技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種晶體振蕩器和包括該晶體振蕩器的晶體振蕩器封裝件。

背景技術(shù)：

通常，晶體振蕩器具有諸如頻率振蕩器、頻率調(diào)節(jié)器和頻率轉(zhuǎn)換器等的各種應(yīng)用。這樣的晶體振蕩器通常使用具有良好壓電特性的晶體作為壓電材料。這里，晶體用作穩(wěn)定的機(jī)械振動(dòng)發(fā)生器。

這樣的晶體在高壓釜中人工生長(zhǎng)，并基于晶體軸進(jìn)行切割，晶體的尺寸和形狀可以被加工成提供期望的特性，從而以晶圓形式來(lái)制造晶體。這里，晶體應(yīng)該形成為具有低相位噪聲、高品質(zhì)(Q)值并相對(duì)于時(shí)間和環(huán)境變化具有低頻率變化率。這里，Q值表示諧振器、濾波器或振蕩器等中的波段選擇特性，Q值越高，振蕩器的頻率選擇特性越好。

同時(shí)，晶體振蕩器會(huì)存在可能發(fā)生彎曲振動(dòng)等的不必要的振動(dòng)的問(wèn)題。在這種情況下，Q值會(huì)減小，晶體阻抗(CI)增大，從而會(huì)劣化振蕩器的特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的一個(gè)方面可以提供一種通過(guò)顯著地減小彎曲振動(dòng)或者將彎曲振動(dòng)諧振頻率從工作頻率范圍變換到工作頻率范圍之外而具有改善的振動(dòng)特性的晶體振蕩器和包括該晶體振蕩器的晶體振蕩器封裝件。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種晶體振蕩器可以包括晶體構(gòu)件、分別形成在晶體構(gòu)件的兩個(gè)表面上的激發(fā)電極和形成在激發(fā)電極上的至少一個(gè)彎曲振動(dòng)抑制部。

彎曲振動(dòng)抑制部可以被設(shè)置為多個(gè)彎曲振動(dòng)抑制部，所述多個(gè)彎曲振動(dòng)抑制部被設(shè)置為按照與晶體構(gòu)件中產(chǎn)生的彎曲振動(dòng)的波長(zhǎng)距離相等的距離彼此間隔開(kāi)。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種晶體振蕩器可以包括晶體構(gòu)件、形成在晶體構(gòu)件上的激發(fā)電極以及按照預(yù)定距離彼此間隔開(kāi)地形成在激發(fā)電極上的彎曲振動(dòng)抑制部。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種晶體振蕩器可以包括晶體構(gòu)件以及分別形成在晶體構(gòu)件的兩個(gè)表面上的激發(fā)電極，激發(fā)電極的至少一部分由于臺(tái)階而具有與其他部分的厚度不同的厚度。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種晶體振蕩器封裝件可以包括：基礎(chǔ)基板；晶體構(gòu)件，具有分別形成在晶體構(gòu)件的兩個(gè)表面上的激發(fā)電極，并且晶體構(gòu)件的一側(cè)接合到基礎(chǔ)基板；至少一個(gè)彎曲振動(dòng)抑制部，形成在激發(fā)電極上；支撐部，形成在基礎(chǔ)基板的邊緣上；蓋，設(shè)置在支撐部上，以密封將晶體構(gòu)件容納在其中的空間。

彎曲振動(dòng)抑制部可以被設(shè)置為按照與晶體構(gòu)件中產(chǎn)生的彎曲振動(dòng)的波長(zhǎng)距離相等的距離彼此間隔開(kāi)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)將會(huì)被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器封裝件的側(cè)剖視圖；

圖2是沿圖1中的線A-A′截取的平面圖；

圖3和圖4是用于描述圖2中示出的晶體振蕩器的彎曲振動(dòng)的剖視圖；

圖5是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；

圖6是圖5的平面圖；

圖7是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；

圖8是圖7的平面圖；

圖9是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；

圖10是圖9的平面圖；

圖11是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；

圖12是圖11的平面圖；

圖13是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；

圖14是圖13的平面圖；

圖15至圖17是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的平面圖；以及

圖18是示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。

然而，本公開(kāi)可以以多種不同的形式來(lái)體現(xiàn)，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的，并將把本公開(kāi)的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，可夸大元件的形狀和尺寸，并將始終使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同或相似的元件。

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器封裝件的側(cè)剖視圖，其示出了沿著使用矩形AT切割晶體基板的臺(tái)面形晶體振蕩器的長(zhǎng)度方向截取的臺(tái)面形晶體振蕩器剖視圖。另外，圖2是沿圖1的線A-A′截取的平面圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器封裝件可以包括：基礎(chǔ)基板26a；第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b，形成在基礎(chǔ)基板26a的上表面上；晶體構(gòu)件21，其一側(cè)固定地安裝在第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b上，并且其上表面和下表面上分別形成激發(fā)電極22a和22b，以通過(guò)電信號(hào)使晶體構(gòu)件21振動(dòng)，激發(fā)電極22a和22b電連接到第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b；支撐部26b，形成在基礎(chǔ)基板26a的邊緣上，并形成將晶體構(gòu)件21容納在其中的內(nèi)部空間；蓋27，設(shè)置在支撐部26b上以密封所述內(nèi)部空間。

基礎(chǔ)基板26a可以形成晶體振蕩器封裝件100的底部，基礎(chǔ)基板26a可以由絕緣陶瓷材料形成。例如，通過(guò)對(duì)陶瓷生片進(jìn)行成型、堆疊、然后燒結(jié)形成的燒結(jié)體(例如，氧化鋁等)可以用作基礎(chǔ)基板26a。

第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b可以形成在基礎(chǔ)基板26a的上表面上的一側(cè)處。另外，支撐部26b可以沿著基礎(chǔ)基板26a的邊緣形成。

基礎(chǔ)基板26a可以包括形成在其下表面上的多個(gè)外電極焊盤(pán)24c和24d，以接收來(lái)自外部的電信號(hào)，其中，多個(gè)外電極焊盤(pán)24c和24d中的一個(gè)可以電連接到第一電極焊盤(pán)24a，多個(gè)外電極焊盤(pán)24c和24d中的另一個(gè)可以電連接到第 二電極焊盤(pán)24b。

第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b以及外電極焊盤(pán)24c和24d可以通過(guò)形成在基礎(chǔ)基板26a中的導(dǎo)電過(guò)孔(未示出)彼此連接。另外，多個(gè)外電極焊盤(pán)24c和24d中的一些可以用作接地電極。

第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b可以電連接到分別形成在晶體構(gòu)件21的上表面和下表面上的激發(fā)電極22a和22b，從而可被用作將電信號(hào)提供給晶體構(gòu)件21的路徑。通過(guò)上述電信號(hào)可以在晶體構(gòu)件21中產(chǎn)生壓電效應(yīng)。

第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b可以由例如從由金(Au)、銀(Ag)、鎢(W)、銅(Cu)和鉬(Mo)組成的組中選擇的至少一種的導(dǎo)電金屬形成。

支撐部26b可以沿基礎(chǔ)基板26a的邊緣形成，支撐部26b可以與基礎(chǔ)基板26a一起形成將要容納根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的內(nèi)部空間。

支撐部26b可以由與基礎(chǔ)基板26a的材料相同材料的絕緣陶瓷材料形成或者由與蓋27的材料相同材料的導(dǎo)電金屬合金形成。

可以通過(guò)使用光刻技術(shù)等切割并加工晶體晶圓來(lái)制造晶體構(gòu)件21，其中，晶體構(gòu)件21是根據(jù)振動(dòng)頻率等以預(yù)定厚度進(jìn)行研磨的壓電基板。

晶體構(gòu)件21可以大體上具有矩形形狀，并可以按照其中包括設(shè)置在其中心部分的振動(dòng)部21a以及設(shè)置在振動(dòng)部21a的邊緣部并以比振動(dòng)部21a的厚度薄的厚度形成的外緣部21b的臺(tái)面形狀形成。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體構(gòu)件21可按照AT切割來(lái)進(jìn)行切割，使得厚度滑動(dòng)振動(dòng)被激發(fā)為主振動(dòng)。

由于根據(jù)在室溫附近的溫度變化的頻率變化小，因此AT切割晶體片已被廣泛用作具有厚度滑動(dòng)振動(dòng)作為主振動(dòng)的晶體振蕩器。

已知當(dāng)處于厚度切變振動(dòng)模式的晶體構(gòu)件(或壓電振動(dòng)片)被形成為使得它的厚度從其中部朝其端部逐漸變薄時(shí)，振動(dòng)位移在端部的阻尼量增大，從而提高了將振動(dòng)能量捕獲在壓電振動(dòng)片的中部的效果并改善了諸如CI值和Q值等的頻率特性。

因此，即使增大壓電振動(dòng)片的厚度來(lái)減小頻率，也可以通過(guò)小的能量有效地執(zhí)行振蕩。相反，即使在相對(duì)高的頻率下，壓電振動(dòng)片的尺寸也可以比一般的壓電振動(dòng)片的尺寸小，使得壓電振動(dòng)片可以被最小化。

可以實(shí)現(xiàn)振動(dòng)能量捕獲效果的壓電振動(dòng)片的形狀的示例可以包括：凸曲面形成為主表面的凸形、平坦的且厚的中部與端部的邊緣之間的空間形成為 斜面的斜面形以及圍繞平坦的且厚的中部的部分被形成的薄的臺(tái)面形等。根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體構(gòu)件21可以具有上述形狀中的臺(tái)面形。然而，本公開(kāi)的構(gòu)造不限于此。

由于臺(tái)面形晶體構(gòu)件21可以利用光刻技術(shù)通過(guò)濕法蝕刻簡(jiǎn)單地進(jìn)行加工，并可以具有小的偏差，從而適于批量生產(chǎn)，因此臺(tái)面形晶體構(gòu)件21可以比凸形晶體構(gòu)件或斜面形晶體構(gòu)件更具優(yōu)勢(shì)。然而，由于臺(tái)面形晶體構(gòu)件21在厚的中部與薄的外緣部21b之間存在有臺(tái)階，因此它存在產(chǎn)生不必要的振動(dòng)(諸如與處于厚度切變振動(dòng)模式的主振動(dòng)疊加的彎曲振動(dòng))的缺點(diǎn)。

為此，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器可以包括彎曲振動(dòng)抑制部25(下面將對(duì)其進(jìn)行描述)。

由于根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體構(gòu)件21按照臺(tái)面形狀形成，因此晶體構(gòu)件21可以包括厚部21a(即，振動(dòng)部)、外緣部21b以及激發(fā)電極22a和22b。

振動(dòng)部21a可以設(shè)置在晶體構(gòu)件21的中部并以比外緣部21b的厚度厚的厚度形成。相應(yīng)地，外緣部21b可以形成在振動(dòng)部21a的外圍并以比振動(dòng)部21a的厚度相對(duì)薄的厚度形成。

晶體構(gòu)件21可以具有分別形成在上表面和下表面上的激發(fā)電極22a和22b。另外，晶體構(gòu)件可以具有形成在其一側(cè)處的連接電極22c和22d，其中，連接電極22c和22d連接到激發(fā)電極22a和22b。

激發(fā)電極22a和22b可以將電信號(hào)施加到晶體構(gòu)件21以使晶體構(gòu)件振動(dòng)。為此，激發(fā)電極22a和22b可以以相同的形狀分別形成在晶體構(gòu)件21的兩個(gè)表面上。

在本示例性實(shí)施例中，激發(fā)電極22a和22b可以遍及晶體構(gòu)件21的振動(dòng)部21a形成。然而，本公開(kāi)的構(gòu)造不限于此，而是可以進(jìn)行各種修改。例如，如果必要，激發(fā)電極22a和22b可以以比振動(dòng)部21a的尺寸小的尺寸形成。

連接電極22c和22d的一側(cè)可以連接到激發(fā)電極22a和22b，另一側(cè)可以通過(guò)導(dǎo)電粘結(jié)劑23電連接到第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b。

各個(gè)連接電極22c和22d可以分別形成在晶體構(gòu)件21的一側(cè)的兩個(gè)表面上。在這種情況下，由于晶體構(gòu)件21的兩個(gè)表面可以以相同的形狀形成，因此可以在不對(duì)晶體構(gòu)件21的兩個(gè)表面彼此進(jìn)行區(qū)分的情況下，將它接合到基礎(chǔ)基板26a。

激發(fā)電極22a和22b以及連接電極22c和22d可以由金屬鍍層形成，其中， 金屬鍍層可以通過(guò)在諸如鉻、鎳、金或銀等的材料上執(zhí)行諸如濺射方法或沉積方法等的方法來(lái)形成。然而，本公開(kāi)不限于此。

如上所述的晶體構(gòu)件21的一側(cè)可以固定在由基礎(chǔ)基板26a和支撐部26b形成的內(nèi)部空間內(nèi)。詳細(xì)地講，晶體構(gòu)件21可以通過(guò)導(dǎo)電粘結(jié)劑23接合到基礎(chǔ)基板26a，使得形成在基礎(chǔ)基板26a上的第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b以及分別形成在晶體構(gòu)件21的上表面和下表面上的激發(fā)電極22a和22b可以分別地彼此電連接。

這里，激發(fā)電極22a和22b可以通過(guò)上述的連接電極22c和22d電連接到第一電極焊盤(pán)24a和第二電極焊盤(pán)24b。

蓋27可以按照被安放在支撐部26b的上端上的形式來(lái)設(shè)置，以密封晶體構(gòu)件21安裝在其中的內(nèi)部空間，從而完成該內(nèi)部空間，蓋27可以通過(guò)導(dǎo)電粘結(jié)劑(未示出)等固定并接合到支撐部26b。

由于晶體振蕩器的運(yùn)行效率和質(zhì)量受到外部環(huán)境和污染物等的顯著影響，因此需要將晶體振蕩器封裝件100密封為使得其泄漏率非常低，以保護(hù)晶體構(gòu)件21免受晶體振蕩器封裝件100的外部環(huán)境和污染物的侵害。

為此，晶體振蕩器封裝件100的內(nèi)部可以由蓋27氣密地密封。另外，晶體振蕩器封裝件100的內(nèi)部空間可以通過(guò)諸如氮?dú)?、氦氣或氬氣等的惰性氣體或真空狀態(tài)來(lái)密封。

另外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器可以具有至少一個(gè)彎曲振動(dòng)抑制部25。

圖18是示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D18，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶體振蕩器中，如上所述，產(chǎn)生諸如彎曲振動(dòng)P等的寄生振動(dòng)(不必要的振動(dòng))。在這種情況下，由于能量被彎曲振動(dòng)所消耗，因此Q值減小，晶體阻抗(CI)增大，使得振蕩器的特性劣化。

因此，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，彎曲振動(dòng)抑制部25可以用于抑制晶體振蕩器中產(chǎn)生彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)，或者可以用作將彎曲振動(dòng)模式中的諧振頻率變換為另一頻率的動(dòng)力吸振器。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的彎曲振動(dòng)抑制部25可以在形成在晶體構(gòu)件21上的激發(fā)電極22a和22b上形成。更詳細(xì)地講，彎曲振動(dòng)抑制部25可以以從激發(fā)電極22a和22b向外部突出的加固圖案的形式形成，或者可以通過(guò)陰刻激發(fā)電極22a和22b而大體上按照格子圖案的形式形成。

然而，根據(jù)本示例性實(shí)施例的彎曲振動(dòng)抑制部25不限于以加固圖案的形式形成，而是可以進(jìn)行各種修改。

例如，彎曲振動(dòng)抑制部25可以按照一級(jí)臺(tái)階的臺(tái)階形式形成。詳細(xì)地講，彎曲振動(dòng)抑制部25可以被限定為激發(fā)電極22a和22b的厚度在該處變厚或變薄的臺(tái)階。同時(shí)，彎曲振動(dòng)抑制部25可以被限定為這樣的圖案的形式：晶體振蕩器的剛度隨著晶體振蕩器自身的厚度的臺(tái)階變化急劇地改變。

圖3和圖4是用于描述圖2中示出的晶體振蕩器的彎曲振動(dòng)的剖視圖，其中，圖3示出了沿圖2的線B-B′截取的剖視圖；圖4示出了沿圖2的線C-C′截取的剖視圖。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的彎曲振動(dòng)抑制部25可以按照位于寄生彎曲振動(dòng)的最大位移點(diǎn)處的圖案的形式來(lái)安裝。彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案之間的距離D可以具有下面的關(guān)系。

(表達(dá)式1)

D＝λ×m(m＝1、2、3、……n，整數(shù))

這里，D表示形成在一個(gè)激發(fā)電極22a或22b上的彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案之間的距離，λ表示在晶體構(gòu)件21中產(chǎn)生的彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18，不必要的振動(dòng))的波長(zhǎng)。

參照表達(dá)式1，彎曲振動(dòng)抑制部之間的距離D可以被設(shè)定為λ的整數(shù)倍。例如，D可以被設(shè)定為λ的一倍，即，距離與λ相等。

同時(shí)，在由于晶體振動(dòng)器的非線性特性而使得彎曲振動(dòng)的最大位移點(diǎn)未被設(shè)置在與λ的整數(shù)倍對(duì)應(yīng)的位置處的情況下，距離D可以被限定為不是常數(shù)的實(shí)數(shù)。另外，在不必要的彎曲振動(dòng)模式的數(shù)量是一個(gè)或更多個(gè)的情況下，彎曲振動(dòng)抑制部的圖案之間的距離D的數(shù)量可以是一個(gè)或更多個(gè)。

另外，例如，彎曲振動(dòng)抑制部25可以沿彎曲振動(dòng)P的波長(zhǎng)λ(最大位移點(diǎn))形成。即，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，可以在寄生彎曲振動(dòng)的最大振幅的最大點(diǎn)中的激發(fā)電極22a和22b上設(shè)計(jì)和制造彎曲振動(dòng)抑制部25。

彎曲振動(dòng)抑制部25可以用作抵消彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)的質(zhì)量體或剛性體。因此，當(dāng)在晶體構(gòu)件21中產(chǎn)生彎曲振動(dòng)P時(shí)，形成在彎曲振動(dòng)P的波長(zhǎng)距離處的彎曲振動(dòng)抑制部25可以用作彎曲振動(dòng)P的抵抗力。

因此，如圖3中所示，彎曲振動(dòng)抑制部25可減小彎曲振動(dòng)P1的大小，或者變換彎曲振動(dòng)的頻率來(lái)抑制彎曲振動(dòng)的產(chǎn)生。

結(jié)果，可以減小晶體阻抗(CI)。

如上所述，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，由于由某一工作頻率中產(chǎn)生的彎曲振動(dòng)所導(dǎo)致的能量的損耗顯著地降低，并且可以僅以期望的厚度滑動(dòng)振動(dòng)模式來(lái)傳遞能量，因此可以提高整體振動(dòng)效率。

同時(shí)，可以通過(guò)在晶體構(gòu)件21上形成激發(fā)電極22a和22b的工藝中局部變厚地形成激發(fā)電極22a和22b來(lái)實(shí)現(xiàn)彎曲振動(dòng)抑制部25。例如，彎曲振動(dòng)抑制部25可以通過(guò)以下方法來(lái)形成：在晶體構(gòu)件21上形成激發(fā)電極22a和22b；設(shè)置其與彎曲振動(dòng)抑制部25對(duì)應(yīng)的部分敞開(kāi)的掩模；執(zhí)行形成激發(fā)電極22a和22b的工藝。

在這種情況下，由于彎曲振動(dòng)抑制部25由與激發(fā)電極22a和22b的材料相同的材料形成，因此彎曲振動(dòng)抑制部25可以與激發(fā)電極22a和22b一體地形成。因此，彎曲振動(dòng)抑制部25可以按照激發(fā)電極22a和22b部分地突出的形式形成。

在另一情況下，彎曲振動(dòng)抑制部25可以由與激發(fā)電極22a和22b的材料不同的材料形成。在這種情況下，彎曲振動(dòng)抑制部25可以通過(guò)化學(xué)結(jié)合或物理結(jié)合而接合到激發(fā)電極22a和22b的界面。

另外，彎曲振動(dòng)抑制部25的高度(厚度)和長(zhǎng)度可以根據(jù)彎曲振動(dòng)的形式按照各種形式來(lái)設(shè)置。

彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案寬度和厚度可以利用微機(jī)械技術(shù)被調(diào)整為直到幾個(gè)微米。因此，由于彎曲振動(dòng)抑制部25可以被設(shè)置在彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)的最大位移的位置處，因此彎曲振動(dòng)抑制部25可以非常有效地抑制彎曲振動(dòng)。

同時(shí)，本公開(kāi)的構(gòu)造不限于上述示例性實(shí)施例。

除了彎曲振動(dòng)抑制部25的形狀之外，根據(jù)下面的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器可以與根據(jù)上述的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器相似。因此，將省略對(duì)于與根據(jù)上述示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的組件相似的組件的詳細(xì)描述，并將主要描述與根據(jù)上述示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的彎曲振動(dòng)抑制部25不同的彎曲振動(dòng)抑制部25。

圖5是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；圖6是圖5的平面圖。這里，圖5示出了沿圖6的線B-B′截取的剖視圖。

參照?qǐng)D5和圖6，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，彎曲振動(dòng)抑制部25不是按照格子的形式突出，而是按照點(diǎn)的形式突出，具有點(diǎn)形式的彎曲振動(dòng)抑制部25可大體上形成格子圖案。這里，與上述示例性實(shí)施例相似，格 子圖案的內(nèi)部距離D可以與彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)的波長(zhǎng)λ相等。

另外，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，晶體構(gòu)件21的激發(fā)電極22a和彎曲振動(dòng)抑制部25可以由不同材料形成。

例如，激發(fā)電極22a可以由金屬鍍層形成，其中，金屬鍍層由鉻、鎳、金、銀或銅等形成，彎曲振動(dòng)抑制部25可以由與激發(fā)電極22a的金屬不同的金屬形成。

然而，本公開(kāi)不限于此，而是可以進(jìn)行各種修改。例如，彎曲振動(dòng)抑制部25可以由阻焊劑、諸如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂材料或陶瓷材料等形成。

另外，這種構(gòu)造也可以被容易地應(yīng)用到上述示例性實(shí)施例。

圖7是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；圖8是圖7的平面圖。這里，圖7示出了沿圖8的線B-B′截取的剖視圖。

參照?qǐng)D7和圖8，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，彎曲振動(dòng)抑制部25不是按照格子的形式突出，而是按照直線的形式突出。這里，彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案可以按照條紋的形式以彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離D的狀態(tài)彼此平行地設(shè)置，與上述示例性實(shí)施例相似，彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案之間的距離D可以與彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)的波長(zhǎng)λ相等。

圖9是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；圖10是9的平面圖。這里，圖9示出了沿圖10的線B-B′截取的剖視圖。

參照?qǐng)D9和圖10，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的晶體振蕩器中，彎曲振動(dòng)抑制部25可以按照斷線格子的形式形成。

這里，彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案不是按照格子的形式突出，而是按照斷線的形式突出，具有斷線形式的彎曲振動(dòng)抑制部25可大體上形成格子圖案，與上述示例性實(shí)施例相似，彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案之間的距離D可以與彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)的波長(zhǎng)λ相等。

圖11是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；圖12是圖11的平面圖。這里，圖11示出了沿圖12的線B-B′截取的剖視圖。

另外，圖13是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的側(cè)剖視圖；圖14是13的平面圖。這里，圖13示出了沿圖14的線B-B′截取的剖視圖。

參照?qǐng)D11至圖14，在晶體振蕩器中，彎曲振動(dòng)抑制部25可以按照斷線的形式形成。圖11中示出的彎曲振動(dòng)抑制部25和圖13中示出的彎曲振動(dòng)抑制部25可以僅在線(圖案)的方向上彼此不同。

彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案可以按照彼此間隔開(kāi)預(yù)定距離D的狀態(tài)彼此平行地設(shè)置，與上述示例性實(shí)施例相似，彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案之間的距離D可以與彎曲振動(dòng)P(見(jiàn)圖18)的波長(zhǎng)λ相同。

圖15至圖17是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的晶體振蕩器的平面圖。

圖15至圖17中示出了彎曲振動(dòng)抑制部25的圖案按照與晶體構(gòu)件21的輪廓傾斜的斜線的形式形成的情況。

更詳細(xì)地講，圖15示出了圖2中示出的彎曲振動(dòng)抑制部25以斜線的形式設(shè)置的示例，圖16示出了圖6中示出的彎曲振動(dòng)抑制部25以斜線的形式設(shè)置的示例。另外，圖17示出了圖12中示出的彎曲振動(dòng)抑制部25以斜線的形式設(shè)置的示例。

如上所陳述的，利用根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的晶體振蕩器和包括該晶體振蕩器的晶體振蕩器封裝件，由于可以通過(guò)彎曲振動(dòng)抑制部防止厚度滑動(dòng)振動(dòng)與彎曲振動(dòng)之間的結(jié)合，因此可以降低振動(dòng)損耗。

另外，由于降低了振動(dòng)損耗，因此可以提供具有高Q值和低CI的晶體振蕩器。因此，可以獲得低振動(dòng)損耗和穩(wěn)定的頻率特性。

雖然已經(jīng)在上面示出和描述了示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離通過(guò)由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出修改和變型。