1.一種存儲器元件，包括：
2.如權利要求1所述的存儲器元件，還包括：
3.如權利要求2所述的存儲器元件，其中該位元線接觸點間隙子與該介電罩蓋層包括不同材料。
4.如權利要求1所述的存儲器元件，還包括：
5.如權利要求1所述的存儲器元件，還包括：
6.如權利要求5所述的存儲器元件，其中該位元線接觸點從該位元線到該半導體基底而逐漸變小。
7.如權利要求5所述的存儲器元件，其中該位元線接觸點的一上寬度大致相同于該位元線的一下寬度。
8.如權利要求7所述的存儲器元件，其中該位元線接觸點的該上寬度大于該位元線接觸點的一下寬度。
9.一存儲器元件，包括：
10.如權利要求9所述的存儲器元件，其中該位元線接觸點沿著從該介電罩蓋層的一上表面到該第一源極/漏極區(qū)的一方向而具有一錐形輪廓。
11.如權利要求9所述的存儲器元件，其中該位元線接觸點的該上寬度對該下寬度的一比率介于大約1.45到大約1.85的一范圍之間。
12.如權利要求9所述的存儲器元件，其中在該位元線接觸點的一上表面以及一側壁之間的一角度介于大約73度到大約81度的一范圍之間。
13.如權利要求9所述的存儲器元件，還包括：
14.如權利要求9所述的存儲器元件，還包括：
15.如權利要求14所述的存儲器元件，還包括：