本發(fā)明涉及電子元器件技術領域，更具體的，涉及石英晶體諧振器。

背景技術：

專利申請?zhí)枮椤癱n201220494566.0”，名稱為“高基頻石英晶體諧振器”的發(fā)明專利中公開了一種常見的石英晶體諧振器，其包括絕緣底座1、支架2、晶片3、外殼5，絕緣底座1下端固定有與支架2電連接的插腳4，支架2上開有固定晶片3的夾持孔21，晶片3呈圓形，晶片3通過夾持孔21固定在支架2上。

然而上述結構中，由于晶片和支架的夾持孔21之間配合的方式，在溫度變化大的環(huán)境中，由于熱脹冷縮等產(chǎn)生的變形，又或者位于振動較大的環(huán)境中，容易使得支架和晶片位置相對變化從而影響諧振器整體的精度。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術中存在的不足，本發(fā)明提供了石英晶體諧振器。

本發(fā)明是通過如下技術方案實現(xiàn)的：石英晶體諧振器，包括石英晶片、支架、外殼和基座，所述石英晶片放置在支架上，石英晶片與支架之間通過導電膠固化連接，所述支架和所述引腳連接，所述引腳穿出所述基座，所述支架包括供石英晶片穿出的通孔，在所述通孔的上下兩側設置有偏壓件，所述偏壓件與所述石英晶片頂靠。

上述技術方案中，所述基座和所述引腳之間設置有密封部。

上述技術方案中，所述支架下端為平板部，所述平板部和所述引腳焊接連接。

上述技術方案中，所述支架下端彎折成c型部，所述引腳上端穿過所述c型部的下?lián)醢?，并且引腳上端與c型部的上擋板連接。

本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術中石英晶體諧振器在復雜環(huán)境中穩(wěn)定性較差的缺陷。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結構示意圖。

圖2為支架和石英晶片的配合示意圖。

圖3為本發(fā)明另一實施例的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述：實施例1：參見圖1至圖2，石英晶體諧振器，包括石英晶片1、支架2、外殼3和基座4，所述石英晶片1放置在支架2上，石英晶片1與支架之間通過導電膠固化連接，所述支架2和所述引腳5連接，具體的，所述支架2下端為平板部，所述平板部和所述引腳焊接連接。

所述引腳5穿出所述基座4，所述支架2包括供石英晶片1穿出的通孔22，在所述通孔22的上下兩側設置有偏壓件20，所述偏壓件20與所述石英晶片1頂靠。

優(yōu)選的，所述基座4和所述引腳之間設置有密封部6，用于隔絕外殼3和外界的連通，從而提高本發(fā)明石英晶體諧振器的精度。具體的，所述密封部6可以設置為玻璃膠或者其它密封材料。

在所述石英晶片1的的正反兩面分別設置有引出電極1a，1b，所述支架2相對所述引出電極一側設置有凸起部23，在所述凸起部23上敷涂導電膠，然后使其與石英晶片2固化連接，這種設置方式，可以限定導電膠的敷涂范圍，從而進一步提高石英晶體諧振器的精度。

實施例2：所述支架2下端彎折成c型部21，所述引腳5上端穿過所述c型部21的下?lián)醢?1a，并且引腳5上端與c型部21的上擋板21b連接。實施例2其余同實施例1，實施例2相對于實施例1，支架2和引腳5之間的配合更為緊密，即使相互間焊接出現(xiàn)一定的問題也不會影響支架和引腳的電連接。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了石英晶體諧振器，包括石英晶片、支架、外殼和基座，所述石英晶片放置在支架上，石英晶片與支架之間通過導電膠固化連接，所述支架和所述引腳連接，所述引腳穿出所述基座，所述支架包括供石英晶片穿出的通孔，在所述通孔的上下兩側設置有偏壓件，所述偏壓件與所述石英晶片頂靠。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術中石英晶體諧振器在復雜環(huán)境中穩(wěn)定性較差的缺陷。

技術研發(fā)人員：陳康;吳群仙;鮑旭偉
受保護的技術使用者：金華市創(chuàng)捷電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.03.02
技術公布日：2017.07.04