本發(fā)明涉及太陽能電池，尤其涉及一種topcon電池生產(chǎn)用堿拋方法。

背景技術(shù)：

1、topcon電池，全稱為隧穿氧化層鈍化接觸電池，是一種先進(jìn)的太陽能電池技術(shù)，這種電池設(shè)計基于n型硅片作為載體，是對傳統(tǒng)perc電池技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。在topcon電池中，關(guān)鍵的創(chuàng)新在于電池背面的結(jié)構(gòu)，背面形成一層1-2nm的氧化硅層，這層隧穿氧化層能夠?qū)崿F(xiàn)良好的表面鈍化效果，減少電子復(fù)合損失。在這層氧化硅之上，再沉積一層磷摻雜的微晶非晶混合硅薄膜，在退火激活下由微晶非晶硅轉(zhuǎn)變多晶硅，磷原子能形成si-p鍵，以形成良好的接觸，促進(jìn)載流子的傳輸，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率和性能。

2、在topcon電池的制備過程中，堿拋工藝主要是對背面金字塔絨面結(jié)構(gòu)進(jìn)行拋光處理，使背面金字塔絨面結(jié)構(gòu)進(jìn)行拋光，可以有效降低載流子的表面復(fù)合速率，提高少子壽命，且增加光的內(nèi)反射，從而提高電池轉(zhuǎn)換效率。背面拋光工藝為電池片后續(xù)制備隧穿層作準(zhǔn)備，其拋光效果影響poly隧穿層的均勻性，進(jìn)而影響隧穿層的均勻度及鈍化效果，因此堿拋工藝在電池片生產(chǎn)中有著重要的作用。

3、如公開號為cn118053934a的專利公開的一種提高topcon電池片開壓的堿拋工藝，又如公開號為cn118367058a的專利公開的一種能優(yōu)化topcon電池性能的背拋工藝，現(xiàn)有topcon電池生產(chǎn)用的堿拋工藝主要流程為：上料→預(yù)清洗→第一次水洗→堿拋→第二次水洗→后清洗→第三次水洗→酸洗→第四次水洗→慢提拉→烘干→下料。然而采用現(xiàn)有的堿拋工藝，在后道poly工序中，氧化硅的均勻性、鈍化效果較差，從而影響topcon電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，針對采用現(xiàn)有的堿拋工藝，在后道poly工序中，氧化硅的均勻性、鈍化效果較差，從而影響topcon電池的光電轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種topcon電池生產(chǎn)用堿拋方法。

2、本發(fā)明提供的一種topcon電池生產(chǎn)用堿拋方法，其包括以下步驟：

3、一次水洗：將硅片浸泡在水中進(jìn)行一次水洗；

4、堿拋：將一次水洗后的硅片浸泡在堿拋液中進(jìn)行堿拋；

5、二次水洗：將堿拋后的硅片浸泡在水中進(jìn)行二次水洗；

6、后清洗：將二次水洗后的硅片浸泡在后清洗液中進(jìn)行后清洗；

7、三次水洗：將后清洗后的硅片浸泡在水中進(jìn)行三次水洗；

8、酸洗：將三次水洗后的硅片浸泡在酸液中進(jìn)行酸洗；

9、四次水洗：將酸洗后的硅片浸泡在水中進(jìn)行四次水洗；

10、慢提拉：將四次水洗后的硅片浸泡在水中并從水中緩慢提出硅片進(jìn)行預(yù)脫水；

11、烘干。

12、本發(fā)明提供的堿拋方法取消了預(yù)清洗工藝，這是因為本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)后道poly工序中氧化硅的均勻性、鈍化效果較差，是因為在預(yù)清洗工藝中，通過堿液+雙氧水對硅片進(jìn)行表面清洗，堿和雙氧水主要洗去硅片表面殘留的有機(jī)物，但清洗過程中雙氧水會與硅片反應(yīng)生成一層薄的sio2氧化層，該氧化層會影響硅片背面堿拋光，容易出現(xiàn)背面拋光不徹底、反應(yīng)過程難以控制導(dǎo)致在后道poly工序中氧化硅的均勻性、鈍化效果較差，本發(fā)明通過取消預(yù)清洗工藝，直接進(jìn)入一次水洗以清洗硅片表面，有效解決了因預(yù)清洗使用的雙氧水與硅片反應(yīng)生成一層薄的sio2氧化層，而影響硅片背面堿拋光的問題，還避免了硅片正面的氧化硅腐蝕；同時，在一次清洗后的硅片再進(jìn)行堿拋，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)堿拋所使用的堿液能夠有效去除硅片表面的有機(jī)物雜質(zhì)，而堿拋添加劑能夠有效去除硅片表面污染物，也就是說通過堿拋工藝就能夠達(dá)到預(yù)清洗工藝的作用，確保硅片的清洗效果，還能夠使得硅片背面堿拋徹底，背面拋光效果更好，平整度更高，使鈍化的接觸薄膜更加致密，確保后道poly工序中氧化硅的均勻性，提高鈍化效果以及topcon電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

13、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述堿拋步驟中，堿液與添加劑的體積比為8-10:1.5-2；

14、和/或，所述堿液采用質(zhì)量濃度為≥46％的氫氧化鈉溶液。

15、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述堿拋溫度為60-70℃，所述堿拋時間為180-200s。

16、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述后清洗的溫度為20-70℃，所述后清洗時間為90-120s；

17、和/或，所述后清洗液采用質(zhì)量濃度為≥46％的氫氧化鈉溶液與質(zhì)量濃度為≥35％的雙氧水溶液的混合溶液，氫氧化鈉溶液與雙氧水的體積比為2-6:10-25。

18、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述酸洗的溫度為20-30℃，所述酸洗時間為90-110s；

19、和/或，所述酸液為質(zhì)量濃度為48.5％-49.5％的hf溶液和質(zhì)量濃度為36.5％-37.5％的hcl溶液的混合溶液，hf溶液與hcl溶液的體積比為0-3:1-5。

20、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述慢提拉的溫度為20-60℃，所述慢提拉時間為15-30s。

21、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述一次水洗、二次水洗、三次水洗、四次水洗的溫度均為20-30℃，所述一次水洗、二次水洗、三次水洗、四次水洗的時間均80-100s。

22、作為本發(fā)明上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述烘干的溫度為95-98℃，所述烘干時間為660-720s。

23、本發(fā)明提供的一種topcon電池的制備方法，其包括對硅片進(jìn)行堿拋，所述堿拋采用如前所述的topcon電池生產(chǎn)用堿拋方法。

24、本發(fā)明提供的一種topcon電池，其采用如前所述的topcon電池的制備方法制備得到的。

25、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

26、本發(fā)明提供的堿拋方法取消了預(yù)清洗工藝，這是因為本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)后道poly工序中氧化硅的均勻性、鈍化效果較差，是因為在預(yù)清洗工藝中，通過堿液+雙氧水對硅片進(jìn)行表面清洗，堿和雙氧水主要洗去硅片表面殘留的有機(jī)物，但清洗過程中雙氧水會與硅片反應(yīng)生成一層薄的sio2氧化層，該氧化層會影響硅片背面堿拋光，容易出現(xiàn)背面拋光不徹底、反應(yīng)過程難以控制導(dǎo)致在后道poly工序中氧化硅的均勻性、鈍化效果較差，本發(fā)明通過取消預(yù)清洗工藝，直接進(jìn)入一次水洗以清洗硅片表面，有效解決了因預(yù)清洗使用的雙氧水與硅片反應(yīng)生成一層薄的sio2氧化層，而影響硅片背面堿拋光的問題，還避免了硅片正面的氧化硅腐蝕；同時，在一次清洗后的硅片再進(jìn)行堿拋，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)堿拋所使用的堿液能夠有效去除硅片表面的有機(jī)物雜質(zhì)，而堿拋添加劑能夠有效去除硅片表面污染物，也就是說通過堿拋工藝就能夠達(dá)到預(yù)清洗工藝的作用，確保硅片的清洗效果，還能夠使得硅片背面堿拋徹底，背面拋光效果更好，平整度更高，使鈍化的接觸薄膜更加致密，確保后道poly工序中氧化硅的均勻性，提高鈍化效果以及topcon電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

27、本發(fā)明在堿拋步驟中，堿液與添加劑的體積比調(diào)整為8-10:1.5-2，提升堿拋槽對堿、添加劑比例，加大堿、添加劑濃度來彌補(bǔ)預(yù)清洗槽去除后對硅片表面進(jìn)行清洗作用，去除硅片表面的有機(jī)污染物等；堿拋時間調(diào)整為180-200s，這是因為沒有預(yù)清洗步驟，使得硅片背面不存在氧化層，沒有阻擋作用，硅片進(jìn)入堿拋槽后，立刻與堿和添加劑進(jìn)行反應(yīng)，因堿和添加劑濃度提升，因此堿拋不需要長時間反應(yīng)，因此可以縮短堿拋反應(yīng)時間。

28、本發(fā)明由于取消了預(yù)清洗步驟，能夠減少堿液及雙氧水的使用，大幅降低化學(xué)品單耗，同時取消預(yù)清洗槽，減少設(shè)備占地面積，大幅降低成本。