專利名稱：聲音換能器以及使用聲音換能器的麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聲音換能器，特別是涉及一種具有聲音換能器的麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
可將聲音能量轉(zhuǎn)換為電能量的硅電容器也被稱為聲音換能器。 一些已知 的聲音換能器包括具有穿孔的背板以及易受聲波影響的薄膜。舉例說明，在 麥克風(fēng)中，介電質(zhì)例如空氣通常存在于背板與薄膜之間以形成電容結(jié)構(gòu)。不 過，以特定觀點(diǎn)來看，電容的特征是大幅依賴位于背板以及薄膜之間的空間 或是距離。例如，背板以及薄膜必須小心的設(shè)置以避免電接觸而導(dǎo)致短路。 因此，必須使用額外的絕緣結(jié)構(gòu)來預(yù)防短路。 一個(gè)在聲音換能器中使用多于 一個(gè)背板的設(shè)計(jì)，使薄膜在震動(dòng)的時(shí)候，可在每一背板以及薄膜之間偵測(cè)出 兩個(gè)不同的電位。然而，如此額外的絕緣結(jié)構(gòu)或是背板使聲音換能器的工藝 復(fù)雜化，亦提高了制造成本。
已知麥克風(fēng)包括至少一換能器以及一殼體包覆該換能器。大體而言，麥 克風(fēng)對(duì)于聲波的敏感度是由薄膜的支撐結(jié)構(gòu)、薄膜的力學(xué)特性以及殼體的封 裝種類而定。舉例來說，在已知麥克風(fēng)的殼體上表面可形成兩個(gè)入口，在圍 住其中 一個(gè)入口的部分可包括阻尼材料以延遲入射的聲波，而因此增加由特
定方向傳來的聲波的敏感度。但是，在這種設(shè)計(jì)下，以不同材料來制造殼體 的過程會(huì)相對(duì)的復(fù)雜化。
在另 一個(gè)設(shè)計(jì)中，定向麥克風(fēng)陣列包括多于兩個(gè)全指向麥克風(fēng)以由各個(gè) 方向搜集聲音源的聲波。然而，全指向麥克風(fēng)的空間特性限制了定向麥克風(fēng) 的微小化。舉例說明，空間特性之一包括全指向麥克風(fēng)在陣列排列的時(shí)候必
須間隔2x入/;r，相當(dāng)于約0.64 u若入射聲波具有20(KHz)的頻率，陣列中兩 個(gè)麥克風(fēng)的空間或距離也許會(huì)大于l(cm)，應(yīng)用于越來越密實(shí)的電產(chǎn)品中尺 寸也許會(huì)過大。另外陣列中的麥克風(fēng)具有不同的敏感度也會(huì)造成換能的不精確。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種聲音換能器包括基板、薄膜、多個(gè)支撐件、第一組突出 部以及第二組突出部。薄膜可相對(duì)于基板移動(dòng)，多個(gè)支撐件可使薄膜懸浮于 基板上方，第一組突出部延伸自薄膜，第二組突出部延伸自基板。第二組突 出部與第一組突出部交錯(cuò)并可相對(duì)于第一組突出部移動(dòng)，其中第一組突出部
以及第二組突出部之一組中的每一突出部包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及 位于第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間的介電層，且第一組突出部以及第二組 突出部的另一組中的每一突出部包括第三導(dǎo)電層。
本發(fā)明提供另一種聲音換能器包括基板、薄膜、多個(gè)支撐件、多個(gè)第一 突出部以及多個(gè)第二突出部。薄膜可相對(duì)于基板移動(dòng)，并包括導(dǎo)電平面。支 撐件設(shè)置于導(dǎo)電平面上，使薄膜可相對(duì)于基板樞轉(zhuǎn)。第一突出部設(shè)置于薄膜 的導(dǎo)電平面上，每一第一突出部包括多個(gè)導(dǎo)電層，且導(dǎo)電層之間由至少一介 電層隔開。第二突出部設(shè)置于基板上方，第二突出部與第一突出部交錯(cuò)并可 相對(duì)于第一突出部移動(dòng)，每一第二突出部包括多個(gè)導(dǎo)電層，且導(dǎo)電層之間由 至少一介電層隔開。
本發(fā)明還提供一種電聲音換能器包括基板、薄膜、多個(gè)支撐件、第一組 突出部以及第二組突出部。薄膜可相對(duì)于基板移動(dòng)。支撐件使薄膜可相對(duì)于 基板震動(dòng)，其中至少一個(gè)支撐件朝第一方向延伸。第一組突出部自薄膜朝第 二方向延伸，且第一方向與該第二方向彼此相切。第二組突出部自該薄膜朝 第二方向延伸，且第二組突出部與第一組突出部交錯(cuò)并可相對(duì)于該第一組突 出部移動(dòng)。


圖l顯示本發(fā)明實(shí)施例中的聲音換能器的立體圖2A與圖2B分別顯示本發(fā)明中薄膜的俯視圖以及仰視圖;
圖3A與圖3B顯示本發(fā)明中突出部的示意圖4A顯示本發(fā)明實(shí)施例中突出部的操作狀態(tài)示意圖4B顯示本發(fā)明另 一實(shí)施例中突出部的操作狀態(tài)示意圖5A顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中聲音換能器的剖面圖5B顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中聲音換能器的剖面圖；圖6顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中聲音換能器的剖面圖7A顯示本發(fā)明實(shí)施例中的麥克風(fēng)的立體圖7B顯示本發(fā)明實(shí)施例中的麥克風(fēng)的敏感度的圖表;
圖8顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中的聲音換能器的立體圖;
圖9顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中的麥克風(fēng)的立體圖。
附圖標(biāo)記說明
1聲音換能器 11基板
121a第一導(dǎo)電層
121b第二導(dǎo)電層
121c介電層
122支撐件
123肋條
13結(jié)構(gòu)層
131突出部
131a第一導(dǎo)電層
131b第二導(dǎo)電層
131c介電層
14-1第一電容
14-2第二電容
41導(dǎo)電孔
42導(dǎo)電復(fù)合層
43介電層
44介電層
5聲音換能器
5，聲音換能器
51基板
511下導(dǎo)電層
512上導(dǎo)電層
513介電層
514導(dǎo)電層或多晶層
12薄膜 121突出部 52薄膜 520表面 521突出部 522支撐件 523導(dǎo)電平面 531突出部 6聲音換能器 62薄膜 620表面 621突出部 622支撐件 623導(dǎo)電平面 7麥克風(fēng) 71聲音換能器 72殼體 73入口 8聲音換能器 81基板 811突出部 82薄膜 821突出部 822支撐件 9麥克風(fēng)
以及514'導(dǎo)電層或多晶層 92殼體 93入口 Cl電容 C2電容 C3電容 M4導(dǎo)電層
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉具 體的優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖做詳細(xì)說明。且于文中將以相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)示 同樣的部分。
圖1顯示本發(fā)明實(shí)施例中的聲音換能器1的立體圖。參見圖1，聲音換 能器1包括基板11以及薄膜12。在實(shí)施例中，基板11包括硅基板?；?11以及薄膜12由微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)工藝、互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) 工藝或是其它合適的工藝所形成。
圖2A與圖2B分別顯示圖1中薄膜12的俯視圖以及仰視圖。參見圖2A， 薄膜12包括通過微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)工藝、互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) 工藝或是其它合適的工藝所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)。為清楚顯示，顯示于圖 2A中的薄膜12僅顯示具有由薄層堆棧而成的多層結(jié)構(gòu)。參見圖2B,薄膜 12包括多個(gè)肋條123在多層結(jié)構(gòu)的下層上延伸。肋條123可幫助支撐或是加 強(qiáng)薄膜12以及/或支撐薄膜12的其它層。
參見圖1，薄膜12可具有矩形，但不限于此，并且包括一對(duì)支撐件122， 用以支撐薄膜12于基板11上方。在實(shí)施例中，該對(duì)支撐件122橫向延伸并 穿過或是接近薄膜12的重力中心，使薄膜12因此可相對(duì)于基板11樞轉(zhuǎn)。 該對(duì)支撐件122具有立方形、圓柱形或是其它適合的形狀使薄膜12可樞轉(zhuǎn)。 在另一實(shí)施例中基板11可包括用以容納支撐件12的凹槽。
薄膜12還包括多個(gè)縱向延伸的突出部121。再者，基板ll上方結(jié)構(gòu)層 13包括多個(gè)突出部131與多個(gè)突出部121交錯(cuò)。突出部131以及121的結(jié)構(gòu) 將于后述。
圖3A與圖3B顯示薄膜12的突出部121以及圖1中所顯示結(jié)構(gòu)層13
91聲音換能器
C方向
D方向
Ml導(dǎo)電層
M2導(dǎo)電層
M3導(dǎo)電層的示意圖。參見圖3A，突出部131與121中的每一突出部相互交錯(cuò)。突出 部121包括(上)第一導(dǎo)電層121a、介電層121c以及(下)第二導(dǎo)電層121b。突 出部131與121中的每一突出部包括金屬、碳、石墨以及其它導(dǎo)電材料。介 電層121c包括氧化物或是其它絕緣材料。
參見圖3B,在另一實(shí)施例中，每一突出部131包括第一導(dǎo)電層131a、 第二導(dǎo)電層131b以及位于第一導(dǎo)電層131a以及第二導(dǎo)電層131b之間的介 電層131c。并且，每一突出部121以及導(dǎo)電層131a與131b可包括金屬、碳 或是石墨層，又或者是以上的結(jié)合，但不限于此。并且，介電層131c可包 括氧化層，但不限于此。在本實(shí)施例中，第一電容14-1(如虛線所示)可存在 于第一導(dǎo)電層131a以及突出部121之間，而第二電容14-2(如虛線所示)可存 在于第二導(dǎo)電層131b以及突出部121之間。
圖4A根據(jù)本發(fā)明的圖1中的突出部131與121的操作狀態(tài)示意圖。參 見圖4A,每一突出部131可包括多個(gè)導(dǎo)電層，例如M1、 M2、 M3與M4， 以及導(dǎo)電復(fù)合層42。導(dǎo)電層Ml、 M2、 M3與M4與導(dǎo)電復(fù)合層42彼此之 間由介電層43隔開，并且通過導(dǎo)電孔41彼此電性連接。每一突出部121可 包括由介電層44隔開的上導(dǎo)電層以及下導(dǎo)電層。每一突出部121的上導(dǎo)電 層與下導(dǎo)電層可分別與突出部131的M4層以及M1層同時(shí)形成，并因此分 別標(biāo)示"M4"與"M1"。在操作時(shí)，當(dāng)聲波入射于薄膜12,使薄膜12朝"D"方 向相對(duì)于突出部131位移并旋轉(zhuǎn)，介于上突出部121的導(dǎo)電層M4以及突出 部131之間的電容可相對(duì)于突出部121的相對(duì)位移而改變。更者，因?yàn)楸∧?12震動(dòng)導(dǎo)致的電容改變可通過支撐件122傳送至基板11上的處理電路(未圖 標(biāo))。
圖4A根據(jù)本發(fā)明的圖3A中的突出部131與121的操作狀態(tài)示意圖。 參見圖4B,突出部121以及131之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)可產(chǎn)生電容的改變。明確 的來說， 一個(gè)突出部121的第一導(dǎo)電層121a以及突出部131之間的相對(duì)運(yùn) 動(dòng)可產(chǎn)生電容d的改變，而突出部121的第二導(dǎo)電層121b以及突出部131
之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)可產(chǎn)生電容C2的改變。
圖5A顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中聲音換能器5的剖面圖。參見圖5B,聲 音換能器5包括基板51以及薄膜52。多個(gè)突出部531(其切線位置與圖1中 切線"CC"相似)形成于基板51上。每一突出部531包括上導(dǎo)電層512、下導(dǎo) 電層511以及位于上導(dǎo)電層512以及下導(dǎo)電層511之間的介電層513。并且，至少 一導(dǎo)電層或是多晶層514形成于基板51以及突出部531之間。薄膜52(其 切線位置與圖1中切線"DD"相似)包括導(dǎo)電平面523，且在導(dǎo)電平面523的 表面520上的突出部521與支撐件522并不面對(duì)基板51。在實(shí)施例中，每一 突出部521包括多個(gè)導(dǎo)電層(未標(biāo)號(hào))，導(dǎo)電層彼此之間通過介電層(未標(biāo)號(hào)) 隔開。更者，導(dǎo)電平面523可與下導(dǎo)電層5H同時(shí)制造，并且因此而實(shí)質(zhì)上 與下導(dǎo)電層511共面。
圖5B顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中聲音換能器5，的剖面圖。參見圖5B,聲 音換能器5'與圖5A中的聲音換能器5結(jié)構(gòu)類似，除了在基板51上方的導(dǎo) 電層或是多晶層514，可在薄膜52下方延伸。介于導(dǎo)電層514，以及薄膜52之 間的電容C3可隨著薄膜52相對(duì)于基板51樞轉(zhuǎn)而改變。
圖6顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中聲音換能器6的剖面圖。參見圖6，聲音 換能器6與圖5A中的聲音換能器5結(jié)構(gòu)類似，除了薄膜62取代原本的薄膜 52。薄膜62包括導(dǎo)電平面623,且在導(dǎo)電平面623的表面620上的突出部 621以及支撐件622面對(duì)基板51。更者，導(dǎo)電平面623可與上導(dǎo)電層512同 時(shí)制造，并且因此而實(shí)質(zhì)上與上導(dǎo)電層512共面。
圖7A顯示本發(fā)明實(shí)施例中的麥克風(fēng)7的立體圖。參見圖7A,麥克風(fēng)7 包括聲音換能器71以及殼體72用以包覆聲音換能器71。聲音換能器71可 分別與圖l、圖5A、圖5B以及圖6中的聲音換能器1、 5、 5'類似。至少一 入口 73形成于殼體72的上表面，用以將聲波傳導(dǎo)至麥克風(fēng)7中。在此實(shí)施 例中，殼體72的上表面具有兩個(gè)入口 73,使麥克風(fēng)7對(duì)于由AA，方向以及 BB，方向(如圖中箭頭所示)傳來的聲波更加敏感。根據(jù)上述，麥克風(fēng)7可作 為定向麥克風(fēng)。
圖7B為本發(fā)明中麥克風(fēng)7接收頻率為8.4KHz的入射聲波所顯示^:感 度的圖表。參見圖7A與圖7B，曲線70代表薄膜12對(duì)于入射聲波所產(chǎn)生的 位移。麥克風(fēng)7對(duì)于第一角度(約為0至90度)以及第二角度(約為270至360 度)具有敏感度。
圖8顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中的聲音換能器8的立體圖。參見圖8,聲 音換能器8包括基板81以及薄膜82?；?1包括多個(gè)突出部811。薄膜82 包括多個(gè)支撐件822以及多個(gè)突出部821。在此實(shí)施例中，薄膜82包括四個(gè) 支撐件822。其中的一個(gè)支撐件822可朝"EE"方向延伸，并切入突出部811 與821的延伸方向，也就是"GG"方向?；?1、薄膜82、突出部811、 821以及支撐件822的結(jié)構(gòu)與圖1中的基板ll、薄膜12、突出部131、 121以及 支撐件122的結(jié)構(gòu)類似。
圖9顯示本發(fā)明另一實(shí)施例中的麥克風(fēng)9的立體圖。參見圖9，麥克風(fēng) 9包括聲音換能器91以及殼體92，用以包覆聲音換能器91。聲音換能器91 可分別與圖l、圖5A、圖5B以及圖6中的聲音換能器1、 5、 5'類似。至少 一入口 93形成于殼體92的上表面，用以將聲波傳導(dǎo)至麥克風(fēng)9中。在此實(shí) 施例中，殼體92的上表面具有一個(gè)入口 93。于上表面約0至360度的方向 傳來的入射聲波可穿過入口 93后射入薄膜82。根據(jù)上述，麥克風(fēng)9可作為 全指向麥克風(fēng)。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，仍可作些許的更動(dòng) 與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種聲音換能器，包括基板；薄膜，可相對(duì)于該基板移動(dòng)；多個(gè)支撐件，使該薄膜懸浮于該基板上方；第一組突出部，延伸自該薄膜；以及第二組突出部，延伸自該基板，且該第二組突出部與該第一組突出部交錯(cuò)并可相對(duì)于該第一組突出部移動(dòng)；其中該第一組突出部以及該第二組突出部之一組中的每一突出部包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及位于第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間的介電層，且該第一組突出部以及該第二組突出部的另一組中的每一突出部包括第三導(dǎo)電層。
2. 如權(quán)利要求1所述的聲音換能器，其中第一可變電容定義于該第一導(dǎo) 電層以及該導(dǎo)電層之間，且第二可變電容定義于該第二導(dǎo)電層以及該第三導(dǎo) 電層之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的聲音換能器，其中該支撐件朝第一方向延伸，該 第一組突出部朝沿第二方向延伸，且該第一方向與該第二方向呈直角。
4. 如權(quán)利要求1所述的聲音換能器，其中至少一個(gè)該支撐件朝第一方向 延伸，該第一組突出部朝第二方向延伸，且該第一方向切入該第二方向。
5. 如權(quán)利要求l所述的聲音換能器，其中該薄膜包括導(dǎo)電平面，且這些 支撐件與該第一組突出部設(shè)置于該導(dǎo)電平面的表面，而該表面并不面對(duì)該基板。
6. 如權(quán)利要求1所述的聲音換能器，其中該薄膜包括導(dǎo)電平面，且這些 支撐件與該第一組突出部設(shè)置于該導(dǎo)電平面的表面，而該表面面對(duì)該基板。
7. 如權(quán)利要求5所述的聲音換能器，還包括導(dǎo)電層位于該基板以及該第"第三"使其與說明書對(duì)應(yīng)。
8. 如權(quán)利要求1所述的聲音換能器，其中該薄膜包括多個(gè)肋條。
9. 如權(quán)利要求1所述的聲音換能器，還包括殼體，包覆該基板以及該薄膜。
10. 如權(quán)利要求9所述的聲音換能器，其中該殼體包括開口。
11. 一種聲音換能器，包括 基板；薄膜，可相對(duì)于該基板移動(dòng)，并包括導(dǎo)電平面；多個(gè)支撐件，設(shè)置于該導(dǎo)電平面上，使該薄膜可相對(duì)于該基板樞轉(zhuǎn)；多個(gè)第一突出部，設(shè)置于該薄膜的該導(dǎo)電平面上，每一這些第一突出部 包括多個(gè)導(dǎo)電層，且這些導(dǎo)電層之間由至少一介電層隔開；以及多個(gè)第二突出部，設(shè)置于該基板上方，這些第二突出部與這些第一突出 部交錯(cuò)并可相對(duì)于這些第 一突出部移動(dòng)，每一這些第二突出部包括多個(gè)導(dǎo)電 層，且這些導(dǎo)電層之間由至少一介電層隔開。
12. 如權(quán)利要求11所述的聲音換能器，其中這些第一突出部設(shè)置于該導(dǎo) 電平面的表面，而該表面并不面對(duì)該基板。
13. 如權(quán)利要求11所迷的聲音換能器，其中這些第一突出部設(shè)置于該導(dǎo) 電平面的表面，而該表面面7十該基氺反。
14. 如權(quán)利要求12所述的聲音換能器，還包括第一導(dǎo)電層位于該基板以 及這些第二突出部之間，其中可變電容定義于該第一導(dǎo)電層以及該導(dǎo)電平面 之間。
15. 如權(quán)利要求11所述的聲音換能器，還包括殼體，包覆該基板以及該 薄膜，且該殼體包括開口使該薄膜外露于該殼體。
16. —種聲音換能器，包括 基板；薄膜，可相對(duì)于該基板移動(dòng)；多個(gè)支撐件，使該薄膜可相對(duì)于該基板震動(dòng)，其中至少一個(gè)這些支撐件 朝第一方向延伸；第一組突出部，自該薄膜朝第二方向延伸，且該第一方向與該第二方向 彼此相切；以及第二組突出部，自該薄膜朝該笫二方向延伸，且該第二組突出部與該第 一組突出部交錯(cuò)并可相對(duì)于該第 一組突出部移動(dòng)。
17. 如權(quán)利要求16所述的聲音換能器，其中該第一組突出部中的每一突 出部包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及位于第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間 的介電層，且該第二組突出部中的每一突出部包括第三導(dǎo)電層。
18. 如權(quán)利要求16所述的聲音換能器，其中該第二組突出部中的每一突出部包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及位于第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間 的介電層，且該第一組突出部中的每一突出部包括第三導(dǎo)電層。
19. 如權(quán)利要求16所述的聲音換能器，其中該薄膜包括導(dǎo)電平面，且該 第一組突出部與這些支撐件設(shè)置于該導(dǎo)電平面的表面，而該表面并不面對(duì)該基板。
20. 如權(quán)利要求16所述的聲音換能器，其中該薄膜包括導(dǎo)電平面，且該 第一組突出部與這些支撐件設(shè)置于該導(dǎo)電平面的表面，而該表面面對(duì)該基板。
21. —種使用聲能轉(zhuǎn)換器的麥克風(fēng)，包括殼體，具有一上表面以及二入口，這些入口形成于該上表面之上； 聲能轉(zhuǎn)換器，設(shè)于該殼體之中；以及薄膜，設(shè)于該殼體之中，其中，至少一入射聲波經(jīng)過這些入口而接觸該 薄膜，該麥克風(fēng)對(duì)于第一入射角度以及第二入射角度的該入射聲波較為靈 敏，該第一角度介于0至90度，該第二角度介于270至360度。
22. 如權(quán)利要求21所述的使用聲能轉(zhuǎn)換器的麥克風(fēng)，其中，該聲能轉(zhuǎn)換 器可以為上述權(quán)利要求1、 11或16所述的聲能轉(zhuǎn)換器。
23. —種使用聲能轉(zhuǎn)換器的麥克風(fēng)，包括殼體，具有一個(gè)上表面以及一個(gè)入口，該入口形成于該上表面之上； 聲能轉(zhuǎn)換器，設(shè)于該殼體之中；以及薄膜，設(shè)于該殼體之中，其中，至少一入射聲波經(jīng)過該入口而接觸該薄 膜，該麥克風(fēng)可接收入射角度為0至360度的該入射聲波。
24. 如權(quán)利要求23所述的使用聲能轉(zhuǎn)換器的麥克風(fēng)，其中，該聲能轉(zhuǎn)換 器可以為上述權(quán)利要求1、 11或16所述的聲能轉(zhuǎn)換器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種聲音換能器以及使用聲音換能器的麥克風(fēng)。聲音換能器包括基板、薄膜、多個(gè)支撐件、第一組突出部以及第二組突出部。薄膜可相對(duì)于基板移動(dòng)，多個(gè)支撐件可使薄膜懸浮于基板上方，第一組突出部延伸自薄膜，第二組突出部延伸自基板。第二組突出部與第一組突出部交錯(cuò)并可相對(duì)于第一組突出部移動(dòng)，其中第一組突出部以及第二組突出部之一組中的每一突出部包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及位于第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間的介電層，且第一組突出部以及第二組突出部的另一組中的每一突出部包括第三導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H04R19/04GK101437188SQ20081016641
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月1日
發(fā)明者宋柏勛, 陳振頤, 顏凱翔 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院