超薄介質(zhì)層的電路板及其制作工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種超薄介質(zhì)層的電路板及其制作工藝，尤其是一種相鄰介電層之間介質(zhì)層厚度小于等于0.06mm的電路板產(chǎn)品，屬于PCB(Printed circuit board)技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子產(chǎn)品趨于多功能復(fù)雜化的前提下，積體電路元件(集成電路)的接點(diǎn)距離隨之縮小，信號傳送的速度則相對提高，隨之而來的是接線數(shù)量的提高、點(diǎn)間配線的長度局部性縮短，這些就需要應(yīng)用高密度線路配置及微孔技術(shù)來達(dá)成目標(biāo)。配線與跨接基本上對單雙面板而言有其達(dá)成的困難，因而電路板會走向多層化，又由于訊號線不斷的增加，更多的電源層與接地層就為設(shè)計(jì)的必須手段，這些都促使多層印刷電路板(Multilayer PrintedCircuit Board)更加普遍。近幾年來，PCB市場重點(diǎn)從計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)向通信，這兩年更是轉(zhuǎn)向智能手機(jī)、平板電腦類移動(dòng)終端，因此，2015年移動(dòng)終端用HDI板仍然是PCB增長的主要點(diǎn)。以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)終端驅(qū)使HDI板更高密度更輕薄。
[0003]PCB業(yè)界制作HDI介質(zhì)層材料一般使用1080或106半固化片(pr印reg)，其厚度分別為0.08mm、0.07mm?，F(xiàn)在智能手機(jī)10層板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，從上至下依次為第一防焊層1、第一介電層2、第一介質(zhì)層3、第二介電層4、第二介質(zhì)層5、第三介電層6、第三介質(zhì)層7、第四介電層8、第四介質(zhì)層9、第五介電層10、第五介質(zhì)層11、第六介電層12、第六介質(zhì)層13、第七介電層14、第七介質(zhì)層15、第八介質(zhì)層16、第八介電層17、第九介電層18、第九介質(zhì)層19、第十介電層20、第二防焊層21。按原設(shè)計(jì)流程生產(chǎn)計(jì)算，第五介質(zhì)層11使用0.064mm FR4基板，其余介質(zhì)層使用1080半固化片，防焊層厚度為0.01mm，第一介電層2和第十介電層的厚度為0.035mm，其余介電層的度為0.03mm，成品板厚1034 μ m。而目前智能手機(jī)越來越薄的市場需求，必然導(dǎo)致PCB板廠開發(fā)更薄的產(chǎn)品。
[0004]現(xiàn)有的10層板的內(nèi)層基板的設(shè)計(jì)流程如圖2-1?圖2-11所示，內(nèi)層基板的生產(chǎn)過程分別包括:準(zhǔn)備內(nèi)層基材、開天窗、鐳射鉆孔、閃鍍、填孔電鍍、蝕刻、壓合、開天窗、鐳射鉆孔、閃鍍和填孔電鍍的步驟。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種超薄介質(zhì)層的電路板及其制作工藝，通過控制每層介電層厚度，搭配使用更薄介質(zhì)層材料，保證板內(nèi)填膠充足，無缺膠空洞異常，滿足減低PCB成品板厚的要求。
[0006]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，一種超薄介質(zhì)層的電路板，特征是:包括中間介質(zhì)層，在中間介質(zhì)層的正面和背面對稱設(shè)置多個(gè)介質(zhì)層，在介質(zhì)層中分別設(shè)置介電層，在最外層的介質(zhì)層表面設(shè)有外層介電層和防焊層；所述中間介質(zhì)層的厚度為64 μπι，介質(zhì)層的厚度為46 μπι或35 μm，介電層的厚度為25±5 μπι，最外層介電層的厚度為31 μπι,防焊層的厚度為10 μπι。
[0007]所述中間介質(zhì)層正面的介質(zhì)層從上至下依次為第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層和第四介質(zhì)層，中間介質(zhì)層背面的介質(zhì)層從上至下依次為第六介質(zhì)層、第七介質(zhì)層、第八介質(zhì)層和第九介質(zhì)層，在第一介質(zhì)層的表面和第九介質(zhì)層的表面分別具有第一防焊層和第二防焊層，在第一防焊層中設(shè)有第一介電層，在第一介質(zhì)層中設(shè)有第二介電層，在第二介質(zhì)層中設(shè)有第三介電層，在第三介質(zhì)層中設(shè)有第四介電層，在第四介質(zhì)層中設(shè)有第五介電層，在第六介質(zhì)層中設(shè)有第六介電層，在第七介質(zhì)層中設(shè)有第七介電層，在第八介質(zhì)層中設(shè)有第八介電層，在第九介質(zhì)層中設(shè)有第九介電層，在第二防焊層中設(shè)有第十介電層。
[0008]所述超薄介質(zhì)層的電路板的制作工藝，特征是，包括以下步驟:
(1)準(zhǔn)備內(nèi)層基材，內(nèi)層基材采用FR4基板，厚度為64ym，F(xiàn)R4基板的正反面均具有銅箔；
(2)開天窗:在內(nèi)層基板正面的銅箔上進(jìn)行蝕刻開天窗；
(3)鐳射鉆孔:在步驟(2)開設(shè)的天窗處進(jìn)行鐳射鉆孔，得到與內(nèi)層基材背面銅箔連通的鉆孔；
(4)填孔電鍍:在步驟(3)得到的鉆孔中進(jìn)行進(jìn)行填孔電鍍工藝；
(5)蝕刻:在內(nèi)層基材正反兩面的銅箔上進(jìn)行蝕刻，形成線路圖形，得到介電層；
(6)壓合:在內(nèi)層基材的正反兩面壓合介質(zhì)層和銅箔，介質(zhì)層采用1037半固化片或1027半固化片，1037半固化片的厚度為46 μ m，1027半固化片的厚度為35 μ m，銅箔的厚度為 12 μπι ;
(7)蝕薄銅:將步驟(6)壓合后正反兩面的銅箔進(jìn)行蝕薄處理，蝕薄后銅箔的厚度為7 ?8 μ m ;
(8)鐳射鉆孔:在經(jīng)步驟(7)蝕薄后的銅箔上進(jìn)行鐳射鉆孔形成鉆孔，鉆孔連通介質(zhì)層內(nèi)層的銅箔；
(9)填孔電鍍:在鉆孔中進(jìn)行填孔電鍍工藝，填孔電鍍后銅箔的厚度為25μπι ;
(10)重復(fù)步驟(5)?步驟(9)，得到所需層數(shù)的介質(zhì)層和介電層；
(11)對最外層的介電層進(jìn)行蝕刻，形成線路圖形；在最外層的介電層上制作防焊層，得到超薄介質(zhì)層的電路板。
[0009]進(jìn)一步的，所述最外層的介電層的制作過程為:壓合介質(zhì)層和銅箔后，直接進(jìn)行鐳射鉆孔，再進(jìn)行填孔電鍍，蝕刻形成線路圖形，得到厚度為31 μπι的最外層介電層。
[0010]進(jìn)一步的，所述防焊層通過印刷綠油得到。
[0011]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):(I)直接儀射鉆孔，提尚儀射對位精度；(2)不做閃鏈，直接填孔，不但減少流程，且可減少面銅厚度，利于蝕刻細(xì)線路生產(chǎn)；(3)介質(zhì)層選用1037半固化片或1027半固化片，可減少厚度，保證PCB成品板厚更薄。
【附圖說明】
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中智能手機(jī)10層PCB板的剖面圖。
[0013]圖2-1?圖2-11為現(xiàn)有技術(shù)中10層板的內(nèi)層基板的設(shè)計(jì)流程圖。其中:
圖2-1為內(nèi)層基材的示意圖。
[0014]圖2-2為在內(nèi)層基材上開天窗的示意圖。
[0015]圖2-3為鐳射鉆孔后的示意圖。
[0016]圖2-4為閃鍍后的示意圖。
[0017]圖2-5為填孔電鍍后的示意圖。
[0018]圖2-6為蝕刻后的示意圖。
[0019]圖2-7為壓合后的示意圖。
[0020]圖2-8為開天窗后的示意圖。
[0021]圖2-9為鐳射鉆孔后的示意圖。
[0022]圖2-10為閃鍍后的示意圖。
[0023]圖2-11為填孔電鍍后的示意圖。
[0024]圖3為本發(fā)明所述超薄介質(zhì)層的電路板的剖面圖。
[0025]圖4-1?圖4-8為本發(fā)明所述超薄介質(zhì)層的電路板的制作流程圖。其中:
圖4-1為內(nèi)層基材的示意圖。
[0026]圖4-2為開天窗后的示意圖。
[0027]圖4-3為鐳射鉆孔后的示意圖。
[0028]圖4-4為填孔電鍍后的示意圖。
[0029]圖4-5為蝕刻后的示意圖。
[0030]圖4-6為壓合后的示意圖。
[0031]圖4-7為鐳射鉆孔后的示意圖。
[0032]圖4-8為填孔電鍍后的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合具體附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0034]如圖3所示，本發(fā)明所述超薄介質(zhì)層的電路板包括多層介質(zhì)層，圖3為10層的結(jié)構(gòu)，具體為從上至下依次設(shè)置的第一介質(zhì)層101、第二介質(zhì)層102、第三介質(zhì)層103、第四介質(zhì)層104、第五介質(zhì)層105、第六介質(zhì)層106、第七介質(zhì)層107、第八介質(zhì)層108和第九介質(zhì)層109，在第一介質(zhì)層101的表面和第九介質(zhì)層109的表面分別具有第一防焊層201和第二防焊層202，在第一防焊層201中設(shè)有第一介電層301，在第一介質(zhì)層101中設(shè)有第二介電層302，在第二介質(zhì)層102中設(shè)有第三介電層303，在第三介質(zhì)層103中設(shè)有第四介電層304，在第四介質(zhì)層104中設(shè)有第五介電層305，在第六介質(zhì)層106中設(shè)有第六介電層306，在第七介質(zhì)層107中設(shè)有第七介電層307，在第八介質(zhì)層108中設(shè)有第八介電層308，在第九介質(zhì)層109中設(shè)有第九介電層309，在第二防焊層202中設(shè)有第十介電層310。所述第一防焊層201和第二防焊層202的厚度為10 μπι。所述第一介質(zhì)層101、第二介質(zhì)層102、第三介質(zhì)層103、第四介質(zhì)層1