本發(fā)明涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高功率因數(shù)線性恒流LED芯片。

背景技術(shù)：

LED芯片是LED燈的核心組件，也就是指的P-N結(jié)。其主要功能是：把電能轉(zhuǎn)化為光能，芯片的主要材料為單晶硅。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)P-N結(jié)。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長(zhǎng)也就是光的顏色，是由形成P-N結(jié)的材料決定的。

在AC/DC或DC/DC轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源的控制中，為了提高轉(zhuǎn)換效率，通常采用同步整流控制技術(shù)。對(duì)同步整流開(kāi)關(guān)器件如NMOSFET的控制需要和一個(gè)負(fù)電壓進(jìn)行比較。實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，通常把負(fù)電壓轉(zhuǎn)換成大于零的正電壓。但由于集成電路工藝誤差，同步整流器件關(guān)斷的比較早，達(dá)不到效率最佳化的目的。

本發(fā)明提出一種具有顯著提升的高功率因數(shù)線性恒流LED芯片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高功率因數(shù)線性恒流LED芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項(xiàng)缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下的技術(shù)方案：一種高功率因數(shù)線性恒流LED芯片，包括芯片本身，所述芯片有1-8引腳，所述1腳連接有設(shè)在芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器1和運(yùn)算放大器2的負(fù)相輸入管，所述2腳連接有所述運(yùn)算放大器2的輸出端和設(shè)在芯片內(nèi)的控制器，所述3腳連接有所述控制器，控制器的另一端還分別連接有負(fù)電壓比較器和接地，所述4腳連接有設(shè)在芯片內(nèi)的濾波器，所述濾波器連接有所述負(fù)電壓比較器，所述5腳連接有設(shè)在芯片內(nèi)的上/下鉗位器和運(yùn)算放大器3的負(fù)相輸入端，所述運(yùn)算放大器3內(nèi)含有施密特觸發(fā)器，所述6腳連接有地和通過(guò)MOS管連接有設(shè)在芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器4的接地端，所述7腳分別通過(guò)三極管和MOS管連接有所述運(yùn)算放大器4的電源端和接地端，運(yùn)算放大器4的輸入端連接有所述濾波器，所述8腳分別通過(guò)穩(wěn)壓管接地和連接有設(shè)在芯片內(nèi)的穩(wěn)壓器。

優(yōu)選的，所述運(yùn)算放大器1內(nèi)含有施密特觸發(fā)器，且輸出端為放電端，所述運(yùn)算放大器2的正相輸入端連接有所述穩(wěn)壓器，所述穩(wěn)壓器還連接有設(shè)在所述芯片內(nèi)的內(nèi)部電源。

優(yōu)選的，所述運(yùn)算放大器2還連接有設(shè)在所述芯片內(nèi)的過(guò)電壓偵測(cè)器，所述過(guò)電壓偵測(cè)器連接有設(shè)在芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器6的輸入端，所述運(yùn)算放大器6內(nèi)含有施密特觸發(fā)器。

優(yōu)選的，所述運(yùn)算放大器3的輸出端和設(shè)在所述芯片內(nèi)的啟動(dòng)器連接有一個(gè)二輸入或門(mén)，所述二輸入或門(mén)的輸入端連接有設(shè)在芯片內(nèi)的RS觸發(fā)器，所述RS觸發(fā)器還連接有所述負(fù)電壓比較器。

優(yōu)選的，所述MOS管外還串聯(lián)有二極管構(gòu)成的支路。

優(yōu)選的，所述8腳還通過(guò)電阻Ⅰ連接有設(shè)在所述芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器5的負(fù)相輸入端，運(yùn)算放大器5內(nèi)含有施密特觸發(fā)器，電阻I還通過(guò)電阻Ⅱ接地。

優(yōu)選的，所述過(guò)電壓偵測(cè)器的另一條支路、運(yùn)算放大器5的輸出端、運(yùn)算放大器6的輸出端連接有一個(gè)四輸入或非門(mén)，所述四輸入或非門(mén)的輸出端和RS觸發(fā)器的另一端通過(guò)通過(guò)一個(gè)二輸入與門(mén)連接有所述運(yùn)算放大器4的輸入端，所述RS觸發(fā)器連接有所述二輸入與門(mén)的支路上還設(shè)有一條支路連接有所述啟動(dòng)器，四輸入或非門(mén)的另一個(gè)輸入口為放電端。

采用以上技術(shù)方案的有益效果是：應(yīng)用于功率因素調(diào)節(jié)控制AD/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的本芯片，本發(fā)明是交流/直流轉(zhuǎn)換LED照明驅(qū)動(dòng)電源的核心部件智能控制器芯片、節(jié)能電源模塊以及低壓低功耗直流/直流轉(zhuǎn)換電源管理電路。控制器芯片廣泛應(yīng)用于中小功率范圍的各類高頻開(kāi)關(guān)電源模塊，如手機(jī)充電電源、手提電腦電源、液晶電視電源、有關(guān)家用電器電源以及LED照明等多種應(yīng)用場(chǎng)合。當(dāng)用于LED照明控制時(shí)，芯片的功能是實(shí)施對(duì)電源的開(kāi)關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)、達(dá)到降低待機(jī)功耗、提高電源轉(zhuǎn)換效率和保持在所需輸出電壓變化范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)恒流輸出，而且本發(fā)明的比起普通LED芯片靈敏度更高，且啟動(dòng)電流和靜態(tài)電流比較低。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的電路原理圖。

圖2是本發(fā)明中負(fù)電壓比較器的電路原理圖。

圖3是本發(fā)明具體的應(yīng)用電路的電路原理圖。

其中，1-運(yùn)算放大器Ⅰ，21-電阻R1，202-電阻R2，203-電阻R3，204-電阻R4，205-電阻R5，206-電阻R6，207-電阻R7，208-電阻R8，301-MOS管0，302-MOS管1，303-MOS管2，304-MOS管3，305-MOS管4，306-MOS管5，307-MOS管6，4-電流源I0，5-220V輸出交流電源,6-整流橋，601-上行輸入端，602-下行輸入端，603-輸出端，604-中間輸入端，701-運(yùn)算放大器1，702-運(yùn)算放大器2，703-運(yùn)算放大器3，704-運(yùn)算放大器4，705-運(yùn)算放大器5,706-運(yùn)算放大器6,801-電阻Ⅰ，802-電阻Ⅱ，9-控制器,10-負(fù)電壓比較器,11-穩(wěn)壓管,12-濾波器,13-上/下鉗位器,14-三極管，15-MOS管,16-穩(wěn)壓器,17-內(nèi)部電源,18-過(guò)電壓偵測(cè)器,19-啟動(dòng)器，20二輸入或門(mén)，21-RS觸發(fā)器，22-二極管，23-四輸入或非門(mén),24-二輸入與門(mén)，25-變壓器，2601-R1電阻，2602-R2電阻，2603-R3電阻，2604-電阻R4，2605-R5電阻，2606-R6電阻，2607-R7電阻，2608-R8電阻，2609-R9電阻，2610-R10A電阻，2611-R10B電阻，2612-R11電阻，2613-R12電阻R，2614-R13A電阻，2615-R13B電阻，2701-C1電容，2702-C2電容，2703-C3電容，2704-C4電容，2705-C5電容，2706-C6電容,2801-D1二極管，2802-D2二極管,29-LED燈組，30-MOS管Ⅰ，31-熱敏電阻。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明高功率因數(shù)線性恒流LED芯片的具體實(shí)施方式。

實(shí)施例1

圖1出示本發(fā)明高功率因數(shù)線性恒流LED芯片的具體實(shí)施方式：一種高功率因數(shù)線性恒流LED芯片，包括芯片本身，所述芯片有1-8引腳，所述1腳連接有設(shè)在芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器1 701和運(yùn)算放大器2 702的負(fù)相輸入管，運(yùn)算放大器1 701和運(yùn)算放大器2 702構(gòu)成了1腳的誤差放大器反相輸入端。所述2腳連接有所述運(yùn)算放大器2 702的輸出端和設(shè)在芯片內(nèi)的控制器9，控制器9的作用為乘數(shù)和THD多路輸入優(yōu)化，形成了補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)置。所述3腳連接有所述控制器9，控制器9的另一端還分別連接有負(fù)電壓比較器10和通過(guò)接地，所述4腳連接有設(shè)在芯片內(nèi)的濾波器12，濾波器12主要是脈沖上升邊緣遮沒(méi)。所述濾波器12連接有所述負(fù)電壓比較器10，所述5腳連接有設(shè)在芯片內(nèi)的上/下鉗位器13和運(yùn)算放大器3 703的負(fù)相輸入端，所述運(yùn)算放大器3 703內(nèi)含有施密特觸發(fā)器，所述6腳連接有地和通過(guò)MOS管15連接有設(shè)在芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器4 704的接地端，所述7腳分別通過(guò)三極管14和MOS管15連接有所述運(yùn)算放大器4 704的電源端和接地端，運(yùn)算放大器4 704的輸入端連接有所述濾波器12，所述8腳分別通過(guò)穩(wěn)壓管11接地和連接有設(shè)在芯片內(nèi)的穩(wěn)壓器16。

在本實(shí)施例中，所述運(yùn)算放大器1 701內(nèi)含有施密特觸發(fā)器，且輸出端為放電端，所述運(yùn)算放大器2 702的正相輸入端連接有所述穩(wěn)壓器16，所述穩(wěn)壓器16還連接有設(shè)在所述芯片內(nèi)的內(nèi)部電源17。

在本實(shí)施例中，所述運(yùn)算放大器2 702還連接有設(shè)在所述芯片內(nèi)的過(guò)電壓偵測(cè)器18，所述過(guò)電壓偵測(cè)器18連接有設(shè)在芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器6 706的輸入端，所述運(yùn)算放大器6 706內(nèi)含有施密特觸發(fā)器。

在本實(shí)施例中，所述運(yùn)算放大器3 703的輸出端和設(shè)在所述芯片內(nèi)的啟動(dòng)器19連接有一個(gè)二輸入或門(mén)20，所述二輸入或門(mén)20的輸入端連接有設(shè)在芯片內(nèi)的RS觸發(fā)器21，所述RS觸發(fā)器21還連接有所述負(fù)電壓比較器10。

在本實(shí)施例中，所述MOS管15外還串聯(lián)由二極管22構(gòu)成的支路。

在本實(shí)施例中，所述8腳還通過(guò)電阻Ⅰ801連接有設(shè)在所述芯片內(nèi)的運(yùn)算放大器5 705的負(fù)相輸入端，運(yùn)算放大器5 705內(nèi)含有施密特觸發(fā)器，電阻I 801還通過(guò)電阻2 802接地。

在本實(shí)施例中，所述過(guò)電壓偵測(cè)器18的另一條支路、運(yùn)算放大器5 705的輸出端、運(yùn)算放大器6 706的輸出端連接有一個(gè)四輸入或非門(mén)23，所述四輸入或非門(mén)23的輸出端和RS觸發(fā)器21的另一端通過(guò)通過(guò)一個(gè)二輸入與門(mén)24連接有所述運(yùn)算放大器4 704的輸入端，所述RS觸發(fā)器21連接有所述二輸入與門(mén)24的支路上還設(shè)有一條支路連接有所述啟動(dòng)器19，四輸入或非門(mén)23的另一個(gè)輸入口為放電端。RS觸發(fā)器21可作為啟動(dòng)器的啟動(dòng)源頭，過(guò)電壓偵測(cè)器18連接有運(yùn)算放大器6 706的一端為動(dòng)態(tài)過(guò)電壓保護(hù)(DYN OVP)，另一端借由四輸入或非門(mén)23的為STAT過(guò)電壓保護(hù)(STAT OVP)。

本發(fā)明芯片的1腳為誤差放大器的反相輸入口，2腳為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)置改叫和1腳端之間，3腳為乘法器輸入管，4腳為電流傳感器輸入決定MOSET源引腳，5腳為零電流檢測(cè)，6腳為接地端，7腳為柵極驅(qū)動(dòng)脈沖輸出，8腳為電源電壓輸入。

通過(guò)內(nèi)部的負(fù)電壓比較器10，本芯片靈敏度更高，且啟動(dòng)電流和靜態(tài)電流更低。

實(shí)施例2

圖2出示本發(fā)明高功率因數(shù)線性恒流LED芯片內(nèi)的伏電壓比較器的具體實(shí)施方式：一種負(fù)電壓比較器，包括運(yùn)算放大器Ⅰ1、多個(gè)電阻和多個(gè)MOS管，所述運(yùn)算放大器的Ⅰ1正相輸入端通過(guò)電阻R8 208、電阻R3 203耦接至地端GND，所述電阻R8 208和電阻R3 203為并聯(lián)關(guān)系；運(yùn)算放大器Ⅰ1的負(fù)相輸入管通過(guò)電阻R7 207、電阻R4 204耦接至地端GND；正相輸入端通過(guò)依次串聯(lián)的MOS管6 307、電阻R6 206和MOS管2 303耦接至操作電壓VDD，正相輸入管還通過(guò)依次串聯(lián)的MOS管3 304、電阻1 201、MOS管1 301耦接至操作電壓VDD，所述MOS管3 304耦接至基準(zhǔn)電壓Vref，所述MOS管6 307耦接至反饋電壓Vfb。

在本實(shí)施例中，所述電阻R6 206處還設(shè)有與電阻R6 206并聯(lián)的依次串聯(lián)電阻R5 205和MOS管5 306連接有所述電阻R4 204和電阻R7 207。

在本實(shí)施例中，所述電阻R1 201處還設(shè)有與電阻R1 201并聯(lián)的依次串聯(lián)電阻R5 205和MOS管4 305連接有所述電阻R4 204和電阻R7 207。

在本實(shí)施例中，所述MOS管4 305和MOS管5 306相互連接，并耦接至地端GND。

在本實(shí)施例中，所述操作電壓VDD處還耦接有依次串聯(lián)的MOS管0 301和電流源I0 4，所述MOS管0 301、MOS管1 302、MOS管2 303相互并連，即MOS管1 302和MOS管2 303耦接至所述電流源I0 4。

在本實(shí)施例中，所述電阻RI 201、電阻R2 202、電阻R5 205、電阻R6 206的阻值均相同。

在本實(shí)施例中，所述電阻R3 203、電阻R4 204的阻值均相同，且數(shù)值為RI 201或電阻R2 202或電阻R5 205或電阻R6 206的阻值的m倍。

在本實(shí)施例中，所述MOS管0 301、MOS管1 302、MOS管2 303、MOS管3 34、MOS管4 305、MOS管5 306和MOS管6 307的型號(hào)均相同。

IR1＝[V1-(Vref1+Vt)]/R1 (1)

IR2＝(V1-Vt)/R2 (2)

IR5＝(V2-Vt)/R5 (3)

IR6＝[V2-(Vfb+Vt)]/R6 (4)

如果電阻R1＝電阻R2＝電阻R5＝電阻R6＝R，

V3＝(IR1+IR6)R3＝[V1+V2-2Vt-(Vref+Vfb)]R3/R (5)

V4＝(IR2+IR5)R4＝(V1+V2-2Vt)R4/R (6)

如果R3＝R4＝mR，那么，

V3＝m[V1+V2-2Vt-(Vref+Vfb)] (7)

V4＝m(V1+V2-2Vt) (8)

比較(7)和(8)可知，當(dāng)(Vref+Vfb)>0時(shí)，V3<V4，(Vref+Vfb)<0時(shí)，V3>V4，也即：Vfb>-Vref時(shí)，V3<V4，運(yùn)算放大器11的輸出端Vout輸出低電平；Vfb<-Vref時(shí)，V3>V4，運(yùn)算放大器Ⅰ1的輸出端Vout輸出高電平。

如果設(shè)置Vref＝0.1V，那么，當(dāng)Vfb<-0.1V時(shí)，運(yùn)算放大器Ⅰ1的輸出端Vout輸出高電平，Vfb>-0.1V時(shí)，運(yùn)算放大器Ⅰ1的輸出端Vout輸出低電平。即反饋電壓Vfb和一個(gè)負(fù)電壓進(jìn)行比較來(lái)決定運(yùn)算放大器Ⅰ1的輸出端Vout的輸出電平。由于集成電路工藝能夠保證反饋電壓Vref的精度，因此，本發(fā)明具有較好的改善同步整流開(kāi)關(guān)器件轉(zhuǎn)換效率的特點(diǎn)。

基于上述，本發(fā)明結(jié)構(gòu)高功率因數(shù)線性恒流LED芯片與現(xiàn)有技術(shù)相比有益效果為：提出了一種直接比較的高功率因數(shù)線性恒流LED芯片，無(wú)需將負(fù)電壓轉(zhuǎn)換成正電壓，在AC/DC或DC/DC轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源的控制中，可以提高轉(zhuǎn)換效率；應(yīng)用到本發(fā)明高功率因數(shù)線性恒流LED芯片的芯片靈敏度高，同時(shí)啟動(dòng)電壓和靜太電流比普通芯片要低。

實(shí)施例3

現(xiàn)結(jié)合具體的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)闡述本發(fā)明的具體典型運(yùn)用，如圖3，包括220V輸出交流電源5，所述220V輸出交流電源5的一個(gè)輸出端連向一個(gè)整流橋6的上行輸入端601，所述220V輸出交流電源5的另一個(gè)輸出端連向一個(gè)整流橋6的下行輸入端602，所述整流橋6的輸出端63通過(guò)一個(gè)串聯(lián)的變壓器Ⅰ25和R6電阻266連向本發(fā)明芯片的5腳，所述變壓器25的輸出端還依次通過(guò)R7電阻2607、C5電容2705和D1二極管2801連向本發(fā)明芯片的8腳，所述D1二極管2801的輸出端還依次通過(guò)R5電阻2605、R4電阻2604、R3電阻2603以及R2電阻2602連向本發(fā)明的3腳，本發(fā)明的1腳和2腳之間并聯(lián)一個(gè)C7電容2707，且總的輸出連向LED燈組29，本發(fā)明的7腳依次通過(guò)R9電阻2909、MOS管Ⅱ30、D2二極管2802以及熱敏電阻31連向LED燈組29,本發(fā)明的8腳還通過(guò)相互并聯(lián)的C3電容2703和C4電容2704接回整流橋6的中間輸入端604，所述R5電阻2605和D1二極管2801連接有所述相互并聯(lián)的C3電容2703和C4電容2704。

在本實(shí)施例中，所述LED燈組29的輸出端接回整流橋6的中間輸入端604，所述R2電阻2602的輸出端還通過(guò)一個(gè)R3電阻2603接回整流橋6的中間輸入端604，所述R3電阻2603外并聯(lián)一個(gè)C2電容2702，所述整流橋6的輸出端63和中間輸入端604外并聯(lián)一個(gè)C1電容2701。

在本實(shí)施例中，所述C7電容2707外還并聯(lián)一條由C6電容2706和R8電阻2608構(gòu)成的串聯(lián)支路。

在本實(shí)施例中，所述LED燈組29外并聯(lián)有由R11電阻2612和R12電阻2613構(gòu)成的串聯(lián)支路，所述R12電阻2613之后還連接有由R13A電阻2614和R13B電阻2615構(gòu)成的并聯(lián)支路，所述R12電阻2613還連接有C7電容2707和R8電阻2608。

在本實(shí)施例中，本發(fā)明芯片的4腳通過(guò)相互并聯(lián)的R10A電阻2610和R10B電阻2611連接有所述LED燈組29，所述MOS管Ⅱ30連接有所述相互并聯(lián)的R10A電阻2610和R10B電阻2611。

綜合上述，本發(fā)明高功率因數(shù)線性恒流LED芯片應(yīng)用于功率因素調(diào)節(jié)控制AD/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的本芯片，本發(fā)明是交流/直流轉(zhuǎn)換LED照明驅(qū)動(dòng)電源的核心部件智能控制器芯片、節(jié)能電源模塊以及低壓低功耗直流/直流轉(zhuǎn)換電源管理電路?？刂破餍酒瑥V泛應(yīng)用于中小功率范圍的各類高頻開(kāi)關(guān)電源模塊，如手機(jī)充電電源、手提電腦電源、液晶電視電源、有關(guān)家用電器電源以及LED照明等多種應(yīng)用場(chǎng)合。當(dāng)用于LED照明控制時(shí)，芯片的功能是實(shí)施對(duì)電源的開(kāi)關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)、達(dá)到降低待機(jī)功耗、提高電源轉(zhuǎn)換效率和保持在所需輸出電壓變化范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)恒流輸出，而且本發(fā)明的比起普通LED芯片靈敏度更高，且啟動(dòng)電流和靜態(tài)電流比較低。

以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。