèi)通路孔的部分的增強(qiáng)材料片的密度大于設(shè)有上述第2內(nèi)通路孔的部分的增強(qiáng)材料片的密度。
2.如權(quán)利要求1所述的電路基板，在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片是從由從有機(jī)纖維和無(wú)機(jī)纖維中選出的至少一種纖維構(gòu)成的編織布和無(wú)紡布中選出的至少一種。
3.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片是由有機(jī)樹(shù)脂構(gòu)成的膜。
4.如權(quán)利要求2中所述的電路基板，在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片是由玻璃纖維構(gòu)成的編織布。
5.如權(quán)利要求4中所述的電路基板，上述增強(qiáng)材料片是由玻璃纖維構(gòu)成的編織布，上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分是上述編織布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)重疊的部分，上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分是上述編織布的經(jīng)線(xiàn)與緯線(xiàn)非重疊的部分。
6.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，與剖面面積大的內(nèi)通路孔的側(cè)壁面的突出纖維的突出量比較，剖面面積小的內(nèi)通路孔的側(cè)壁面的突出纖維的突出量較多。
7.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，存在多層布線(xiàn)層，將其中的至少1層的上述布線(xiàn)層埋置于上述絕緣體層內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，內(nèi)通路孔的剖面面積連續(xù)地變化。
9.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，在權(quán)利要求1所述的電路基板的單面上還層疊了由可壓縮性的電絕緣材料構(gòu)成的電路基板，形成了多層電路基板。
10.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，權(quán)利要求1所述的電路基板配置在兩外側(cè)，在其間還層疊了由可壓縮性的電絕緣材料構(gòu)成的電路基板作為核心基板，形成了多層電路基板。
11.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，將權(quán)利要求1所述的電路基板作為核心基板，在上述核心基板的至少單面上還層疊了至少1層由比核心基板的絕緣體層薄的絕緣體層構(gòu)成的電路基板，形成了多層電路基板。
12.如權(quán)利要求1中所述的電路基板，上述內(nèi)通路孔的大的剖面面積與小的剖面面積之比為大于等于1.15倍而小于等于10倍。
13.一種電路基板的制造方法，在包括在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片的電絕緣體層上，在上述電絕緣體層的厚度方向上形成充填了導(dǎo)電體的多個(gè)內(nèi)通路孔，其中，將上述內(nèi)通路孔中的一個(gè)作為第1內(nèi)通路孔，將具有比上述第1內(nèi)通路孔的剖面面積大的剖面面積的內(nèi)通路孔作為第2內(nèi)通路孔，將具有比上述第2內(nèi)通路孔的剖面面積大的剖面面積的內(nèi)通路孔作為第3內(nèi)通路孔，此時(shí)，將上述第3內(nèi)通路孔設(shè)在與上述第2內(nèi)通路孔相比上述增強(qiáng)材料片的密度較小的部分，將上述第2內(nèi)通路孔設(shè)在與上述第1內(nèi)通路孔相比上述增強(qiáng)材料片的密度較小的部分。
14.如權(quán)利要求13中所述的電路基板的制造方法，將在上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積小的方法是在上述增強(qiáng)材料片的厚度方向上插入旋轉(zhuǎn)鉆頭形成了貫通孔后、在使鉆頭旋轉(zhuǎn)的原有狀態(tài)下暫時(shí)使其停止、其后拔出上述鉆頭的方法。
15.如權(quán)利要求13中所述的電路基板的制造方法，將在上述增強(qiáng)材料片的密度大的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的內(nèi)通路孔的剖面面積小的方法是熱加工型的激光加工法。
16.如權(quán)利要求13中所述的電路基板的制造方法，布線(xiàn)層為多層，將其中的至少1層的布線(xiàn)層埋置于上述絕緣體層內(nèi)。
17.如權(quán)利要求13中所述的電路基板的制造方法，在由權(quán)利要求13得到的電路基板的單面上還層疊了由可壓縮性的電絕緣材料構(gòu)成的電路基板，從而制造多層電路基板。
18.如權(quán)利要求13中所述的電路基板的制造方法，由權(quán)利要求13得到的電路基板配置在兩外側(cè)，在其間還層疊了由可壓縮性的電絕緣材料構(gòu)成的電路基板作為核心基板，從而制造多層電路基板。
19.如權(quán)利要求13中所述的電路基板的制造方法，將由權(quán)利要求13得到的電路基板作為核心基板，在上述核心基板的至少單面上還層疊了至少1層由比核心基板的絕緣體層薄的絕緣體層構(gòu)成的電路基板，從而制造多層電路基板。
全文摘要
一種電路基板，具備由在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片(101)構(gòu)成的電絕緣層和布線(xiàn)層，其中，在上述電絕緣體層的厚度方向上開(kāi)出了的多個(gè)內(nèi)通路孔中充填了導(dǎo)電體，而且上述布線(xiàn)層與上述導(dǎo)電體連接，將在上述增強(qiáng)材料片(101)的密度大的部分上設(shè)置的上述內(nèi)通路孔(104)的剖面面積形成得比在上述增強(qiáng)材料片的密度小的部分上設(shè)置的上述內(nèi)通路孔(103)的剖面面積小。由此，在將含有由經(jīng)線(xiàn)(102b)和緯線(xiàn)(102a)構(gòu)成的玻璃布等的在平面方向上有密度分布的增強(qiáng)材料片的基體材料用作絕緣體層的情況下，提供實(shí)現(xiàn)高密度布線(xiàn)而且離散性小的內(nèi)通路連接電阻的電路基板。
文檔編號(hào)H05K3/40GK1674760SQ20051006263
公開(kāi)日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2001年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月9日
發(fā)明者鈴木武, 西井利浩, 留河悟, 越后文雄 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社