專利名稱：用于電容式傳聲器隔膜的支撐設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及傳聲器，更具體地，本發(fā)明涉及用于傳聲器隔 膜的支架。
背景技術(shù)：
微機電系統(tǒng)("MEMS"，此后稱為"MEMS"器件)被廣泛用于 各種應(yīng)用中。例如，當前普遍實現(xiàn)MEMS器件作為傳聲器來將聲頻信 號轉(zhuǎn)換為電信號、作為陀螺儀來檢測飛行器的俯仰角、以及作為加速 度計來選擇性地展開汽車中的氣囊。用簡化的術(shù)語講，這種MEMS器 件典型地具有懸掛在基板上的可動結(jié)構(gòu)，以及關(guān)聯(lián)電路，該關(guān)聯(lián)電路 感知懸掛結(jié)構(gòu)的運動并將感知到的運動數(shù)據(jù)傳送至一個或更多外部器 件(例如，外部計算機)。外部器件處理感知數(shù)據(jù)以計算出被測量的特 征(例如，俯仰角或加速度)。
MEMS傳聲器正日益用于更多數(shù)量的應(yīng)用。例如，MEMS傳聲器 經(jīng)常用于便攜式電話和其他此類器件。然而，要滲透更多市場，重要 的是獲得滿意的靈敏度和與更多傳統(tǒng)傳聲器匹配的信噪比。
MEMS傳聲器典型地包括薄隔膜電極和定位在薄隔膜電極旁邊的 固定的感知電極。隔膜電極和固定的感知電極與可變電容器的極板相 似地起作用。傳聲器操作期間，電荷排列在隔膜電極和固定的感知電 極上。當隔膜電極響應(yīng)聲波振動時，隔膜電極和固定的感知電極之間 的距離變化引起與聲波對應(yīng)的電容變化。這些電容中的變化因此產(chǎn)生 代表聲波的電子信號。最終，可對該電子信號進行處理以將聲波在例 如揚聲器上再現(xiàn)。
圖1示出本領(lǐng)域公知的微傳聲器的總體結(jié)構(gòu)。其中，該微傳聲器
包括隔膜102和橋電極(即背板)104。隔膜102和背板104作為用于 電容電路的電極起作用。如圖所示，背板104可被穿孔以允許聲波到 達隔膜102。可選地或另外地，可使聲波通過其他通道到達隔膜。任意
情況下，聲波都會引起隔膜振動，并且該振動可被感知作為隔膜102 和橋104之間的電容變化。該微傳聲器典型地包括在隔膜102后面的 實質(zhì)空腔106以允許隔膜102自由移動。
許多MEMS傳聲器采用完全錨固在其周緣的隔膜，與鼓的頭部類 似。這種隔膜會出現(xiàn)很多問題。例如，在有聲波的情況下，這種隔膜 傾向于彎曲而不會上下一致地移動，如圖2A所示。這種彎曲會消極地 影響傳聲器的靈敏度，特別是由于內(nèi)張力以及隔膜部分和固定的感知 電極部分之間的距離變化引起的隔膜的限量位移。這種隔膜也會受靈 敏度至應(yīng)力(例如，熱膨脹)的影響，所述應(yīng)力會扭曲隔膜的形狀并 會影響隔膜的機械完整性和傳聲器產(chǎn)生的聲音質(zhì)量。
某些MEMS傳聲器具有通過多個彈簧以可移動的方式與其基礎(chǔ)固 定構(gòu)件(此后稱為的"托架")連接的隔膜。彈簧傾向于使隔膜上下一 致地移動(即，與柱塞相似)，如圖2B所示。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種傳聲器，具有基板；由所述基 板支撐的隔膜組件，所述隔膜組件包括至少一個托架、隔膜和將所述 隔膜聯(lián)接至所述至少一個托架的至少一個彈簧，所述隔膜與所述至少 一個托架隔開；以及至少一個絕緣體，所述絕緣體在所述基板和所述 至少一個托架之間以使所述隔膜和所述基板電絕緣。
各種可選實施方式中，所述基板和隔膜可電容耦合以形成可變電 容器的固定板和可動板。各托架可聯(lián)接至絕緣體，所述絕緣體與所述 基板聯(lián)接。所述隔膜可被穿孔和/或成波紋狀。所述隔膜和所述至少一個托架之間的空間可在所述隔膜的標稱平面中。所述隔膜可與所述至 少一個托架應(yīng)力隔離。所述至少一個托架可包括圍繞所述隔膜的單個 整體托架或可包括多個不同的托架。所述至少一個絕緣體可包括氧化 物。所述隔膜組件可包括多晶硅。所述至少一個絕緣體可直接或間接 地形成在所述基板上，并且所述至少一個托架可直接或間接地形成在 所述至少一個絕緣體上。所述基板可由絕緣硅晶片的硅層形成。所述 基板可包括多個通孔，該情況下所述通孔可允許聲波從所述基板的背 側(cè)到達所述隔膜。該傳聲器可包括響應(yīng)于隔膜運動產(chǎn)生信號的電子電 路。該電子電路可直接或間接地形成在所述基板上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種傳聲器，該傳聲器包括基板 隔膜用于以可移動的方式將所述隔膜聯(lián)接至所述基板的支撐裝置， 該支撐裝置包括用于與所述基板固定聯(lián)接的托架裝置和用于以可移動 的方式將所述隔膜聯(lián)接至所述托架裝置并將所述隔膜與所述托架裝置 隔開的懸掛裝置；以及用于使所述隔膜和所述基板電絕緣的絕緣體裝 置。
各種可選實施方式中，所述傳聲器可進一步包括用于將所述基板 和所述隔膜電容耦合以形成可變電容器的固定板和可動板的裝置。所 述傳聲器可另外地或可選地包括用于允許聲波從所述基板的背惻到達 所述隔膜的裝置。所述傳聲器可另外地或可選地包括用于響應(yīng)于隔膜 運動產(chǎn)生信號的裝置。


從以下參照附圖對本發(fā)明的進一步的說明可更充分地理解本發(fā)明 的前述優(yōu)點，其中-
圖1示出本領(lǐng)域公知的微傳聲器的總體結(jié)構(gòu)；
圖2A示意性地示出鼓狀MEMS傳聲器隔膜的彎曲動作；
圖2B示意性地示出附有彈簧的MEMS傳聲器隔膜的柱塞式動作;
圖3示意性地示出可根據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式生產(chǎn)的
MEMS傳聲器；
圖4示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式構(gòu)形的圖3的
傳聲器的平面圖5示出根據(jù)示例性實施方式構(gòu)形的具體的傳聲器的平面圖照片；
圖6示出在圖5中示出的彈簧的局部放大平面片；
圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式構(gòu)形的傳聲器
的橫截面視圖和局部俯視圖，所述隔膜處于未釋放狀態(tài)；并且
圖8示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式構(gòu)形的傳聲器
的橫截面視圖和局部俯視圖，所述隔膜處于釋放狀態(tài)。
為了便于解釋特定圖的黑白復(fù)印件，用下列圖例識別不同的材料-"S"表示單晶硅；"0"表示氧化物；"P"表示多晶硅；"M"表示金 屬；并且"Pass"表示鈍化材料諸如氮化物。
除非上下文另有提示，相似元件用相似數(shù)字表示。同樣，除非另 有所指，附圖不必按比例繪制。
具體實施例方式
本發(fā)明的實施方式中，MEMS傳聲器包括由基板支撐的隔膜組件。 該隔膜組件包括至少一個托架、隔膜、以及至少一個彈簧，所述彈簧 將所述隔膜聯(lián)接至所述至少一個托架使得所述隔膜與所述至少一個托 架隔開。在所述基板和所述至少一個托架之間的絕緣體(或分離的絕 緣體)使所述隔膜和所述基板電絕緣。所述托架可被直接聯(lián)接至所述 絕緣體并且所述絕緣體可被直接聯(lián)接至所述基板；可選地， 一種或多
種另外的材料可將所述絕緣體與所述基板和/或所述托架分開。在所述 隔膜和所述基板互相電絕緣的情況下，所述隔膜和所述基板可電容耦 合并因此可用作可變電容器的兩個極板以將聲頻信號轉(zhuǎn)換為電信號。
圖3示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式的未封裝的 MEMS傳聲器10 (也稱為"傳聲器芯片10")。其中，傳聲器10包括
支撐并與包括隔膜14的隔膜組件形成可變電容器的固定的背板12(所 述隔膜組件和背板12的連接細節(jié)在下面討論)。說明性的實施方式中， 背板12由單晶硅形成，包括隔膜14的隔膜組件由沉積的多晶硅形成， 并且背板12和所述隔膜組件之間的絕緣體由氧化物形成。該示例中， 背板12由絕緣硅(SOI)晶片20的頂部硅層形成所以靠在基礎(chǔ)氧化物 層和基部硅層上。為了便于操作，背板12具有多個通孔16,通孔16 通向經(jīng)過所述基礎(chǔ)氧化物層和基部硅層形成的背側(cè)空腔18。使用和封 裝傳聲器10使得聲波經(jīng)背側(cè)空腔18和通孔16到達隔膜14。
音頻信號引起隔膜14振動，因此產(chǎn)生變化的電容。片上電路或片 下電路將該變化的電容轉(zhuǎn)換成可進一步處理的電信號。要注意的是對 圖3所示的傳聲器IO的討論只是出于說明的目的。因此可與本發(fā)明的 說明性的實施方式一起采用具有與圖3所示的傳聲器10類似或不類似 的結(jié)構(gòu)的其他MEMS傳聲器。
圖4示意性地示出根據(jù)說明性的實施方式構(gòu)形的傳聲器10的平面 圖。該示例性的傳聲器10具有許多與圖3所示的特征相同的特征。具 體地，如圖所示，傳聲器IO包括基板20，基板20具有多個托架22(該 實例中是四個托架)，托架22經(jīng)由多個彈簧24支撐隔膜14。與隔膜 14不相似的是，每個托架22與基板20固定聯(lián)接。說明性的實施方式 中，電絕緣材料(例如，氧化物)層將每個托架22聯(lián)接至基板20并 使每個托架22與基板20電絕緣。
其中，這種布置在至少一個托架22和隔膜14之間形成膨脹空間 26。因此，如果受到應(yīng)力，隔膜14可自由膨脹到該空間26內(nèi)。相應(yīng) 地，在預(yù)期的應(yīng)力下，隔膜14不會與托架22機械接觸(這種接觸會 降低系統(tǒng)性能)。
圖5示出根據(jù)說明性的實施方式構(gòu)形的具體的傳聲器10的平面圖 照片，而圖6示出圖5所示的一個彈簧24的局部放大平面片。要
注意的是具體的傳聲器10是本發(fā)明的各種實施方式的示例。相應(yīng)地，
不應(yīng)認為對具體組件的討論諸如彈簧24的形狀和數(shù)量是對本發(fā)明各種 實施方式的限制。
如圖所示，傳聲器10具有圓環(huán)形隔膜14和四個徑向延伸但是周 向成形的彈簧24，彈簧24在(多個)托架22和隔膜14的外周緣之間 形成空間26。該示例中，所述隔膜組件包括圍繞隔膜14的單個整體托 架22。除設(shè)置提到的膨脹空間26外，彈簧24也應(yīng)在向下移動時減輕 隔膜彎曲(即，在隔膜14從其頂部看呈凹狀時)。相應(yīng)地，由此，隔 膜14應(yīng)與不具有空間26或彈簧24的現(xiàn)有技術(shù)相比以更一致的方式向 基板20移動。例如，隔膜14可以接近柱塞的方式上下移動。相應(yīng)地， 隔膜14應(yīng)可更自如地上下移動，并且隔膜14的內(nèi)表面的更多區(qū)域應(yīng) 可用來產(chǎn)生基礎(chǔ)信號。
圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式構(gòu)形的傳聲器 10的橫截面視圖和局部俯視圖，所述隔膜處于未釋放狀態(tài)。該圖示意 性地示出上述的多個特征，諸如隔膜14和基板20之間的空間，以及 隔膜14和托架22之間的空間。該圖中，示出所述隔膜具有氧化物下 層，該氧化物下層后來被移除以釋放所述隔膜。圖8示意性地示出根 據(jù)本發(fā)明的說明性的實施方式構(gòu)形的傳聲器的橫截面視圖和局部俯視 圖，所述隔膜處于釋放狀態(tài)(即，已將所述氧化物下層移除)。
本發(fā)明的特定實施方式中，微傳聲器可由硅或絕緣硅(SOI)晶片 形成。如本領(lǐng)域所公知，SOI晶片包括通常稱為器件層的頂部硅層、中 間絕緣體(氧化物)層和典型地比所述頂部硅層厚很多(例如，大約 650微米)的底部硅層。由硅或SOI晶片形成的頂層在本發(fā)明的某些實 施方式中可較薄(例如，大約IO微米厚)或在其他實施方式中較厚(例 如，大約50微米厚)。本發(fā)明的特定實施方式中，所述固定的感知電 極(在此也稱為"背板")可由所述晶片的頂部硅層形成，并且所述隔 膜可形成為懸掛在所述頂部硅層上方。穿孔可形成在所述固定的感知
電極中以允許聲波從所述晶片的底部到達所述隔膜。在所述頂部硅層 的背側(cè)上的絕緣層(例如，氧化物層)，可用作蝕刻停止層用于控制所
述固定感知電極的加工，該絕緣層可以是SOI晶片的固有氧化物層或
沉積在硅晶片上的氧化物層。
用于從SOI晶片形成微傳聲器的示例性工藝包括經(jīng)過毛胚SOI晶
片的頂部硅層至所述中間氧化物層內(nèi)以及可選地經(jīng)過至所述底部硅層 的蝕刻溝槽。然后用氧化物墊襯所述溝槽。然后將多晶硅材料沉積以 填充有襯溝槽并覆蓋所述頂部硅。所述多晶硅材料被構(gòu)圖并蝕刻以形 成各種后來將被移除的犧牲結(jié)構(gòu)。將另外的氧化物材料沉積。多晶硅 材料被沉積和構(gòu)圖以形成包括傳聲器隔膜和懸掛彈簧的隔膜組件。將 氧化物沉積并蝕刻孔以暴露所述背板部分和隔膜組件部分。將金屬沉 積并構(gòu)圖以在所述隔膜上形成用于排列電荷的電極、在所述背板上形 成用于排列電荷的電極、以及多個粘合襯墊。在粘合襯墊和所述電極 之間可有多個電連接。然后將鈍化層(例如，被氮化物層覆蓋的氧化 物層，所述氮化物層是用于集成電路的標準鈍化層)沉積。蝕刻所述 鈍化層以暴露所述粘合襯墊并暴露所述隔膜。將光致抗蝕劑材料沉積 然后構(gòu)圖以暴露未來底座區(qū)域。然后通過蝕刻移除所述未來底座區(qū)域 上的氧化物。將剩余的光致抗蝕劑材料移除，并且通過包括蝕刻、碾
磨和拋光的幾種方法中的任一種使所述底部硅層可選地從大約650微 米變薄至大約350微米。將光致抗蝕劑材料沉積在所述晶片的前側(cè)上 以形成光致抗蝕劑底座。也將光致抗蝕劑材料沉積在所述晶片的背側(cè) 上并構(gòu)圖以畫出背側(cè)空腔的輪廓。所述背側(cè)空腔通過蝕刻掉所述底部 硅層至所述中間氧化物層的一部分形成。示例性的實施方式中，封裝 后的所述背側(cè)空腔體積大約是1立方毫米。將所述中間氧化物層在所 述空腔內(nèi)的一部分移除以暴露所述犧牲多晶硅結(jié)構(gòu)。例如通過將所述 多晶硅經(jīng)過所述背側(cè)空腔暴露在XeF2氣體中或另一種適合的硅刻蝕劑 中將所述犧牲多晶硅結(jié)構(gòu)移除。要注意的是XeF2氣體可能移除部分暴 露的底部硅層，盡管這樣通常是不期望的。例如通過放在適當?shù)囊后w 中將所述隔膜后面的氧化物移除。然后，例如在干蝕刻劑(非液體)
中移除前側(cè)的光致抗蝕劑材料(包括所述基座)。這樣基本釋放了所述 隔膜和相關(guān)的結(jié)構(gòu)。要注意的是所述底座用于在釋放期間支撐脆弱的 傳聲器結(jié)構(gòu)并且不是在所有實施方式中都需要，特別是如果是用蒸汽 HF而不是液體來移除所述氧化物。
用于從有規(guī)則的硅晶片形成微傳聲器的示例性工藝包括將氧化物 層沉積在所述硅晶片上。然后，將多晶硅材料構(gòu)圖并蝕刻以形成所述 隔膜組件。將氧化物材料沉積，并且蝕刻孔以暴露所述基板部分和所 述隔膜組件部分。將金屬沉積并構(gòu)圖以形成粘合襯墊和用于在所述傳 聲器隔膜及背板上排列電荷的電極。在所述粘合襯墊和一個或多個所 述電極之間可有電連接。將鈍化層(例如，由氮化物層覆蓋的氧化物 層，所述氮化物層是用于集成電路的標準鈍化層)沉積。將所述鈍化 層蝕刻以暴露所述粘合襯墊。將所述鈍化層在所述傳聲器結(jié)構(gòu)上方的 部分移除并且將在所述多晶硅結(jié)構(gòu)上方并且部分在所述多晶硅結(jié)構(gòu)下 方的氧化物移除以形成抗蝕劑底座區(qū)域。通過包括蝕刻、碾磨和拋光 所述背側(cè)的幾種方法中的任一種使所述硅晶片的背側(cè)可選地從大約
650微米變薄至大約350微米，并且將一層氧化物沉積在所述晶片的背 側(cè)上。將光致抗蝕劑材料沉積在所述晶片的前側(cè)上，并且將所述晶片 背側(cè)上的氧化物構(gòu)圖。將光致抗蝕劑材料沉積并構(gòu)圖在所述晶片的背 側(cè)上，并且溝槽蝕刻至所述硅晶片內(nèi)。將所述光致抗蝕劑材料從所述 前側(cè)和背側(cè)移除，并且在所述前側(cè)上形成新的光致抗蝕劑材料層用于 保護。然后用已存在的氧化物作為硬掩模在所述晶片的背側(cè)蝕刻空腔。 然后經(jīng)過所述硅層進一步將所述溝槽蝕刻至所述傳聲器區(qū)域的抗蝕劑 底座區(qū)域。例如通過暴露在HF氣體中將經(jīng)過所述空腔暴露的氧化物移 除。將剩余的光致抗蝕劑材料從所述晶片的前側(cè)移除，從而釋放所述 傳聲器結(jié)構(gòu)。最后，可將硼硅玻璃對準并陽極粘合至所述晶片的背側(cè)。 可在粘合前在所述玻璃中對傳聲器孔進行超聲切割。
也要注意的是這些描述的工藝只是示例性的。對于具體的實現(xiàn)而 言，可采用更少的、另外的、或不同的步驟或工藝。某些情況下，與
已描述的材料不同的材料可能適用于具體的步驟或工藝。實際上不可 能描述可在本發(fā)明的各種實施方式中使用的材料和工藝的每一個組合 和排列。因此，本發(fā)明旨在包括所有此類材料和工藝，所述材料和工 藝包括已描述的材料和工藝的適當變體。此外，上述類型的微傳聲器 可連同慣性傳感器和/或電子電路一起形成在同一晶片上并可以多種形 狀因素封裝。
也要注意的是本發(fā)明不限于任意具體形狀、結(jié)構(gòu)或組合的傳聲器 隔膜。所述傳聲器可以是例如圓形的或方形的、實心的或穿有一個或 多個孔、和/或扁平的或成波紋狀。不同的隔膜結(jié)構(gòu)可能需要與已描述 的的工藝不同的或另外的工藝。例如，另外的工藝可用于在所述隔膜 中形成孔或波紋。上述各種實施方式中，所述隔膜組件是多晶硅，但 是也可以使用其他材料。
也要注意的是本發(fā)明不限于任意具體類型或數(shù)量的用于將所述隔 膜聯(lián)接至所述至少一個托架的彈簧。本發(fā)明的實施方式可使用不同類 型和數(shù)量的彈簧。
也要注意的是本發(fā)明不限于任意具體類型的在所述基板和所述至 少一個托架之間的絕緣體。上述各種實施方式中，所述絕緣體是一種 氧化物，但是也可使用其他類型的絕緣體。
也要注意的是本發(fā)明不限于任意具體類型的封裝。
盡管以上討論披露了本發(fā)明的各種示例性實施方式，但對本領(lǐng)域 的技術(shù)人員顯而易見的是在不偏離本發(fā)明的真實范圍的情況下可作出 將實現(xiàn)本發(fā)明某些優(yōu)點的各種變型。
權(quán)利要求
1.一種傳聲器，包括基板；由所述基板支撐的隔膜組件，所述隔膜組件包括至少一個托架、隔膜、以及將所述隔膜聯(lián)接至所述至少一個托架的至少一個彈簧，所述隔膜與所述至少一個托架隔開；以及至少一個絕緣體，所述至少一個絕緣體位于所述基板和所述至少一個托架之間，以使所述隔膜和所述基板電絕緣。
2. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述基板和所述隔膜電容耦 合，以形成可變電容器的固定板和可動板。
3. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中每個托架都聯(lián)接至絕緣體， 并且該絕緣體聯(lián)接至所述基板。
4. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述隔膜被穿孔。
5. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述隔膜成波紋狀。
6. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述隔膜在不彎曲時具有一 平面，所述至少一個彈簧在所述隔膜的平面的方向上在所述隔膜和所 述至少一個托架之間產(chǎn)生空間。
7. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述隔膜與所述至少一個托 架應(yīng)力隔離。
8. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述至少一個托架包括圍繞 所述隔膜的單個整體托架。
9. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述至少一個托架包括多個 不同的托架。
10. 如權(quán)利要求1所述的傳聲器，其中所述至少一個絕緣體包括 氧化物。
11. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述隔膜組件包括多晶硅。
12. 如權(quán)利要求1所述的傳聲器，其中所述至少一個絕緣體直接 或間接地形成在所述基板上。
13. 如權(quán)利要求12所述的傳聲器，其中所述至少一個托架直接或 間接地形成在所述至少一個絕緣體上。
14. 如權(quán)利要求1所述的傳聲器，其中所述基板由絕緣硅晶片的 硅層形成。
15. 如權(quán)利要求l所述的傳聲器，其中所述基板包括若干通孔。
16. 如權(quán)利要求15所述的傳聲器，其中所述通孔允許聲波從所述 基板的背側(cè)到達所述隔膜。
17. 如權(quán)利要求1所述的傳聲器，進一步包括響應(yīng)于隔膜運動產(chǎn) 生信號的電子電路。
18. 如權(quán)利要求17所述的傳聲器，其中所述電子電路直接或間接 地形成在所述基板上。
19. 一種傳聲器，包括 基板；隔膜；用于以可移動的方式將所述隔膜聯(lián)接至所述基板的支撐裝置，所 述支撐裝置包括托架裝置和懸掛裝置，所述托架裝置用于與所述基板 固定聯(lián)接，所述懸掛裝置用于以可移動的方式將所述隔膜聯(lián)接至所述 托架裝置并將所述隔膜與所述托架裝置隔開；以及絕緣體裝置，所述絕緣體裝置用于使所述隔膜和所述基板電絕緣。
20. 如權(quán)利要求19所述的傳聲器，進一步包括用于將所述基板和 所述隔膜電容耦合以形成可變電容器的固定板和可動板的裝置。
21. 如權(quán)利要求19所述的傳聲器，進一步包括用于允許聲波從所 述基板的背側(cè)到達所述隔膜的裝置。
22. 如權(quán)利要求19所述的傳聲器，進一步包括用于響應(yīng)于隔膜運動產(chǎn)生信號的裝置。
全文摘要
一種傳聲器，該傳聲器包括由基板支撐的隔膜組件。所述隔膜組件包括至少一個托架、隔膜、以及至少一個彈簧，所述彈簧將所述隔膜聯(lián)接至所述至少一個托架使得所述隔膜與所述至少一個托架隔開。在所述基板和所述至少一個托架之間的絕緣體(或分離的絕緣體)使所述隔膜和所述基板電絕緣。
文檔編號H04R1/04GK101371614SQ200780002789
公開日2009年2月18日 申請日期2007年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月20日
發(fā)明者賈森·W·魏戈爾德 申請人:模擬設(shè)備公司