本發(fā)明涉及陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板和銀系導(dǎo)體材料。

背景技術(shù)：

作為陶瓷基板，已知也被稱為ltcc(lowtemperatureco-firedceramics，低溫共燒陶瓷)基板的低溫?zé)Y(jié)陶瓷多層基板。ltcc基板通常通過(guò)將用未燒結(jié)的導(dǎo)體材料形成布線圖案后的坯片多層層疊并燒結(jié)來(lái)制造(例如下述專利文獻(xiàn)1、2等)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平6-252524號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2007-234537號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

不僅是ltcc基板，使用了銀系導(dǎo)體材料的陶瓷基板的制造工序中均存在如下問(wèn)題：在燒結(jié)中，導(dǎo)體材料中的銀擴(kuò)散到陶瓷中，從而產(chǎn)生也被稱為孔隙的空隙以及基板變形、變色等不良。一直以來(lái)，提出了在銀系導(dǎo)體材料中添加用于抑制燒結(jié)中的銀擴(kuò)散的各種物質(zhì)的技術(shù)。例如，上述專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，將銀系導(dǎo)體性粉末的表面用銻的鹽或銻酸鹽涂敷。另外，專利文獻(xiàn)2的技術(shù)中，在導(dǎo)體糊劑中添加si粉末。

但是，即使將這些物質(zhì)添加到銀系導(dǎo)體材料中，有時(shí)在燒結(jié)溫度附近也未如期待那樣發(fā)生由該物質(zhì)帶來(lái)的、用于抑制銀的擴(kuò)散的反應(yīng)，不能充分得到抑制銀的擴(kuò)散的效果。因此，關(guān)于在陶瓷基板的制造工序中抑制燒結(jié)中的銀擴(kuò)散這一點(diǎn)，依然有改善的余地。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明是為了利用不同于此前的方法來(lái)解決至少上述課題而進(jìn)行的，能夠以以下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

[1]根據(jù)本發(fā)明的第1方式，提供一種含有玻璃的陶瓷基板的制造方法。該制造方法具備燒結(jié)工序。前述燒結(jié)工序可以是將未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料配置在未燒結(jié)的陶瓷層上進(jìn)行燒結(jié)的工序。前述未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料可以含有金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種。根據(jù)該方式的制造方法，通過(guò)在未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料中添加金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種，從而抑制燒結(jié)中的銀擴(kuò)散。需要說(shuō)明的是，未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料可以配置在未燒結(jié)的陶瓷層的表面，也可以配置在未燒結(jié)的陶瓷層彼此之間或形成在未燒結(jié)陶瓷層中的貫穿孔中。

[2]在上述方式的制造方法中，前述金屬硼化物可以含有六硼化鑭、六硼化硅、二硼化鈦、二硼化鉭中的至少一種。根據(jù)該方式的制造方法，能更有效地抑制燒結(jié)中的銀擴(kuò)散。

[3]在上述方式的制造方法中，前述金屬硅化物可以含有二硅化鈦、二硅化鋯、二硅化鎢、二硅化鉻、二硅化鉬、二硅化鉭中的至少一種。根據(jù)該方式的制造方法，能更有效地抑制燒結(jié)中的銀擴(kuò)散。

[4]在上述方式的制造方法中，前述未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料含有前述金屬硼化物或前述金屬硅化物，前述未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料的無(wú)機(jī)成分中的前述金屬硼化物或前述金屬硅化物的含有率可以大于3體積％且小于20體積％。根據(jù)該方式的制造方法，能更有效地抑制燒結(jié)中的銀擴(kuò)散，并且抑制在基板的導(dǎo)體中殘留雜質(zhì)。

[5]在上述方式的制造方法中，前述未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料含有銀粉末，在前述銀系導(dǎo)體材料中，前述金屬硼化物或前述金屬硅化物中的至少一種可以附著在前述銀粉末的表面。如果為該方式的制造方法，則能更有效地抑制燒結(jié)中銀的氧化，因此銀向陶瓷層擴(kuò)散的抑制效果提高。

[6]根據(jù)本發(fā)明的第2方式，提供一種陶瓷基板。該陶瓷基板可以具備：經(jīng)過(guò)上述方式的制造方法中的任一項(xiàng)所述的燒結(jié)工序而形成的陶瓷層和銀系導(dǎo)體的布線層。根據(jù)該方式的陶瓷基板，能抑制孔隙、翹曲、變色等不良的產(chǎn)生。

[7]根據(jù)本發(fā)明的第3方式，提供一種未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料，其在陶瓷基板中形成布線層，與未燒結(jié)的陶瓷層同時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。該方式的銀系導(dǎo)體材料可以含有金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種。根據(jù)該方式的銀系導(dǎo)體材料，可以抑制陶瓷基板制造工序中的銀擴(kuò)散的發(fā)生。需要說(shuō)明的是，在該方式的銀系導(dǎo)體材料中，前述金屬硼化物可以含有六硼化鑭、六硼化硅、二硼化鈦、二硼化鉭中的至少一種。另外，在該方式的銀系導(dǎo)體材料中，前述金屬硅化物可以含有二硅化鈦、二硅化鋯、二硅化鎢、二硅化鉻、二硅化鉬、二硅化鉭中的至少一種。

上述本發(fā)明的各方式所具有的多個(gè)構(gòu)成要素并不是全部為必須要素，為了解決上述課題的一部分或全部、或者為了實(shí)現(xiàn)本說(shuō)明書(shū)中記載的效果的一部分或全部，可以適當(dāng)?shù)貙?duì)前述多個(gè)構(gòu)成要素中的一部分構(gòu)成要素進(jìn)行變更、刪除、與新的其它構(gòu)成要素替換、刪除限定內(nèi)容的一部分。另外，為了解決上述課題的一部分或全部、或者為了實(shí)現(xiàn)本說(shuō)明書(shū)中記載的效果的一部分或全部，還可以將上述本發(fā)明的一方式中所含的部分或全部技術(shù)特征與上述本發(fā)明的其它方式中所含的部分或全部技術(shù)組合，作為本發(fā)明的獨(dú)立的一個(gè)方式。

本發(fā)明還能以除陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板和銀系導(dǎo)體材料以外的各種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，可以以陶瓷基板的燒結(jié)方法、銀系導(dǎo)體材料的制造方法、實(shí)現(xiàn)這些方法的裝置等方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1為示出ltcc基板的構(gòu)成的概略圖。

圖2為示出ltcc基板的制造工序的步驟的工序圖。

圖3為示出驗(yàn)證對(duì)導(dǎo)體糊劑添加添加材料所產(chǎn)生的、銀擴(kuò)散抑制效果的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的說(shuō)明圖。

圖4為示出ltcc基板的sem圖像和表示銀的濃度分布的圖像的說(shuō)明圖。

具體實(shí)施方式

a.實(shí)施方式：

圖1為示出作為本發(fā)明的一實(shí)施方式的ltcc基板10的構(gòu)成的概略圖。作為陶瓷基板的ltcc基板10用于例如在計(jì)算機(jī)或通訊設(shè)備等中使用的電子部件、高頻模塊、ic封裝、布線基板等。ltcc基板10具有多個(gè)陶瓷絕緣層11層疊成的多層結(jié)構(gòu)。陶瓷絕緣層11為通過(guò)燒結(jié)溫度為1000℃以下的低溫?zé)Y(jié)生成的陶瓷層。

各陶瓷絕緣層11中，形成有用于配置過(guò)孔電極12的作為貫穿孔的過(guò)孔(via)。在各陶瓷絕緣層11之間，形成有含有內(nèi)層電極13和外部電極14的布線層，各布線層介由配置在陶瓷絕緣層11中的過(guò)孔電極12而電連接。

在本實(shí)施方式的ltcc基板10中，各電極12～14由以銀為主要成分的銀系導(dǎo)體材料構(gòu)成。在本說(shuō)明書(shū)中，“主要成分”是指在混合物中含有率占整體的50重量％以上的材料成分。在ltcc基板10的最外表面，配置有與外部電極14連接的電阻等無(wú)源元件、ic等有源元件等。在本說(shuō)明書(shū)中，省略關(guān)于無(wú)源元件、有源元件的圖示和詳細(xì)說(shuō)明。

圖2為示出ltcc基板10的制造工序的步驟的工序圖。ltcc基板10通過(guò)將未燒結(jié)的陶瓷材料(坯片)和未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料在低溫下進(jìn)行共燒而制造。

在工序1中，準(zhǔn)備構(gòu)成含有陶瓷顆粒和玻璃顆粒的未燒結(jié)的陶瓷層的坯片。坯片如下制作：將含有玻璃粉末和無(wú)機(jī)填料的無(wú)機(jī)成分、粘結(jié)劑成分、增塑劑和溶劑混合而成的陶瓷漿料，利用刮板法等成型為片狀而制作。

在工序2中，準(zhǔn)備作為構(gòu)成電極12～14的未燒結(jié)的銀系導(dǎo)體材料的導(dǎo)體糊劑。導(dǎo)體糊劑將作為無(wú)機(jī)成分的銀系材料的粉末和玻璃粉末、與作為清漆成分的樹(shù)脂和有機(jī)溶劑混合而制作。

這里，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在導(dǎo)體糊劑的無(wú)機(jī)成分中添加金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種，能抑制在后述燒結(jié)工序中導(dǎo)體糊劑中的銀或者銀成分?jǐn)U散到陶瓷絕緣層中。推測(cè)其原因在于，通過(guò)燒結(jié)工序中的金屬硼化物或金屬硅化物的氧化反應(yīng)，導(dǎo)體糊劑附近的氧被消耗，從而抑制導(dǎo)體糊劑中的銀的氧化。

在本實(shí)施方式中，在工序2中，向?qū)w糊劑中添加含有金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種的添加材料。作為添加到導(dǎo)體糊劑中的添加材料，例如，可以使用以下物質(zhì)。

作為金屬硼化物的具體例子，可以列舉：六硼化鑭(lab6)、六硼化硅(sib6)、二硼化鈦(tib2)、二硼化鉭(tab2)、二硼化鈮(nbb2)、二硼化鉻(crb2)、硼化鉬(mob)、二硼化鋯(zrb2)、硼化鎢(wb)、二硼化釩(vb2)，二硼化鉿(hfb2)等。另外，作為金屬硅化物的具體例子，可以列舉：二硅化鋯(zrsi2)、二硅化鈦(tisi2)、二硅化鎢(wsi2)、二硅化鉬(mosi2)、二硅化鉭(tasi2)、二硅化鉻(crsi2)、二硅化鈮(nbsi2)、二硅化鐵(fesi2)、二硅化鉿(hfsi2)等。

上述金屬硼化物和金屬硅化物不過(guò)是例示。作為添加材料，也可以為上述以外的金屬硼化物和金屬硅化物。其中，理想的是，作為添加材料的金屬硼化物和金屬硅化物在后述燒結(jié)工序中開(kāi)始與氧的反應(yīng)。特別理想的是，金屬硼化物和金屬硅化物的氧化溫度比后述工序4的燒結(jié)工序中的燒結(jié)溫度低。這里，“氧化溫度”是表示發(fā)生氧化反應(yīng)的峰的溫度的值，是通過(guò)熱重·差熱分析(tg-dta)測(cè)定的值。具體而言，作為添加材料的金屬硼化物和金屬硅化物的氧化溫度理想的是為800℃以下，更理想的是為700℃以下。另外，作為添加材料的金屬硼化物和金屬硅化物的氧化溫度理想的是為400℃以上，更理想的是為500℃以上。需要說(shuō)明的是，在燒結(jié)工序中，當(dāng)坯片中的玻璃材料軟化時(shí)，如果氧化了的銀不被該玻璃材料潤(rùn)濕，則銀的擴(kuò)散被抑制。從該點(diǎn)出發(fā)，也可以說(shuō)理想的是作為添加材料的金屬硼化物和金屬硅化物的氧化溫度比工序1中準(zhǔn)備的坯片中所含的玻璃材料的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)低。

可以在例如將無(wú)機(jī)成分和清漆成分混合時(shí)同時(shí)添加添加材料，或者在混合后以粉末的狀態(tài)來(lái)添加?；蛘?，還可以在將無(wú)機(jī)成分和清漆成分混合前，以按照涂敷無(wú)機(jī)成分中所含的銀系材料的顆粒表面的方式附著在銀系材料上的狀態(tài)來(lái)添加添加材料。作為利用添加材料來(lái)涂敷銀系材料的方法，例如有以下方法。首先，使添加材料溶解或分散于有機(jī)溶劑(甲苯、二甲苯以及醇等)。然后，在該溶解液或分散液中分散、懸浮銀系材料的粉末，靜置或攪拌規(guī)定時(shí)間，使添加材料附著在銀系材料的粉末的表面。如果像這樣用添加材料來(lái)涂敷銀系材料，則能通過(guò)該涂敷層進(jìn)一步抑制銀的氧化，銀的擴(kuò)散效果改善。需要說(shuō)明的是，添加材料也可以通過(guò)上述以外的其它方法對(duì)導(dǎo)體糊劑進(jìn)行添加。

導(dǎo)體糊劑的無(wú)機(jī)成分中的添加材料的含有率以體積百分率計(jì)理想的是大于3體積％(vol％)，更理想的是大于5體積％。從而，可以更切實(shí)地得到銀的擴(kuò)散效果。另外，導(dǎo)體糊劑中的添加材料的含有率理想的是小于20體積％，更理想的是小于18體積％。從而，能抑制來(lái)自導(dǎo)體糊劑中的添加材料的雜質(zhì)殘留在燒結(jié)后的ltcc基板10中。

在工序3中，在坯片上配置上述導(dǎo)體糊劑。具體而言，在坯片上通過(guò)沖孔加工等開(kāi)孔加工形成過(guò)孔，在該過(guò)孔中填充導(dǎo)體糊劑。然后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等印刷，在坯片的各面將布線圖案印刷在導(dǎo)體糊劑上。在形成布線圖案后，將各坯片層疊，從而構(gòu)成未燒結(jié)層疊體。

在工序4中，對(duì)該未燒結(jié)層疊體進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)。工序4中的燒結(jié)溫度可以是根據(jù)工序1中準(zhǔn)備的坯片的材料成分的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度而預(yù)先設(shè)定的溫度。具體而言，工序4的燒結(jié)溫度例如可以為750～950℃左右的溫度。工序4之后，完成ltcc基板10。在完成后的ltcc基板10上配置與外部電極14連接的無(wú)源元件、有源元件等。

如上所述，本實(shí)施方式的ltcc基板10通過(guò)在工序2中向?qū)w糊劑中添加金屬硼化物或金屬硅化物，能抑制銀從銀系導(dǎo)體材料擴(kuò)散到陶瓷絕緣層11。因此能抑制由銀擴(kuò)散導(dǎo)致的陶瓷絕緣層11的絕緣性降低。另外，能抑制起因于布線圖案附近的陶瓷組成改變的、局部變色和局部強(qiáng)度降低等。此外，僅發(fā)生在導(dǎo)體糊劑附近的燒結(jié)收縮的加速得到抑制，能抑制在各電極12～14和陶瓷絕緣層11之間產(chǎn)生空隙(孔隙)。

圖3為示出驗(yàn)證對(duì)導(dǎo)體糊劑添加添加材料所產(chǎn)生的、銀擴(kuò)散抑制效果的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的說(shuō)明圖。在該實(shí)驗(yàn)中，對(duì)使用添加了添加材料的導(dǎo)體糊劑的ltcc基板的樣品s01～s18(空編號(hào)：s04、s16)和使用未添加添加材料的導(dǎo)體糊劑的ltcc基板的樣品t01～t03，檢驗(yàn)銀向陶瓷絕緣層中的擴(kuò)散。各樣品s01～s18(空編號(hào)：s04、s16)，t01～t03的具體制造條件如下。

＜坯片的組成＞

關(guān)于樣品s01～s03、s05～s12、s18、t01、t03，制作含有sio2-b2o3-cao系玻璃和氧化鋁(al2o3)的坯片。另外，關(guān)于樣品s13～s15、s17、t02，制作含有sio2-cao-bao-mgo系的玻璃和氧化鋁(al2o3)的坯片。

＜坯片的制作步驟＞

(1)將以二氧化硅(sio2)、氧化鋁(al2o3)、硼酸(h3bo3)為主要成分的硼硅酸系玻璃粉末以及氧化鋁粉末以體積比60：40、總量為1kg投入氧化鋁制罐。

(2)在該氧化鋁制罐中，進(jìn)而投入丙烯酸類樹(shù)脂120g以及能盡量確保期望的漿料粘度和片強(qiáng)度的量的、作為溶劑的甲基乙基酮(mek)和作為增塑劑的鄰苯二甲酸二辛酯(dop)。

(3)將上述材料混合5小時(shí)，得到陶瓷漿料。

(4)使用上述陶瓷漿料，通過(guò)刮板法制作厚度0.15mm的坯片。

＜導(dǎo)體糊劑＞

(1)樣品s01～s17(空編號(hào)：s04、s16)用的導(dǎo)體糊劑

將以下的無(wú)機(jī)成分、清漆成分和添加材料用三輥磨進(jìn)行混煉，制作樣品s01～s17用的導(dǎo)體糊劑。

·無(wú)機(jī)成分：銀粉末、硼硅酸系玻璃粉末

·清漆成分：乙基纖維素樹(shù)脂、萜品醇溶劑

·添加材料：lab6、sib6、tib2、tab2、zrsi2、tisi2、wsi2、crsi2、mosi2、tasi2中的任一種

關(guān)于導(dǎo)體糊劑的無(wú)機(jī)成分中的添加材料的含有率，在樣品s01～s03、s05～s10、s13～s15用糊劑中設(shè)為15體積％，在樣品s11、s17用糊劑中設(shè)為9體積％，在樣品s12用糊劑中設(shè)為3體積％。需要說(shuō)明的是，表中的氧化溫度為利用tg-dta法得到的測(cè)定值。

(2)樣品s18用的導(dǎo)體糊劑

將作為無(wú)機(jī)成分的銀粉末的表面用作為添加材料的sib6涂敷后，將上述無(wú)機(jī)成分和清漆成分用三輥磨進(jìn)行混煉，制作樣品s18用的導(dǎo)體糊劑。導(dǎo)體糊劑中的添加材料的含有率設(shè)為15體積％。

(3)樣品t01～t03用的導(dǎo)體糊劑

樣品t01、t02用的導(dǎo)體糊劑中未添加添加材料，除此以外，通過(guò)與上述樣品s01～s17(空編號(hào)：s04、s16)用的導(dǎo)體糊劑同樣的方法來(lái)制作。在樣品t03用的導(dǎo)體糊劑中，添加sio2作為添加材料而不是金屬硼化物、金屬硅化物，除此以外，通過(guò)與上述樣品s01～s17(空編號(hào)：s04，s16)用的導(dǎo)體糊劑同樣的方法來(lái)制作。

＜未燒結(jié)層疊體的制作和燒結(jié)＞

(1)在坯片中設(shè)置過(guò)孔，填充導(dǎo)電糊劑，在坯片的表面通過(guò)導(dǎo)體糊劑形成布線圖案。將形成有布線圖案的坯片層疊，制作未燒結(jié)層疊體。

(2)對(duì)各樣品t1～t8的未燒結(jié)層疊體進(jìn)行燒結(jié)。對(duì)于使用sio2-b2o3-cao系的坯片的樣品s01～s03、s05～s12、s18、t01、t03，將燒結(jié)溫度設(shè)為約850℃。另外，對(duì)于使用sio2-cao-bao-mgo系的坯片的樣品s13～s15、s17、t02，將燒結(jié)溫度設(shè)為約900℃。任一樣品s01～s18(空編號(hào)：s04、s16)、t01～t03的燒結(jié)時(shí)間均設(shè)為約60分鐘。

參照?qǐng)D4說(shuō)明圖3的表中所示的“銀的擴(kuò)散距離”。在圖4的(a)～(g)欄中，分別上下排列地配置了平行于ltcc基板的層疊方向的剖面中的sem圖像、以及在與該sem圖像同一剖面中通過(guò)epma(電子探針顯微分析儀，electronprobemicroanalyzer)得到的圖像。通過(guò)epma得到的圖像(以下也簡(jiǎn)稱為“epma圖像”。)中，以與銀的濃度水平相應(yīng)的顏色來(lái)表示銀的濃度分布。圖4的(a)～(f)欄中分別配置了樣品s02、s03、s05～s08的sem圖像和epma圖像，所述s02、s03、s05～s08是使用添加了sib6、tib2、zrsi2、tisi2、wsi2、crsi2作為添加材料的導(dǎo)體糊劑制作的。在圖4的(g)欄中，配置了使用未加入添加材料的導(dǎo)體糊劑制作的樣品t01的sem圖像和epma圖像。在sem圖像和epma圖像的中央，由銀系導(dǎo)體構(gòu)成的內(nèi)層電極沿著圖像的左右方向延伸。在圖4的(g)欄所示的epma圖像中，在自內(nèi)層電極的圖像的上下方向的大范圍內(nèi)擴(kuò)散、分布著與內(nèi)層電極同程度濃度的銀。本發(fā)明的發(fā)明人獲得了各樣品s01～s18(空編號(hào)：s04、s16)、t01～t03的規(guī)定研磨剖面的sem圖像和epma圖像。并且，在epma圖像中，以內(nèi)層電極與陶瓷絕緣層接觸的電極界面中的ag濃度為基準(zhǔn)值，在5個(gè)位置測(cè)定從電極界面到陶瓷絕緣層中ag濃度為基準(zhǔn)值的一半以下的區(qū)域的距離，將其平均值作為“銀的擴(kuò)散距離”。

使用添加了金屬硅化物或金屬硼化物的添加材料的導(dǎo)體糊劑制作的樣品s01～s18(空編號(hào)：s04、s16)中，任一者的銀的擴(kuò)散距離均為30μm以下。與此相對(duì)地，未使用添加了金屬硅化物或金屬硼化物的添加材料的導(dǎo)體糊劑的樣品t01～t03中，銀的擴(kuò)散距離大于30μm。由該結(jié)果可知，通過(guò)添加到導(dǎo)體糊劑中的金屬硅化物或金屬硼化物，抑制了燒結(jié)中銀自導(dǎo)體材料的擴(kuò)散。

即使坯片的組成不同，添加有相同的添加材料時(shí)，銀的擴(kuò)散也幾乎同樣地受到抑制(樣品s01～s03、s13～s15和樣品s11、s17)。另外，添加材料以粉末形式添加到導(dǎo)體糊劑時(shí)或以銀粉末的涂敷材料形式添加到導(dǎo)體糊劑時(shí)，都得到了顯示高水平地抑制銀的擴(kuò)散的結(jié)果(樣品s01、s18)。

特別是，以大于3體積％的含有率將作為添加材料的lab6、sib6、tib2、tasi2、zrsi2添加到導(dǎo)體糊劑中的樣品s01～s03、s05、s10～s15、s17、s18中，銀的擴(kuò)散距離都被抑制為小于5μm的值。這里，使用sib6作為添加材料時(shí)，通過(guò)燒結(jié)中的氧化反應(yīng)而生成的sio2殘留在陶瓷絕緣層中。即，如樣品s02那樣使用sib6作為添加材料時(shí)，僅殘留組成與陶瓷絕緣層中所含的組成相同的化合物，抑制了陶瓷絕緣層中的雜質(zhì)混入。

綜上，如果為本實(shí)施方式的制造工序(圖2)，則通過(guò)添加到導(dǎo)體糊劑中的金屬硼化物或金屬硅化物能抑制燒結(jié)工序中銀從導(dǎo)體材料擴(kuò)散。因此，通過(guò)該制造工序制造的ltcc基板10可抑制起因于燒結(jié)工序中銀從導(dǎo)體材料擴(kuò)散的、孔隙的產(chǎn)生和陶瓷基板劣化等各種不良的發(fā)生。

b.變形例：

b1.變形例1：

在上述實(shí)施方式中，作為添加到導(dǎo)體糊劑中的添加材料，添加一種金屬硼化物或一種金屬硅化物中的任一者。相對(duì)于此，在導(dǎo)體糊劑中也可以添加金屬硼化物和金屬硅化物兩者作為添加材料。另外，可以組合金屬硼化物作為多種添加材料進(jìn)行添加，也可以組合多種金屬硅化物作為添加材料進(jìn)行添加?；蛘?，還可以將一種或多種金屬硼化物與一種或多種金屬硅化物組合作為添加材料進(jìn)行添加。

b2.變形例2：

在上述實(shí)施方式中，在ltcc基板的制造工序中，在作為銀系導(dǎo)體材料的導(dǎo)體糊劑中，添加有金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種作為添加材料。相對(duì)于此，也可以在ltcc基板以外的陶瓷基板的制造工序中，在銀系導(dǎo)體材料中添加前述的添加材料。例如，可以在燒結(jié)溫度為1000℃以上的陶瓷基板的制造工序中添加前述的添加材料。另外，添加有金屬硼化物或金屬硅化物中的至少一種的銀系導(dǎo)體材料可以不是糊劑狀，例如可以為粉末狀。

b3.變形例3：

在上述實(shí)施方式中，在制作坯片時(shí)，使用氧化鋁作為無(wú)機(jī)填料。相對(duì)于此，作為制作坯片時(shí)所使用的無(wú)機(jī)填料，也可以使用氧化鋁以外的材料。作為無(wú)機(jī)填料，例如，可以使用莫來(lái)石。

本發(fā)明不受上述實(shí)施方式、實(shí)施例、變形例限定，可以在不脫離其主旨的范圍中以各種構(gòu)成來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，為了解決上述課題的一部分或全部、或者為了實(shí)現(xiàn)上述效果的一部分或全部，可以適當(dāng)?shù)貙?duì)發(fā)明內(nèi)容部分記載的各方式中的技術(shù)特征所對(duì)應(yīng)的實(shí)施方式、實(shí)施例、變形例中的技術(shù)特征適當(dāng)進(jìn)行替換、組合。另外，該技術(shù)特征在本說(shuō)明書(shū)中如果沒(méi)有作為必要技術(shù)特征來(lái)說(shuō)明，則可以適當(dāng)刪除。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10…ltcc基板

11…陶瓷絕緣層

12…過(guò)孔電極

13…內(nèi)層電極

14…外部電極