本技術(shù)屬于聲表面波,涉及溫補(bǔ)聲表面波濾波器,特別涉及一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
1、聲表面波濾波器由若干串聯(lián)和并聯(lián)的諧振器構(gòu)成,分為普通聲表面波濾波器、溫補(bǔ)聲表面波濾波器、高性能聲表面波濾波器。所謂溫補(bǔ)聲表面波濾波器,它通過內(nèi)置溫度補(bǔ)償層來減少溫度變化對(duì)濾波器性能的影響,從而實(shí)現(xiàn)在不同環(huán)境溫度下保持穩(wěn)定的頻率特性,被廣泛的應(yīng)用于通信領(lǐng)域。
2、現(xiàn)有技術(shù)中,溫補(bǔ)聲表面波濾波器的溫度補(bǔ)償層通常為二氧化硅層,然而在對(duì)濾波器產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試過程中發(fā)現(xiàn),影響器件關(guān)鍵指標(biāo)的帶寬常常超出產(chǎn)品規(guī)格范圍,有時(shí)高出用戶使用范圍指標(biāo),有時(shí)低于用戶使用范圍指標(biāo),從而不符合用戶需求,導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢,或重新根據(jù)設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)仿真進(jìn)行調(diào)整工藝參數(shù)后進(jìn)行流片。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,本實(shí)用新型的目的就在于提供一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu),該膜層結(jié)構(gòu)能有效增大或減小溫補(bǔ)聲表面波濾波器的帶寬,使得溫補(bǔ)聲表面波濾波器產(chǎn)品達(dá)到用戶指標(biāo)需求,滿足用戶需求,避免造成產(chǎn)品報(bào)廢或重新流片。
2、本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
3、一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu),包括壓電基片層、溫度補(bǔ)償層和在壓電基片層上設(shè)置的若干諧振器,所有諧振器由多個(gè)串聯(lián)諧振器和復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)諧振器構(gòu)成,每個(gè)諧振器包括若干金屬指條,所述溫度補(bǔ)償層設(shè)置在諧振器上表面并覆蓋整個(gè)壓電基片層的上表面,在所有串聯(lián)諧振器或并聯(lián)諧振器金屬指條對(duì)應(yīng)的溫度補(bǔ)償層上表面設(shè)有帶寬調(diào)節(jié)層,從而實(shí)現(xiàn)增大或減小溫補(bǔ)聲表面波濾波器帶寬的目的。
4、進(jìn)一步地,所述帶寬調(diào)節(jié)層為氮化硅層。
5、進(jìn)一步地,所述帶寬調(diào)節(jié)層厚度為5~80?nm。
6、進(jìn)一步地,所述溫度補(bǔ)償層為二氧化硅層,其厚度為25~80?nm。
7、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有如下有益效果:
8、本實(shí)用新型通過在溫補(bǔ)聲表面波濾波器所有串聯(lián)諧振器或并聯(lián)諧振器金屬指條對(duì)應(yīng)的溫度補(bǔ)償層上表面設(shè)置氮化硅層,從而可以達(dá)到增大或減小溫補(bǔ)聲表面波濾波器帶寬的目的,避免溫補(bǔ)聲表面波濾波器產(chǎn)品報(bào)廢或重新流片。
1.一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu),包括壓電基片層、溫度補(bǔ)償層和在壓電基片層上設(shè)置的若干諧振器,所有諧振器由多個(gè)串聯(lián)諧振器和復(fù)數(shù)個(gè)并聯(lián)諧振器構(gòu)成,每個(gè)諧振器包括若干金屬指條,所述溫度補(bǔ)償層設(shè)置在諧振器上表面并覆蓋整個(gè)壓電基片層的上表面,其特征在于,在所有串聯(lián)諧振器或并聯(lián)諧振器金屬指條對(duì)應(yīng)的溫度補(bǔ)償層上表面設(shè)有帶寬調(diào)節(jié)層,從而實(shí)現(xiàn)增大或減小溫補(bǔ)聲表面波濾波器帶寬的目的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述帶寬調(diào)節(jié)層為氮化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述帶寬調(diào)節(jié)層厚度為5~80?nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫補(bǔ)聲表面波濾波器的膜層結(jié)構(gòu),其特征在于,所述溫度補(bǔ)償層為二氧化硅層,其厚度為25~80?nm。