本發(fā)明涉及在支承體上形成導體層的導體層的制造方法以及具備基板與導體層的布線基板。

針對通過參照允許文獻加入的指定國，通過參照在本說明書中加入2015年1月6日向日本申請的特愿2015－000768所記載的內(nèi)容，而使其成為本說明書的記載的一部分。

背景技術(shù)：

公知有如下方法：通過使含有金屬氧化物與還原劑的分散液在基板上堆積而形成薄膜，并將該薄膜曝露于脈沖電磁輻射，將金屬氧化物還原并且燒結(jié)，由此在基板上形成導電性薄膜(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特表2012－505966號公報

通過上述制造方法被制成的導電性薄膜通過利用還原反應所產(chǎn)生的二氧化碳等的放出而成為多孔質(zhì)構(gòu)造。因此，由于電接合點較少，所以電阻率較高，另外，由于硬且脆，所以無法追隨基板的變形而發(fā)生剝離。為了解決這種問題，通過在燒結(jié)后利用輥等按壓件壓縮導電性薄膜，能夠增加導電性薄膜內(nèi)的金屬結(jié)晶相互的連接點，并且能夠?qū)崿F(xiàn)導電性薄膜與基板的緊貼強度的提高。

被這樣壓縮的導電性薄膜由于形成為5～20μm非常薄，并且還不是金屬結(jié)晶塊，所以該導電性薄膜的電阻率與導電性金屬的塊材狀態(tài)的數(shù)值相比較差。因此，著眼于利用導體層的膜厚增加能夠?qū)崿F(xiàn)電阻值的降低這一點，考慮通過相對于基材僅僅將上述制造方法反復進行多次而層疊多個導電性薄膜，從而增加導體層的膜厚。然而，在將含有金屬氧化物的薄膜曝露于脈沖電磁輻射進行還原以及燒結(jié)時，該薄膜的下層部分的金屬氧化物未被還原而產(chǎn)生殘留。由于該金屬氧化物是電絕緣體，所以被層疊的導電性薄膜彼此因該金屬氧化物的殘留層而被電絕緣，結(jié)果存在如下問題：無法降低導體層的電阻值，無法實現(xiàn)與作為導體層整體的膜厚對應的電阻值等的特性期的待值。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明想要解決的課題是，提供一種能夠使用光燒結(jié)工序(photo-sinteringprocess)來形成具有所希望的厚度的導體層的導體層的制造方法以及具備該導體層的布線基板。

[1]本發(fā)明的導體層的制造方法是在支承體上形成導體層的導體層的制造方法，該導體層的制造方法具備：第一工序，在上述支承體上形成前驅(qū)體層，該前驅(qū)體層含有金屬粒子以及金屬氧化物粒子的至少一方；第二工序，向上述前驅(qū)體層照射脈沖電磁波而形成燒結(jié)層；以及第三工序，壓縮上述燒結(jié)層，通過對上述支承體的相同部位反復進行n次(n為2以上的自然數(shù))上述第一工序至上述第三工序，從而形成上述導體層，第一次至第n－1次的上述第三工序包含將上述燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀的步驟。

[2]在上述發(fā)明中也可以為：在上述第一次至上述第n－1次的第三工序被壓縮的上述燒結(jié)層的凹凸狀的表面包含多個凸部，各個凸部具有伴隨趨于前端面而寬度變窄的梯形的剖面形狀、或者矩形的剖面形狀。

[3]在上述發(fā)明中也可以為：多個上述凸部包含配置為矩陣狀的多個突起。

[4]在上述發(fā)明中也可以為：上述第一次至上述第n－1次的第三工序中的至少一次第三工序包含如下步驟，即：在將第一按壓件推壓于上述燒結(jié)層的表面之后，將第二按壓件推壓于上述燒結(jié)層的表面，從而將上述燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀，上述第一按壓件具有第一按壓面，該第一按壓面形成有沿第一方向延伸并且相互并列配置的多個第一槽，上述第二按壓件具有第二按壓面，該第二按壓面形成有沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸并且相互并列配置的多個第二槽。

[5]在上述發(fā)明中也可以為：上述第一次至上述第n－1次的第三工序中的至少一次第三工序包含將按壓件推壓于上述燒結(jié)層的表面從而將上述燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀的步驟，上述按壓件具有形成有凹部的按壓面，該凹部具有與上述突起對應的形狀，多個上述凹部以與上述突起的排列對應的方式配置于上述按壓面。

[6]在上述發(fā)明中也可以為：多個上述凸部包含沿第一方向延伸的多個壁，多個上述壁相互并列配置。

[7]在上述發(fā)明中也可以為：上述第一次至上述第n－1次的第三工序中的至少一次第三工序包含將按壓件推壓于上述燒結(jié)層的表面從而將上述燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀的步驟，上述按壓件具有按壓面，該按壓面形成有沿第一方向延伸并且相互并列配置的多個槽。

[8]在上述發(fā)明中也可以為：上述第一工序包含：在上述支承體上配置分散液的步驟，該分散液含有上述金屬粒子以及上述金屬氧化物粒子的至少一方；以及通過使上述分散液干燥從而形成上述前驅(qū)體層的步驟。

[9]在上述發(fā)明中也可以為：第n次的上述第三工序包含將上述燒結(jié)層的表面形成為平坦狀的步驟。

[10]本發(fā)明的布線基板具備基板和設置于上述基板上的導體層，在該布線基板中，上述導體層包含：含有金屬并且具有導電性的導電部分；以及含有金屬氧化物并且具有電絕緣性的至少一個絕緣部分，上述絕緣部分被埋設于上述導電部分的內(nèi)部，并且沿與上述基板的延伸方向基本相同的方向?qū)訝畹匮由?，上述絕緣部分具有供上述導電部分貫通的多個貫通部。

[11]在上述發(fā)明中也可以為：多個上述貫通部包含在上述絕緣部分配置為矩陣狀的多個貫通孔。

[12]在上述發(fā)明中也可以為：多個上述貫通部包含在上述絕緣部分相互并列配置的多個狹縫。

根據(jù)本發(fā)明，在將包含壓縮燒結(jié)層的第三工序的3個工序反復進行n次時，第一次至第n－1次的第三工序包含將燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀的步驟。因此，能夠使用光燒結(jié)工序(photo-sinteringprocess)來形成具有所希望的厚度的導體層。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實施方式中的導體層的制造方法的流程圖。

圖2的(a)～(d)是表示圖1的各步驟的剖視圖(之一)。

圖3的(a)～(c)是表示圖1的各步驟的剖視圖(之二)。

圖4的(a)～(c)是表示圖1的各步驟的剖視圖(之三)。

圖5的(a)～(c)是表示圖1的各步驟的剖視圖(之四)。

圖6的(a)～(c)是表示圖1的各步驟的剖視圖(之五)。

圖7的(a)以及(b)是表示在圖1的步驟s24中使用的按壓輥的俯視圖以及側(cè)視圖。

圖8是圖3的(b)的viii部的放大圖，并且是沿圖7(a)的viii-viii線的剖視圖。

圖9的(a)以及(b)是表示在圖1的步驟s24中使用的按壓輥的第一變形例的俯視圖以及側(cè)視圖。

圖10的(a)以及(b)是表示在圖1的步驟s24中使用的按壓輥的第二變形例的俯視圖以及側(cè)視圖。

圖11是圖4的(a)的xi部的放大圖。

圖12是圖4的(b)的xii部的放大圖。

圖13是圖4的(c)的xiii部的放大圖。

圖14的(a)是表示本發(fā)明的實施方式中的布線基板的結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖14的(b)是沿圖14的(a)的xivb-xivb線的剖視圖。

圖15是本發(fā)明的實施方式中的布線基板的變形例的剖視圖，并且是相當于圖14的(b)的剖視圖。

具體實施方式

以下，基于附圖說明本發(fā)明的實施方式。

圖1是表示本實施方式中的導體層的制造方法的流程圖，圖2的(a)～圖6的(c)是表示圖1的各步驟的剖視圖，圖7的(a)以及(b)是表示按壓輥的圖，圖8是圖3的(b)的viii部的放大圖，圖9的(a)以及(b)是表示按壓輥的第一變形例的圖，圖10的(a)以及圖(b)是表示按壓輥的第二變形例的圖，圖11是圖4的(a)的xi部的放大圖，圖12是圖4的(b)的xii部的放大圖，圖13是圖4的(c)的xiii部的放大圖。

本實施方式中的導體層30的制造方法是使用光燒結(jié)工序(photo-sinteringprocess)將具有所希望的厚度的導體層30形成于基板20(參照圖14的(a))的方法。

在本實施方式中，如圖1所示，首先，通過在基材21上形成多孔質(zhì)層22從而形成基板20(圖1的步驟s11～s12)，接下來，在該基板20上形成第一燒結(jié)層44(步驟s20)，接下來，在該第一燒結(jié)層44上形成第二燒結(jié)層54(步驟s30)，進而，通過在該第二燒結(jié)層54上形成第三燒結(jié)層64(步驟s40)，從而在基板20上形成導體層30。即，在本實施方式中，通過對基板20的同一部位多次(在本例中3次)形成燒結(jié)層44、54、64，由此形成導體層30。

以下，對本實施方式中的導體層30的制造方法的各工序進行詳述。

首先，在圖1的步驟s11中，如圖2的(a)所示，準備基材21。該基材21例如具有薄片狀或者板狀的形狀，但并不特別限定于此。另外，作為構(gòu)成該基材21的具體材料，例如能夠例示樹脂、玻璃、金屬、半導體、紙、木材或者它們的復合物。特別是，作為構(gòu)成基材21的樹脂的具體例子，例如能夠例示聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙酯、聚萘二甲酸、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂、abs(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚合成)樹脂等。

接下來，在圖1的步驟s12中，如圖2的(b)所示，通過在基材21上形成多孔質(zhì)層(主層)22來形成基板20。作為這種多孔質(zhì)層22，例如能夠使用日本特開2014－57024號公報所記載的多孔質(zhì)層。本實施方式中的基板20相當于本發(fā)明中的支承體、基板的一個例子。

該多孔質(zhì)層22在內(nèi)部具有多數(shù)的微細孔。這些微細孔相互連結(jié)，流體能夠經(jīng)由該微細孔從一方的面向另一方的面通過。該多孔質(zhì)層22通過在基材21上涂覆多孔質(zhì)層形成材料，并使該多孔質(zhì)層形成材料干燥而除去溶劑來形成。作為多孔質(zhì)層形成材料的具體例子，例如能夠例示通過溶劑使多孔質(zhì)材料稀釋分散的溶液。作為多孔質(zhì)材料，能夠例示二氧化硅(氧化硅)、二氧化鈦(氧化鈦)、鋯石(氧化鋯)、礬土(氧化鋁)等的粒子。另外，作為溶劑，能夠例示水、聚乙烯醇等。

作為多孔質(zhì)層形成材料的涂覆方法，并不特別限定，能夠例示絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、膠版印刷、凹版膠印、柔性版印刷、噴墨印刷、輥涂法、旋涂法、浸涂法、噴涂法、分配涂法、噴射分配法等。

接下來，在圖1的步驟s21中，如圖2的(c)所示，在基板20涂覆金屬氧化物墨水來形成第一墨水層41。本實施方式中的金屬氧化物墨水相當于本發(fā)明中的分散液的一個例子。

該金屬氧化物墨水是含有金屬氧化物粒子與還原劑的溶液。作為金屬氧化物粒子的具體例子，例如能夠例示氧化銅(cu2o、cuo)、氧化銀(ag2o)、氧化鉬(moo2、moo3)、氧化鎢(wo2、wo3)等的納米粒子。作為還原劑，能夠使用將在金屬氧化物的還原反應時作為還原性基而發(fā)揮功能的包含碳原子在內(nèi)的材料，例如能夠例示乙二醇那樣的烴類化合物。另外，作為金屬氧化物墨水的溶液中所含有的溶劑，例如能夠使用水或各種有機溶劑。并且，金屬氧化物墨水也可以含有高分子化合物或者含有表面活性劑等的各種調(diào)整劑作為粘合劑成分。此外，在金屬氧化物粒子是氧化銀(ag2o)的情況下，不需要還原劑。

此外，除了金屬氧化物粒子，還可以使用銀(ag)、白金(pt)、金(au)等的貴金屬的粒子?；蛘?，也可以取代金屬氧化物粒子，而使用銀(ag)、白金(pt)、金(au)等的貴金屬的粒子，此時，不需要還原劑。

作為在基板20涂覆金屬氧化物墨水的方法，并不特別限定，能夠例示絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、膠版印刷、凹版膠印、柔性版印刷、噴墨印刷、輥涂法、旋涂法、浸涂法、噴涂法、分配涂法、噴射分配法等。

此外，上述多孔質(zhì)層22是為了當金屬氧化物墨水無法浸透于基材21的情況下在該基材21與導體層30之間確保牢固的固定力而形成的。因此，在基材21由紙、木材等那樣的金屬氧化物墨水能夠浸透的材料構(gòu)成的情況下，不需要形成該多孔質(zhì)層22，在基材21的表面直接涂覆金屬氧化物墨水即可。此時，本實施方式中的基材21相當于本發(fā)明中的支承體或基板的一個例子。

接下來，在圖1的步驟s22中，如圖2的(d)所示，通過使第一墨水層41干燥來除去溶劑，從而形成第一金屬氧化物層42。具體而言，使第一墨水層41在100～120℃下干燥20～120分鐘左右。此時，浸潤在多孔質(zhì)層12的一部分的金屬氧化物墨水也被干燥，從而形成第一金屬氧化物層43b。本實施方式中的第一金屬氧化物層42相當于本發(fā)明中的前驅(qū)體層的一個例子。此外，第一金屬氧化物層42、43b是包含上述金屬氧化物粒子(氧化銅等)的層。后述金屬氧化物層43a、52、53a、53b、62、63a、63b也同樣，是包含上述金屬氧化物粒子的層。

接下來，在圖1的步驟s23中，如圖3的(a)所示，相對于第一金屬氧化物層42從光源70輸出脈沖光(脈沖電磁波)。由此，金屬氧化物粒子的還原反應與金屬燒結(jié)從第一金屬氧化物層42的上表面進行，從而形成第一燒結(jié)層44。由于伴隨著該還原反應，二氧化碳(或者氧氣)、溶劑的氣化氣體從第一金屬氧化物層42放出，因此第一燒結(jié)層44具有多孔質(zhì)構(gòu)造。另外，由于此時光能傳播被形成于第一金屬氧化物層42的上部的第一燒結(jié)層44所阻礙，因此由未進行反應的金屬氧化物構(gòu)成的第一金屬氧化物層43a、43b分別殘留于第一金屬氧化物層42的下層部分與多孔質(zhì)層22的內(nèi)部。此外，第一燒結(jié)層44是包含對上述金屬氧化物粒子進行了還原以及燒結(jié)的金屬(銅等)的層。后述燒結(jié)層54、64也同樣，是包含對上述金屬氧化物粒子進行了還原以及燒結(jié)的金屬的層。

作為光源70，并不特別限定，例如能夠例示氙氣燈、水銀燈、金屬鹵化物燈、化學燈、碳弧燈、紅外線燈、激光照射裝置等。作為從光源70被照射的脈沖光所包含的波長成分，能夠例示可見光線、紫外線、紅外線等。此外，脈沖光包含的波長成分若是電磁波，并不特別限定于上述情況，例如也可以包含x射線或微波等。另外，從光源70被照射的脈沖光的照射能量例如是6.0～9.0j/cm²左右，該脈沖光的照射時間是2000～9000μsec左右。

接下來，在圖1的步驟s24中，如圖3的(b)以及(c)所示，將第一燒結(jié)層44的表面形成為凹凸狀。在該步驟s24中，使用圖7的(a)以及(b)所示的2組壓縮輥81～84來壓縮第一燒結(jié)層44。

第一按壓輥81是由不銹鋼等的金屬材料構(gòu)成的圓筒狀的輥，在其表面具有形成有多個第一槽812的凹凸狀的按壓面811。第一槽812沿第一方向直線狀地延伸，并且相互以基本平行的方式配置。另一方面，第一受壓輥82也是由不銹鋼等的金屬材料構(gòu)成的圓筒狀的輥，具有平滑的圓筒狀的受壓面821。該第一受壓輥821以與第一按壓輥81對置的方式配置。

第二按壓輥83也與上述第一按壓輥81相同，是具有形成有相互以基本平行的方式配置的多個第二槽832的凹凸狀的按壓面831的圓筒狀輥，但該第二槽832沿相對于上述第一方向基本正交的第二方向延伸為直線狀。另一方面，第二受壓輥84與上述第一受壓輥82相同，是具有平滑的受壓面841的圓筒狀的輥，并以與第二按壓輥83對置的方式被配置。

并且，形成有第一燒結(jié)層44的基板20通過第一按壓輥81與第一受壓輥82之間，由此在第一燒結(jié)層44的表面形成多個凸狀的壁46。該多個壁46沿第一方向延伸為直線狀，并且相互以基本平行的方式配置。接下來，該基板20通過第二按壓輥83與第二受壓輥84之間，由此多個凸狀壁46的一部分被壓潰，在第一燒結(jié)層44的表面形成多個突起45。該多個突起45在第一方向以規(guī)定間距配置，并且在第二方向也以規(guī)定間距配置，從而被配置為矩陣狀。

本實施方式中的第一組壓縮輥81、82相當于本發(fā)明中的第一按壓件的一個例子，本實施方式中的第二組壓縮輥83、84相當于本發(fā)明中的第二按壓件的一個例子。另外，本實施方式中的突起45相當于本發(fā)明中的凸部的一個例子。

此外，第一以及第二槽812、832的寬度、間距并不特別限定，能夠任意設定。另外，可以使第一槽812的寬度與第二槽832的寬度相同，也可以使它們不同。同樣地，可以使第一槽812的間距與第二槽832的間距相同，也可以使它們不同。并且，也可以將第一槽812與第二槽813的交叉角度(即，第一方向與第二方向的交叉角度)設定為直角以外的角度。通過改變第一以及第二槽812、832的寬度、間距或者第一方向與第二方向的交叉角度，能夠使突起45的形狀為任意的四棱錐梯形狀。

如圖7的(a)～圖8所示，各個突起45具有由前端面451與4個側(cè)面452構(gòu)成的四棱錐臺的剖面形狀。各個側(cè)面452相對于與按壓后的第一燒結(jié)層44的底面441基本平行的平面以不足90度傾斜(θ＜90°)，相反的一對側(cè)面452的間隔伴隨著朝向前端面451而變窄。此外，可以使一方的側(cè)面452的傾斜角度θ與另一方的側(cè)面452的傾斜角度θ相同，也可以使它們不同。

在該步驟s24中，突起45的前端面451幾乎未從壓縮輥81～84受到壓力。另外，突起45的側(cè)面452的上部也只是從按壓輥81～84受到若干較弱的壓力。因此，在突起45的前端面451、側(cè)面452中，成為構(gòu)成在光燒結(jié)時產(chǎn)生的多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙殘留較多的狀態(tài)。與此相對，第一燒結(jié)層44中的除突起45以外的底面441通過壓縮輥81～84被較強地按壓。因此，在第一燒結(jié)層44的底面441，在光燒結(jié)時產(chǎn)生的多孔質(zhì)構(gòu)造被破壞，成為幾乎沒有空隙的狀態(tài)。

此外，如圖9的(a)以及(b)所示，也可以僅使用一組壓縮輥81、82來按壓第一燒結(jié)層44。在該情況下，取代突起45，在第一燒結(jié)層44的表面形成延伸為直線狀并且相互以基本平行的方式配置的多個壁46。本例中的壓縮輥81、82相當于本發(fā)明中的按壓件的一個例子，本例中的壁46相當于本發(fā)明中的凸部的一個例子。

另外，如圖10的(a)以及(b)所示，也可以使用一組壓縮輥81b、82來按壓第一燒結(jié)層44。在本例中的按壓輥81b的按壓面813，通過激光加工等形成有多個凹部814。該多個凹部814具有與突起45b對應的形狀，并且以與突起45b的排列對應的方式被配置為矩陣狀。通過使用這樣的一對壓縮輥81b、82形成突起45b，能夠使突起的形狀為圓錐梯形狀以外的形狀，并且突起的間隔、配置也能夠任意地設定。此外，在本例中，如圖10的(a)以及(b)所示，突起45b具有圓錐梯形狀，但并不特別限定于此，例如，也可以具有上述那樣的四棱錐梯形狀。本例中的壓縮輥81b、82相當于本發(fā)明中的按壓件的一個例子，本例中的突起45b相當于本發(fā)明中的凸部的一個例子。

并且，雖未特別圖示，但也可以取代壓縮輥81～84，而使用沖壓裝置等將具有與突起對應的多個凹部的模具(mold)推壓于第一燒結(jié)層，在該第一燒結(jié)層形成突起。在通過該方法形成突起的情況下，也可以使該突起的剖面形狀為上述那樣的梯形，但也能夠為長方形或者正方形，此時，突起的側(cè)面的傾斜角度θ成為90度(θ＝90°)。本例中的模具相當于本發(fā)明中的按壓件的一個例子。

返回至圖1，若在步驟s24中按壓第一燒結(jié)層44，則在步驟s31中，如圖4的(a)所示那樣，以與上述步驟s21相同的要領(lǐng)，在第一燒結(jié)層44的凹凸狀的表面形成第二墨水層51。構(gòu)成該第二墨水層51的金屬氧化物墨水能夠使用在上述步驟s21的說明中列舉的墨水，可以使用與在步驟s21中使用的金屬氧化物墨水相同的組成的墨水，也可以使用不同的組成的墨水。另外，作為在第一燒結(jié)層44涂覆金屬氧化物墨水的方法，能夠使用在上述步驟s21的說明中列舉的方法，可以使用與步驟s21相同的方法，也可以使用不同的方法。

在該步驟s31中，如圖11所示，將通過第二墨水層51較薄地覆蓋突起45的前端面451的程度的量的金屬氧化物墨水涂覆于第一燒結(jié)層44的表面。此時，由于被涂覆的金屬氧化物墨水的大部分在突起45之間流動，因此在該突起45之間的底面441固定的第二墨水層51變厚。另一方面，在突起45的前端面451及其周圍固定的第二墨水層51必然變薄。

這里，在不具有突起的燒結(jié)層涂覆有金屬氧化物墨水的情況下，難以使金屬氧化物墨水固定于平坦的燒結(jié)層上，金屬氧化物墨水從燒結(jié)層的上表面向周圍流出。因此，在燒結(jié)層未形成突起的情況下，不得不使第二層以后的金屬氧化物墨水的涂覆膜厚極端地薄，由此會導致涂覆次數(shù)的大幅度增加。與此相對，在本實施方式中，由于多個突起45矩陣狀地設置于第一燒結(jié)層44，所以在該步驟s31中，能夠利用表面張力容易地使金屬氧化物墨水固定，能夠通過穩(wěn)定的第二墨水層51來覆蓋突起45的前端面451。

另外，由于在該步驟s31中，在突起45的前端面451以及側(cè)面452殘留有多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙，所以一部分金屬氧化物墨水浸潤于突起45的前端面451以及側(cè)面452。與此相對，由于第一燒結(jié)層44的底面441在上述步驟s24中被較強地按壓，從而空隙被破壞，因此金屬氧化物墨水未浸潤于該底面441。

接下來，在圖1的步驟s32中，如圖4的(b)所示，通過與上述步驟s22相同的要領(lǐng)，使第二墨水層51干燥來除去溶劑，從而形成第二金屬氧化物層52。本實施方式中的第二金屬氧化物層52相當于本發(fā)明中的前驅(qū)體層的一個例子。

在該步驟s32中，如圖12所示，在第二金屬氧化物層52中，覆蓋第一燒結(jié)層44的底面441的上方的第一部分521被較厚地形成，相對于此，覆蓋突起45的前端面451及其周圍的上方的第二部分522被較薄地形成。另外，浸潤于突起45的前端面451以及側(cè)面452的多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙的一部分的金屬氧化物墨水也被干燥，從而形成第二金屬氧化物層53a。

接下來，在圖1的步驟s33中，如圖4的(c)所示，通過與上述步驟s23相同的要領(lǐng)，從光源70對第二金屬氧化物層52照射照射脈沖光。由此，金屬氧化物粒子的還原反應與金屬燒結(jié)從第二金屬氧化物層52的上表面進行，形成第二燒結(jié)層54。此外，作為在該步驟s33中使用的光源70，能夠使用在上述步驟s23的說明中列舉的光源，可以使用與步驟s23相同的光源，也可以使用不同光源。另外，可以使在步驟s33中照射的脈沖光的照射能量、照射時間為與上述步驟s23相同的值，也可以為不同的值。

在該步驟s33中，第二金屬氧化物層52的第二部分522以及第二金屬氧化物層53a被較薄地形成，并且從光源70對該第二部分522以及第二金屬氧化物層53a充足地照射脈沖光。因此，在該第二部分522以及第二金屬氧化物層53a中，還原反應與燒結(jié)反應瞬時進行。由此，如圖13所示，由于第二金屬氧化物層52、53a以使金屬氧化物不殘留的方式在燒結(jié)層完全地變化，所以突起45與第二燒結(jié)層54可靠地電導通。另外，由于第二金屬氧化物層53a形成于突起45的前端面451以及側(cè)面452的多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙內(nèi)，所以第二燒結(jié)層54與第一燒結(jié)層44的突起45被穩(wěn)固地固定。與此相對，由于第二金屬氧化物層52的第一部分521被較厚地形成，因此由未反應的金屬氧化物構(gòu)成的第二金屬氧化物層53b殘留于該第二金屬氧化物層52的下層部分。此外，圖13中的粗實線表示在突起45與第二燒結(jié)層54之間未夾有金屬氧化物層且電導通的情況。

順便一提，在通過將平坦的燒結(jié)層進行重疊而形成導體層的情況下，若對上側(cè)的金屬氧化物層的下層部分也照射能夠還原以及燒結(jié)的能量的脈沖光，則在金屬氧化物層的表層部分進行再氧化以及固化，從而產(chǎn)生該金屬氧化物層的剝離、飛散。

接下來，在圖1的步驟s34中，如圖5的(a)以及(b)所示，通過與上述步驟s24相同的要領(lǐng)，使用2組壓縮輥81～84壓縮第二燒結(jié)層54，將第二燒結(jié)層54的表面形成為凹凸狀。由此，在第二燒結(jié)層54的表面形成配置為矩陣狀的多個突起55。

此外，在該步驟s34中，可以使用與在步驟s24中使用的輥相同的輥，也可以使用不同的輥。另外，也可以僅使用上述圖9的(a)以及(b)所示的一組壓縮輥81、82，取代突起55，而在第二燒結(jié)層54的表面形成延伸為直線狀并且相互并列地配置的多個壁?；蛘?，也可以使用上述圖10的(a)以及(b)所示的一組壓縮輥81b、82將圓錐梯形的突起形成于第二燒結(jié)層54的表面。

接下來，在圖1的步驟s41中，如圖5的(c)所示，通過與上述步驟s31相同的要領(lǐng)，在第二燒結(jié)層54的凹凸狀的表面形成第三墨水層61。構(gòu)成該第三墨水層61的金屬氧化物墨水能夠使用在上述步驟s21的說明中列舉的墨水，可以使用與在步驟s31中使用的金屬氧化物墨水相同的組成的墨水，也可以使用不同組成的墨水。另外，作為在第二燒結(jié)層54涂覆金屬氧化物墨水的方法，能夠使用在上述步驟s21的說明中列舉的方法，可以使用與步驟s31相同的方法，也可以使用不同的方法。

在該步驟s41中，通過與上述步驟s31相同的要領(lǐng)，將利用第三墨水層61較薄地覆蓋突起55的前端面的程度的量的金屬氧化物墨水涂覆于第二燒結(jié)層54的表面。此時，金屬氧化物墨水的大部分在突起55之間流動，固定在該突起55之間的底面541的第三墨水層61變厚。另一方面，在突起55的前端面及其周圍固定的第三墨水層61必然變薄。

另外，在該步驟s41中，由于與上述步驟s31相同，在突起55的前端面以及側(cè)面殘留有多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙，因此一部分金屬氧化物墨水浸潤于突起55的前端面以及側(cè)面。與此相對，由于第二燒結(jié)層54的底面541在上述步驟s34中被較強地按壓，從而空隙被破壞，所以金屬氧化物墨水未浸潤于該底面541。

接下來，在圖1的步驟s42中，如圖6的(a)所示，通過與上述步驟s32相同的要領(lǐng)，使第三墨水層61干燥來除去溶劑，從而形成第三金屬氧化物層62。本實施方式中的第三金屬氧化物層62相當于本發(fā)明中的前驅(qū)體層的一個例子。

在該步驟s42中，與上述步驟s32相同，在第三金屬氧化物層62中，位于第二燒結(jié)層54的底面541的上方的第一部分621被較厚地形成，相對于此，位于突起55的前端面及其周圍的上方的第二部分622被較薄地形成。另外，浸潤于突起55的前端面以及側(cè)面的多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙的一部分的金屬氧化物墨水也被干燥，從而形成第三金屬氧化物層63a。

接下來，在圖1的步驟s43中，如圖6的(b)所示，通過與上述步驟s33相同的要領(lǐng)，從光源70對第三金屬氧化物層62照射脈沖光。由此，金屬氧化物粒子的還原反應與金屬燒結(jié)從第三金屬氧化物層62的上表面進行，從而形成第三燒結(jié)層64。此外，作為在該步驟s43中使用的光源70，能夠使用在上述步驟s23的說明中列舉的光源，可以使用與步驟s33相同的光源，也可以使用不同的光源。另外，可以使在步驟s43中照射的脈沖光的照射能量、照射時間為與上述步驟s33相同的值，也可以為不同的值。

在該步驟s43中，由于與上述步驟s33相同，第三金屬氧化物層62的第二部分622以及第三金屬氧化物層63a被較薄地形成，并且從光源70對該第二部分622以及第三金屬氧化物層63a充足地照射脈沖光，因此在該第二部分622以及第三金屬氧化物層63a中，還原反應與燒結(jié)反應瞬時進行。由此，由于第三金屬氧化物層62、63a以使金屬氧化物不殘留的方式在燒結(jié)層完全地變化，所以突起55與第三燒結(jié)層64可靠地電導通。另外，由于第三金屬氧化物層63a形成于突起55的前端面以及側(cè)面的多孔質(zhì)構(gòu)造的空隙內(nèi)，因此第三燒結(jié)層64與第二燒結(jié)層54的突起55被穩(wěn)固地固定。與此相對，由于第三金屬氧化物層62的第一部分621被較厚地形成，因此由未反應的金屬氧化物構(gòu)成的第三金屬氧化物層63b殘留于該第三金屬氧化物層62的下層部分。

接下來，在圖1的步驟s44中，如圖6的(c)所示，通過使用一組的壓縮輥91、92來壓縮第三燒結(jié)層64，從而導體層30完成。

按壓輥91是由不銹鋼等的金屬材料構(gòu)成的圓筒狀的輥，在其表面具有實施了鏡面加工處理的平滑的按壓面911。受壓輥92也相同，是由不銹鋼等的金屬材料構(gòu)成的圓筒狀的輥，在其表面具有平滑的受壓面921，并且以與按壓輥91對置的方式配置。并且，形成有第三燒結(jié)層64的基板20通過按壓輥91、92之間，由此第一至第三燒結(jié)層44、54、64的多孔質(zhì)構(gòu)造所具有的全部空隙被壓潰，并且第三燒結(jié)層64的表面被形成為平坦。

此外，也可以取代壓縮輥91、92，使用沖壓裝置等將具有平坦的表面的模具(mold)推壓于第三燒結(jié)層，從而將該第三燒結(jié)層的表面形成為平坦。

圖14的(a)以及(b)是表示本實施方式中的布線基板的結(jié)構(gòu)的圖，圖15是表示本實施方式中的布線基板的變形例的圖。

如以上那樣形成于基板20上的導體層30例如作為布線圖案、焊盤、凸緣之類的布線基板10的導體部分被使用。如圖14的(a)以及圖(b)所示，該導體層30包含導電部分31、第一以及第二絕緣部分32、33。導電部分31例如含有銅(cu)、銀(ag)、鉬(mo)、鎢(w)等的金屬材料，具有導電性。與此相對，第一以及第二絕緣部分32、33例如含有氧化銅(cu2o、cuo)、氧化銀(ag2o)、氧化鉬(moo2、moo3)、氧化鎢(wo2、wo3)等的金屬氧化物，具有電絕緣性。

第一絕緣部分32被埋設于導電部分31的內(nèi)部，沿與基板20的延伸方向基本相同的方向?qū)訝畹匮由?。第二絕緣部分33也同樣，被埋設于導體部分31的內(nèi)部，沿與基板20的延伸方向基本相同的方向?qū)訝畹匮由臁＜?，在本實施方式中，由于在上述制造方法中將燒結(jié)層44、54、64的形成反復進行了3次，因此兩層的絕緣部分32、33形成于導電部分31的內(nèi)部。

在第一絕緣部分32形成有供導電部分31沿上下方向貫通的多個貫通孔321。該貫通孔321具有與上述突起45的底邊部分對應的方形形狀，并且以與該突起45的排列對應的方式被配置為矩陣狀。該第一絕緣部分32相當于在上述制造方法中說明的第二金屬氧化物層53b。

在第二絕緣部分33也形成有供導電部分31沿上下方向貫通的多個貫通孔331。該貫通孔331具有與上述突起55的底邊部分對應的方形形狀，并且以與該突起55的排列對應的方式被配置為矩陣狀。該第二絕緣部分33相當于在上述制造方法中說明的第三金屬氧化物層63b。

此外，在上述步驟s24中僅使用圖9的(a)以及(b)所示的一組的壓縮輥81、82在燒結(jié)層44形成壁46而作為凸部的情況下，如圖15所示，取代貫通孔321，在第一絕緣部分32形成供導電部分31沿上下方向貫通的多個狹縫322。該狹縫322以與第一按壓輥81的第一槽812對應的方式延伸為直線狀，并且以相互基本平行的方式被配置。

同樣，在上述步驟s34中僅使用圖9的(a)以及(b)所示的一組的壓縮輥81、82在燒結(jié)層54形成壁而作為凸部的情況下，雖未特別圖示，但也是取代貫通孔331，在第二絕緣部分33形成供導電部分31沿上下方向貫通的多個狹縫。

如以上所述，在本實施方式中，在將包含壓縮燒結(jié)層的步驟s24、s34、s44的燒結(jié)層形成工序s20、s30、s40反復進行3次時，第一次以及第二次的壓縮步驟s24、s34包含將燒結(jié)層44、54的表面形成為凹凸狀的步驟。若在該燒結(jié)層44、54的凹凸狀的表面形成金屬氧化物層52、62，則在燒結(jié)層44、54的突起45、55的前端面451、側(cè)面452，該金屬氧化物層52、62變薄，因此能夠使金屬氧化物不殘留地完全還原。因此，即便使導體層較厚，也能夠確保燒結(jié)層間的電導通，因此能夠使用光燒結(jié)工序(photo-sinteringprocess)形成具有所希望的厚度的導體層。

本實施方式中的步驟s21、s22、s31、s32、s41、s42相當于本發(fā)明中的第一工序的一個例子，本實施方式中的步驟s23、s33、s43相當于本發(fā)明中的第二工序的一個例子，本實施方式中的步驟s24、s34、s44相當于本發(fā)明中的第三工序的一個例子。

此外，以上說明的實施方式是為了容易理解本發(fā)明而記載的，并不是為了限定本發(fā)明而記載的。因此，上述實施方式所公開的各要素包含屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的所有設計變更、均等物的主旨。

在上述實施方式中，以將燒結(jié)層形成工序s20、s30、s40反復進行3次的方式進行了說明，但只要是將燒結(jié)層形成工序反復進行n次即可，并不特別限定。例如，可以將燒結(jié)層形成工序反復進行2次，也可以將燒結(jié)層形成工序反復進行4次以上。其中，n為2以上的自然數(shù)。

此時，在第一次至第n－1次的壓縮工序中，使用圖7的(a)以及(b)所示的2組的壓縮輥81～84將燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀。另一方面，在最后的第n次的壓縮工序中，使用在上述步驟s44中說明的壓縮輥91、92順滑地形成燒結(jié)層的表面。通過該方法被形成的導體層在導電部分的內(nèi)部具有n－1層的絕緣部分。

此外，可以在第一次至第n－1次的壓縮工序中使用圖9的(a)以及(b)所示的一組的壓縮輥81、82，也可以使用圖10的(a)以及(b)所示的一組的壓縮輥81b、82。另外，可以在第一次至第n－1次的壓縮工序中使用相同類型的壓縮輥，也可以使用不同類型的壓縮輥。

例如，在將燒結(jié)層形成工序反復進行2次的情況下，在第一次的壓縮工序中，使用圖7的(a)以及(b)所示的2組壓縮輥81～84將燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀。另一方面，在第二次的壓縮工序中，使用在上述步驟s44中說明的壓縮輥91、92順滑地形成燒結(jié)層的表面。雖然并未特別圖示，但通過該方法被形成的導體層在導電部分的內(nèi)部僅具有1層的絕緣部分。

另外，在將燒結(jié)層形成工序反復進行4次的情況下，在第一次至第三次的壓縮工序中，使用圖7的(a)以及(b)所示的2組的壓縮輥81～84將燒結(jié)層的表面形成為凹凸狀。另一方面，在第四次的壓縮工序中，使用在上述步驟s44中說明的壓縮輥91、92順滑地形成燒結(jié)層的表面。雖然并未特別圖示，但通過該方法被形成的導體層在導電部分的內(nèi)部具有3層的絕緣部分。

另外，在上述實施方式中，雖然使用本發(fā)明的制造方法在基板上形成有導體層，但形成導體層的對象物并不特別限定于基板，也可以使用本發(fā)明的制造方法在除基板以外的支承體上形成導體層。

附圖標記說明：

10…布線基板；20…基板；21…基材；22…多孔質(zhì)層；30…導體層；31…導電部分；32…第一絕緣部分；321…貫通孔；322…狹縫；33…第二絕緣部分；331…貫通孔；41…第一墨水層；42…第一金屬氧化物層；43a、43b…第一金屬氧化物層；44…第一燒結(jié)層；441…底面；45、45b…突起；451…前端面；452…側(cè)面；46…壁；51…第二墨水層；52…第二金屬氧化物層；521…第一部分；522…第二部分；53a、53b…第二金屬氧化物層；54…第二燒結(jié)層；541…底面；55…突起；61…第三墨水層；62…第三金屬氧化物層；621…第一部分；622…第二部分；63a、63b…第三金屬氧化物層；64…第三燒結(jié)層；70…光源；81、81b…第一按壓輥；811…按壓面；812…第一槽；813…按壓面；814…凹部；82…第一受壓輥；821…受壓面；83…第二按壓輥；831…按壓面；832…第二槽；84…第二受壓輥；841…受壓面；91…按壓輥；92…受壓輥。