欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

一種用于LED亮度調(diào)節(jié)的可控硅調(diào)光控制系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:12280570閱讀:305來源:國知局
一種用于LED亮度調(diào)節(jié)的可控硅調(diào)光控制系統(tǒng)的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及LED的亮度調(diào)節(jié)技術(shù),具體涉及一種用于LED亮度調(diào)節(jié)的可控硅調(diào)光控制系統(tǒng)。



背景技術(shù):

LED(Light Emitting Diode)具有壽命長,功耗低,亮度高,體積小等多種優(yōu)點(diǎn),是廣泛關(guān)注的新型節(jié)能照明產(chǎn)品,被譽(yù)為“21世紀(jì)新光源”。與傳統(tǒng)的白熾燈相比,LED燈具只需1/10的能耗即可實(shí)現(xiàn)相同的發(fā)光亮度,且使用壽命能延長上百倍。隨著LED技術(shù)研究的日益成熟,LED照明取代白熾燈,鹵素?zé)舻葌鹘y(tǒng)的照明方式是一種必然趨勢。

隨著節(jié)能環(huán)保概念的不斷深化及用戶在不同環(huán)境下對不同燈光的迫切需求,可調(diào)光的照明方案以其節(jié)約能耗,亮度可調(diào),控制簡便等特性,廣泛應(yīng)用于家居,辦公,街燈,舞臺照明等領(lǐng)域。調(diào)光技術(shù)與LED照明技術(shù)相結(jié)合,將進(jìn)一步降低照明用電,節(jié)省功耗。在照明設(shè)計中,充分發(fā)揮調(diào)光作用,完全可以達(dá)到大幅度節(jié)能的目的。

在調(diào)光應(yīng)用領(lǐng)域,可控硅調(diào)光具有成本低,實(shí)用性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),最初廣泛應(yīng)用于白熾燈等純阻性負(fù)載的調(diào)光控制電路。對于LED等非阻性負(fù)載而言,要實(shí)現(xiàn)LED亮度受可控硅調(diào)光器控制,LED驅(qū)動電源需進(jìn)行相應(yīng)的兼容性設(shè)計。此外,由于可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角受限,無法達(dá)到0°至180°的理論調(diào)節(jié)范圍,因而限制了其調(diào)光范圍。因此,LED調(diào)光控制系統(tǒng)不僅需要滿足與可控硅調(diào)光器的兼容性,同時也需實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的調(diào)光性能。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

由于可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角受限,往往導(dǎo)致LED輸出電流的調(diào)節(jié)范圍受到限制。為了滿足基本的LED驅(qū)動電路所需滿足的高功率因數(shù),低諧波污染及穩(wěn)定的恒流輸出等要求,同時能根據(jù)可控硅調(diào)光器對LED發(fā)光亮度進(jìn)行調(diào)節(jié)。本發(fā)明通過引入導(dǎo)通角補(bǔ)償技術(shù),使得在可控硅調(diào)光器調(diào)節(jié)至最大導(dǎo)通角時,輸出電流達(dá)到額定輸出電流值。通過對調(diào)光下拉電路參數(shù)的優(yōu)化,使得在可控硅調(diào)光器調(diào)節(jié)至最小導(dǎo)通角時,輸出電流達(dá)到最小值。本發(fā)明針對人眼對大電流LED發(fā)光亮度變化不敏感,而對小電流LED發(fā)光亮度變化敏感的現(xiàn)象,設(shè)計快速調(diào)光與慢速調(diào)光兩段式調(diào)光,實(shí)現(xiàn)寬調(diào)節(jié)范圍兩段式調(diào)光的調(diào)光控制系統(tǒng)。

本發(fā)明采用的具體方案如下:一種用于LED亮度調(diào)節(jié)的可控硅調(diào)光控制系統(tǒng),包括由變壓器、NMOS管M1、原邊檢測電阻RCS和輔助繞組構(gòu)成的反激式變換器主拓?fù)淠K以及可控硅調(diào)光器、二極管整流橋、RCD吸收電路,其特征在于:增設(shè)PFC恒流基礎(chǔ)電路和調(diào)光控制電路,PFC恒流基礎(chǔ)電路包括輸出電流估算電路、輸出電流控制電路和PFC邏輯控制電路,調(diào)光控制電路包括導(dǎo)通角檢測電路、導(dǎo)通角補(bǔ)償電路和下拉電流控制電路;可控硅調(diào)光器對輸入母線電壓進(jìn)行斬波處理,經(jīng)二極管整流橋后,一方面連接到變壓器原邊繞組正端和RCD吸收電路中電阻的一端及電容的一端,電阻及電容的另一端連接二極管的負(fù)端,二極管的正端連接原邊繞組負(fù)端和NMOS管M1的漏端,NMOS管M1的源端經(jīng)原邊檢測電阻RCS接地,變壓器副邊繞組負(fù)端經(jīng)續(xù)流二極管D0連接LED串后接地,輸出電容Co并聯(lián)在LED兩端,另一方面,二極管整流電路輸出連接到導(dǎo)通角檢測電路,導(dǎo)通角檢測電路輸出經(jīng)導(dǎo)通角補(bǔ)償電路連接下拉電流控制電路,下拉電流控制電路輸出連接輸出電流控制電路,輸出電流控制電路的輸出VCOMP連接PFC邏輯控制電路的一個輸入端,與此同時,輔助繞組反饋電壓FB同樣連接PFC邏輯控制電路的另一個輸入端,PFC邏輯控制電路產(chǎn)生三個輸出,一個輸出連接NMOS管M1柵端,其余兩個輸出信號TON和TOFF連接輸出電流估算電路,原邊檢測電阻RCS與NMOS管M1源端的連接端亦連接輸出電流估算電路的輸入端,電流估算電路的輸出VCAL連接輸出電流控制電路;其中:

輸出電流估算電路用于對LED輸出電流進(jìn)行估量計算,包括傳輸門T1、電容C1、C2,運(yùn)算放大器Amp1、電阻R1、R2以及NMOS管M2、M3、M4,原邊檢測電阻RCS兩端電壓作為輸出電流估算電路輸入信號,原邊檢測電阻RCS與NMOS管M1源端的連接端連接傳輸門T1輸入端,傳輸門T1輸出端連接運(yùn)算放大器Amp1的正輸入端并經(jīng)電容C1接地,運(yùn)算放大器Amp1輸出端連接NMOS管M2柵端,NMOS管M2漏端經(jīng)電阻R1連接電源VDD,NMOS管M2源端經(jīng)電阻R2接地,且反饋連接至運(yùn)算放大器Amp1負(fù)輸入端,NMOS管M2源端還連接NMOS管M3漏端,NMOS管M3管源端連接NMOS管M4管漏端,NMOS管M4管源端接地,NMOS管M3管與NMOS管M4管的柵端分別連接PFC邏輯控制電路的輸出信號TOFF、TON,NMOS管M3源端作為輸出電路估算電路的輸出電壓信號VCAL并通過電容C2接地;

輸出電流控制電路依據(jù)輸出電流估算電路的輸出電壓信號VCAL及下拉電流Ipull控制輸出電流大小,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)恒流及調(diào)光控制,輸出電流控制電路包括PMOS管M5、M6,NMOS管M7、M8,運(yùn)算放大器Amp2、Amp3,電阻R3、R4,PMOS管M5、M6,NMOS管M7、M8,PMOS管M5及PMOS管M6的源端連接電源VDD,PMOS管M5與PMOS管M6的柵端互連并連接PMOS管M5管漏端和NMOS管M7漏端,NMOS管M7源端經(jīng)電阻R3接地,且NMOS管M7源端反饋連接至運(yùn)算放大器Amp2負(fù)輸入端,運(yùn)算放大器Amp2正輸入端連接參考電壓VREF,PMOS管M6管漏端連接NMOS管M8漏端,NMOS管M8源端經(jīng)電阻R4接地,且NMOS管M8源端反饋連接至運(yùn)算放大器Amp3負(fù)輸入端,運(yùn)算放大器Amp3正輸入端連接輸出電流估算電路輸出信號VCAL,此外,PMOS管M6的漏端同時連接到下拉電流控制電路的輸出;

PFC邏輯控制電路控制系統(tǒng)工作于臨界工作模式BCM,且保證每個開關(guān)周期內(nèi),功率MOS管的導(dǎo)通時間恒定,從而提高系統(tǒng)的功率因數(shù),PFC邏輯控制電路包括比較器Comp1、Comp2、SR觸發(fā)器、電流源Icharge、電容C3、開關(guān)S1及S2,電源VDD經(jīng)開關(guān)S1連接電流源Icharge正端,開關(guān)S2與電容C3并聯(lián),并聯(lián)后的一端接地,并聯(lián)后的另一端連接電流源Icharge負(fù)端,比較器Comp2正輸入端連接電流源Icharge負(fù)端,比較器Comp2負(fù)輸入端連接參考電壓VCOMP,比較器Comp2的輸出DRV_R控制開關(guān)S2的導(dǎo)通與關(guān)斷,同時,比較器Comp2的輸出DRV_R連接SR觸發(fā)器R輸入端,比較器Comp1的正輸入端接地,比較器Comp1的負(fù)輸入端接輔助繞組反饋電壓FB,比較器Comp1的輸出ZCD連接SR觸發(fā)器的S輸入端,SR觸發(fā)器Q端輸出DRV信號控制開關(guān)S1的導(dǎo)通與關(guān)斷;

導(dǎo)通角檢測電路用于處理可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角信息并得到其導(dǎo)通角大小,導(dǎo)通角檢測電路包括分壓電阻R5、R6,傳輸門T2、T3,比較器Comp3,反相器INV1、INV2,經(jīng)斬波整流后的母線電壓TRIAC輸入給導(dǎo)通角檢測電路,經(jīng)電阻R5、R6分壓,電阻R5與R6的連接端連接比較器Comp3正輸入端,參考電壓經(jīng)傳輸門T2、T3后連接比較器Comp3的負(fù)輸入端,比較器Comp3的比較結(jié)果TR1經(jīng)反相器INV1輸出TR2信號,TR2信號經(jīng)反相器INV2后輸出TRI信號,該TRI信號即為導(dǎo)通角檢測電路的輸出信號,TR1與TR2控制傳輸門T2、T3的導(dǎo)通;

導(dǎo)通角補(bǔ)償電路通過對導(dǎo)通角進(jìn)行額外的補(bǔ)償,以解決可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角達(dá)不到100%而引起的輸出電流無法達(dá)到最大輸出電流的缺陷,導(dǎo)通角補(bǔ)償電路包括PMOS管M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15,NMOS管M16、M17,傳輸門T4,電容C4、C5,運(yùn)算放大器Amp4,電阻R7、R8、R9,比較器Comp4以及或非門NOR1,PMOS管M9柵端和PMOS管M10柵端互連并與PMOS管M11漏端及PMOS管M13源端連接,PMOS管M11柵端與M12管柵端互連并與PMOS管M13柵端、PMOS管M14柵端、PMOS管M15柵端以及PMOS管M14漏端和PMOS管M15源端連接在一起,PMOS管M15漏端接地,PMOS管M13管漏端連接PMOS管M14管源端,PMOS管M10漏端連接PMOS管M12管源端,PMOS管M12管漏端連接傳輸門T4輸入端、電容C4一端、比較器Comp4負(fù)輸入端以及NMOS管M16漏端,NMOS管M16源端接地,NMOS管M16柵端連接復(fù)位信號,電容C4另一端接地,傳輸門T4輸出連接運(yùn)算放大器Amp4正輸入端和電容C5一端,電容C5另一端接地,運(yùn)算放大器Amp4負(fù)輸入端連接NMOS管M17源端及電阻R8一端,電阻R8另一端連接電阻R9一端和比較器Comp4正輸入端,電阻R9另一端接地,比較器Comp4輸出連接或非門NOR1的一個輸入端,或非門NOR1的另一個輸入端連接導(dǎo)通角檢測電路的輸出TRI,或非門NOR1的輸出信號為導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的輸出信號

下拉電流控制電路通過額定下拉電流及下拉電流占空比控制信號共同控制輸出電流大小,控制下拉電流大小實(shí)現(xiàn)當(dāng)下拉電流不變時,控制輸出電流平均值保持不變,當(dāng)導(dǎo)通角變化,下拉電流變化時,輸出電流平均值發(fā)生變化,達(dá)到LED亮度調(diào)節(jié),下拉電流控制電路包括開關(guān)S3,運(yùn)算放大器Amp5,NMOS管M18,電阻RP。輸出電流控制電路PMOS管M6漏端經(jīng)開關(guān)S3連接M18管漏端,M18管源端經(jīng)電阻RP接地,運(yùn)放Amp5輸出連接M18管柵端。M18管源端反饋連接至運(yùn)放Amp5的負(fù)輸入端。運(yùn)放Amp5的正輸入端連接參考電壓VREF,導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的輸出信號控制開關(guān)S3的導(dǎo)通與關(guān)斷。

反激式變換器主拓?fù)淠K,可控硅調(diào)光器,二極管整流橋,RCD吸收電路均采用成熟的已知電路結(jié)構(gòu)。

在上述導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的基礎(chǔ)上,增設(shè)導(dǎo)通角切換參考電路和導(dǎo)通角切換電路并匹配改進(jìn)的下拉電流控制電路,實(shí)現(xiàn)寬調(diào)節(jié)范圍的兩段式調(diào)光,在整個導(dǎo)通角變化范圍內(nèi),LED的發(fā)光亮度能比較均勻的變化,依據(jù)檢測到的導(dǎo)通角信息進(jìn)行判斷并與參考標(biāo)準(zhǔn)相比較,當(dāng)導(dǎo)通角信息大于參考值時,使得流經(jīng)LED輸出電流變化較快,采用快速調(diào)光,當(dāng)導(dǎo)通角小于參考值時,使得流經(jīng)LED輸出電流變化較慢,采用慢速調(diào)光。

導(dǎo)通角切換參考電路包括PMOS管M19、M20、M21、M22、M23、M24、M25,NMOS管M26、M27,傳輸門T5,電容C6、C7,運(yùn)算放大器Amp6,電阻R10、R11、R12以及比較器Comp5,PMOS管M19柵端和PMOS管M20柵端互連并與PMOS管M21漏端及PMOS管M23源端連接,PMOS管M21柵端與M22管柵端互連并與PMOS管M23柵端、PMOS管M24柵端、PMOS管M25柵端以及PMOS管M24漏端和PMOS管M25源端連接在一起,PMOS管M25漏端接地,PMOS管M23管漏端連接PMOS管M24管源端,PMOS管M20漏端連接PMOS管M22管源端,PMOS管M22管漏端連接傳輸門T5輸入端、電容C6一端、比較器Comp6負(fù)輸入端以及NMOS管M26漏端,NMOS管M26源端接地,NMOS管M26柵端連接復(fù)位信號,電容C6另一端接地,傳輸門T5輸出連接運(yùn)算放大器Amp6正輸入端和電容C7一端,電容C7另一端接地,運(yùn)算放大器Amp6負(fù)輸入端連接NMOS管M27源端及電阻R11一端,電阻R11另一端連接電阻R12一端和比較器Comp5正輸入端,電阻R12另一端接地,比較器Comp5輸出即是導(dǎo)通角切換參考電路的輸出信號TRI_REF,上述電路結(jié)構(gòu)與導(dǎo)通角補(bǔ)償電路基本相同,只是去除了導(dǎo)通角補(bǔ)償電路中的或非門NOR1。

導(dǎo)通角切換電路包括D觸發(fā)器、反相器INV3、兩輸入與門AND1、AND2,兩輸入或門OR1,導(dǎo)通角切換參考電路輸出TRI_REF連接D觸發(fā)器輸入端,導(dǎo)通角檢測電路的輸出信號TRI經(jīng)反相器INV3連接到D觸發(fā)器時鐘端和連接到兩輸入與門AND2的一個輸入端,D觸發(fā)器的輸出Q連接兩輸入與門AND2的另一個輸入端,兩輸入與門AND2的輸出連接兩輸入或門OR1的一個輸入端,D觸發(fā)器的輸出Q非端連接兩輸入與門AND1的一個輸入端,導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的輸出信號連接兩輸入與門AND1的另一個輸入端,兩輸入與門AND1的輸出連接兩輸入或門OR1的另一個輸入端,兩輸入或門OR1輸出信號TRI_P,D觸發(fā)器的Q非端輸出信號TRI_C。

改進(jìn)后的下拉電流控制電路包括開關(guān)S4,下拉電流支路Ipull1,下拉電流支路Ipull2,開關(guān)S4在導(dǎo)通角切換電路輸出信號TRI_C控制下選通下拉電流支路Ipull1或下拉電流支路Ipull2,分別對應(yīng)兩段式調(diào)光中的快速調(diào)光和慢速調(diào)光,下拉電流支路Ipull1與Ipull2電路結(jié)構(gòu)相同,包括運(yùn)算放大器Amp7、NMOS管M28、電阻RP1和開關(guān)S5,輸出電流控制電路PMOS管M6漏端經(jīng)開關(guān)S5連接NMOS管M28漏端,NMOS管M28源端經(jīng)電阻RP1接地,NMOS管M28源端還反饋連接至運(yùn)算放大器Amp7的負(fù)輸入端,運(yùn)算放大器Amp7的正輸入端連接參考電壓VREF,運(yùn)算放大器Amp7輸出連接NMOS管M28的柵端,導(dǎo)通角切換電路的輸出信號TRI_P控制開關(guān)S5的導(dǎo)通與關(guān)斷。

可控硅調(diào)光控制系統(tǒng)的調(diào)光過程如下:

1)導(dǎo)通角檢測電路對經(jīng)過可控硅調(diào)光器整形后的母線電壓TRIAC信號,獲得可控硅導(dǎo)通角信息TRI;

2)導(dǎo)通角切換參考電路產(chǎn)生導(dǎo)通角判斷參考標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)通角檢測電路的輸出信號與導(dǎo)通角判斷參考標(biāo)準(zhǔn)相比較;

3)依據(jù)導(dǎo)通角信息與導(dǎo)通角判斷參考標(biāo)準(zhǔn)的比較結(jié)果,選通兩端式調(diào)光的慢速調(diào)光或快速調(diào)光;

4)選取快速調(diào)光,將檢測到的導(dǎo)通角信號增加25%的占空比并取反,作為調(diào)光下拉電路的控制信號,調(diào)光下拉電路的額定下拉電流為參考電流IREF的2.5倍;

5)選取慢速調(diào)光,將檢測到的導(dǎo)通角信號取反,直接控制下拉電流控制電路,下拉電流電路的額定下拉電流為參考電流IREF的1.25倍;

6)下拉電流控制電路及輸出電流控制電路確保在下拉電流控制信號不變時,輸出電流恒定;下拉電流控制信號變化時,控制輸出電流變化,實(shí)現(xiàn)LED亮度調(diào)節(jié)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及有益成果:

1)本發(fā)明通過功率因數(shù)校正(PFC),輸出電流控制等方式,確保LED驅(qū)動電路滿足高功率因數(shù),低諧波失真以及穩(wěn)定的恒流輸出等要求。

2)本發(fā)明通過對可控硅導(dǎo)通角進(jìn)行額外補(bǔ)償,實(shí)現(xiàn)LED亮度寬范圍可調(diào)。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角達(dá)到最大值時,流經(jīng)LED電流達(dá)到額定最大電流值;當(dāng)可控硅導(dǎo)通角達(dá)到最小值時,流經(jīng)LED電流達(dá)到最小值。

3)本發(fā)明通過對調(diào)光曲線分段實(shí)現(xiàn),且依據(jù)可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角大小,對快速調(diào)光與慢速調(diào)光進(jìn)行合理的切換,實(shí)現(xiàn)在整個調(diào)光角調(diào)節(jié)范圍內(nèi),LED的發(fā)光亮度相對比較均勻的變化。

4)本發(fā)明所采用的電路結(jié)構(gòu)簡單,易于控制,且制作成本低,因而具有很高的工程實(shí)用價值。

附圖說明

圖1是本發(fā)明用于LED亮度調(diào)節(jié)的可控硅調(diào)光控制系統(tǒng)原理圖;

圖2是本發(fā)明輸出電流估算電路原理圖;

圖3是本發(fā)明輸出電流控制電路原理圖;

圖4是本發(fā)明PFC邏輯控制電路原理圖;

圖5是本發(fā)明導(dǎo)通角檢測電路原理圖;

圖6是本發(fā)明導(dǎo)通角補(bǔ)償電路原理圖;

圖7是本發(fā)明調(diào)光下拉電流控制電路原理圖;

圖8是本發(fā)明補(bǔ)償可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角調(diào)光效果圖;

圖9是本發(fā)明兩段式調(diào)光效果圖;

圖10是本發(fā)明兩段式調(diào)光曲線參數(shù)設(shè)定圖;

圖11是本發(fā)明導(dǎo)通角切換參考信號電路原理圖;

圖12是本發(fā)明導(dǎo)通角切換電路原理圖;

圖13是本發(fā)明兩段式調(diào)光下拉電流控制電路原理圖;

圖14是本發(fā)明在不同輸入電壓下調(diào)光曲線特性。

具體實(shí)施方式

參看圖1,本發(fā)明可控硅調(diào)光控制系統(tǒng),包括由變壓器、NMOS管M1、原邊檢測電阻RCS和輔助繞組構(gòu)成的反激式變換器主拓?fù)淠K以及可控硅調(diào)光器、二極管整流橋、RCD吸收電路,其特征在于:增設(shè)PFC恒流基礎(chǔ)電路和調(diào)光控制電路,PFC恒流基礎(chǔ)電路包括輸出電流估算電路、輸出電流控制電路和PFC邏輯控制電路,調(diào)光控制電路包括導(dǎo)通角檢測電路、導(dǎo)通角補(bǔ)償電路和下拉電流控制電路;可控硅調(diào)光器對輸入母線電壓進(jìn)行斬波處理,經(jīng)二極管整流橋后,一方面連接到變壓器原邊繞組正端和RCD吸收電路中電阻的一端及電容的一端,電阻及電容的另一端連接二極管的負(fù)端,二極管的正端連接原邊繞組負(fù)端和NMOS管M1的漏端,NMOS管M1的源端經(jīng)原邊檢測電阻RCS接地,變壓器副邊繞組負(fù)端經(jīng)續(xù)流二極管D0連接LED串后接地,輸出電容Co并聯(lián)在LED兩端,另一方面,二極管整流電路輸出連接到導(dǎo)通角檢測電路,導(dǎo)通角檢測電路輸出經(jīng)導(dǎo)通角補(bǔ)償電路連接下拉電流控制電路,下拉電流控制電路輸出連接輸出電流控制電路,輸出電流控制電路的輸出VCOMP連接PFC邏輯控制電路的一個輸入端,與此同時,輔助繞組反饋電壓FB同樣連接PFC邏輯控制電路的另一個輸入端,PFC邏輯控制電路產(chǎn)生三個輸出,一個輸出連接NMOS管M1柵端,其余兩個輸出信號TON和TOFF連接輸出電流估算電路,原邊檢測電阻RCS與NMOS管M1源端的連接端亦連接輸出電流估算電路的輸入端,電流估算電路的輸出VCAL連接輸出電流控制電路。

參看圖2,輸出電流估算電路包括由傳輸門和電容構(gòu)成的采樣保持電路,由運(yùn)算放大器,MOSFET,電阻構(gòu)成的估算電路。經(jīng)輸出電流估算電路后,輸出電流IOUT與輸出電流估算電路的輸出信號之間建立線性關(guān)系??刂戚敵鲭娏鞴浪汶娐返妮敵鲂盘枺纯蓪敵鲭娏鬟M(jìn)行控制。CS為連接主拓?fù)涔β蔒OS管源端,RCS為原邊采樣電阻,TON為NMOS管M1開關(guān)周期的導(dǎo)通時間,TOFF為相應(yīng)的關(guān)斷時間。在NMOS管M1的一個開關(guān)周期中,當(dāng)M1導(dǎo)通時,變壓器原邊電流由零開始線性上升,原邊采樣電阻上的電壓通過傳輸門保持到電容C1上;當(dāng)M1關(guān)斷時,VCS_SH保持原邊采樣電阻上的峰值電壓,直到開關(guān)管下一次導(dǎo)通。VCS_CA通過一個電壓跟隨器跟隨VCS_SH電壓波形。VCS_CA信號通過兩個分別受TON,TOFF控制的開關(guān)進(jìn)行運(yùn)算,并經(jīng)過電容C2保持濾波后,得到輸出信號VCAL。

通過由導(dǎo)通時間與關(guān)斷時間控制的兩個MOS管及濾波電容C2,使得VCAL,滿足式(1)。

其中,VCS_P為單個開關(guān)周期內(nèi),原邊采樣電流的峰值,TOFF為開關(guān)管關(guān)斷時間,TON為開關(guān)管導(dǎo)通時間。根據(jù)原邊反饋控制的反激式變換器電路得出輸出電流滿足式(2)。

其中,N為變壓器原邊副邊匝數(shù)比,ICS_P為原邊峰值電流,RCS為原邊采樣電阻。結(jié)合式(1),(2)可得出式(3)。

因變壓器原邊副邊匝數(shù)比N與原邊采樣電阻RCS的比值N/RCS為一固定常數(shù)。由此可得,輸出電流IOUT與輸出電流估算電路的輸出電壓信號之間建立起線性關(guān)系,對VCAL進(jìn)行控制,即為對輸出電流IOUT進(jìn)行控制。

參看圖3,輸出電流控制電路包括運(yùn)算放大器,NMOS及電阻構(gòu)成的電壓電流轉(zhuǎn)換電路以及PMOS電流鏡電路。通過1:1的PMOS電流鏡將參考電流支路的參考電流精確復(fù)制到輸出支路。在輸出電流支路上,輸出電流,下拉電流以及參考電流滿足基爾霍夫電流定律。通過下拉電流及輸出電流估算電路產(chǎn)生的電壓控制信號控制輸出電流大小。通過1:1的PMOS電流鏡將左側(cè)支路的基準(zhǔn)電流精確拷貝到右側(cè)支路。右側(cè)支路中,COMP腳外接較大的補(bǔ)償電容,使得在系統(tǒng)狀態(tài)穩(wěn)定的情況下,COMP電壓保持相對恒定。左側(cè)電壓電流轉(zhuǎn)換支路中,VREF為芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓,通過運(yùn)算放大器,NMOS及電壓R構(gòu)成的電壓電流轉(zhuǎn)換電路,形成相應(yīng)的基準(zhǔn)電流IREF=VREF/R3;同理,右側(cè)電壓電流轉(zhuǎn)換支路中,I2=VCAL/R4,VCAL為輸出電流估算電路輸出信號,I2表征輸出電流的大小。電流Ipull為調(diào)光控制模塊的調(diào)光下拉電流,其大小受調(diào)光控制信號TRI_P的占空比控制。

IREF,I2,Ipull滿足基爾霍夫電流定律,使得三者電流滿足式(4)。

IREF=I2+Ipull (4)

通過前級輸出電流估算電路的控制,VCAL滿足式(5)。

其中RCS為原邊采樣電阻,N為變壓器原邊副邊匝數(shù)比,IOUT為輸出電流,VCAL為輸出電流估算電路輸出量。結(jié)合電壓電流轉(zhuǎn)換電路的原理,電流I2滿足式(6)。

其中,R4為輸出電流控制電路轉(zhuǎn)換電阻,VCAL為輸出電流估算電路輸出量,I2為輸出電流控制電路右側(cè)支路電流。

結(jié)合式(4),(5),(6)可知推出輸出電流滿足式(7)

式(7)中,IOUT為輸出電流,IREF為參考電流,Ipull為調(diào)光下拉電流,RCS為原邊采樣電阻,N為變壓器原邊副邊匝數(shù)比,R4為輸出電流控制電路轉(zhuǎn)換電阻,(N*R4)/RCS為恒定常數(shù)。

由此可知,在電路器件參數(shù)確定條件下,輸出電流的大小只與調(diào)光下拉電流的大小有關(guān),輸出電流隨著調(diào)光電流的增大而減小。在調(diào)光下拉電流保持不變的情況下,輸出電流保持恒定。調(diào)光下拉控制電流Ipull受可控硅導(dǎo)通角信號TRI控制,進(jìn)而通過控制可控硅導(dǎo)通角,改變Ipull電流的大小,從而調(diào)節(jié)LED電流,實(shí)現(xiàn)LED亮度調(diào)節(jié)。當(dāng)不調(diào)節(jié)可控硅調(diào)光器時,導(dǎo)通角信號保持不變,調(diào)光下拉電流保持不變,輸出電流保持恒定。

參看圖4,PFC邏輯控制電路控制系統(tǒng)工作于BCM模式下,且保證每個開關(guān)周期內(nèi),功率MOS管的導(dǎo)通時間恒定,從而提高系統(tǒng)功率因數(shù)。PFC邏輯控制電路包括由對電容充放電形成的鋸齒波發(fā)生電路,兩個比較器以及RS鎖存器。RS鎖存器為復(fù)位信號顯性的鎖存器,即當(dāng)S,R同時有效時輸出以R有效時計算,即當(dāng)S=1,R=1時,輸出Q=0。PFC邏輯控制電路利用主拓?fù)渥儔浩髟呺娏魃仙甭逝c線電壓呈正比關(guān)系,通過開關(guān)管的固定導(dǎo)通時間,實(shí)現(xiàn)原邊電流的峰值包絡(luò)呈現(xiàn)正弦特性,實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)。

PFC邏輯控制電路處理來自拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中輔助繞組上的電壓FB,輸出M1管的開關(guān)調(diào)制信號DRV。當(dāng)DRV為高電平時,Icharge電流對電容C3充電,電容電壓以固定斜率上升;當(dāng)電容電壓升至VCOMP電壓時,DRV_R信號為高電平,電容C3上的電壓進(jìn)行復(fù)位。當(dāng)DRV_R信號有效時,SR鎖存器輸出低電平,DRV=0,功率MOS管不導(dǎo)通。M1管不導(dǎo)通導(dǎo)致變壓器副邊繞組以一定的電壓消耗變壓器儲能,當(dāng)儲能耗盡時,輔助繞組端電壓急劇下降至負(fù)值,F(xiàn)B信號與零電平信號進(jìn)行比較,使得ZCD信號變成高電平,也即S=1,從而使得SR鎖存器的輸出Q=1,M1管重新開啟。如此循環(huán),控制系統(tǒng)工作在BCM工作模式,且當(dāng)VCOMP電壓保持不變時,由于鋸齒波上升斜率時刻保持一致,從而控制DRV的高電平時間保持一致。利用變壓器原邊電流上升斜率與線電壓呈正比的關(guān)系,通過固定開關(guān)管的導(dǎo)通時間固定,實(shí)現(xiàn)原邊電流的峰值包絡(luò)呈現(xiàn)出正弦特性實(shí)現(xiàn)較高的功率因數(shù)。

參看圖5,導(dǎo)通角檢測電路處理經(jīng)可控硅調(diào)光器斬波后的線電壓并得到其導(dǎo)通角信息。導(dǎo)通角檢測電路包括分壓電阻,傳輸門,比較器以及反相器。導(dǎo)通角檢測電路的輸入信號為經(jīng)過可控硅斬波后的線電壓即TRIAC電壓,TRIAC電壓經(jīng)電阻分壓后與參考電壓經(jīng)比較器比較后,經(jīng)反相器輸出可控硅導(dǎo)通角信息TRI。導(dǎo)通角檢測電路檢測經(jīng)可控硅斬波后的線電壓(TRIAC電壓)高于零電平的相位寬度,從而得到可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角信息。將TRIAC高壓信號經(jīng)過電阻比例分壓之后,與低電平電壓0.15V進(jìn)行比較,得出可控硅調(diào)光器的當(dāng)前導(dǎo)通相位;另一方面,為了屏蔽電平抖動對檢測準(zhǔn)確性的影響,采用0.15V~0.35V的窗口遲滯比較器。

當(dāng)V+電壓高于0.15V時,比較器輸出高電平,TR1為高電平,TR2為低電平,V-選擇0.35V電壓,TRI輸出高電平;當(dāng)V+電平低于0.15V時,比較器輸出零電平,TR1為低電平,TR2為高電平,TRI輸出零電平。由此可知,在V+電壓高于零電平期間,TRI輸出高電平,反之則輸出零電平。經(jīng)導(dǎo)通角檢測電路處理后,TRI信號能反映出TRIAC電壓信號的相位,即反映出可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角信息。

本發(fā)明中引入導(dǎo)通角補(bǔ)償方案,從而改善由可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角受限而引起的調(diào)光范圍受限的問題。DMIN為調(diào)光器最小導(dǎo)通角,DMAX為調(diào)光器最大導(dǎo)通角。補(bǔ)償方案的引入,使得當(dāng)導(dǎo)通角在最大值時,輸出電流達(dá)到額定值;當(dāng)導(dǎo)通角在最小值時,輸出電流達(dá)到最小值。如此,在有限的可控硅調(diào)光器的調(diào)節(jié)范圍內(nèi),能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流的全量程控制。不同的可控硅調(diào)光器生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的調(diào)光器的最大及最小導(dǎo)通角并不統(tǒng)一,一般而言,最大導(dǎo)通角為75%,最小導(dǎo)通角為20%,為使得本設(shè)計芯片能兼容大部分可控硅調(diào)光器,均能在調(diào)光器的調(diào)節(jié)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)滿量程調(diào)光,在設(shè)計過程中,令DMAX=75%,DMIN=20%。

參看圖6,導(dǎo)通角補(bǔ)償電路是提高可控硅調(diào)光范圍的核心電路,通過對導(dǎo)通角進(jìn)行額外的補(bǔ)償,以解決因可控硅導(dǎo)通角不能達(dá)到100%而引發(fā)的輸出電流無法達(dá)到最大輸出電流值的缺陷。導(dǎo)通角補(bǔ)償電路包括PMOS電流鏡,傳輸門與電壓跟隨器所組成的采樣/保持電路,比較器,或非門,單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,NMOS管以及電容等。PMOS電流鏡電路對電容進(jìn)行充電,由傳輸門與電壓跟隨器所組成的采樣保持電路對充電電容的兩端電壓進(jìn)行采樣處理。采樣處理輸出與充電電容電壓經(jīng)比較器后的輸出結(jié)果與可控硅導(dǎo)通角信息TRI經(jīng)或非門處理產(chǎn)生補(bǔ)償電路輸出。NMOS管在復(fù)位信號控制下實(shí)現(xiàn)電容電壓復(fù)位。在設(shè)計中,令可控硅調(diào)光器的最大導(dǎo)通角DMAX=75%,也即,當(dāng)檢測到導(dǎo)通角大于75%時,對導(dǎo)通角信號進(jìn)行額外的25%占空比補(bǔ)償后,強(qiáng)制補(bǔ)償后的導(dǎo)通角占空比為100%,使得輸出電流達(dá)到最大輸出電流,提高輸出電流的亮度調(diào)節(jié)范圍。在導(dǎo)通角補(bǔ)償電路中,左側(cè)Icharge電流經(jīng)過PMOS構(gòu)成的電流鏡對電容VC充電,由傳輸門與電壓跟隨器構(gòu)成的采樣保持電路對充電電容兩端電壓進(jìn)行采樣處理。NMOS管在Reset信號有效時,對VC電壓進(jìn)行復(fù)位。TRI信號經(jīng)過單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,在TRI的下降沿觸發(fā)得到短暫的脈沖信號Sample。Sample信號經(jīng)過單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,在Sample信號的下降沿觸發(fā)得到短暫的脈沖信號Reset。Sample與Reset信號用于控制采樣及復(fù)位。

在導(dǎo)通角補(bǔ)償電路中,Icharge電流為電容充電,在充電的過程中,VC電壓不斷升高,直到Reset信號有效,使得VC電壓復(fù)位為零。在Reset電壓有效之前,先使得Sample有效,將VC電壓的最大值存儲至采樣/保持模塊,得到峰值電壓VCP。VCP為VC上的峰值電壓,經(jīng)過電壓跟隨器及3:1的電阻比例分壓之后,得到VCP電壓的四分之一。VCP電壓的四分之一與VC電壓比較,其比較結(jié)果與TRI進(jìn)行與非操作,得到占空比即為TRI占空比增加25%之后并取反的結(jié)果。該信號即為經(jīng)導(dǎo)通角補(bǔ)償后的輸出信號。

參看圖7,調(diào)光下拉電流控制電路產(chǎn)生調(diào)光下拉電流,改變輸出電流大小,確保在可控硅調(diào)光器調(diào)節(jié)至最大導(dǎo)通角時,輸出電流達(dá)到最大值。在可控硅調(diào)光器調(diào)節(jié)至最小導(dǎo)通角時,輸出電流達(dá)到最小值。調(diào)光下拉電路控制電路依據(jù)不同的導(dǎo)通角,輸出不同的平均下拉電流,以實(shí)現(xiàn)對輸出電流的調(diào)節(jié)。下拉電流控制電路包括運(yùn)算放大器以及MOSFET組成電壓跟隨器,調(diào)光電阻。導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的輸出信號控制MOSFET漏端開關(guān),MOSFET源端連接調(diào)光電阻,調(diào)光電阻兩端電壓反饋至運(yùn)放負(fù)輸入端,運(yùn)放正輸入端連接控制下拉電路額定下拉電流的參考電壓。MOSFET漏源電流即為下拉電流控制電路控制下的下拉電流。調(diào)光下拉電流控制電路的運(yùn)算放大器與MOSFET組成電壓跟隨器結(jié)構(gòu),Rp為調(diào)光下拉電阻,VREF為控制下拉電路額定下拉電流的參考點(diǎn)電壓,為下拉電路占空比控制信號,Ipull為實(shí)際流過的平均下拉電流值。其中,額定下拉電流值為VREF/Rp,一般,令額定下拉電流值為參考電流IREF的K倍,通過調(diào)整不同的電阻Rp與不同的K值進(jìn)行一一對應(yīng)。

下拉電流的平均值通過額定下拉電流及下拉電流占空比控制信號共同控制,其大小如式(9)所示。

當(dāng)TRI信號占空比大于75%,即導(dǎo)通角大于75%時,TRI信號經(jīng)過補(bǔ)償后,得到控制下拉電流的占空比控制信號一直維持低電平,故此時,下拉電流為零,根據(jù)系統(tǒng)的恒流原理,此時,輸出電流達(dá)到最大值。

當(dāng)TRI信號占空比大于20%小于75%時,Ipull電流受到額定下拉電流及下拉電流占空比控制信號控制,根據(jù)不同的導(dǎo)通角,輸出不同的平均下拉電流,滿足系統(tǒng)恒流原理,以實(shí)現(xiàn)對輸出電流的調(diào)節(jié)。

當(dāng)TRI信號占空比小于20%時,要求此時輸出電流為零,也即此時的平均下拉電流等于參考電流。TRI信號經(jīng)過增加25%的占空比后,仍然必須保持在可控硅調(diào)光器在最小導(dǎo)通角的使得輸出電流為零。則,當(dāng)調(diào)光器調(diào)節(jié)至最小導(dǎo)通角時,滿足式(10)。

IREF=K·IREF·(1-(20%+25%)) (10)

式(10)中,IREF為參考電流,K·IREF為調(diào)光下拉電流的額定下拉電流值,等式右邊為平均下拉電流,等式左邊為參考電流,得出K=1.78。

故當(dāng)下拉電路的額定下拉電流為參考電流IREF的1.78倍時,當(dāng)導(dǎo)通角等于20%時,輸出電流為零,當(dāng)導(dǎo)通角小于20%時,輸出電流仍舊為零,滿足設(shè)計目標(biāo)。

參看圖8,本發(fā)明經(jīng)導(dǎo)通角補(bǔ)償后的調(diào)光效果示意圖如圖8所示。當(dāng)可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角達(dá)到最大值DMAX時,輸出電流達(dá)到額定值;當(dāng)可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角達(dá)到最小值DMIN時,輸出電流達(dá)到最小值;在有限的可控硅調(diào)光器的調(diào)節(jié)范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)輸出電流全量程控制。

對導(dǎo)通角補(bǔ)償電路進(jìn)行優(yōu)化,提出兩段式調(diào)光方案,即實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)通角大時,使得流過LED電流變化較快,進(jìn)行快速調(diào)節(jié),在導(dǎo)通角小時,使得流過LED電流變化較慢,進(jìn)行慢速調(diào)節(jié)。

參看圖9,兩段式調(diào)光效果示意圖如圖9所示。為保證調(diào)光控制電路對市場所售大部分可控硅調(diào)光器的兼容性,仍保證確定其最大導(dǎo)通角DMAX,最小導(dǎo)通角DMIN分別為75%與20%。當(dāng)導(dǎo)通角在50%-75%之間時,實(shí)現(xiàn)LED電流快速調(diào)節(jié);當(dāng)導(dǎo)通角在20%-50%時,實(shí)現(xiàn)LED電流慢速調(diào)節(jié)。為保證在整個調(diào)光亮度中,流過LED的電流與可控硅調(diào)光角的變化保持單調(diào)性,確定在快速與慢速調(diào)節(jié)的交點(diǎn)處,流過LED電流保持一致,即當(dāng)導(dǎo)通角為50%時,流過LED電流為其額定電流的37.5%。

參看圖10中,兩段式調(diào)光曲線參數(shù)設(shè)定圖如圖10所示。橫坐標(biāo)為可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角D,縱坐標(biāo)為流過LED電流占LED額定電流的比例,即IOUT/IRC。直線l1為快速調(diào)光曲線,過點(diǎn)(35%,0%)、(50%,37.5%)及(75%,100%),其直線方程可表示為式(11)。直線l2為慢速調(diào)光曲線,過點(diǎn)(20%,0%)、(50%,37.5%)及(100%,100%),其直線方程可表示為式(12)。

l1=2.5D-0.875;(0.5<D<0.75) (11)

l2=1.25D-0.25;(0.2<D<0.5) (12)

將式(11),式(12)進(jìn)行整理,得出LED輸出電流與可控硅導(dǎo)通角之間的關(guān)系如式(13)所示。

式(13)中,IOUT1為導(dǎo)通角在0.5~0.75之間時流過LED的輸出電流,IOUT2為導(dǎo)通角在0.2~0.5之間時流過LED的輸出電流,IRC為額定輸出電流。輸出電流與可控硅導(dǎo)通角之間關(guān)系如式(14)所示。

式(14)中,IOUT為調(diào)光角在0~0.2,0.75~1之間時,流過LED的輸出電流。

根據(jù)調(diào)光下拉電路原理可知,輸出電流與調(diào)光下拉電流滿足式(15)。

式(15)中,Ipull為調(diào)光下拉電流的大小,IREF為參考電流的大小,IOUT為流過LED的輸出電流,IRC為流過LED的額定電流,N為變壓器原邊副邊匝數(shù)比,RCS為原邊采樣電阻,Rp為調(diào)光下拉電路電阻。

可控硅導(dǎo)通角的變化引起調(diào)光下拉電流的變化,進(jìn)而引起流過LED的輸出電流的變化。故而,為滿足式(14)所示輸出電流與可控硅調(diào)光角之間的關(guān)系,只需調(diào)光下拉電流與可控硅調(diào)光角之間關(guān)系滿足式(16)。

式(16)中,Ipull1為導(dǎo)通角在0.5~0.75之間時的調(diào)光下拉電流大小,Ipull2為導(dǎo)通角在0.2-0.5之間時的調(diào)光下拉電流大小,Ipull為導(dǎo)通角在0~0.2,0.75~1之間時的調(diào)光下拉電流大小,IREF為參考電流大小,D為可控硅導(dǎo)通角,IRC為額定輸出電流。

將式(15),式(16)整理可得式(17)。

根據(jù)調(diào)光設(shè)計目標(biāo)可知,快速調(diào)光曲線l1經(jīng)過點(diǎn)(0.75,1)和(0.35,0),得到調(diào)光曲線l1線性方程,即式(18)。

l1=2.5·[1-(D+0.25)] (18)

l1調(diào)光曲線所對應(yīng)的調(diào)光下拉電流應(yīng)滿足式(19)。

Ipull1=2.5·[1-(D+0.25)]·IREF (19)

調(diào)光下拉電流控制電路對應(yīng)調(diào)光下拉電流滿足式(20)。

Ipull1=DTRI_P·K1·IREF (20)

其中,Ipull1為調(diào)光曲線l1下的調(diào)光下拉電流,DTRI_P為下拉電流控制信號占空比,K1·IREF為調(diào)光曲線l1對應(yīng)的額定下拉電流,IREF為參考電流大小。

結(jié)合式(19),式(20),只需使得DTRI_P=1-(D+25%),K1=2.5,即可滿足調(diào)光曲線l1的參數(shù)設(shè)定。此時,需滿足兩個對應(yīng)關(guān)系。第一,將檢測到的導(dǎo)通角信號增加25%的占空比并取反,作為調(diào)光下拉電路的控制信號;第二,調(diào)光下拉電路的額定下拉電流為參考電流IREF的2.5倍。

根據(jù)調(diào)光曲線設(shè)計目標(biāo)可知,慢速調(diào)光曲線l2經(jīng)過點(diǎn)(0.2,0)和(1,1),得到調(diào)光曲線l2線性方程,即式(21)。

l2=1.25·(1-D) (21)

l2調(diào)光曲線所對應(yīng)的調(diào)光下拉電流應(yīng)滿足式(22)。

Ipull2=1.25·(1-D)·IREF (22)

調(diào)光下拉電流控制電路對應(yīng)調(diào)光下拉電流滿足式(23)。

Ipull2=DTRI_P·K2·IREF (23)

其中Ipull2為調(diào)光曲線l2下的調(diào)光下拉電流,DTRI_P為下拉電流控制信號占空比,K2·IREF為調(diào)光曲線l2對應(yīng)的額定下拉電流,IREF為參考電流。

結(jié)合式(22),式(23)可知,只需使得DTRI_P=(1-D),K2=1.25即可滿足調(diào)光曲線l2的參數(shù)設(shè)定。此時,需滿足兩個對應(yīng)關(guān)系。第一,將導(dǎo)通角信號進(jìn)行取反,直接控制下拉電流控制電路;第二,下拉電流電路的額定下拉電流為參考電流IREF的1.25倍。

在實(shí)現(xiàn)調(diào)光曲線l1與調(diào)光曲線l2的設(shè)計之后,需要根據(jù)可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角,對兩條曲線的使用進(jìn)行合理的切換。兩條曲線的切換通過判斷可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角D是否大于50%來進(jìn)行控制。當(dāng)檢測到可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角D>50%時,采用調(diào)光曲線l1設(shè)置電路及參數(shù);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角D<50%時,采用調(diào)光曲線l2設(shè)置的電路及參數(shù)。調(diào)光曲線l1由導(dǎo)通角檢測模塊,+25%模塊,下拉電流(K1=2.5)模塊構(gòu)成。+25%模塊為導(dǎo)通角補(bǔ)償模塊,下拉電流(K1=2.5)為下拉電流控制模塊,其額定下拉電流設(shè)定為參考電流IREF的2.5倍。導(dǎo)通角檢測模塊檢測經(jīng)過可控硅調(diào)光器斬波之后的線電壓TRIAC,得出可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角信號TRI;TRI信號經(jīng)過+25%導(dǎo)通角補(bǔ)償模塊之后,將TRI信號的占空比增加25%,并對補(bǔ)償之后的信號取反,得到信號;最后信號控制調(diào)光角下拉電路中,輸出電流Ipull1占額定電流的比例。同理,調(diào)光曲線l2由導(dǎo)通角檢測模塊,INV模塊及下拉電流(K2=1.25)模塊構(gòu)成。INV為反相器將導(dǎo)通角信號TRI進(jìn)行反相得到信號,下拉電流(K2=1.25)為額定下拉電流為參考電流1.25倍IREF的調(diào)光下拉電路,信號控制下拉電流Ipull2占額定下拉電流的比例。

在兩段式調(diào)光方案中,調(diào)光曲線l1,l2需要判斷導(dǎo)通角D是否大于50%來進(jìn)行切換,因而需添加導(dǎo)通角D=50%參考電路及調(diào)光曲線切換電路。導(dǎo)通角D=50%參考電路為導(dǎo)通角切換參考信號。調(diào)光曲線切換電路,用于判斷當(dāng)前導(dǎo)通角是否大于50%,以決定選通下拉電流電路(K1=2.5)或下拉電流電路(K2=1.25),及選定下拉電流控制信號為或

在調(diào)光控制中,當(dāng)LED電流較大時,調(diào)節(jié)可控硅導(dǎo)通角引起的LED發(fā)光亮度變化不明顯;當(dāng)LED電流較小時,調(diào)節(jié)可控硅導(dǎo)通角引起的LED發(fā)光亮度變化明顯。為了在整個調(diào)光角控制范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)比較均勻的亮度調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)所述兩段式調(diào)光,即當(dāng)導(dǎo)通角比較大時,使得流過LED輸出電流變化較快,進(jìn)行快速調(diào)節(jié);當(dāng)導(dǎo)通角比較小時,使得流過LED輸出電流變化較慢,進(jìn)行慢速調(diào)節(jié),從而使得在整個調(diào)光范圍內(nèi)LED的發(fā)光亮度能夠?qū)崿F(xiàn)比較均勻的變化。

在所述兩段式調(diào)光控制電路中,增設(shè)導(dǎo)通角切換參考電路和導(dǎo)通角切換電路,改進(jìn)相應(yīng)的下拉電流控制電路。所述的導(dǎo)通角切換參考電路產(chǎn)生導(dǎo)通角切換參考信號,所述的導(dǎo)通角切換電路在實(shí)現(xiàn)了快速調(diào)光與慢速調(diào)光的設(shè)計之后,根據(jù)可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角信息,對快速調(diào)光與慢速調(diào)光進(jìn)行合理的切換??焖僬{(diào)光與慢速調(diào)光的切換通過判斷可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角D是否大于參考值來進(jìn)行控制。當(dāng)檢測到可控硅調(diào)光器的導(dǎo)通角D大于參考值時,依據(jù)快速調(diào)光來設(shè)置電路及參數(shù);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角D小于參考值時,依據(jù)慢速調(diào)光來設(shè)置電路及參數(shù)。

導(dǎo)通角切換參考信號電路原理圖如圖11所示。導(dǎo)通角切換參考電路包括PMOS管M19、M20、M21、M22、M23、M24、M25,NMOS管M26、M27,傳輸門T5,電容C6、C7,運(yùn)算放大器Amp6,電阻R10、R11、R12,比較器Comp5,或非門。M19管和M20管柵端互連,源端連接電源VDD,M21管的源端連接M19管漏端,M21管與M22管柵端互連,M20管漏端連接M22管源端,M19和M20的柵端連接M21漏端,M21漏端連接M23管源端,M23管漏端連接M24管源端,M24管漏端連接M25管源端,M25管漏端接地。M23管,M24管和M25管的柵端互連,M24管漏端連接M21管,M22管柵端。M22管漏端經(jīng)電容C6接地,且經(jīng)傳輸門T5接運(yùn)放Amp6正輸入端,運(yùn)放正輸入端經(jīng)電容C7接地,運(yùn)放輸出連接M27管柵端,M27管漏端經(jīng)電阻R10連接電源VDD,M27管源端反饋連接運(yùn)放Amp6的負(fù)輸入端,接分壓電阻R11、R12,電阻R12正端接比較器Comp5的正輸入端,電容C6正端接比較器Comp5負(fù)輸入端,M26管漏端接比較器Comp5負(fù)輸入端,源端接地,柵端連接復(fù)位信號。比較器輸出信號即為導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的輸出信號。

導(dǎo)通角切換參考信號電路,輸入導(dǎo)通角信號TRI,輸出導(dǎo)通角切換參考信號TRI_REF。導(dǎo)通角切換參考信號需要時刻保持與導(dǎo)通角信號TRI的頻率一致,起始相位保持相等,且保證其占空比為50%。

TRI經(jīng)過單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路,在TRI的下降沿觸發(fā)得到短暫的脈沖信號Sample。Sample信號經(jīng)過單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,在Sample信號的下降沿觸發(fā)得到短暫的脈沖信號Reset。Sample與Reset信號用于控制采樣及復(fù)位。Icharge電流對電容充電,使得VC電壓線性增加,VCP采樣電容VC上的峰值電壓并通過電壓跟隨器后進(jìn)行1:1電阻分壓,經(jīng)過1:1電阻分壓后的VCP與電壓VC比較,得出導(dǎo)通角基準(zhǔn)信號TRI_REF。

經(jīng)導(dǎo)通角切換參考信號電路后,能夠得到占空比為50%,與導(dǎo)通角信號TRI周期一致,相位一致的導(dǎo)通角切換參考信號TRI_REF。

根據(jù)調(diào)光曲線l1與調(diào)光曲線l2的設(shè)計要求,當(dāng)導(dǎo)通角大于0.5時,調(diào)光曲線l1工作,調(diào)光曲線l2不工作;當(dāng)導(dǎo)通角小于0.5時,調(diào)光曲線l2工作而調(diào)光曲線l1不工作。調(diào)光曲線l1與l2在下拉電流控制上存在兩點(diǎn)不同。第一,l1對應(yīng)調(diào)光下拉電流控制信號為導(dǎo)通角信號經(jīng)過25%補(bǔ)償后的反相信號而l2對應(yīng)的調(diào)光下拉電流控制信號為導(dǎo)通角信號直接取反信號未經(jīng)過25%補(bǔ)償;第二,l1對應(yīng)調(diào)光下拉電路額定下拉電流為參考電流IREF的2.5倍,而l2對應(yīng)的調(diào)光下拉電路額定下拉電流為參考電流IREF的1.25倍。

根據(jù)以上分析,導(dǎo)通角切換電路需對導(dǎo)通角是否大于50%進(jìn)行判斷,故導(dǎo)通角切換電路需要引入與導(dǎo)通角信號同周期且占空比為50%導(dǎo)通角切換參考信號。在整個調(diào)光角變換范圍內(nèi),進(jìn)行調(diào)光曲線l1,l2的選取,實(shí)際上就是對以下兩個參數(shù)進(jìn)行選取:

(1)下拉電流控制信號。當(dāng)D>50%時,下拉電流控制信號選取當(dāng)D<50%時,下拉電流控制信號為

(2)下拉電流電路。當(dāng)D>50%時,額定下拉電流為參考電流2.5倍IREF的下拉電流電路選通;當(dāng)D<50%時,額定下拉電流為參考電流1.25倍IREF的下拉電流電路選通.

導(dǎo)通角切換電路實(shí)現(xiàn)在D>50%時,選擇曲線l1;當(dāng)D<50%時,選擇曲線l2。在整個調(diào)光范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)兩段式調(diào)光。

參看圖12,導(dǎo)通角切換電路原理圖如圖12所示。導(dǎo)通角切換電路包括D觸發(fā)器,反相器INV3,兩輸入與門AND1、AND2,兩輸入或門OR1。TRI經(jīng)反相器INV3連接到D觸發(fā)器時鐘,且連接到AND2的輸入端,D觸發(fā)器的輸出Q也連接AND2的輸入端,AND2的輸出連接OR1的輸入,D觸發(fā)器的輸出(Q非)連接AND1的輸入,導(dǎo)通角補(bǔ)償電路輸出連接與門AND1的輸入,與門AND1的輸出連接OR1的輸入?;蚍情TOR1輸出TRI_P。D觸發(fā)器的輸出(Q非)輸出TRI_C。

導(dǎo)通角切換電路為一個以D觸發(fā)器為核心的邏輯信號處理電路,處理TRI,TRI_REF及這三個信號。為經(jīng)過+25%補(bǔ)償電路后的導(dǎo)通角補(bǔ)償信號,TRI_REF為導(dǎo)通角切換參考電路產(chǎn)生的導(dǎo)通角切換參考信號,TRI為導(dǎo)通角信號。導(dǎo)通角切換電路輸出下拉電流支路選通信號TRI_C及下拉電流控制信號TRI_P。TRI_C及TRI_P這兩個導(dǎo)通角切換電路輸出信號,用于控制調(diào)光曲線兩個參數(shù)的選取,控制調(diào)光曲線在l1,l2之間切換。

TRI反向作為D觸發(fā)器時鐘,TRI_REF為D觸發(fā)器信號輸入。當(dāng)導(dǎo)通角大于50%時,D觸發(fā)器輸出TRI_C為高電平“1”,進(jìn)行快速調(diào)光,選通Ipull1下拉電流支路,TRI_P信號與導(dǎo)通角補(bǔ)償信號TRI_COM保持一致,DTRI_P=1-(D+25%);當(dāng)導(dǎo)通角小于50%時,D觸發(fā)器輸出TRI_C為低電平“0”,進(jìn)行慢速調(diào)光,選通Ipull2下拉電流支路,TRI_P與TRI的反相信號保持一致,DTRI_P=1-D。其中,DTRI_P為TRI_P信號的占空比,D為導(dǎo)通角TRI信號的占空比。鑒于快速調(diào)光曲線l1,與慢速調(diào)光曲線l2對下拉電流支路參數(shù)的不同要求,設(shè)定兩條下拉電流支路,分別滿足下拉電流(K1=2.5)與下拉電流(K2=1.25)的要求。

參看圖13,兩段式調(diào)光下拉電流電路原理圖如圖13所示。調(diào)光下拉電流電路包括開關(guān)S4,下拉電流電路Ipull1,下拉電流支路Ipull2,下拉電流支路包括運(yùn)算放大器Amp7,NMOS管M28,電阻RP1和開關(guān)S5。輸出電流控制電路PMOS管M6漏端經(jīng)開關(guān)S5連接M28管漏端,M28管源端經(jīng)電阻RP1接地。M28管源端反饋連接至運(yùn)放Amp7的負(fù)輸入端,運(yùn)放Amp7的正輸入端連接參考電壓VREF,運(yùn)放Amp7輸出連接M28的柵端。導(dǎo)通角補(bǔ)償電路的輸出信號控制開關(guān)S5的導(dǎo)通與關(guān)斷。

Ipull1為快速調(diào)光曲線l1對應(yīng)下拉電流,Ipull2為慢速調(diào)光曲線l2對應(yīng)下拉電流,TRI_C為下拉電流選通信號,當(dāng)TRI_C=1時,選通Ipull1電流,Ipull=Ipull1;當(dāng)TRI_C=0時,選通Ipull2電流,Ipull=Ipull2。Ipull1,Ipull2電流大小受控制信號TRI_P的占空比調(diào)節(jié),Ipull為流入恒流系統(tǒng)的下拉電流。

下拉電流的支路電路原理圖如圖右邊所示,額定下拉電流大小由VREF/Rp來決定,其中,VREF為下拉電流電路參考電壓,Rp為下拉電流電路對應(yīng)的下拉電阻。令Rp1為下拉電流(K1=2.5)下拉支路對應(yīng)的下拉電阻,Rp2為下拉電流(K2=1.25)下拉支路對應(yīng)的下拉電阻,則:

式(24),式(25)中,VREF為調(diào)光下拉電流的參考電壓,IREF為系統(tǒng)的參考電流。

此時,當(dāng)D>50%時,TRI_C=1,Ipull1支路選通,則下拉電流滿足式(26)。

當(dāng)D<50%時,TRI_C=0,Ipull2支路選通,則下拉電流滿足式(27)。

如此,則滿足式(28)。

如此,即可完成優(yōu)化設(shè)定的兩段式調(diào)光方案。

本發(fā)明在驅(qū)動電路中采用兩段式調(diào)光方案,當(dāng)可控硅調(diào)光器調(diào)至最大導(dǎo)通角時,其最大調(diào)光電流IMAX能達(dá)到額定電流IRC,使得電流比IMAX/IRC接近100%。另一方面,通過對調(diào)光下拉電路進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化,使得當(dāng)可控硅調(diào)光器調(diào)至最小導(dǎo)通角時,其最小調(diào)光電流為零,從而使得其調(diào)光比小于1%。本發(fā)明LED驅(qū)動電路與同類型小功率可調(diào)光LED驅(qū)動電路相比,具有更寬的亮度調(diào)節(jié)范圍。

參看圖14,輸入電壓分別為90V/60Hz,110V/60Hz,120V/60Hz,132V/60Hz情況下的調(diào)光曲線如圖14所示。當(dāng)導(dǎo)通角大于75%時,輸出電流均能達(dá)到額定電流500mA附近,最小調(diào)光電流均能達(dá)到零,在0%-75%調(diào)光區(qū)間均能呈現(xiàn)兩段式調(diào)節(jié)。在較大調(diào)光電流時調(diào)節(jié)較快,在較小調(diào)光電流時調(diào)節(jié)較慢,滿足兩段式調(diào)光的目標(biāo)。在相同的導(dǎo)通角下,輸入電壓不同,對應(yīng)的輸出電流存在少許的波動。整體而言均能滿足調(diào)節(jié)范圍寬,兩段式調(diào)光的目標(biāo)。

本發(fā)明實(shí)例達(dá)到以下效果:

效率η:76%

功率因數(shù)PF:0.995

額定電流IRC:510mA

最大調(diào)光電流IMAX:516mA

最小調(diào)光電流IMIN:0

電流比IMAX/IRC:100%

調(diào)光比IMIN/IMAX:1%。

當(dāng)前第1頁1 2 3 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1
北碚区| 尼玛县| 南宁市| 阳西县| 海淀区| 武安市| 东莞市| 林芝县| 锡林郭勒盟| 宁陕县| 武义县| 仁寿县| 通辽市| 漳平市| 田林县| 饶平县| 漾濞| 石渠县| 浦北县| 泉州市| 英吉沙县| 喀喇沁旗| 沙洋县| 万荣县| 寿光市| 清水河县| 治多县| 扶沟县| 崇左市| 郑州市| 那曲县| 九寨沟县| 杭锦后旗| 岱山县| 理塘县| 迁西县| 无棣县| 沂源县| 扶绥县| 沙洋县| 尤溪县|