專利名稱：通用的發(fā)送器裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用來以二進制電信號的形式向接收器裝置發(fā)送數(shù)字信息的發(fā)送器裝置。所述發(fā)送器裝置包括N-MOS晶體管及P-MOS晶體管。每一個N-MOS晶體管具有N-溝道，每一個P-MOS晶體管具有P-溝道。
背景技術：
電子技術及設計方面的進展，尤其是為改進功耗及速度等性能所作的努力，已對電路與電路板之間的二進制電信令引出很多概念。早期的概念為DTL(二極管-晶體管邏輯)、TTL(晶體管-晶體管邏輯)及ECL(射線耦合邏輯)。這些概念采用所謂的單端信令。更近斯的概念經(jīng)常采用稱為差示信令(differential signalling)、亦稱為平衡信令的技術，這種技術使用兩條信令線。這樣的概念為DPECL(差示偽射極耦合邏輯)、LVDS(低壓差示信令)及GLVDS(接地的低壓差示信令)。在瑞典專利申請SE 930 4025-1及SE 9400971-9中，公開了GLVDS。
雖然上述差示信令概念確實是差示的，但是，但兩條信令線的每一條都工作在相對于地為固定的標稱電壓。每一條線工作于分別稱為低電壓電平及高電壓電平的兩個電壓電平。
DPECL一般具有信令低壓電平3.4V及高壓電平3.9V。另一方面，LVDS具有低電平0.95V及高電平1.45V，而GLVDS具有低電平0V及高電平0.5V。這些電壓都相對于地而言。
上述各類信令概念的發(fā)送器裝置及接收器裝置分別發(fā)送及接收在相當窄的電壓區(qū)間內(nèi)的信號。特別是，用來在接近于地電平的電位進行信令工作的發(fā)送器裝置及接收器裝置，例如GLVDS，一般僅對低信令電壓電平(例如，小于1V)工作。這樣的發(fā)送器裝置與要求其它信令電壓電平的不同信令概念的接收器裝置并不兼容。
為工作于信令電壓電平在寬廣范圍內(nèi)的通用發(fā)送器裝置設計電子電路是一個待解決的問題。
在US 5179293中，公開了一種用來在激活方式與禁止方式之間切換雙極輸出級的技術和電路.在禁止方式下，使輸出級處于去激勵狀態(tài)，該級的輸出節(jié)點呈現(xiàn)高阻抗。
在US 531 9259中，公開了一種適用于各種電源電壓(其中包括電源電壓小于5伏)的輸出級。當超出合理范圍的電壓加到這種輸出級的輸出焊盤上時，該輸出級允許正常工作。
在US 5111080中，公開了一種把一個信號變換成兩個互補信號的信號發(fā)送電路，這兩個互補信號通過串聯(lián)電阻從信號發(fā)送電路輸出。該串聯(lián)電阻及信號接收端提供的端接電阻減小了這兩個互補信號中每一個信號的幅度。信號接收端移動其接收到的輸入電平。通過高輸入阻抗的差分放大電路放大該電平已被移動的信號。
發(fā)明概要本發(fā)明的一個目的是解決上述為工作于寬廣的信令電壓范圍內(nèi)的通用發(fā)送器裝置設計電子電路的問題。
借助于包括晶體管對的發(fā)送器裝置實現(xiàn)了這一目的。每一個晶體管對本身包括一個N-MOS晶體管及一個P-MOS晶體管。一對中的N-MOS晶體管的N-溝道與同一對中的P-MOS晶體管的P-溝道并聯(lián)連接。在第一工作方式下，N-MOS晶體管是激活的；在第二工作方式下，P-MOS晶體管是激活的。通過具有互補值的信號來控制這一對中N-MOS晶體管的柵極端及同一對中P-MOS晶體管的柵極端。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)送器裝置與幾種現(xiàn)有信令概念(例如DPECL、LVDS及GLVDS)的接收器裝置兼容。還可以相信，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)送器裝置與未來的信令概念兼容。這種發(fā)送器裝置的信令電壓的范圍為從稍負的值(例如，-0.5V)一直到幾伏(例如，5V)左右。
附圖的簡要描述根據(jù)參照附圖的下列描述，本發(fā)明連同進一步的目的及其優(yōu)點將變得很清楚，其中

圖1為根據(jù)本發(fā)明信號發(fā)送器裝置的電路圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明信號發(fā)送器裝置的電路圖，這里，把體端連接到分壓網(wǎng)絡上；圖3以圖示出在不同信令電壓下的工作方式；
圖4以圖示出在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)送器裝置中，在不同的電壓下，N-MOS晶體管及P-MOS晶體管的電導率；圖5示出包括根據(jù)本發(fā)明的發(fā)送器裝置在內(nèi)的發(fā)送器裝置單元，該信號發(fā)送器裝置從接收器裝置單元接受其電源電壓；圖6示出包括根據(jù)本發(fā)明信號的發(fā)送器裝置在內(nèi)的發(fā)送器裝置單元，該信號發(fā)送器裝置從該發(fā)送器裝置單元接受其電源電壓，所述電源電壓由接收器裝置單元來確定。
本發(fā)明的詳細描述圖1示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)送器裝置1。發(fā)送器裝置1的輸入端INP連接到倒相器2、3的輸入端上。倒相器2、3的輸出端又連接到倒相器4、5的輸入端上。倒相器5的輸出端連接到倒相器6的輸入端上。倒相器2-6的負電源端連接到地GND，而正電源端連接到電源電壓VCC上。倒相器4的輸出端連接到N-MOS晶體管7、8的柵極及P-MOS晶體管9、10的柵極上。倒相器6的輸出端連接到N-MOS晶體管11、12的柵極及P-MOS晶體管13、14的柵極上。N-MOS晶體管7、11的漏極端及P-MOS晶體管9、13的源極端連接到電源電壓VBH上。N-MOS晶體管8、12的源極端及P-MOS晶體管10、14的漏極端連接到電源電壓VBL上。晶體管7、10的源極端及晶體管12、13的漏極端連接到發(fā)送器裝置1的一個輸出端OUTP上。晶體管8、9的漏極端及晶體管11、14的源極端連接到發(fā)送器裝置1的第2輸出端OUTN上。
P-MOS晶體管9、10、13、14的體端通過電阻15連接到電源電壓VBH上。N-MOS晶體管7、8、11、12的體端通過電阻16連接到電源電壓VBL上。
因此，N-MOS晶體管7、8、11、12的N-溝道與相應的P-MOS晶體管9、10、13、14的P-溝道并聯(lián)連接。
發(fā)送器裝置在其輸入端INP上從邏輯電路(未示出)接受二進制信號，在一系列倒相器2-6中，把該二進制信號變換成具有互補值的第一及第二信號。因此，在倒相器4、6之一的輸出端上存在著低電壓，而在倒相器4或6之另一的輸出端上 存在著高電壓。該低電壓接近于地GND，該高電壓接近于VCC。初一看可能似乎是冗余的倒相器2-5可用來使連接到晶體管7～14的柵極上的兩個信號彼此同相。這通過放慢倒相器2的響應(例如，通過連接到倒相器2輸出端上的容性負載(未示出))來實現(xiàn)。倒相器4恢復來自倒相器2輸出端的信號的形狀。
發(fā)送器裝置能夠在其輸出端OUTP、OUTN上產(chǎn)生電壓，其范圍從稍負的值(約-0.5V)一直到某些電壓值(作為一個例子，當VCC為3.3V時，給出5V左右)。作為是在發(fā)送器裝置輸出端OUTP與OUTN之間電壓差VOUTP-VOUTN的電壓擺幅，在空載時一般為±0.5V，但也可能脫離此值。通過適當?shù)剡x擇電源電壓VBH、VBL，設定在輸出端OUTP、OUTN上的電壓，對此，將作進一步描述。
由于MOS晶體管固有的導通時的電阻RDSON，有載發(fā)送器裝置的輸出電壓可能不同于電源電壓VBH、VBL。連接到發(fā)送器裝置上的、一般為信號接收器裝置及端接網(wǎng)絡的負載將通過將晶體管取出電流，該電流在晶體管兩端引起電壓降。當選擇電源電壓VBH、VBL時，可把這一電壓降補償?shù)?，以獲得預定的輸出電壓。
假定適當?shù)匕才帕硕私泳W(wǎng)絡(未示出)，通過例如選擇VBH＝3.9V及VBL＝3.4V，則輸出電壓VOUTP及VOUTN將與DPECL接收器裝置的信令電壓兼容。當VBH＝1.45V及VBL＝0.95V時，輸出OUTP、OUTN與LVDS接收器裝置兼容。當VBH＝0.5V及VBL＝0V時，輸出OUTP、OUTN與GLVDS接收器裝置兼容。
通過描述兩種工作方式，將進一步說明發(fā)送器裝置。在要描述的第一方式下，電源電壓VBH及VBL在工作范圍的較低區(qū)域內(nèi)。作為一個例子，VBH為0.5V及VBL為0V。在要描述的第二方式下，VBH及VBL為幾伏左右。作為一個例子，VBH為3.9V及VBL為3.4V。在兩種工作方式下，輸入INP可以是接近于VCC的高電平，或者是接近于地GND的低電平。
在第一工作方式下，P-MOS晶體管9、10、13、14為不導通狀態(tài)。在這一方式下，P-MOS晶體管9、10、13、14兩端的電壓降UGS并未大到足以使該P-MOS晶體管9、10、13、14進入導通狀態(tài)。只對晶體管9圖示了UGS。當輸入INP為高電平時，倒相器4的輸出為高電平，近似為3.3V，倒相器6的輸出為低電平，近似為0V。于是，N-MOS晶體管11、12也將為不導通狀態(tài)，而N-MOS晶體管7、8為導通狀態(tài)，因為N-MOS晶體管7、8的電壓降UGS已超過例如0.7V的門限值。其結果是，輸出OUTP為由導通時晶體管7兩端的電壓降UDS確定的高電壓，而輸出OUTN為由導通時晶體管8兩端的電壓降UDS確定的低電壓。只對晶體管7圖示了UDS。當輸入INP為低電平時，倒相器4、6的輸出電平互換了，即倒相器4的輸出為低電平，倒相器6的輸出為高電平。只有晶體管11、12將導通，在輸出端OUTP上產(chǎn)生低電壓，在輸出端OUTN上產(chǎn)生高電壓。忽略導通時晶體管的電壓降(它是由導通時的電阻RDSON及通過該晶體管流出的電壓ID造成的)，上述高電壓等于VBH，即0.5V，低電壓等于VBL，即0V。
在第二工作方式下，N-MOS晶體管7、8、11、12為不導通狀態(tài)。當輸入INP為高電平時，晶體管9、10不導通，晶體管13、14導通。假定忽略導通時晶體管兩端的電壓降，則輸出OUTP的電壓為3.9V，輸出OUTN的電壓為3.4V。當輸入INP為低電平時，發(fā)送器裝置輸出端OUTP及OUTN上的電壓互換了。
因此，在第一工作方式下，只有第一組晶體管(N-MOS晶體管7、8、11、12)是激活的；在第二工作方式下，只有第二組晶體管(P-MOS晶體管9、10、13、14)是激活的。
當VBL為1V左右，VBH為VBL+0.5V左右時，在這兩種工作方式之間存在著一個交叉區(qū)域，在該交叉區(qū)域內(nèi)，兩組晶體管是部分激活的。通過精心設計，發(fā)送器裝置1在以前描述的兩種工作方式之間幾乎無接縫地工作。這例如借助于通過電阻15、16把P-MOS晶體管9、10、13、14的體端連接到VBH上，把N-MOS晶體管7、8、11、12的體端(假定它們是可以達到的)連接到VBL上而實現(xiàn)。通過把晶體管的體端連接到電阻15、16、17、18的分壓網(wǎng)絡上，如圖2所示，而不是將其直接連接到VBH及VBL上，來改變門限電壓VDSth，藉此，擴展或移動每一種方式的工作范圍。藉此，在設計期間內(nèi)可以控制兩種方式之間的重疊。另一種方法(未示出)是把體端連接到可編程序的電壓基準上，藉此，通過改變該電壓基準的電壓值，可以動態(tài)地控制該重疊。
對于熟悉本技術的人，正常的實踐將是把P-MOS晶體管9、10、13、14的體端連接到Vcc上。這將排除工作電壓VBH超過Vcc+二極管正向電壓降(近似為0.7V)，因為在P-MOS晶體管9、10、13、14中存在著寄生二極管。作為一個例子，圖2示出晶體管9的寄生二極管19。根據(jù)本發(fā)明之目的，可以把工作電壓VBH選擇為顯著高于Vcc+0.7V(例如，選為Vcc+1.7V)，這是按本發(fā)明的體端的安排確定的。
圖3示出作為時間函數(shù)的發(fā)送器裝置的輸出電壓UOUTP。還示出分別標為N-MOS及P-MOS的兩種部分重疊的工作方式。電源電壓VBL從-0.5V掃描到4.5V，電源電壓VBH從0V掃描到5V。在掃描時間t的期間內(nèi)，輸入INP不斷反復。正如可從圖中看到的那樣，輸出電壓Voutp從-0.5V不間斷地變化到5V。在掃描時間的期間內(nèi)，發(fā)送器裝置從第一工作方式過渡到第二工作方式。
圖4示出作為電源電壓VBL、VBH的函數(shù)的電導率1/z。示出了N-MOS晶體管(例如，N-MOS晶體管7)的電導率、相應的P-MOS晶體管(例如，晶體管13)的電導率，以及在發(fā)送器裝置1的輸出端OUTP上相對于地GND的合成電導率1/z。合成的電導率是同時導通的晶體管的電導率之和。通過適當?shù)卦O定體端上的電壓使這些晶體管偏置，使得在發(fā)送器裝置的整個工作范圍內(nèi)，合成的電導率近似恒定。
被用來把信號以高信令速度從發(fā)送器裝置傳送到接收器裝置的線路被設計成傳輸線。在理想情況下，傳輸線的端接阻抗匹配于傳輸線的特性阻抗。把發(fā)送器裝置1的阻抗設計成粗略地匹配于用來把信號發(fā)送器裝置與信號接收器裝置互連起來的傳輸線的特性阻抗，而不必采用用來端接的專用電阻性元件，例如，電阻或MOS晶體管。這通過選擇具有適當阻抗值RDSON的晶體管來實現(xiàn)。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的連接到接收器裝置20上的信號發(fā)送器裝置1。發(fā)送器裝置1及接收器裝置20被安置到不同的單元21及22(例如，兩塊電路板)上。由接收器裝置單元22提供電源電壓VBH及VBL。因此，信令電壓VOUTN、VOUTH由接收器裝置單元22確定，設定這些信令電壓以適應接收器裝置1的信令電壓。一種用來對發(fā)送器裝置1實現(xiàn)適當?shù)碾娫措妷篤BR、VBL的簡單方法是利用分壓器網(wǎng)絡23、24，該分壓器網(wǎng)絡分別連接到接收器裝置單元22的電源電壓VR及地G上。提供了電容器25、26，以便使電源電壓VBH、VBL去耦。
圖6示出一種用來實現(xiàn)由接收器裝置單元22為發(fā)送器裝置1確定的適當電源電壓VBH、VBL的不同方法。接收器裝置單元22的端接網(wǎng)絡27、28連接到固定的電壓基準VREF上，該電壓基準在接收器裝置20的信令電壓范圍內(nèi)。提供給發(fā)送器裝置1的電源被安置在發(fā)送器裝置單元21上。該電源包括兩個電流發(fā)生器29、30。本來就已知，這樣的電源提供浮動電壓，即，電源電壓VBH及VBL不是相對于一個固定的電壓基準。因此，輸出OUTP、OUTH也是浮動的(參看圖3)。提供了電容器31、32，以便使電源電壓VBH、VBL去耦。因此，由端接網(wǎng)絡的電壓基準VREF來強制信令電平。
由接收器裝置單元22來支配信令電平的優(yōu)點在于，當以較新設計的、包容使用不同信令電平的不同接收器裝置20的另一種接收器裝置單元22來代替接收器裝置單元22時，并不需要修改現(xiàn)存的發(fā)送器裝置單元21。
本領域的技術人員在所描述的實施例中可以進行各種變更及修改，而不脫離本發(fā)明的范圍及精神。例如，在實施例中所闡明的電壓值只打算作為用來說明本發(fā)明原理的例子?？梢岳闷渌妷褐刀桓淖儽景l(fā)明的實質。還可以把本發(fā)明的主要原理應用于單端發(fā)送器裝置上。在現(xiàn)有技術中，單端信令是熟知的。
權利要求
1.一種用來以二進制電信號的形式向接收器裝置發(fā)送數(shù)字信息的發(fā)送器裝置，所述發(fā)送器裝置包括N-MOS晶體管(7、8、11、12)，每一個N-MOS晶體管具有N-溝道，及P-MOS晶體管(9、10、13、14)，每一個P-MOS晶體管具有P-溝道，其中所述發(fā)送器裝置包括晶體管對(7、13；8、14；9、11；10、12)，每一對所述晶體管對又包括所述N-MOS晶體管之一及所述P-MOS晶體管之一；在一對中所包括的N-MOS晶體管的所述N-溝道與在同一對中所包括的P-MOS晶體管的所述P-溝道并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權利要求1中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，在第一工作方式下，所述N-MOS晶體管是激活的；在第二工作方式下，所述P-MOS晶體管是激活的。
3.根據(jù)權利要求1或2中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，由具有互補值的信號控制在所述對中所包括的所述N-MOS晶體管的柵極端及在同一對中所包括的所述P-MOS晶體管的柵極端。
4.根據(jù)權利要求1、2或3中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述P-MOS晶體管(9、10、13、14)的體端連接到正電源電壓(VBH)上。
5.根據(jù)權利要求1～4任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述N-MOS晶體管的體端連接到負電源電壓(VBL)上。
6.根據(jù)權利要求1～5任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，體端通過電阻網(wǎng)絡連接到電源電壓(VBL、VBH)上。
7.根據(jù)權利要求1～6任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，在所述第一工作方式下，通過利用所述N-MOS晶體管(7、8、11、12)的固有阻抗，以及在所述第二工作方式下，通過利用所述P-MOS晶體管(9、10、13、14)的固有阻抗，使所述發(fā)送器裝置的輸出阻抗匹配于連接到所述發(fā)送器裝置輸出端的傳輸線的特性阻抗。
8.根據(jù)權利要求1～7任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，由其中設置著所述接收器裝置(20)的單元(22)來提供所述電源電壓。
9.根據(jù)權利要求1～7任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述電源電壓相對于地是浮動的。
10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，由其中設置著所述接收器裝置(20)的單元(22)，通過設定端接網(wǎng)絡被連接到其上的基準電壓(VREF)，來控制信令電壓。
11.一種用來以二進制電信號的形式向接收器裝置發(fā)送數(shù)字信息的發(fā)送器裝置，所述發(fā)送器裝置包括N-MOS晶體管(7、8、11、12)，每一個N-MOS晶體管具有N-溝道，及P-MOS晶體管(9、10、13、14)，每一個P-MOS晶體管具有P-溝道，其中，所述發(fā)送器裝置包括晶體管對(7、13；8、14；9、11；10、12)，每一對所述晶體管對又包括所述N-MOS晶體管之一及所述P-MOS晶體管之一；以及在一對中所包括的N-MOS晶體管的所述N-溝道與在同一對中所包括的P-MOS晶體管的所述P-溝道并聯(lián)連接。
12.一種用來以二進制電信號的形式通過傳輸線向接收器裝置發(fā)送數(shù)字信息的發(fā)送器裝置，包括用來接收要被發(fā)送的數(shù)據(jù)信號的輸入端子(INP)，輸出級(7～16)，它具有適宜于與傳輸線連接的輸出端，還具有用來接受用于該輸出級的工作電壓的電源端(VBH、VBL)，與所述輸出級電源端連接的電源裝置(23、30)，用來對所述輸出級提供所述工作電壓；其特征在于，所述電源裝置適合于提供對地(GHD)浮動的所述工作電壓。
13.根據(jù)權利要求2中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述電源裝置(23、30)包括串聯(lián)連接的第一電流源(29)與第二電流源(30)；所述第一電流源(29)連接到所述輸出級電源端的第一端(VBH)上，所述第二電流源(30)連接到所述電源端的第二端(VB1)上。
14.一種發(fā)送器裝置，適宜于通過傳輸線連接到接收器裝置單元上，用來以二進制電信號的形式通過所述傳輸線向所述接收器裝置單元發(fā)送數(shù)字信息，包括用來接受要發(fā)送的數(shù)字信號的輸入端(INP)；輸出級(7～16)，它具有適宜于與傳輸線連接的輸出端，還具有用來接受用于該輸出級的工作電壓的電源端(VBH、VB1)；其特征在于，所述輸出級適合于具有由所述接收器裝置單元(22)提供的所述工作電壓。
15.根據(jù)權利要求2～4任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，包括晶體管對(7、13；8、14；9、11；10、12)，每一個所述晶體管對又包括一個N-MOS晶體管及一個P-MOS晶體管；在一對中所包括的N-MOS晶體管的所述N-溝道與在同一對中所包括的P-MOS晶體管的所述P-溝道并聯(lián)連接。
16.根據(jù)權利要求1及5任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，在第一工作方式下，所述N-MOS晶體管是激活的；在第二工作方式下，所述P-MOS晶體管是激活的。
17.根據(jù)權利要求1、5或6中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，由具有互補值的信號控制在所述對中所包括的所述N-MOS晶體管的柵極端及在同一對中所包括的所述P-MOS晶體管的柵極端。
18.根據(jù)權利要求1、5、6或7中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述P-MOS晶體管(9、10、13、14)的體端連接到正電源電壓(VBH)上。
19.根據(jù)權利要求1、5～8任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述N-MOS晶體管的體端連接到負電源電壓(VBL)上。
20.根據(jù)權利要求1、5～9任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，體端通過電阻網(wǎng)絡連接到電源電壓(VBL、VBH)上。
21.根據(jù)權利要求1、5～10任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，在所述第一工作方式下，通過利用所述N-MOS晶體管(7、8、11、12)的固有阻抗，以及在所述第二工作方式下，通過利用所述P-MOS晶體管(9、10、13、14)的固有阻抗，使所述發(fā)送器裝置的輸出阻抗匹配于連接到所述發(fā)送器裝置輸出端的傳輸線的特性阻抗。
22.根據(jù)權利要求1、5～11任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，由其中設置著所述接收器裝置(20)的單元(22)來提供所述電源電壓。
23.根據(jù)權利要求1、5～12任一項中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，所述電源電壓相對于地是浮動的。
24.根據(jù)權利要求13中所述的發(fā)送器裝置，其特征在于，由其中設置著所述接收器裝置(20)的單元(22)，通過設定端接網(wǎng)絡被連接到其上的基準電壓(VREF)，來控制信令電壓。
25.一種發(fā)送器裝置(1)，連接到接收器裝置(20)上，用來以二進制電信號的形式通過傳輸線發(fā)送數(shù)字信息，所述發(fā)送器裝置(1)及所述接收器裝置(20)設置在不同的單元(21、22)上；其特征在于，所述發(fā)送器裝置(1)包括用來接受要被發(fā)送的數(shù)據(jù)信號的輸入端(INP)；輸出級(7～16)，它具有適宜于與傳輸線連接的輸出端，還具有用來接受用于該輸出級的工作電壓的電源端(VBH、VBL)；設置在接收器裝置單元(22)上、與所述輸出級電源端連接的電源裝置(23、24)，用來對所述輸出級提供所述工作電壓，以適應接收器裝置(20)的信令電壓。
26.根據(jù)權利要求15中所述的連接到接收器裝置上的發(fā)送器裝置，其特征在于所述電源電壓裝置為分別被連接到接收器裝置單元(22)的電源電壓(VR)及地(G)上的分壓器網(wǎng)絡(23、24)。
全文摘要
一種能夠以二進制電信號的形式向接收器裝置發(fā)送數(shù)字信息的發(fā)送器裝置。把N－MOS晶體管及P－MOS晶體管成對排列起來。每一對包括一個N－MOS晶體管及一個P－MOS晶體管。設置在一對中的N－MOS晶體管的N－溝道與設置在同一對中的P－MOS晶體管的P－溝道并聯(lián)連接,借此,實現(xiàn)寬廣的信令電壓范圍。
文檔編號H04L25/52GK1196142SQ9619695
公開日1998年10月14日 申請日期1996年7月24日 優(yōu)先權日1995年7月27日
發(fā)明者M·赫堡 申請人:艾利森電話股份有限公司