專利名稱：端接模擬用戶線路的電路布置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種端接模擬用戶線路的電路布置，該電路布置具有用于端接用戶線路的一第一端子(a)和一第二端子(b)，并且其中第一端子(a)通過一由第一電容器(C1)、至少一可變電阻(T1、R1、T2、R2)和一第二電容器(C2)構(gòu)成的串聯(lián)電路與第二端子(b)連接。
一用于端接用戶模擬線路(用戶線路電路)的電路布置形成交流信號和直流信號的端接阻抗。其中當存在信號傳輸連接時，直流信號的端接阻抗(直流-端接阻抗)和交流信號的端接阻抗(交流-端接阻抗)接在用戶線路上。
直流-端接阻抗用于調(diào)整端接模擬用戶線路的電路布置的工作點，并向?qū)Ψ脚_站(例如交換局)通告已存在連接。在發(fā)送或接收信號(例如話音-或數(shù)據(jù)信號)時，流過用戶線路的電流將以被直流端接阻抗調(diào)整的工作點為基準受到調(diào)制。其中工作點取決于由對方臺站饋送的流過用戶線路的直流電流，并取決于通過直流-端接阻抗調(diào)整的直流-特性。
僅需要改變電路，例如更換電阻、電容等即可以實現(xiàn)根據(jù)所在國對直流-和交流-端接阻抗的具體要求的變化或與后者的適配。
所以本發(fā)明的目的在于提出一種端接模擬用戶線路的電路布置，該電路布置用很少的電路花費即可構(gòu)成可調(diào)的交流-端接阻抗，該端接阻抗是可編程的，并且其中用戶線路是無直流的。
實現(xiàn)該目的的技術(shù)方案是，直流源接在第一電容器和可變電阻之間的節(jié)點上。
本發(fā)明涉及一種端接模擬用戶線路的電路布置，該電路布置具有用于端接雙芯線用戶線路的第一端子和第二端子。第一端子通過一由第一電容器、至少一可變電阻和一第二電容器構(gòu)成的串聯(lián)電路與第二端子連接。根據(jù)本發(fā)明，直流源接在第一電容器和可變電阻之間的節(jié)點上。直流源加入一用于調(diào)整在模擬用戶線路上進行信號傳輸時的工作點的電流。由于設(shè)有第一和第二電容器，因而直流信號在用戶線路上被截止，所以在模擬用戶線路上沒有直流電流流動。另外，第一和第二電容器和可變電阻形成交流信號的端接阻抗。通過可變電阻實現(xiàn)對直流信號的工作點和交流信號的端接阻抗的調(diào)整。
根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式，由一晶體管和一電阻構(gòu)成直流源，其中晶體管的負載電路與電阻串聯(lián)，并且電阻的自由端子與電源電壓連接。晶體管的控制端子通過一控制電路與晶體管的負載電路和電阻之間的連接點連接。
根據(jù)本發(fā)明的一特別優(yōu)選的實施方式，控制電路具有一個運算放大器，該運算放大器對在晶體管的負載電路和電阻的連接點上的電壓與基準電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果通過其輸出電壓對晶體管進行控制。
直流源優(yōu)選具有一個二極管，該二極管與晶體管的負載電路串聯(lián)。二極管的優(yōu)點在于可以防止晶體管被呼叫信號的高壓損傷。
下面將對照實施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明的其它優(yōu)點、特征和應用加以說明。圖中示出

圖1示出端接模擬用戶線路的電路布置的實施例，該實施例的電路布置設(shè)置在用于在模擬用戶線路上進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠骷?nèi)。
圖1示出端接模擬用戶線路的電路布置，其中模擬用戶線路具有雙芯線，所述雙芯線與電路布置的第一端子a和第二端子b連接。
第一端子a通過一第一電容器C1、一第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1和一第一電阻R1的串聯(lián)電路與基準電位VSS連接。第二端子b通過一第二電容器C2、一第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2和一第二電阻R2的串聯(lián)電路與基準電位VSS連接?；鶞孰娢籚SS在本實施例中等于零電位。第一電容器C1和第二電容器C2對在模擬用戶線路上的直流信號進行阻塞。因此沒有直流信號經(jīng)用戶線路流入電路布置中。
為對電路布置的直流工作點進行調(diào)整，經(jīng)第一分壓器R3和R6，對在第一電容器和第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1之間的連接點上的電壓進行測量，并將此電壓加給直流-工作點控制電路3。另外，經(jīng)第二分壓器R4和R7，對在第二電容器和第二n-溝道-MOS場效應晶體管T1之間的連接點上的電壓進行測量，并將此電壓加給直流-工作點控制電路3。直流-工作點控制電路3通過一加法電路4和一模擬積分電路2對第一n-溝道-MOS-場效應晶體管T1的負載電路的電阻進行調(diào)整，從而實現(xiàn)電路布置的直流-工作點的控制。
為了在連接點1和連接點11上存在可以測量的直流電壓，將連接點1與直流源連接，該直流源饋送一個電流I。第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2的控制端子在該工作狀況下處于高電位VHIGH，因而第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2的負載電路的電阻是低阻值的。
用于注入電流I的直流源具有一pnp-)雙極晶體管T3、一個電阻R5和一個運算放大器5。電阻R5的一側(cè)與電源電壓VDDA連接，而另一側(cè)與pnp-雙極晶體管T3的發(fā)射極連接。由pnp-雙極晶體管T3的集電極流出的電流I注入電路布置中。一基準電壓VREF加在運算放大器5的正輸入端，而pnp-極晶體管T3的集電極上的電壓加在運算放大器5的負輸入端。運算放大器5的輸出電壓對pnp-雙極晶體管T3進行控制。另外，二極管D1的陽極與pnp-雙極晶體管T3的集電極連接。二極管D1用于避免pnp-雙極晶體管受到振鈴信號的高壓的破壞。通過基準電壓VREF對電流I進行調(diào)整。
通過阻抗變換濾波器8對模擬用戶線路的交流-端接阻抗進行數(shù)字調(diào)整。
為此，在連接點1上的交流電壓通過一第三電容器C3和一后置的模數(shù)轉(zhuǎn)換器6輸送給阻抗變換濾波器8。另外，在連接點11上的交流電壓通過第四電容器C4和一后置的第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器9輸送給阻抗變換濾波器8。作為數(shù)字濾波器實現(xiàn)的阻抗變換濾波器8由數(shù)字交流信號計算出用于調(diào)整交流端接阻抗所需的信號。該信號通過一數(shù)/模轉(zhuǎn)換器7被變換成一模擬電壓并通過加法電路4與電路的輸出電壓相加，以便對直流-工作點3進行調(diào)整。加法電路4的輸出電壓被輸送給模擬積分電路2，該積分電路將加法電路的輸出電壓與在n-溝道-MOS場效應晶體管T1與第一電阻R1之間的連接點上的電壓相減并對電壓差進行積分。
為對直流-工作點以及交流-端接阻抗進行調(diào)整，在該電路布置中有兩個進行調(diào)整的不同的路徑，其中采用第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1對交流-端接阻抗和直流-工作點進行調(diào)整。由于在該電路布置中通過第一電容器C1和第二電容器C2對用戶線路的直流電流以及直流電壓進行阻塞，所以直流源必須通過第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1、第一電阻R1、第二電阻R2和第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2注入電流I，對直流工作點進行調(diào)整。然后通過直流-工作點控制電路3和第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1對第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1的負載電路的直流電流并隨之對直流-工作點進行調(diào)整。
權(quán)利要求
1．一種端接模擬用戶線路的電路布置，該電路布置具有用于端接用戶線路的一第一端子(a)和一第二端子(b)，并且其中第一端子(a)通過一由第一電容器(C1)、至少一可變電阻(T1、R1、T2、R2)和一第二電容器(C2)構(gòu)成的串聯(lián)電路與第二端子(b)連接，其中直流源(T3、R5、VDDA)接在第一電容器(C1)和可變電阻(T1、R1)之間的連接點(1)上。
2．按照權(quán)利要求1所述的電路布置，其特征在于，直流電源(T3、R5、VDDA)具有一個晶體管(T3)和一個電阻(R5)，其中晶體管的負載電路與電阻串聯(lián)，并且其中由一控制電路(5)對晶體管的控制端口進行控制。
3．按照權(quán)利要求2所述的電路布置，其特征在于，控制電路具有一個運算放大器(5)，運算放大器的輸出端與直流源的晶體管(T3)的控制端口連接，運算放大器的負輸入端接在晶體管(T3)和直流電源的電阻(R5)的連接點上，并且基準電壓(VREF)加在運算放大器的正輸入端上。
4．按照權(quán)利要求2或3所述的電路布置，其特征在于，直流源具有一個二極管(D1)，該二極管與晶體管(T3)的負載電路串聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種端接模擬用戶線路的電路布置,該電路布置具有用于端接雙芯線用戶線路的第一端子和第二端子。第一端子通過一由第一電容器、至少一可變電阻和一第二電容器構(gòu)成的串聯(lián)電路與第二端子連接。根據(jù)本發(fā)明,直流源接在第一電容器和可變電阻之間的連接點上。直流源用于注入一電流,該電流用于調(diào)整在模擬用戶線路上進行話音－或數(shù)據(jù)傳輸時的工作點。由于設(shè)有第一和第二電容器,因而在用戶線路上的直流信號被阻塞,所以沒有直流電流流過模擬用戶線路。
文檔編號H04M3/00GK1321387SQ00801946
公開日2001年11月7日 申請日期2000年1月5日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月15日
發(fā)明者亞利山大·卡爾, 耶爾格·豪普特曼 申請人:印芬龍科技股份有限公司