技術(shù)編號：40620520
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請案主張美國第/,號專利申請案的優(yōu)先權(quán)(即優(yōu)先權(quán)日為“年月日”)，其內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開關(guān)于一種存儲器元件及其制備方法。特別是有關(guān)于一種具有一錐形位元線接觸點的存儲器元件及其制備方法。背景技術(shù)、由于結(jié)構(gòu)簡單，動態(tài)隨機存取存儲器(dram)可以在每單位晶片面積上提供比其他類型的存儲器(例如靜態(tài)隨機存取存儲器(sram))更多的存儲器單元。一dram由多個dram單元所構(gòu)成，每一個dram單元包括用于儲存信息的電容器以及耦接到電容器以調(diào)節(jié)電容器何時...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。