本公開(kāi)涉及一種顯示裝置和用于制造該顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、隨著信息社會(huì)發(fā)展，對(duì)用于顯示圖像的顯示裝置的需求已經(jīng)增加并多樣化。例如，顯示裝置已經(jīng)應(yīng)用于諸如智能電話、數(shù)碼相機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、導(dǎo)航裝置和智能電視的各種電子裝置。顯示裝置可以是諸如液晶顯示裝置、場(chǎng)發(fā)射顯示裝置或有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平板顯示裝置。在這種平板顯示裝置之中，因?yàn)轱@示面板的像素中的每個(gè)包括可以通過(guò)自身發(fā)光的發(fā)光元件，所以發(fā)光顯示裝置可以在沒(méi)有向顯示面板提供光的背光單元的情況下顯示圖像。

2、顯示裝置已經(jīng)應(yīng)用于用于提供虛擬現(xiàn)實(shí)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的眼鏡型裝置。顯示裝置以2英寸或更小的非常小的尺寸實(shí)現(xiàn)，以應(yīng)用于眼鏡型裝置，但是應(yīng)該具有高像素集成度，以便以高分辨率實(shí)現(xiàn)。例如，顯示裝置可以具有1000像素每英寸（ppi）或更大的高像素集成度。

3、當(dāng)顯示裝置以非常小的尺寸實(shí)現(xiàn)但具有如上所述的高像素集成度時(shí)，其中設(shè)置有發(fā)光元件的發(fā)射區(qū)域的面積減小，因此，難以通過(guò)掩模工藝針對(duì)每個(gè)發(fā)射區(qū)域?qū)崿F(xiàn)彼此分離的發(fā)光元件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的方面提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置能夠在沒(méi)有掩模工藝的情況下針對(duì)每個(gè)發(fā)射區(qū)域形成彼此分離的發(fā)光元件。

2、本公開(kāi)的方面還提供了一種顯示裝置，通過(guò)防止在像素電極、犧牲圖案與像素限定膜之間的邊界處出現(xiàn)空隙空間來(lái)改善顯示裝置的顯示面板的可靠性。

3、然而，本公開(kāi)的方面不限于這里闡述的方面。通過(guò)參照下面給出的本公開(kāi)的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的上述和其它方面對(duì)于本公開(kāi)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。

4、根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例，一種顯示裝置包括：第一像素電極，設(shè)置在基底上；第一犧牲圖案，設(shè)置在第一像素電極的邊緣上；像素限定膜，包括設(shè)置在基底上的主體部分以及設(shè)置在第一犧牲圖案上并暴露第一像素電極的突出部分；第一發(fā)光層，設(shè)置在第一像素電極上；第一共電極，設(shè)置在第一發(fā)光層上；第一堤層，設(shè)置在像素限定膜上；以及第二堤層，設(shè)置在第一堤層上，并且具有比第一堤層的側(cè)表面突出得多的側(cè)表面，其中，第一犧牲圖案的第一側(cè)表面與像素限定膜的突出部分的側(cè)表面對(duì)準(zhǔn)，或者比像素限定膜的突出部分的側(cè)表面突出得多。

5、第一犧牲圖案可以包括鉬（mo）。

6、第一犧牲圖案可以具有與第一側(cè)表面相對(duì)的第二側(cè)表面，并且像素限定膜可以設(shè)置在第一犧牲圖案的第二側(cè)表面上。

7、像素限定膜的突出部分的側(cè)表面可以比第二堤層的側(cè)表面突出得多。

8、第一犧牲圖案的厚度可以為50埃（?）至600?。

9、第一犧牲圖案的上表面可以與像素限定膜的突出部分接觸，并且第一犧牲圖案的下表面可以與第一像素電極接觸。

10、第一像素電極可以是由氧化銦錫（ito）/銀（ag）/ito、鋁（al）/氮化鈦（tin）或al/ti制成的多層膜。

11、像素限定膜的突出部分的整個(gè)下表面可以與第一犧牲圖案接觸。

12、第一共電極和第一發(fā)光層可以與第一堤層接觸，并且第一共電極與第一堤層之間的接觸面積可以大于第一發(fā)光層與第一堤層之間的接觸面積。

13、第一堤層可以包括鋁（al），并且第二堤層可以包括鈦（ti）。

14、顯示裝置還可以包括第一無(wú)機(jī)層，第一無(wú)機(jī)層設(shè)置在第一共電極的上表面、第一堤層的側(cè)表面以及第二堤層的下表面和上表面上。

15、顯示裝置還可以包括：第二像素電極，在基底上設(shè)置為與第一像素電極間隔開(kāi)；第二犧牲圖案，設(shè)置在第二像素電極的邊緣上；第二發(fā)光層，設(shè)置在第二像素電極上；第二共電極，設(shè)置在第二發(fā)光層上，并且與第一共電極間隔開(kāi)；以及第二無(wú)機(jī)層，設(shè)置在第二共電極的上表面、第一堤層的側(cè)表面以及第二堤層的下表面和上表面上，其中，像素限定膜暴露第二像素電極，第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層設(shè)置為彼此間隔開(kāi)，并且第二堤層的一部分暴露在彼此間隔開(kāi)的第一無(wú)機(jī)層與第二無(wú)機(jī)層之間的空間中。

16、顯示裝置還可以包括：第一有機(jī)圖案，設(shè)置在第二堤層上，并且與第一發(fā)光層包括相同的材料；以及第一電極圖案，設(shè)置在第一有機(jī)圖案上，并且包括與第一共電極相同的材料，其中，第一發(fā)光層與第一有機(jī)圖案彼此分離，并且第一共電極與第一電極圖案彼此分離。

17、根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例，一種顯示裝置包括：第一像素電極，設(shè)置在基底上；犧牲圖案，設(shè)置在第一像素電極上；像素限定膜，設(shè)置在基底上，并且包括主體部分和從主體部分突出的突出部分；第一發(fā)光層，設(shè)置在第一像素電極上；第一共電極，設(shè)置在第一發(fā)光層上；第一堤層，設(shè)置在像素限定膜上；以及第二堤層，設(shè)置在第一堤層上，并且具有比第一堤層的側(cè)表面突出得多的側(cè)表面，其中，像素限定膜的突出部分設(shè)置在第一像素電極上，并且與第一像素電極的上表面間隔開(kāi)，并且像素限定膜的突出部分與第一像素電極之間的空間被犧牲圖案填充。

18、像素限定膜的突出部分的下表面可以不與第一發(fā)光層接觸。

19、犧牲圖案的上表面可以與像素限定膜的突出部分接觸，并且犧牲圖案的下表面可以與第一像素電極接觸。

20、根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例，一種用于顯示裝置的制造的方法包括以下步驟：在基底上形成多個(gè)像素電極和犧牲層，多個(gè)像素電極彼此間隔開(kāi)，并且犧牲層設(shè)置在像素電極上；在犧牲層上形成像素限定材料層，在像素限定材料層上形成第一堤材料層，并且在第一堤材料層上形成第二堤材料層；通過(guò)蝕刻像素限定材料層、第一堤材料層和第二堤材料層來(lái)形成暴露多個(gè)像素電極中的第一像素電極的孔；將犧牲層的通過(guò)孔暴露的部分和第一堤材料層的通過(guò)孔暴露的側(cè)表面蝕刻，使得暴露第二堤材料層的下表面的部分；在第一像素電極上形成第一發(fā)光層，并且在第一發(fā)光層上形成第一共電極；以及在第一共電極上形成第一無(wú)機(jī)材料層。

21、在基底上形成多個(gè)像素電極和犧牲層的步驟可以包括：在基底上形成金屬電極層，并且在金屬電極層上形成犧牲材料層；在犧牲材料層上形成掩模圖案，并且蝕刻犧牲材料層和金屬電極層的未被掩模圖案覆蓋的部分；以及熱處理犧牲材料層和金屬電極層的被掩模圖案覆蓋的剩余部分。

22、將犧牲層的通過(guò)孔暴露的部分和第一堤材料層的通過(guò)孔暴露的側(cè)表面蝕刻的步驟可以包括執(zhí)行濕法蝕刻工藝，濕法蝕刻工藝使用包括磷（p）、氟（f）或氮（n）的蝕刻劑。

23、在第一像素電極上形成第一發(fā)光層的步驟以及在第一發(fā)光層上形成第一共電極的步驟中，可以在第二堤材料層上形成與第一發(fā)光層分離的第一有機(jī)圖案材料層，并且可以在第一有機(jī)圖案材料層上形成與第一共電極分離的第一電極圖案材料層，并且在第一共電極上形成第一無(wú)機(jī)材料層的步驟中，形成單片第一無(wú)機(jī)材料層以覆蓋第一共電極和第一電極圖案材料層兩者。

24、利用根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置和用于制造該顯示裝置的方法，顯示裝置包括犧牲圖案，犧牲圖案具有與像素限定膜的側(cè)表面對(duì)準(zhǔn)或比像素限定膜的側(cè)表面突出得多的側(cè)表面，因此能夠防止顯示裝置中的不均勻的發(fā)生并改善顯示裝置的可靠性。

25、另外，利用根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置和用于制造該顯示裝置的方法，通過(guò)同時(shí)執(zhí)行形成第一堤層的底切結(jié)構(gòu)的步驟和蝕刻犧牲層的步驟，可以簡(jiǎn)化工藝。

26、本公開(kāi)的效果不限于上述效果，并且各種其它效果包括在本說(shuō)明書(shū)中。