專利名稱：測試信號接收單元的測試電路、圖像拾取裝置、測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及用于測試信號接收單元的測試電路、圖像拾取裝置、用于測試信號接收單元的測試系統(tǒng)、測試信號接收單元的方法、以及測試圖像拾取裝置的方法。
背景技術(shù)：
在多個列中設(shè)置信號線并且信號接收單元(以下，稱為SRU)與各信號線連接的裝置是已知的。這種裝置的例子包括諸如存儲器的存儲裝置、諸如液晶面板的顯示器、具有用于從像素讀取信號的SRU的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)型圖像拾取裝置、以及使用雙極 晶體管的圖像拾取裝置等。日本專利公開No. 2000-324404公開了具有測試設(shè)置在各列中的用于處理信號的電路的特性的功能的圖像拾取裝置。在日本專利公開No. 2000-324404中所公開的圖像拾取裝置中，為了使得能夠測量將從像素輸出的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器的特性(characteristic)，測試信號產(chǎn)生器與垂直信號線連接。在該配置中，從測試信號產(chǎn)生器向垂直信號線供給電流，并且，測量與垂直信號線連接的模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器的特性。在日本專利公開No. 2000-324404中所公開的配置中，測試信號從單個測試信號產(chǎn)生器被供給到所有列的像素，由此，從測試信號產(chǎn)生器到各垂直信號線的電路徑的阻抗隨著距測試信號產(chǎn)生器的距離而増大。結(jié)果，在當(dāng)開始向SRU供給測試信號時供給到各SRU的測試信號中出現(xiàn)大的差異。因此，如果不等待被供給到SRU的測試信號的差異變小而執(zhí)行測試，那么出現(xiàn)測量精度的降低。如果在供給到SRU的測試信號的差異已變得足夠小之后執(zhí)行測試，那么測試精度會増大。但是，等待所述差異變小導(dǎo)致測試時間増大。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的其中的ー個方面，公開了ー種測試電路，該測試電路包括被配置為通過信號線向設(shè)置在多個列中的信號接收單元供給測試信號的測試信號供給單元，其中，測試信號供給單元是電壓緩沖器或電流緩沖器，并且，測試電路具有多個測試信號供給單元和多個信號線，其中，至少ー個測試信號供給單元電連接不同于電連接另外的測試信號供給單元的信號線的ー個信號線。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開了ー種測試設(shè)置在多個列中的信號接收單元的方法，該方法包括從用作測試信號供給單元的多個電壓緩沖器或電流緩沖器向信號接收單元供給測試信號，使得測試信號供給單元中的ー個向與從另外的不同的測試信號供給單元被供給測試信號的信號接收單元不同的信號接收單元供給測試信號；和通過使用供給到信號接收單元的測試信號來測試信號接收單元。從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得明白。


圖I是示意性地示出第一實施例的框圖。
圖2是根據(jù)第一實施例的驅(qū)動定時圖。圖3是示意性地示出第二實施例的框圖。圖4是根據(jù)第二實施例的驅(qū)動定時圖。圖5是示意性地示出第三實施例的框圖。圖6是根據(jù)第三實施例的驅(qū)動定時圖。圖7是示意性地示出第四實施例的框圖。圖8A和圖8B是示意性地示出根據(jù)實施例的圖像拾取裝置 的配置的例子的框圖。圖9是示意性地示出根據(jù)實施例的SRU測試電路的例子的框圖。圖10是示意性地示出根據(jù)第一實施例的另ー配置的框圖。
具體實施例方式首先，以下描述根據(jù)實施例的SRU測試電路的配置和測試操作。實施例的ー個公開的特征可被描述為通常示為流程圖、流程示圖、定時圖、結(jié)構(gòu)圖或框圖的處理。雖然流程圖或定時圖可將操作或事件描述為依次的處理，但是，可以并行或同時地執(zhí)行操作或者出現(xiàn)事件。流程圖中的操作可以是任選的。另外，操作或事件的次序可被重新布置。當(dāng)其操作完成吋，處理終止。處理可對應(yīng)于方法、程序、過程、制作或制造的方法、由裝置、機(jī)器或邏輯電路執(zhí)行的一系列的操作等。圖9是示意性地示出根據(jù)實施例的SRU測試電路的例子的框圖。電源電路118與用作測試信號供給單元的緩沖器116電連接。在本例子中，使用MOS晶體管的共用漏極放大器電路被用作各緩沖器116。電源電路118是驅(qū)動緩沖器116以供給測試信號的電源。更具體而言，基于從電源電路118供給的信號，緩沖器116產(chǎn)生測試信號并且供給得到的測試信號。注意，SRU測試電路具有多個緩沖器116，并且，設(shè)置為至少一個緩沖器116與不同于電連接另ー個不同的緩沖器116的信號線107的信號線107電連接。信號接收單元(SRU) 113-1被設(shè)置為使得各SRU 113-1通過信號線107中的相應(yīng)的ー個與緩沖器116中的一個電連接。因此，信號線107用于將從緩沖器116供給的測試信號傳送到SRU 113-1。除了信號線107以外，SRU 113-1也與信號測試單元140電連接。下面描述圖9示意性地示出的SRU測試電路的操作。當(dāng)從電源電路118供給的信號被輸入到緩沖器116中的ー個時，緩沖器116產(chǎn)生測試信號。通過緩沖器116產(chǎn)生的測試信號通過信號線107中的相應(yīng)的ー個被發(fā)送到SRU113-1中的ー個。SRU 113-1基于輸入的測試信號執(zhí)行信號處理。信號處理的結(jié)果被輸出到信號測試單元140?；诮邮盏男盘柼幚淼慕Y(jié)果，信號測試單元140關(guān)于例如SRU 113-1是否正確地操作、列之間的SRU 113-1的特性的差異等測試SRU 113-1。在本實施例中，多個緩沖器116被設(shè)置，使得緩沖器116中的ー個向ー個SRU113-1供給測試信號，該SRU 113-1不同于通過另ー個不同的緩沖器供給測試信號的另外的SRU 113-1。此外，存在至少ー個緩沖器116與不同于電連接另ー個緩沖器116的另外的信號線107的信號線107電連接。這減少在開始測試信號的供給時列之間的信號線107的阻抗的差異，并由此實現(xiàn)由各SRU 113-1接收的測試信號的差異的減小，這使得能夠精確地測量各SRU 113-1的特性。在圖9所示的例子中，使用電壓緩沖器作為緩沖器116。作為替代方案，可以使用電流緩沖器作為緩沖器116。并且，在使用電流緩沖器作為緩沖器116的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)列之間的阻抗的差異的減小，并由此能夠?qū)崿F(xiàn)與當(dāng)緩沖器116為電壓緩沖器型時獲得的優(yōu)點(diǎn)類似的優(yōu)點(diǎn)。連接端子可被設(shè)置在各緩沖器116和相應(yīng)的信號線107之間，使得緩沖器116和信號線107可被電氣和機(jī)械地連接和斷開。即，緩沖器116可被設(shè)置在與上面設(shè)置信號線107的基板不同的基板上。此外，信號測試單元140可被設(shè)置在與上面設(shè)置SRU 113-1的基板不同的基板上。測試器可被配置為使得它包括信號測試單元140、緩沖器116和電源電路118，并且，該測試器可與SRU 113-1連接以測試SRUl 13-1。電源電路118可被配置為根據(jù)SRU 113-1的増益從兩個或更多個電壓值選擇電壓值并且供給選擇的電壓值。這使得緩沖器116能夠供給根據(jù)SRU 113-1的増益所調(diào)適的測
試信號。SRU 113-1可被配置為執(zhí)行相關(guān)雙重采樣(以下，稱為⑶S)。通過配置電源電路118以在兩個或更多個值之間切換電壓值并且配置SRU 113-1以執(zhí)行⑶S，變得能夠減少緩沖器116之間的特性的差異。在圖9所示的SRU測試電路的例子中，對于SRU 113-1的各列設(shè)置ー個信號線107。作為替代方案，ー個信號線107可被多個SRU 113-1共享。相反，可對于各列設(shè)置多個信號線107。關(guān)于緩沖器116，在圖9所示的SRU測試電路的例子中，各信號線107與一個緩沖器116連接。作為替代方案，一個緩沖器116可與多個信號線107連接，或者，相反，多個緩沖器116可與ー個信號線107連接。即，只要設(shè)置多個緩沖器116并且存在至少ー個緩沖器116與不同于電連接另ー個緩沖器116的另外的信號線107的ー個信號線107電連接，SRU測試電路就可以按許多方式被配置。根據(jù)本實施例的SRU測試電路可被用于測試裝置中的與多個信號線電連接的SRU。SRU與多個信號線電連接的裝置的例子包括諸如存儲器的存儲裝置、諸如液晶面板的顯示器、CMOS型圖像拾取裝置、使用雙極晶體管的圖像拾取裝置等。即，可根據(jù)本實施例測試這些裝置的SRU。第一實施例以下描述第一實施例。在本實施例中，使用SRU測試電路以測試圖像拾取裝置中的用作SRU的列讀取電路。首先，描述圖像拾取裝置的配置，然后描述測試圖像拾取裝置的列讀取電路的操作。在以下的解釋中，作為例子，假定通過使用N溝道晶體管來配置像素的信號輸出単元。在使用P溝道晶體管來形成像素的信號輸出單元的情況下，如果測試信號的電壓極性被設(shè)為與用于N溝道晶體管的極性相反，則可以應(yīng)用本實施例。圖I是示意性地示出根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置的例子的框圖。參照圖1，以下描述根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置。在圖I中，功能與圖9所示的元件類似的元件由類似的附圖標(biāo)記或符號表示。各像素100包含光電轉(zhuǎn)換単元101、浮動擴(kuò)散部分(以下，稱為FD部分)103、放大MOS晶體管104、用作復(fù)位單元的復(fù)位MOS晶體管105和選擇MOS晶體管106。在包含多個行和多個列的陣列中布置像素100。光電轉(zhuǎn)換單元101將入射光轉(zhuǎn)換成電荷。在本例子中，使用光電ニ極管作為光電轉(zhuǎn)換單元101。傳送MOS晶體管102將電荷從光電ニ極管101傳送到FD部分103。傳送MOS晶體管102的柵極通過驅(qū)動線與逐行地掃描像素100的垂直偏移寄存器(以下，稱為VSR) 112連接。FD部分103與放大MOS晶體管104的柵極電連接。放大MOS晶體管104用作放大基于FD部分103的電荷的信號并且輸出得到的信號的信號輸出單元。放大MOS晶體管104的漏極被供給電源電壓Vdd，并且，放大MOS晶體管104的源極與選擇MOS晶體管106的源極電連接。選擇MOS晶體管106被設(shè)置在放大MOS晶體管104和垂直信號線107之間的電氣路徑中，并且，其柵極通過驅(qū)動線與VSR112電連接。通過從VSR 112向選擇MOS晶體管106的柵極供給選擇脈沖，能夠選擇這樣的像素，通過放大MOS晶體管104輸出的放大信號從所述像素被輸出到用作信號線的垂直信號線107。復(fù)位MOS晶體管105被連接，使得其源極與FD部分103電連接，并且，其漏極被供給電源電壓Vdd。即，在本實施例中，放大MOS晶體管104的漏極電壓和復(fù)位MOS晶體管105的漏極電壓被等同地設(shè)為電源電壓Vdd。此外，復(fù)位MOS晶體管105的柵極通過驅(qū)動線與VSR 112電連接。當(dāng)從VSR 112輸出的復(fù)位脈沖被施加到復(fù)位MOS晶體管105吋，復(fù)位 MOS晶體管105將FD部分103的電勢復(fù)位。各垂直信號線107與恒流源108電連接。通過放大MOS晶體管104輸出的信號通過選擇MOS晶體管106和垂直信號線107被傳送到用作SRU的列讀取電路113。注意，從放大MOS晶體管104輸出到垂直信號線107的信號是像素信號。各列讀取電路113與掃描列讀取電路113的水平偏移寄存器(以下，稱為HSR) 114電連接并與輸出放大器115電連接。通過列讀取電路113讀出的信號通過HSR 114被依次輸出到輸出放大器115，輸出放大器115從圖像拾取裝置輸出信號。各垂直信號線107通過測試選擇MOS晶體管117中的相應(yīng)的ー個與緩沖器116中的一個電連接。更具體而言，垂直信號線107通過測試選擇MOS晶體管117與用作緩沖器116的輸出端子的源極電連接。緩沖器116的柵極與包含電壓源的電源電路118電連接。緩沖器116的漏極被供給電源電壓Vdd。測試選擇MOS晶體管117的柵極與測試脈沖施加端子119電連接。下面，參照圖2所示的驅(qū)動定時圖，描述由圖I所示的圖像拾取裝置執(zhí)行的圖像拍攝操作中的信號讀取處理。在圖2中，PSEL表示向選擇MOS晶體管106的柵極施加的脈沖。PRES表示向復(fù)位MOS晶體管105的柵極施加的復(fù)位脈沖。PTX表示向傳送MOS晶體管102的柵極施加的脈沖。PTEST表示從測試脈沖施加端子119向測試選擇MOS晶體管117施加的脈沖。在拍攝圖像的操作中的信號讀取時段中，PTEST的電勢處于低電平(以下，稱為L電平)，由此，測試選擇MOS晶體管117處于OFF狀態(tài)。Vfd表示選擇的像素的FD部分103的電勢。Vline表示垂直信號線107的電勢。在時間tl，PRES處于高電平(以下，稱為H電平)，PTX變?yōu)镠電平以將光電ニ極管101的電荷復(fù)位。在時間t2，PTX變?yōu)長電平。在從時間t2到時間t5的任意的時段中，光電ニ極管101將入射光轉(zhuǎn)換成電荷。在光電ニ極管101已蓄積電荷特定的時段之后，VSR 112在依次選擇像素行的同時執(zhí)行讀取操作。在時間t3，選擇的像素行的PSEL變?yōu)镠電平，由此接通選擇MOS晶體管106。結(jié)果，通過放大MOS晶體管104放大的信號被輸出到垂直信號線107。在時間t3，PRES仍保持在H電平，并且，F(xiàn)D部分103已被復(fù)位。基于在FD部分103的復(fù)位之后獲得的電勢的信號被放大MOS晶體管104放大，并且，得到的放大的信號通過選擇MOS晶體管106和垂直信號線107被傳送到列讀取電路113。在時間t4，PRES變?yōu)長電平以從復(fù)位狀態(tài)釋放FD部分103。PTX在時間t5變?yōu)镠電平并在時間t6變?yōu)長電平，由此，蓄積于光電ニ極管101中的電荷被傳送到FD部分103?；谠摖顟B(tài)下的FD部分103的電勢的信號被放大MOS晶體管104放大，并且，得到的放大的信號通過垂直信號線107被傳送到列讀取電路113。垂直信號線107的Vline的瞬態(tài)響應(yīng)速度依賴于與像素100相關(guān)的時間常數(shù)CR， 這里，C是與垂直信號線107相關(guān)的電容，并且，R是垂直信號線107的電阻。時間常數(shù)CR越大，則瞬態(tài)響應(yīng)速度越慢。因此，隨著與垂直信號線電連接的像素的數(shù)量的増大，即，隨著用作負(fù)載的像素的數(shù)量的増大，Vline的瞬態(tài)響應(yīng)收斂所需要的時間増大。在時間t7，PRES重新變?yōu)镠電平以將FD部分103的電勢復(fù)位。下面，解釋測試列讀取電路113的操作。首先，對于圖像拾取裝置的所有行，PSEL變?yōu)長電平，使得不從圖像拾取裝置中的任意像素輸出信號。當(dāng)PTEST然后變?yōu)镠電平時，測試選擇MOS晶體管117接通，并且，電源電路118通過恒流源108在源極跟隨器模式中操作。源極跟隨器模式中的操作與圖像拍攝操作中的放大MOS晶體管104的操作類似。在測試列讀取電路113的操作中，PTEST保持在H電平，并且，電源電路118向緩沖器116供給測試信號Vtest。在裝置不具有多個緩沖器116的情況下，或者，在雖然裝置具有多個緩沖器116但是所有的垂直信號線107不與緩沖器116中的一些電連接的情況下，時間常數(shù)CR隨著距電源電路118的距離増大，由此，Vline的瞬態(tài)響應(yīng)收斂所需要的時間隨著距電源電路118的距離増大。如果在Vline的長的瞬態(tài)響應(yīng)收斂之后執(zhí)行測試，那么測試需要長的時間。如果在瞬態(tài)響應(yīng)收斂之前結(jié)束測試信號Vtest的施加，那么出現(xiàn)測試精度的降低。相反，根據(jù)本實施例的配置減少從電源電路118到列讀取電路113的整個路徑上的時間常數(shù)CR的差異。這導(dǎo)致減少測試列讀取電路113時的列間測量誤差。測試操作中的垂直信號線107的時間常數(shù)CR與圖像拍攝操作中的相等。因此，通過將測試信號Vtest設(shè)為與圖像拍攝操作中的FD部分103的電勢對應(yīng)的電勢，能夠在與圖像拍攝操作中的條件類似的條件下測試列讀取電路113。如上所述，在圖像拍攝操作中，基于光電轉(zhuǎn)換的信號在時間t5被輸出到垂直信號線107。在測試操作中，測試信號在時間t5被輸出到垂直信號線107。因此，不必在圖像拍攝操作和測試操作之間改變列讀取電路113的操作的次序。這使得能夠更容易地執(zhí)行測試。在本實施例中，作為例子假定在圖像傳感器器件中使用MOS晶體管。注意，只要將入射光轉(zhuǎn)換成電荷并且輸出基于所述電荷的信號，就可以以另一方式布置像素100?？衫缤ㄟ^使用雙極晶體管配置用于圖像傳感器器件的這些像素。入射到光電ニ極管101上的光的例子包含紅外光、可見光、紫外光和放射線(X射線、Y射線等)。在入射光是放射線的情況下，可以使用閃爍體以轉(zhuǎn)換波長，并且，得到的具有轉(zhuǎn)換的波長的光可通過光電轉(zhuǎn)換單元被轉(zhuǎn)換成電荷。圖10示出通過布置像素100的像素陣列區(qū)域在相対的兩側(cè)布置列讀取電路113的圖像拾取裝置的例子。在圖10中，功能與圖I所示的元件類似的元件由類似的附圖標(biāo)記或符號表示，并且，省略它們的進(jìn)ー步的描述。本實施例也可被應(yīng)用于圖10所示的通過布置像素100的像素陣列區(qū)域在相対的兩側(cè)布置列讀取電路113的圖像拾取裝置。雖然在圖10所示的例子中列讀取電路113被每列交替地設(shè)置在相對側(cè)，但是，可每兩個或更多個列交替地在相對側(cè)設(shè)置列讀取電路113。在通過像素陣列區(qū)域在相対的兩側(cè)布置列讀取電路113的配置中，緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117也通過像素陣列區(qū)域被設(shè)置在相対的兩側(cè)?？稍诟飨鄬?cè)對于緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117設(shè)置單獨(dú)的電源電路118和単獨(dú)的測試脈沖施加端子119。但是，為了關(guān)于向各列施加的測試信號的信號電平實現(xiàn)高等同性，單個電源電路118和單個測試脈沖施加端子119可與位于相對的兩側(cè)的所有的緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117連接。 在上述的例子中，在包含多個列和多個行的陣列中布置像素100。如線傳感器的情況那樣，如果陣列包含多個列，那么像素100的陣列可僅包含ー個行。在僅包含ー個行的線傳感器的情況下，可以不設(shè)置選擇MOS晶體管106。在根據(jù)上述的本實施例的各像素100中，放大MOS晶體管104的源極與選擇MOS晶體管106的漏極電連接。作為替代方案，放大MOS晶體管104的漏極可與選擇MOS晶體管106的源極電連接。在上述的例子中，在像素100的各列中設(shè)置ー個垂直信號線107。作為替代方案，ー個垂直信號線107可被多個列的像素共享。相反，可對于像素的各列設(shè)置多個垂直信號線107。關(guān)于緩沖器116，在上述的圖像拾取裝置的例子中，一個緩沖器116與各自的信號線107連接。作為替代方案，一個緩沖器116可與多個信號線107連接。即，只要設(shè)置多個緩沖器116并且存在至少ー個緩沖器116與不同于電連接另ー個緩沖器116的另外的垂直信號線的ー個垂直信號線107電連接，就可以按許多的方式配置圖像拾取裝置。在一個緩沖器116與多個垂直信號線107電連接的情況下，與一個緩沖器116與各自的信號線107電連接的情況相比，實現(xiàn)緩沖器116的數(shù)量的減少。因此，能夠減小包含像素100的陣列和與像素100電連接的垂直信號線107的像素陣列區(qū)域周圍的周邊電路區(qū)域的尺寸。但是，隨著與一個緩沖器116電連接的垂直信號線107的數(shù)量増大，圖像拍攝操作和測試操作之間的各垂直信號線107的電阻的差異增大，這導(dǎo)致測試精度的降低。因此，為了實現(xiàn)高的測試精度，各垂直信號線107可與一個緩沖器116電連接。在電源電路118具有根據(jù)是執(zhí)行測試操作還是圖像拍攝操作而切換向緩沖器116供給的電壓的功能的情況下，測試選擇MOS晶體管117和測試脈沖施加端子119可被去除。除了緩沖器116以外，電源電路118還可包含諸如電壓跟隨器的緩沖器。在本實施例中，各緩沖器116和各放大MOS晶體管104可形成為在結(jié)構(gòu)上類似，由此使得測試信號與在圖像拍攝操作中從像素輸出的信號更加類似。在上述的例子中，緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117被設(shè)置在像素100外面。作為替代方案，與相應(yīng)的列讀取電路113電連接的像素100中的至少ー個可以是具有與緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117對應(yīng)的功能的信號輸出像素。圖8A和圖8B示出被配置為具有與緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117對應(yīng)的功能的這種像素100的例子。在圖8A和圖8B中，功能與圖I所示的元件類似的元件由類似的附圖標(biāo)記或符號表示，并且，省略它們的進(jìn)ー步的描述。在圖8A所示的例子中，除了復(fù)位MOS晶體管105以夕卜，F(xiàn)D部分103與開關(guān)120電連接。如圖8A所示，開關(guān)120被連接為使得其柵極與VSR 112電連接、其漏極與電壓Vdd-T電連接，并且其源極與FD部分103電連接。在測試操作中，選擇MOS晶體管106的作用如同測試選擇MOS晶體管117。在圖8B所示的例子中，各像素100中的放大MOS晶體管104和選擇MOS晶體管106在測試操作中分別作為緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117操作。在圖SB所示的配置中，復(fù)位MOS晶體管105的漏極與電壓Vdd-R電連接，并且，放大MOS晶體管104的漏極與電壓Vdd-M電連接。即，復(fù)位MOS晶體管105和放大MOS晶體管104的漏極與不同的電壓源電連接。在圖像拍攝操作中，電壓Vdd-R和電壓Vdd-M的值等于向不具有測試功能的其它像素100的復(fù)位MOS晶體管105和放大MOS晶體管104施加的電壓Vdd。這是由于，如果電壓Vdd-R與電壓Vdd不同，那么在具有測試功能的像素和不具有測試功能的像素之間出現(xiàn)FD部分103的復(fù)位電平的差異。另ー方面，如果電壓Vdd-M與電壓Vdd不同，那么在 具有測試功能的像素和不具有測試功能的像素之間，在從放大MOS晶體管104輸出的信號中出現(xiàn)差異。在測試列讀取電路113的操作中，被設(shè)為與電壓Vdd-R不同的值的電壓Vdd-M被供給到放大MOS晶體管104。更具體而言，電壓Vdd-M可被設(shè)為特定的值，使得放大MOS晶體管104在圖像拍攝操作中的圖像讀取處理中輸出與由放大MOS晶體管104輸出的信號對應(yīng)的電壓。從放大MOS晶體管104輸出的測試信號通過選擇MOS晶體管106和垂直信號線107被供給到列讀取電路113。在圖8A和圖8B所示的配置中，能夠根據(jù)圖2所示的驅(qū)動定時圖執(zhí)行圖像拍攝操作和測試列讀取電路113的操作。在本實施例中，電源電路118不必然需要被設(shè)置在上面形成像素陣列區(qū)域的同一半導(dǎo)體基板上。即，SRU測試系統(tǒng)可被配置，使得電源電路118被設(shè)置在上面形成像素陣列區(qū)域的半導(dǎo)體基板之外，并且，電源電路118與半導(dǎo)體基板電連接。但是，通過在同一半導(dǎo)體基板上設(shè)置像素陣列區(qū)域和電源電路118，能夠減小電源電路118與緩沖器116之間的距離，這使得能夠減小總電路區(qū)域尺寸。在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，設(shè)置用于供給測試信號的多個緩沖器116，并且，存在至少ー個緩沖器116與不同于電連接另ー個緩沖器116的另外的信號線107的一個信號線107電連接。這減小在供給測試信號時列之間的阻抗差，這使得能夠精確地測量相應(yīng)列中的列讀取電路113的特性。這使得能夠精確地檢測列讀取電路113之間的特性的差異，并因此變得能夠精確地校正相應(yīng)列讀取電路113的特性。并且，電源電路118的設(shè)置使得緩沖器116能夠在圖像拍攝操作中供給與通過放大MOS晶體管104輸出的像素信號對應(yīng)的測試信號。這使得能夠在與執(zhí)行圖像拍攝操作的條件類似的條件下測試列讀取電路113的特性。注意，在圖像拍攝操作中，從放大MOS晶體管104輸出的像素信號可在從當(dāng)FD部分103的電勢處于復(fù)位電平時獲得的值到當(dāng)FD部分103處于飽和狀態(tài)時獲得的值的范圍內(nèi)改變。第二實施例
圖3是示意性地示出第二實施例的框圖。在圖3中，功能與圖I所示的元件類似的元件由類似的附圖標(biāo)記或符號表示。以下的描述將著眼干與第一實施例的不同。在圖3中，附圖標(biāo)記201表示箝位電容器，附圖標(biāo)記202a 202d表示反饋電容器，附圖標(biāo)記203a 203d表示用于切換反饋電容的開關(guān)。附圖標(biāo)記204和209 212表示開關(guān)。附圖標(biāo)記205表示運(yùn)算放大器，附圖標(biāo)記206表示供給基準(zhǔn)電壓Vref的基準(zhǔn)電壓源，附圖標(biāo)記207和208表示寫入信號的電容器。圖4示出圖3所示的圖像拾取裝置的驅(qū)動定時。在圖4中，與圖2中的脈沖類似的脈沖由類似的附圖標(biāo)記表示。在圖4中,PTS表示施加到開關(guān)210的脈沖。PTN表示施加到開關(guān)209的脈沖，并且，PCOR表示施加到開關(guān)204的脈沖。在時間t4，PRES變?yōu)長電平，以從復(fù)位狀態(tài)釋放FD部分103。在直到時間t4的時段中，PCOR處于H電平，由此，運(yùn)算放大器205用作緩沖器。
在時間t4_l，PC0R變?yōu)長電平，然后，在時間t4_2，PTN變?yōu)镠電平，由此接通開關(guān)209。結(jié)果，等于作為N信號施加到運(yùn)算放大器205的基準(zhǔn)電壓加上運(yùn)算放大器205的偏移電壓的電壓VN被寫入電容器207中。在時間t4_3，PTN變?yōu)長電平以結(jié)束對于電容器207的N信號的寫入。然后，在時間t5，PTX變?yōu)镠電平，然后，在時間t6，PTX變?yōu)長電平。結(jié)果，與光電ニ極管101中的電荷對應(yīng)的信號被傳送到列讀取電路113。在該時間點(diǎn)處，垂直信號線107的電壓改變，并且，開關(guān)203a 203d中的至少ー個接通。運(yùn)算放大器205在其輸出端子處具有等于在運(yùn)算放大器205的反饋路徑中電連接的反饋電容器202a 202d的總電容Cf_total與箝位電容器的電容CO的比(ratio)的反相增益。在時間t6_l，PTS變?yōu)镠電平，由此接通開關(guān)210。結(jié)果，電壓VS作為S信號被寫入到電容器208中。在時間t6_2，PTS變?yōu)長電平以結(jié)束對于電容器208的寫入。通過列讀取電路113處理的信號通過HSR 114被依次輸出到輸出放大器115。輸出放大器115提取S信號與N信號之間的差值并且輸出作為電壓VS-VN的結(jié)果。通過以上述的方式在圖像拍攝操作中的信號讀取處理中執(zhí)行⑶S，能夠減少由像素之間的放大MOS晶體管104的閾值的差異以及由運(yùn)算放大器205的偏移電壓導(dǎo)致的噪聲。類似地，在測試列讀取電路113的操作中，同樣，通過執(zhí)行⑶S，能夠減少由緩沖器116的閾值的差異以及由運(yùn)算放大器205的偏移電壓導(dǎo)致的噪聲。當(dāng)傳送像素信號或測試信號時，會在垂直信號線107的電勢Vline中出現(xiàn)瞬態(tài)響應(yīng)。因此，寫入電容器208中的電壓的值可根據(jù)從時間t5到時間t6-2的時段的長度改變。因此，如果從時間t5到時間t6-2的時段的長度在圖像拍攝操作和測試操作之間不是基本上相等，那么會在圖像拍攝操作和測試操作之間在從列讀取電路113輸出的信號中出現(xiàn)差異，這導(dǎo)致測試精度的降低。注意，隨著列讀取電路113的増益(C0/Cf_total)増大，從運(yùn)算放大器205輸出的信號的瞬態(tài)時段増大。因此，寫入電容器208中的電壓的值根據(jù)從時間t5到時間t6-2的時段的長度改變。通過對于各列設(shè)置緩沖器116獲得的另ー效果是減少噪聲。通過使從結(jié)束VN的寫入的時間t4-3到結(jié)束VS的寫入的時間t6-2的時段的長度最小化，能夠使輸出N信號和S信號的放大MOS晶體管104的Ι/f噪聲的影響最小化。在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，設(shè)置用于供給測試信號的多個緩沖器116，并且，存在至少ー個緩沖器116與不同于電連接另ー個不同的緩沖器116的另外的垂直信號線107的ー個垂直信號線107電連接。這減小在供給測試信號時列之間垂直信號線107的阻抗的差異，這導(dǎo)致測試精度的提高。由于緩沖器116和測試選擇MOS晶體管117在結(jié)構(gòu)上與相應(yīng)像素100中的放大MOS晶體管104和選擇MOS晶體管106類似，因此能夠在與圖像拍攝操作中的條件類似的條件下測試列讀取電路113。第三實施例圖5是示意性地示出第三實施例的框圖。在圖5中，功能與圖3所示的元件類似的元件由類似的附圖標(biāo)記或符號表示。以下的描述將著眼干與第二實施例的不同。 在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，如圖5所示的那樣配置電源電路118。附圖標(biāo)記501表不測試信號開關(guān)。當(dāng)測試信號開關(guān)轉(zhuǎn)到端子501a側(cè)時,輸出電壓VtestN。另一方面，當(dāng)測試信號開關(guān)轉(zhuǎn)到端子501b側(cè)時，輸出電壓VtestS。測試信號開關(guān)的輸出端子503與緩沖器116的柵極電連接。VtestN和VestS是與在圖像拍攝操作中從像素100輸出的N信號和S信號對應(yīng)的測試信號。因此，VtestN可被設(shè)為與圖像拍攝操作中的復(fù)位狀態(tài)中的FD部分103的電壓對應(yīng)的電壓。更具體而言，VtestN可被設(shè)為比復(fù)位MOS晶體管105的漏極電壓Vdd低當(dāng)復(fù)位MOS晶體管105關(guān)斷時出現(xiàn)的饋通電壓(O. 3伏 I伏)的電壓。通過借助于開關(guān)電流源開關(guān)505a 505d選擇供給電流的恒流源以選擇恒流源504a 504d中的ー個，電壓VtestS被確定并且被供給到緩沖器116。如果根據(jù)本實施例以外的技術(shù)切換VtestS的值，那么會出現(xiàn)問題。例如，如果通過使用梯狀電阻器切換VtestS的值，那么會出現(xiàn)接觸電阻的差異的影響。但是，在根據(jù)本實施例的電源電路118中，不管對于VtestS選擇什么值，都從同一電阻器502輸出電壓，因此，不出現(xiàn)由于接觸電阻的差異導(dǎo)致的影響。因此，能夠獲得精確地與由恒流源504a 504d中的一個供給的電流成比例的電壓。即使當(dāng)入射光的強(qiáng)度對于所有的列相等時，也會由于源自制造條件的不同的列讀取電路113之間的特性的差異而出現(xiàn)列之間的輸出信號的輕微差異。上述的輸出信號的差異是由在制造過程中產(chǎn)生的反饋電容的列間差異導(dǎo)致的。特別地，當(dāng)增益(C0/Cf_total)大時，從反饋電容器202a 202d選擇小的電容，這導(dǎo)致列之間的反饋電容的差異的影響的増大。為了補(bǔ)償列之間的反饋電容的特性的差異，必須事先通過對各列的輸出值進(jìn)行采樣來執(zhí)行測試。通過基于輸出值執(zhí)行補(bǔ)償，變得能夠在圖像拍攝操作中獲得高質(zhì)量圖像。由于反饋電容根據(jù)選擇的増益改變，因此，可對于各増益值執(zhí)行測試。因此，通過配置電源電路118以具有用于切換電壓VtestS的值的電路，變得能夠根據(jù)選擇的増益供給測試信號并且對于各增益值執(zhí)行測試。通過對于各増益值執(zhí)行測試，能夠?qū)τ诟髟鲆嬷敌Ｕ鄳?yīng)的列讀取電路113的輸出特性。可進(jìn)ー步在輸出端子503和各緩沖器116之間設(shè)置諸如電壓跟隨器的緩沖器。圖6是根據(jù)本實施例的使用以上述的方式配置的電源電路118的操作的驅(qū)動定時圖。在圖6中，與圖4中的脈沖類似的脈沖由類似的附圖標(biāo)記表示。在圖6中，PSW表示驅(qū)動測試信號開關(guān)501的脈沖。當(dāng)PSW處于H電平時，VtestN被輸出，而當(dāng)PSW處于L電平吋，VtestS被輸出。PSW的電平在與圖2或圖4所示的時間t5對應(yīng)的時間處轉(zhuǎn)變，使得測試信號從電壓VtestN變?yōu)殡妷篤testS。在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，通過依次選擇VtestS和VtestN并且供給選擇的電壓，與通過像素的放大MOS晶體管104在圖像拍攝操作中輸出的信號對應(yīng)的信號作為測試信號被供給到列讀取電路113，由此能夠以高的精確執(zhí)行測試。此外，在本實施例中，能夠?qū)τ诹凶x取電路113的各可變增益值測試列讀取電路113，這使得能夠在圖像拍攝操作中對于信號進(jìn)行高精度校正。第四實施例圖7是示意性示出第四實施例的框圖。在圖7中，功能與圖5所示的元件類似的元件由類似的附圖標(biāo)記或符號表示。以下的描述將著眼干與第三實施例的不同。在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，各緩沖器116的柵極與電源電路118和削波 (clip)電壓供給電路701電連接。圖7所示的圖像拾取裝置的電路包含開關(guān)702和開關(guān)703。在測試操作中，開關(guān)702電連接電源電路118與緩沖器116。在圖像拍攝操作中，開關(guān)703電連接削波電壓供給電路701與緩沖器116。恒流源108包含輸入MOS晶體管706 (輸入MOS晶體管706的漏極與電流輸入端子707電連接)、負(fù)載MOS晶體管704 (負(fù)載MOS晶體管704的漏極與垂直信號線107中的一個電連接)、以及與GND電連接的GND (接地)線705。在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，在信號讀出操作中，隨著從像素100輸出的信號増大，垂直信號線107上的電壓降低。各垂直信號線107與負(fù)載MOS晶體管704中的相應(yīng)的ー個的漏極電連接。在該配置中，當(dāng)從特定的列中的像素讀取信號時，如果入射到該列中的像素上的光的強(qiáng)度非常高，那么負(fù)載MOS晶體管704的源極-漏極電壓變得幾乎接近O伏。當(dāng)入射光的強(qiáng)度極高時，負(fù)載MOS晶體管704關(guān)斷。在正在讀取某行的狀態(tài)下流過GND線705的電流根據(jù)處于OFF狀態(tài)中的負(fù)載MOS晶體管704的數(shù)量改變。由于GND線705具有阻抗，因此，當(dāng)電流流過GND線705時，在GND線705中出現(xiàn)電壓降，這導(dǎo)致流過負(fù)載MOS晶體管的電流的改變。行中的接收高強(qiáng)度入射光的像素的數(shù)量越多，則GND線705上的電壓降越小并且流過負(fù)載MOS晶體管704的電流越大。因此，在具有接收高強(qiáng)度入射光的大量的像素的行中，放大MOS晶體管104具有大的柵扱-源極電壓。這導(dǎo)致具有接收高強(qiáng)度入射光的像素的行和其它行之間的像素信號輸出范圍的差異。結(jié)果，當(dāng)拍攝的圖像具有高強(qiáng)度光斑時，會在所述光斑的左右出現(xiàn)白色條紋(streak)。鑒于以上，本實施例提供削波電壓供給電路701，以將各垂直信號線107的電壓限制到低于設(shè)定的削波電壓的范圍。削波電壓可被設(shè)定，使得負(fù)載MOS晶體管704的漏極電壓不降低到極限以下，在所述極限以下，負(fù)載MOS晶體管704會在飽和區(qū)域中操作。因此，即使當(dāng)讀取極大量的信號電荷時，垂直信號線107的電壓也保持在比上述的極限高的范圍中，這導(dǎo)致從負(fù)載MOS晶體管704供給到垂直信號線107的電流的變化的減小。此外，防止負(fù)載MOS晶體管704關(guān)斷。因此，變得能夠根據(jù)接收高強(qiáng)度入射光的像素的數(shù)量減小GND線705上的電壓降的變化，由此，不管讀取哪個行，都變得容易使負(fù)載MOS晶體管704的電流保持在設(shè)定的恒定值。結(jié)果，不管行是否包含接收高強(qiáng)度入射光的像素，都獲得基本上相同的像素信號輸出范圍。這防止在包含高強(qiáng)度光斑的圖像中出現(xiàn)白色條紋，并由此可獲得高質(zhì)量圖像。
在根據(jù)本實施例的圖像拾取裝置中，在測試列讀取電路113的操作中，以與根據(jù)第二實施例的方式類似的方式使用緩沖器116。另ー方面，在圖像拍攝操作中，削波電壓供給電路701與緩沖器116電連接以向其供給削波電壓。在上述的例子中，與電源電路118分開地設(shè)置削波電壓供給電路701。作為替代方案，電源電路118也可作為削波電壓供給電路操作，使得，在測試列讀取電路113的操作中，電源電路118輸出測試信號，而在圖像拍攝操作中，電源電路118向緩沖器116供給削波電壓。通過配置電源電路118以使其還作為削波電壓供給電路操作，能夠減小總電路尺寸。在本實施例中，基于由FD部分103保持的電荷的信號由放大MOS晶體管104輸出到垂直信號線107，并且，削波電壓供給電路701防止垂直信號線107的電勢降低到削波電壓以下。另ー方面，在通過放大MOS晶體管104向垂直信號線107輸出基于由FD部分103保持的空穴的信號的情況下，削波電壓供給電路701可防止垂直信號線107的電勢増大超過削波電壓。通過配置圖像拾取裝置以包含根據(jù)上述的第一到第四實施例中的ー個的SRU測 試電路，變得能夠在制造圖像拾取裝置的過程中測試圖像拾取裝置的SRU。通過執(zhí)行所述測試，能夠檢測圖像拾取裝置是否在其SRU中具有故障。當(dāng)圖像拾取裝置經(jīng)受測試時，如果測試表明圖像拾取裝置中的SRU的信號特性在SRU之間不同，那么可基于通過使用SRU測試電路執(zhí)行的測試的結(jié)果校正信號特性的差異。為了執(zhí)行所述校正，可以在圖像拾取裝置之外設(shè)置與圖像拾取裝置電連接的校正単元，并且，校正単元可校正從圖像拾取裝置輸出的信號，或者可校正圖像拾取裝置的SRU的信號特性。通過以上述的方式測試SRU，變得能夠制造具有特性良好的SRU的圖像拾取裝置。并且，在制造包括用于輸出基于由SRU接收的信號的信號的圖像拾取裝置、用于在圖像拾取裝置上形成被攝體的光學(xué)圖像的透鏡、以及用于處理從圖像拾取裝置輸出的信號的信號處理單元的圖像拾取系統(tǒng)的過程中，可通過使用根據(jù)上述的第一到第四實施例中的ー個的SRU測試電路來測試SRU。通過執(zhí)行SRU的測試，變得能夠制造包含具有特性良好的SRU的圖像拾取裝置的圖像拾取系統(tǒng)。上述的設(shè)置在圖像拾取裝置之外的用于基于通過使用SRU測試電路執(zhí)行的測試的結(jié)果校正SRU之間的信號特性的差異的校正単元可被設(shè)置在信號處理單元中?？稍趯D像拾取裝置安裝在圖像拾取系統(tǒng)中之前或者在將圖像拾取裝置安裝在圖像拾取系統(tǒng)中之后執(zhí)行SRU的測試。在將圖像拾取裝置安裝在圖像拾取系統(tǒng)中之前執(zhí)行SRU的測試的情況下，當(dāng)圖像拾取裝置具有故障時，所述測試可檢測故障，由此，所述測試的執(zhí)行可減少在圖像拾取系統(tǒng)中安裝具有故障的圖像拾取裝置的可能性，這導(dǎo)致制造成本的降低。根據(jù)實施例的方面，提供包含被配置為通過信號線向設(shè)置在多個列中的SRU供給測試信號的測試信號供給單元的SRU測試電路，其中，測試信號供給單元是電壓緩沖器或電流緩沖器，并且，SRU測試電路具有多個測試信號供給單元和多個信號線，并且，存在至少一個測試信號供給單元與不同于電連接另外的測試信號供給單元的信號線的ー個信號線電連接。根據(jù)本實施例的其它方面，提供測試設(shè)置在多個列中的SRU的方法，該方法包括從用作測試信號供給單元的多個電壓緩沖器或電流緩沖器向SRU供給測試信號，使得測試信號供給單元中的ー個向不同于從另外的不同的測試信號供給單元被供給測試信號的SRU的SRU供給測試信號；以及通過使用供給到SRU的測試信號測試SRU。
雖然已參照示例性實施例說明了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開的示例性實施例。以下的權(quán)利要求的范圍 應(yīng)被賦予最寬泛的解釋以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種測試電路,包括 測試信號供給單元，所述測試信號供給單元被配置為通過信號線向設(shè)置在多個列中的信號接收單元供給測試信號，其中， 所述測試信號供給單元是電壓緩沖器或電流緩沖器，并且，所述測試電路具有多個測試信號供給單元和多個信號線，并且， 其中，至少ー個測試信號供給單元電連接不同于電連接另外的測試信號供給單元的信號線的ー個信號線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的測試電路，其中，測試信號供給單元中的每ー個與信號線中的一個電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I的測試電路，還包括與所述測試信號供給單元電連接并被配置為驅(qū)動測試信號供給單元來供給測試信號的電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的測試電路，其中，所述電源是被配置為從多個電壓值選擇要被供給到各測試信號供給單元的電壓值的電壓源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的測試電路，其中，各信號接收單元基于所述多個電壓值對于從所述測試信號供給單元供給的測試信號執(zhí)行相關(guān)雙重采樣。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的測試電路，其中， 所述信號接收單元被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上，并且， 所述電源被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板之外。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的測試電路，其中， 所述信號接收單元被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上，并且， 所述電源被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上。
8.一種圖像拾取裝置，包括 根據(jù)權(quán)利要求I的測試電路；和 多個像素，所述多個像素分別包含被配置為通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電荷的光電轉(zhuǎn)換単元和被配置為輸出基于通過所述光電轉(zhuǎn)換單元產(chǎn)生的電荷的信號的信號輸出單元，其中， 各像素的信號輸出單元與信號線中的一個連接；和 分別被配置為接收信號的多個信號接收單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的圖像拾取裝置，其中，信號輸出單元包含 放大晶體管，所述放大晶體管放大基于所述電荷的信號并且輸出得到的放大的信號；和 選擇晶體管，所述選擇晶體管選擇從哪個像素向信號線輸出信號， 并且其中，測試選擇晶體管與測試信號供給單元電連接，使得所述測試選擇晶體管電連接所述測試信號供給單元與所述信號線或者電斷開所述測試信號供給單元與所述信號線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的圖像拾取裝置，其中，所述放大晶體管和所述測試信號供給單元均為共用漏極放大器電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的圖像拾取裝置，其中，所述測試信號供給單元具有在圖像拍攝操作中向信號線供給電壓或電流以抑制由與信號線電連接的恒流源供給的電流的變化的功倉^:。
12.—種圖像拾取裝置，包括 設(shè)置在包含多個列的陣列中的像素，各像素包含被配置為通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電荷的光電轉(zhuǎn)換単元、被配置為保持通過光電轉(zhuǎn)換單元產(chǎn)生的電荷的浮動擴(kuò)散部分、被配置為輸出基于由所述浮動擴(kuò)散部分保持的電荷的信號的信號輸出單元、以及與所述浮動擴(kuò)散部分電連接并被配置為將所述浮動擴(kuò)散部分的電勢復(fù)位的復(fù)位單元； 被設(shè)置在像素的各列中并與相應(yīng)的信號輸出單元電連接的信號線；和 與相應(yīng)的信號線電連接并被配置為接收信號的信號接收單元，其中， 向相應(yīng)的信號接收單元輸出測試信號的至少ー個像素與各自的信號線電連接， 輸出測試信號的各像素的信號輸出單元和復(fù)位單元與不同的電壓源電連接，并且， 當(dāng)像素的信號輸出單元向所述信號接收單元輸出測試信號時，與所述信號輸出單元電連接的電壓源輸出與電連接復(fù)位單元的電壓源輸出的電壓不同的電壓。
13.—種測試設(shè)置在多個列中的多個信號接收單元的方法，包括 從用作測試信號供給單元的多個電壓緩沖器或電流緩沖器向所述多個信號接收單元供給測試信號，使得所述測試信號供給單元中的ー個向與從另外的不同的測試信號供給單元被供給測試信號的信號接收單元不同的信號接收單元供給測試信號；和 通過使用供給到所述多個信號接收單元的測試信號來測試所述多個信號接收單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的測試方法，其中， 所述多個信號接收單元與圖像拾取裝置電連接，該圖像拾取裝置包括 多個像素，所述多個像素分別包含被配置為通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電荷的光電轉(zhuǎn)換単元和被配置為輸出基于由所述光電轉(zhuǎn)換單元產(chǎn)生的電荷的信號的信號輸出單元； 多個信號線，這些信號線被設(shè)置為使得各像素的信號輸出單元與所述信號線中的ー個連接；和 被配置為接收信號的多個信號接收單元， 該方法還包括 從用作測試信號供給單元的多個電壓緩沖器或電流緩沖器向所述多個信號接收單元供給測試信號，使得所述多個測試信號供給單元中的ー個向與從另外的不同的測試信號供給單元被供給測試信號的信號接收單元不同的信號接收單元供給測試信號；和 通過使用供給到所述多個信號接收單元的測試信號來測試所述多個信號接收單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的測試方法，其中，所述測試信號供給單元供給與由所述信號輸出單元輸出的像素信號對應(yīng)的測試信號。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的測試方法，其中，所述信號接收單元具有在多個值之間切換增益的功能， 并且，所述測試方法包含對于增益的各值供給測試信號。
17.—種包括圖像拾取裝置和信號處理單元的圖像拾取系統(tǒng)的制造方法，其中，所述圖像拾取裝置包括多個像素，所述多個像素各自包含被配置為通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電荷的光電轉(zhuǎn)換単元和被配置為輸出基于由所述光電轉(zhuǎn)換單元產(chǎn)生的電荷的信號的信號輸出單元；多個信號線，這些信號線被設(shè)置為使得各像素的信號輸出單元與信號線中的ー個連接，并且，所述圖像拾取裝置還包括被配置為接收信號的多個信號接收單元，并且，其中，所述圖像拾取裝置輸出基于由所述信號接收單元接收的信號的信號，并且，其中，所述信號處理單元被配置為處理從所述圖像拾取裝置輸出的所述信號，所述方法包括 從用作測試信號供給單元的多個電壓緩沖器或電流緩沖器向所述多個信號接收單元供給測試信號，以使得所述測試信號供給單元中的ー個向與從另外的不同的測試信號供給単元被供給測試信號的信號接收單元不同的信號接收單元供給測試信號，并且基于供給到所述多個信號接收單元的測試信號來測試所述多個信號接收單元；和在所述圖像拾取系統(tǒng)中安裝所述圖像拾取裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種測試信號接收單元的測試電路、圖像拾取裝置、以及測試方法。作為實施例，公開了一種測試電路，該測試電路包括被配置為通過信號線向設(shè)置在多個列中的信號接收單元供給測試信號的測試信號供給單元，其中，測試信號供給單元是電壓緩沖器或電流緩沖器，并且，測試電路具有多個測試信號供給單元和多個信號線，并且，其中，至少一個測試信號供給單元與不同于電連接另外的測試信號供給單元的信號線的一個信號線電連接。
文檔編號H04N5/374GK102680811SQ20121006087
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者巖根正晃, 有島優(yōu), 沖田彰, 箕輪雅章 申請人:佳能株式會社