專(zhuān)利名稱(chēng)：電荷傳送元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電荷傳送元件，詳細(xì)地說(shuō)，涉及用于提高輸出靈敏度的輸出部分構(gòu)造。
背景技術(shù)：
圖7表示幀傳送方式的CCD固體攝像元件的構(gòu)成圖。幀傳送方式的CCD固體攝像元件包含攝像部分10i、存儲(chǔ)部分10s、水平傳送部分10h以及輸出部分10d。在攝像部分10i中所生成的信息電荷通過(guò)作為CCD移位寄存器的電荷傳送元件被傳送到存儲(chǔ)部分10s。信息電荷被保持在存儲(chǔ)部分10s中，同時(shí)，逐行向水平傳送部分10h傳送，再逐個(gè)象素地從水平傳送部分10h向輸出部分10d傳送。輸出部分10d將每個(gè)象素的信息電荷量變換成電壓值，并將該電壓值的變化設(shè)定為CCD輸出。
在水平傳送部分10h的溝道區(qū)域的輸出一側(cè)設(shè)置具有用于暫時(shí)存儲(chǔ)信息電荷的電容的浮置擴(kuò)散(電容)區(qū)域，將通過(guò)被存儲(chǔ)在該電容中的電荷產(chǎn)生的電位的變動(dòng)作為輸出信號(hào)取出。輸出信號(hào)的電位變?yōu)橛酶≈脭U(kuò)散區(qū)域的電容值去除被存儲(chǔ)的信息電荷的值。通過(guò)減小該浮置擴(kuò)散區(qū)域的電容值能夠提高固體攝像元件的輸出靈敏度。
圖8是輸出部分10d的等效電路圖。另外，圖9是表示水平傳送部分10h、輸出部分10d的構(gòu)造的平面圖。
輸出部分10d如圖8所示那樣，基本上由3個(gè)輸出晶體管Td1、Td2、Td3以及3個(gè)負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3構(gòu)成。輸出晶體管Td1和負(fù)載晶體管Ta1被串聯(lián)連接并構(gòu)成第1級(jí)的源跟隨器電路。同樣，輸出晶體管Td2和負(fù)載晶體管Ta2以及輸出晶體管Td3和負(fù)載晶體管Ta3各自被串聯(lián)連接并構(gòu)成第2級(jí)和第3級(jí)的源跟隨器電路。
第1級(jí)的源跟隨器電路的輸出晶體管Td1的柵極被連接到浮置擴(kuò)散區(qū)域FD。第1～3級(jí)的源跟隨器電路被串聯(lián)連接，第3級(jí)的源跟隨器電路的輸出晶體管Td3的源極電位作為固體攝像元件的輸出信號(hào)VOUT被取出。
水平傳送部分10h的溝道12在N型半導(dǎo)體襯底中擴(kuò)散P型雜質(zhì)并在被配置在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主面的P阱13內(nèi)被形成。此處，在P阱13中外加接地電位VGND，在N型半導(dǎo)體襯底中外加5～10V左右的電位。溝道區(qū)域12上的復(fù)位晶體管Tr被形成的元件區(qū)域18與溝道區(qū)域12連接并被形成。在作為復(fù)位晶體管Tr的漏極和源極的區(qū)域中擴(kuò)散N型雜質(zhì)，并各自變成浮置擴(kuò)散區(qū)域FD和復(fù)位漏極區(qū)域RD。
在溝道區(qū)域12上，多個(gè)傳送電極14a、14b挾持絕緣膜并相互平行地被配置。而且，輸出控制電極16與傳送電極14a、14b被平行地配置。傳送時(shí)鐘ΦH被外加到傳送電極14a、14b，信息電荷沿著溝道區(qū)域12向輸出控制電極16被傳送。一定的輸出控制電壓VOG被外加到輸出控制電極16，信息電荷經(jīng)過(guò)在輸出控制電極16的下面所形成的溝道被輸出到浮置擴(kuò)散區(qū)域FD。
在元件區(qū)域18中，復(fù)位電極20經(jīng)由絕緣膜被配置以便跨越浮置擴(kuò)散區(qū)域FD和復(fù)位漏極區(qū)域RD，并形成復(fù)位晶體管Tr。另外，源極配線(xiàn)22被連接到浮置擴(kuò)散區(qū)域FD，漏極配線(xiàn)24被連接到復(fù)位漏極區(qū)域RD。
通過(guò)輸出控制電壓VOG被輸出到浮置擴(kuò)散區(qū)域FD的信息電荷被存儲(chǔ)到浮置擴(kuò)散區(qū)域FD并被變換成電壓值。浮置擴(kuò)散區(qū)域FD的電壓值通過(guò)源極配線(xiàn)22被取出。
另外，通過(guò)預(yù)先將漏極電壓VRD外加到漏極配線(xiàn)24，將復(fù)位時(shí)鐘ΦR外加到復(fù)位電極20，能夠使復(fù)位晶體管Tr接通，并經(jīng)由復(fù)位漏極區(qū)域RD將在浮置擴(kuò)散區(qū)域FD中所存儲(chǔ)的信息電荷排出到漏極配線(xiàn)24。
在半導(dǎo)體襯底上形成第1級(jí)的源跟隨器電路的元件區(qū)域26從元件區(qū)域18間隔規(guī)定的距離被設(shè)置。而且，形成第2級(jí)的源跟隨器電路的元件區(qū)域28和形成第3級(jí)的源跟隨器電路的元件區(qū)域30與其它的元件區(qū)域相互間隔規(guī)定的距離被設(shè)置。
元件區(qū)域26、28、30在N型半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主面上用使P型雜質(zhì)擴(kuò)散的P阱被形成。N型雜質(zhì)被擴(kuò)散到元件區(qū)域26，并形成輸出晶體管Td1的漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1以及管Ta1的漏極區(qū)域Da1和源極區(qū)域Sa1。同樣，N型雜質(zhì)也被擴(kuò)散到元件區(qū)域28、30，并形成漏極區(qū)域Dd2、Da2、Dd3、Da3以及Sd2、Sa2、Sd3、Sa3。
源極配線(xiàn)22被配置以便向元件區(qū)域26延伸，并經(jīng)由絕緣膜跨越漏極區(qū)域Dd1和Sd1。它將變成輸出晶體管Td1的柵極電極。輸出晶體管Td1的源極區(qū)域Sd1和負(fù)載晶體管Ta1的漏極區(qū)域Da1通過(guò)源極配線(xiàn)32被連接。而且，源極配線(xiàn)32被配置以便向元件區(qū)域28延伸，并經(jīng)由絕緣膜跨越漏極區(qū)域Dd2和源極區(qū)域Sd2。它將變成輸出晶體管Td2的柵極電極。同樣，輸出晶體管Td2的源極配線(xiàn)34也被配置，源極區(qū)域Sd2、漏極區(qū)域Da2以及輸出晶體管Ta3的柵極電極被連接。源極區(qū)域Sd3和漏極區(qū)域Da3通過(guò)源極配線(xiàn)36被連接，其源極配線(xiàn)36取出固體攝像元件的輸出信號(hào)VOUT并變?yōu)榕渚€(xiàn)。
在負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3的漏極區(qū)域Da1、Da2、Da3和源極區(qū)域Sa1、Sa2、Sa3中經(jīng)由絕緣膜配置柵極電極38，并外加共用的柵極電位VGGT。另外，漏極區(qū)域Dd1、Dd2、Dd3通過(guò)漏極配線(xiàn)40被連接并外加共用電源電位VDD，源極區(qū)域Sa1、Sa2、Sa3通過(guò)接地配線(xiàn)42被連接，并被維持成接地電位VGND。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2000-91557號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在上述那樣的水平傳送部分10h、輸出部分10d那樣的電荷傳送元件的構(gòu)成中，若將第1級(jí)的輸出晶體管Td1的元件區(qū)域26的P阱固定為接地電位VGND，那么伴隨著源極配線(xiàn)32的電位VBS的變動(dòng)，如公式(1)所表示的那樣，將產(chǎn)生輸出晶體管Td1的閾值電壓Vth變動(dòng)的反向柵極效果。該反向柵極效果引起輸出晶體管Td1的增益的變動(dòng)。其結(jié)果，例如，將產(chǎn)生固體攝像元件的輸出變成不穩(wěn)定的問(wèn)題。
公式1
NaP阱的表面濃度VBS；源極電位另一方面，人們考慮到將輸出晶體管Td1的元件區(qū)域26的P阱和源極區(qū)域Sd1連接起來(lái)并固定為該電位的方法。但是，使用該方法在P阱13和元件區(qū)域26的P阱之間將產(chǎn)生電位差，并容易使兩個(gè)區(qū)域之間短路。因此，必須使兩個(gè)區(qū)域之間的距離充分加寬到不產(chǎn)生短路的程度，作為結(jié)果將存在增大固體攝像元件的尺寸的問(wèn)題。
另外，為防止短路，若加大兩個(gè)區(qū)域之間的距離，那么連接浮置擴(kuò)散區(qū)域FD和輸出晶體管Td1的柵極的源極配線(xiàn)22就變長(zhǎng)，并增大配線(xiàn)電容。其結(jié)果，源極配線(xiàn)22的配線(xiàn)電容和浮置擴(kuò)散區(qū)域FD的電容互補(bǔ)，存儲(chǔ)相同信息電荷的場(chǎng)合的電位的變化變小。其結(jié)果例如將產(chǎn)生降低輸出部分10h的增益，或降低固體攝像元件的動(dòng)作速度的問(wèn)題。
本發(fā)明的目的在于，鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，提供應(yīng)解決至少上述課題的一個(gè)，并改進(jìn)輸出部分的構(gòu)造的電荷傳送元件。
能解決上述課題的本發(fā)明，其特征在于，它具備被配置在一種導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主面的逆導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域；在所述半導(dǎo)體區(qū)域在一個(gè)方向上延伸并被配置的一個(gè)導(dǎo)電型的溝道區(qū)域；在所述半導(dǎo)體襯底上與所述溝道區(qū)域被交叉被配置的多個(gè)傳送電極；在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)與所述溝道區(qū)域連接被配置的電容；以及在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)配置源極和漏極，柵極被連接到所述電容的輸出晶體管，配置所述輸出晶體管的所述半導(dǎo)體區(qū)域的所述半導(dǎo)體襯底的深度方向的濃度分布在所述半導(dǎo)體區(qū)域的中間位置遇到最大值。
這時(shí)，配置所述輸出晶體管的所述半導(dǎo)體區(qū)域沿著所述半導(dǎo)體襯底的深度方向，雜質(zhì)濃度在表面區(qū)域比中間區(qū)域低是合適的。
而且，所述負(fù)載晶體管具備與所述輸出晶體管串聯(lián)連接的負(fù)載晶體管，并被配置在配置了所述輸出晶體管的所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)也是合適的。


圖1是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件的輸出部分的等效電路圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件的輸出部分的平面構(gòu)造圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件的輸出部分的橫斷面圖。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件的輸出晶體管的實(shí)效的雜質(zhì)濃度分布的圖。
圖5是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件的輸出部分的變形例的橫斷面圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件的制造工序的工藝流程圖。
圖7是表示固體攝像元件的構(gòu)成的概略的方框圖。
圖8是現(xiàn)有的固體攝像元件的輸出部分的等效電路圖。
圖9是現(xiàn)有的固體攝像元件的輸出部分的平面構(gòu)造圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中的電荷傳送元件被包含在固體攝像元件中。以下，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明。
<固體攝像元件的構(gòu)成>
本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中的固體攝像元件具備與圖7所示的幀傳送方式的CCD固體攝像元件相同的構(gòu)成。
在圖2中表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的固體攝像元件中的輸出部分10d的等效電路。輸出部分10d與現(xiàn)有技術(shù)相同包含基本上由3個(gè)輸出晶體管Td1、Td2、Td3和3個(gè)負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3構(gòu)成的、被串聯(lián)連接成3級(jí)的源跟隨器電路。
圖1是表示輸出部分10d的構(gòu)造的平面圖。水平傳送部分10h的溝道區(qū)域12在將P型雜質(zhì)擴(kuò)散到N型半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主面的P阱50內(nèi)被形成。P阱50與形成攝像部分10i、存儲(chǔ)部分10s的P阱被連接形成，并被外加接地電位VGND。在本實(shí)施形態(tài)中，P阱被延伸到輸出晶體管Td1的元件區(qū)域52并被形成。
N型雜質(zhì)被擴(kuò)散到與水平傳送部分10h連接并被形成的元件區(qū)域54，分別變成復(fù)位晶體管Tr的浮置擴(kuò)散區(qū)域FD和復(fù)位漏極區(qū)域RD。
在溝道區(qū)域12上，傳送電極14a、14b和輸出控制電極16挾持絕緣膜并相互平行地被配置。另外，復(fù)位晶體管Tr的復(fù)位電極20經(jīng)由絕緣膜橫跨浮置擴(kuò)散區(qū)域FD和復(fù)位漏極區(qū)域RD被配置。而且，源極配線(xiàn)22被連接到浮置擴(kuò)散區(qū)域FD，漏極配線(xiàn)24被連接到復(fù)位漏極區(qū)域RD。
在與P阱50連接的元件區(qū)域52中再擴(kuò)散N型雜質(zhì)，形成輸出晶體管Td1的漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1。而且，在漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1之間的表面附近形成用低濃度注入了N型雜質(zhì)的溝道摻雜區(qū)域56。
復(fù)位晶體管Tr的源極配線(xiàn)22向元件區(qū)域52被延伸，并經(jīng)由絕緣膜被配置以便跨越漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1變成輸出晶體管Td1的柵極電極。
在半導(dǎo)體襯底上，再與其它的元件區(qū)域相互間隔規(guī)定的距離設(shè)置形成第1級(jí)的負(fù)載晶體管Ta1的元件區(qū)域58、形成第2級(jí)的源跟隨器電路的元件區(qū)域60和形成第3級(jí)源跟隨器電路的元件區(qū)域62。元件區(qū)域58、61、63在使P型雜質(zhì)擴(kuò)散到N型半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主面的P阱中被形成，并對(duì)各P阱外加接地電位VGND。將N型雜質(zhì)擴(kuò)散到元件區(qū)域58、61、63中，形成構(gòu)成負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3的漏極區(qū)域Da2、Da3以及Sa1、Sa2、Sa3。元件區(qū)域60、62與元件區(qū)域61、63鄰接被配置，將P型和N型雜質(zhì)注入到規(guī)定的部位，并形成構(gòu)成輸出晶體管Td2、Td3的P阱、漏極區(qū)域Dd2、Dd3以及Sd2、Sd3。該元件區(qū)域60、62在P阱內(nèi)形成P+區(qū)域，該P(yáng)+區(qū)域和源極區(qū)域被連接，P阱的電位被固定為源極電位。
連接輸出晶體管Td1、Td2、Td3負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3的各配線(xiàn)與現(xiàn)有相同地被配置。即，輸出晶體管Td1的源極區(qū)域Sd1和負(fù)載晶體管Ta1的漏極區(qū)域Da1通過(guò)源極配線(xiàn)32被連接，而且，源極配線(xiàn)32向元件區(qū)域28延伸，并經(jīng)由絕緣膜被配置以便跨越漏極區(qū)域Dd2和源極區(qū)域Sd2。同樣，源極配線(xiàn)34連接源極區(qū)域Sd2和漏極區(qū)域Da2，并兼作輸出晶體管Td3的柵極電極。源極區(qū)域Sd3和漏極區(qū)域Da3通過(guò)源極配線(xiàn)36被連接，該源極配線(xiàn)36變成固體攝像元件的輸出信號(hào)VOUT的取出配線(xiàn)。另外，柵極電極38經(jīng)由絕緣膜被配置到負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3。并且，漏極區(qū)域Da1、Da2、Da3通過(guò)漏極配線(xiàn)40被連接，源極區(qū)域Sa1、Sa2、Sa3通過(guò)接地配線(xiàn)42被連接。
在圖3中表示在本實(shí)施形態(tài)的固體攝像元件中的輸出晶體管Td1的X-X之間切斷的橫斷面構(gòu)造。另外，在圖4中表示圖3的Y-Y深度方向的實(shí)效的雜質(zhì)濃度分布。
形成輸出晶體管Td1的元件區(qū)域52由水平傳送部分10h的溝道區(qū)域12和共用的P阱50構(gòu)成，在該P(yáng)阱50中用高濃度添加N型雜質(zhì)形成漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1。在該漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1之間的表面附近通過(guò)注入N型雜質(zhì)被反向摻雜，在輸出晶體管Td1的柵極區(qū)域形成溝道摻雜區(qū)域56。因此，配置輸出晶體管Td1的P阱50如圖4所示那樣，沿著襯底深度方向，在表面區(qū)域a將雜質(zhì)濃度設(shè)置得比中間區(qū)域b低，該結(jié)果，襯底深度方向的雜質(zhì)分布在P阱50中的中間位置b遇到極大值。
此外，輸出部分10d的構(gòu)造，如圖5的平面圖所示那樣，可以設(shè)定為使溝道區(qū)域12的P阱50與負(fù)載晶體管Ta1、Ta2、Ta3的P阱共用化的構(gòu)造。
<固體攝像元件的制造方法>
圖6是形成本實(shí)施形態(tài)的固體攝像元件中的輸出部分10d的工藝流程圖。以下，參照?qǐng)D6說(shuō)明關(guān)于固體攝像元件的輸出部分10d的制造方法。
在N型半導(dǎo)體襯底70上使氧化膜72成膜，使用規(guī)定的掩模圖案在形成P阱50的區(qū)域設(shè)置開(kāi)口部分(圖6(a))。該氧化膜72被利用作為下次離子注入工序的掩模。另外，氧化膜72最終變?yōu)榉蛛x元件的場(chǎng)氧化膜。
通過(guò)將氧化膜72作為掩模，將硼(B)、鋁(AI)、鎵(Ga)、或銦(In)等P型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入并使其擴(kuò)散，在半導(dǎo)體襯底70上形成P阱50(圖6(b))。例如，在數(shù)100KeV的能量中用1012～1018/cm2的面密度注入P型雜質(zhì)。
接著，在氧化膜72的開(kāi)口部分使氧化膜74成膜，使用規(guī)定的掩摸圖案在作為輸出晶體管Td1的漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1的區(qū)域中設(shè)置開(kāi)口部分(圖6(c))。該氧化膜74在下次的離子注入工序中被利用作為掩模。
通過(guò)將氧化膜4作為掩模，將磷(P)、砷(As)或銻(Sb)等N型雜質(zhì)等進(jìn)行離子注入并使其擴(kuò)散，在P阱50中形成漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1(圖6(d))。例如，在數(shù)100KeV左右的能量中用1015～1016/cm2的面密度注入N型雜質(zhì)。
上述的圖6(a)～(d)的工序即使對(duì)于形成復(fù)位晶體管Tr的元件區(qū)域54和形成其它的晶體管的元件區(qū)域58、60、62也能夠同時(shí)進(jìn)行。因此，能夠形成元件區(qū)域58、60、62的P阱和浮置擴(kuò)散區(qū)域FD、復(fù)位漏極區(qū)域RD，以及漏極區(qū)域Da1、Dd2、Da2、Dd3、Da3、和源極區(qū)域Sa1、Sd2、Sa2、Sd3、Sa3。
接著，除去氧化膜74，重新使氧化膜76成膜，并使用規(guī)定的掩模圖案在作為輸出晶體管Td1的柵極區(qū)域78(在漏極區(qū)域Dd1和源極區(qū)域Sd1之間)的區(qū)域設(shè)置開(kāi)口部分(圖6(e))。開(kāi)口部分在復(fù)位晶體管Tr以及其它輸出晶體管和負(fù)載晶體管等柵極區(qū)域沒(méi)有設(shè)置。該氧化膜76在下次的離子注入工序中被利用作為掩模。
通過(guò)將氧化膜76作為掩模，在P阱50的表面區(qū)域注入磷(P)、砷(As)或銻(Sb)等N型雜質(zhì)并使其擴(kuò)散，形成溝摻雜區(qū)域56(圖6(f))。例如，在數(shù)100KeV左右的能量中用1012～1013/cm2的面密度注入N型雜質(zhì)。
接著，在輸出晶體管Td1以外的晶體管的柵極區(qū)域的氧化膜76中也設(shè)置開(kāi)口部分，并在各柵極區(qū)域形成柵極氧化膜80。而且，使用規(guī)定的掩模圖案使多晶硅層和金屬膜成膜，并進(jìn)行各配線(xiàn)(圖6(g))。
象以上那樣，能夠形成本實(shí)施形態(tài)的固體攝像元件中的輸出部分10d。但是，不應(yīng)受此限制，可以使用其它現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造方法。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，限定于固體攝像元件的輸出部分10d進(jìn)行了說(shuō)明，但不言而喻，可以使上述工序的一部分與固體攝像元件的其它區(qū)域的制造工序共用化。
象以上已說(shuō)明的那樣，在本實(shí)施形態(tài)的固體攝像元件中，通過(guò)降低P阱50的表面區(qū)域的實(shí)效的P型雜質(zhì)濃度，在將包含溝道區(qū)域12和元件區(qū)域52的P阱50固定為接地電位VGND的場(chǎng)合也能夠抑制輸出晶體管Td1的反向柵極效果。即，如公式(1)所示那樣，由于輸出晶體管Td1的閾值電壓Vth與輸出晶體管Td1柵極區(qū)域的P阱50的表面區(qū)域的實(shí)效的P型雜質(zhì)濃度Na的平方根和和源極配線(xiàn)32的電位VBS的平方根成比例，因此通過(guò)降低實(shí)效的雜質(zhì)濃度Na，能夠抑制隨著電位VBS的變化的閾值電壓Vth的變動(dòng)。
因此，不連接輸出晶體管Td1的元件區(qū)域52的P阱和源極區(qū)域Sd1并固定為該電位，而能夠抑制反向柵極效果。
而且，由于難以產(chǎn)生P阱50和元件區(qū)域52的短路，因此能夠縮短P阱50和元件區(qū)域52的距離。由此，源極配線(xiàn)22也變短，并能夠?qū)⑴渚€(xiàn)電容抑制到低的容量。
通過(guò)這些作用，例如能夠在保持輸出部分10d的高增益的同時(shí)，縮小固體攝像元件的尺寸。
若依據(jù)本發(fā)明，就能夠抑制電荷傳送元件的輸出部分中的晶體管的反向柵極效果。其結(jié)果，不隨著固體攝像元件尺寸的大型化，而能得到輸出部分的高電壓放大增益。
權(quán)利要求
1.一種電荷傳送元件，其特征在于，它具備被配置在一個(gè)導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主面的逆導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域；在所述半導(dǎo)體襯底上沿著一個(gè)方向延伸并被配置的一個(gè)導(dǎo)電型的溝道區(qū)域；在所述半導(dǎo)體襯底上與所述溝道區(qū)域交叉并被配置的多個(gè)傳送電極；在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)與所述溝道區(qū)域連接并被配置的電容；以及在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)配置源極和漏極，柵極被連接到所述電容的輸出晶體管，配置了所述輸出晶體管的所述半導(dǎo)體區(qū)域的所述半導(dǎo)體襯底的深度方向的濃度分布在所述半導(dǎo)體區(qū)域的中間位置遇到極大值。
2.如權(quán)利要求1記載的電荷傳送元件，其特征在于，配置了所述輸出晶體管的所述半導(dǎo)體區(qū)域沿著所述半導(dǎo)體襯底的深度方向在表面區(qū)域雜質(zhì)濃度比中間區(qū)域低。
3.如權(quán)利要求1或2記載的電荷傳送元件，其特征在于，它還具備與所述輸出晶體管串聯(lián)連接的負(fù)載晶體管，所述負(fù)載晶體管被配置在所述輸出晶體管被配置的所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及電荷傳送元件。具有能抑制反向柵極效果的輸出部分構(gòu)造的電荷傳送元件。一種固體攝像元件，它具備溝道區(qū)域12，與溝道區(qū)域12連接并被配置的第1元件區(qū)域18，在第1元件區(qū)域18中形成了源極區(qū)域和漏極區(qū)域的復(fù)位晶體管T
文檔編號(hào)H04N5/372GK1519951SQ20041000532
公開(kāi)日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2004年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月6日
發(fā)明者岡田吉弘 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社