半導體加工工藝傳感器及表征半導體加工工藝的方法【專利摘要】半導體加工工藝傳感器以及表征用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的方法。所述半導體加工工藝傳感器包括：恒定參考電壓源，配置為產生恒定參考電壓信號；加工工藝傳感器元件，其耦接到所述恒定參考電壓源，并被配置為接收所述恒定參考電壓信號，感測表示用來形成所述半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝參數，并基于該感測的加工工藝參數產生表征用來將半導體加工工藝傳感器形成為額定、高于額定或低于額定中的一種的半導體加工工藝的加工工藝測量信號?！緦＠f明】半導體加工工藝傳感器及表征半導體加工工藝的方法[0001]本申請是申請日為2009年9月22日、申請?zhí)枮?00980161604.1(國際申請?zhí)枮镻CT/US2009/057823)、發(fā)明名稱為“半導體加工工藝、電壓、以及溫度傳感器”的發(fā)明專利申請的分案申請。[0002]相關申請的交叉引用[0003]本申請基于要求于2009年7月28日提交的題目為“加工工藝、電壓、以及溫度傳感器”的美國臨時申請N0.61/229，056的35U.S.C.119(e)的優(yōu)先權，該申請通過引用方式整體結合在本申請中。【
技術領域：
】[0004]本發(fā)明總體涉及一種半導體器件，尤其是涉及一種能夠監(jiān)控半導體器件的運行參數的傳感器。【
背景技術：
】[0005]半導體器件的性能會隨著該器件的使用的條件(condit1ns)而改變。例如，半導體器件諸如上升時間、下降時間、增益、帶寬、線性度(Iinearity)、頻率響應等的性能特征通常會隨著所述器件使用時的電源電壓電平以及該器件的溫度而改變。不過，即使相同類型的兩個器件采用相同的制造設備制造并在一致的條件下運行，一個器件可能表現依然不同于另外一個器件。在性能上的這種不同通常會產生，因為不管采用相同的制造設備和加工工藝步驟來形成所述器件的事實如何，在用來形成每個單個器件的加工工藝中依然會出現微小(minute)的差別。在用來形成每個單個器件的加工工藝中的這種差別在形成于不同半導體晶片上器件之間或者在形成于不同晶片上和不同時間(即在不同批次中)形成的器件之間通常更明顯，但是這些差別甚至會發(fā)生在形成于同一晶片上的器件之間(例如，如果第一器件位于該晶片的邊緣，而另一個器件則位于更中心的位置)。由于在用來形成單個器件的加工工藝中的這些輕微的差別，一個器件的性能可能會不同于另一個器件的性倉泛。[0006]在許多應用中，在用來形成器件的加工工藝中的這些輕微的變化以及在性能上任何導致的差別可能極小引起關注或者能夠為其中使用了該器件的電子電路或設備的設計所容忍。不過，在許多應用中，相同類型的器件之間的性能上的這種差別可能會對其中使用了該器件的電子電路或設備的運行產生影響?！?br/>發(fā)明內容】[0007]申請人:已經認識到某些半導體器件對溫度、電源電壓電平以及用來形成該器件的加工工藝非常敏感。這種敏感在希望相同的設計和制造的半導體器件表現始終如一的時候會是一個問題。因此，申請人:已經開發(fā)出一種傳感器，該傳感器能夠感測器件運行時的電壓電平和溫度，并且能夠感測表示用來生產該器件的加工工藝的參數，以便對該器件的性能進行表征。無論器件之間的性能的差別、器件所運行的溫度和電源電壓的差別或所有以上差別如何，該信息隨后都可以被用來補償該器件以便確保相同設計和制造的不同器件之間更為一致的性能。[0008]根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種集成電路。該集成電路包括:該加工工藝傳感器被配置為感測表示用來形成所述集成電路的半導體加工工藝的加工工藝參數，并基于該加工工藝參數將半導體加工工藝的表征(characterizat1n)提供到所述加工工藝傳感器的輸出端。該溫度傳感器被配置為提供集成電路的溫度的指示到所述溫度傳感器的輸出端。該電壓傳感器被配置為提供集成電路的電源電壓電平的指示到所述電壓傳感器的輸出端。所述加工工藝傳感器的輸出端電連接到溫度傳感器和電壓傳感器中的至少一個，以便響應于所述半導體加工工藝的表征，補償所述溫度的指示和電源電壓電平的指示中的至少之一O[0009]根據本發(fā)明的一個實施例，所述加工工藝傳感器的輸出端電連接到溫度傳感器和電壓傳感器兩者，以便響應于所述半導體加工工藝的表征，補償所述溫度的指示和電源電壓電平的指示兩者。[0010]根據本發(fā)明的另一個實施例，每次在所述加工工藝傳感器被上電時，所述加工工藝傳感器提供所述半導體加工工藝的表征。在進一步實施例中，述溫度傳感器被配置成向溫度傳感器的輸出端動態(tài)地提供集成電路的溫度的指示，并且其中所述電壓傳感器被配置成向電壓傳感器的輸出端動態(tài)地提供集成電路的電源電壓電平的指示。[0011]根據本發(fā)明的另一個實施例，所所述集成電路包括相關聯(lián)的半導體器件，所述相關聯(lián)的半導體器件采用相同的半導體加工工藝制造步驟共同地形成有加工工藝傳感器、溫度傳感器、以及電壓傳感器。根據本發(fā)明的一個實施例，所述相關聯(lián)的半導體器件是可編程的。在進一步實施例中，響應于由所述加工工藝傳感器提供的所述半導體加工工藝的表征、所述溫度傳感器提供的溫度的指示、以及所述電壓傳感器提供的所述電源電壓電平的指示，所述相關聯(lián)的半導體器件被補償。[0012]根據本發(fā)明的另一個實施例，該集成電路還包括算法狀態(tài)機，所述算法狀態(tài)機電連接到所述加工工藝傳感器的輸出端、溫度傳感器的輸出端、所述電壓傳感器的輸出端、以及所述相關聯(lián)的半導體器件的可編程輸入端。所述算法狀態(tài)機被配置成響應于由所述加工工藝傳感器提供的所述半導體加工工藝的表征、所述溫度傳感器提供的溫度的指示、以及所述電壓傳感器提供的所述電源電壓電平的指示，補償所述相關聯(lián)的半導體器件。在進一步實施例中，所述相關聯(lián)的半導體器件包括可編程增益放大器，其中所述算法狀態(tài)機包括輸入端，該輸入端用于接收表示所述可編程增益放大器的增益和頻率響應中的至少一個的運行設置值。所述算法狀態(tài)機被配置為根據所述運行設置值，響應于由所述加工工藝傳感器提供的所述半導體加工工藝的表征、所述溫度傳感器提供的溫度的指示、以及所述電壓傳感器提供的所述電源電壓電平的指示，補償所述可編程增益放大器。[0013]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述集成電路還包括至少一個接口，其電連接到所述加工工藝傳感器的輸出端、溫度傳感器的輸出端、所述電壓傳感器的輸出端、以及所述相關聯(lián)的半導體器件的可編程輸入端。所述接口被配置為將由所述加工工藝傳感器提供的所述半導體加工工藝的表征、所述溫度傳感器提供的溫度的指示、以及所述電壓傳感器提供的所述電源電壓電平的指示提供到外部器件，并且從所述外部器件接收被補償的運行設置值，以便提供到所述相關聯(lián)的半導體器件的可編程輸入端。[0014]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述相關聯(lián)的半導體器件具有用于提供輸出信號的輸出端。所述集成電路還包括:至少一個接口，電連接到所述加工工藝傳感器的輸出端、溫度傳感器的輸出端、以及所述電壓傳感器的輸出端。所述至少一個接口被配置為將由所述加工工藝傳感器提供的所述半導體加工工藝的表征、所述溫度傳感器提供的溫度的指示、以及所述電壓傳感器提供的所述電源電壓電平的指示提供到外部器件，以便使得所述外部器件基于所述半導體加工工藝的表征、所述溫度的指示、以及所述電源電壓電平的指示，補償所述相關聯(lián)的半導體器件的輸出信號。[0015]根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種監(jiān)控根據一種半導體加工工藝形成半導體器件的方法。所述方法包括如下操作:感測表示用來形成所述半導體器件的半導體加工工藝的加工工藝參數；基于所感測的加工工藝參數表征所述半導體加工工藝。所述方法還包括:感測所述半導體器件的溫度；感測正被提供到半導體器件的電源電壓電平；以及響應于所述表征操作，補償所述半導體器件的所感測的溫度和正被提供到所述半導體器件的所感測的電源電壓電平中的至少之一。[0016]根據一個實施例，所述補償操作包括響應于所述表征操作補償所述半導體器件的所感測的溫度和正被提供到所述半導體器件的所感測的電源電壓電平兩者。根據本發(fā)明的另一個實施例，響應于所述表征操作，動態(tài)地執(zhí)行所述感測加工工藝參數、感測溫度、感測正被提供到所述半導體器件的所述電源電壓電平、以及補償所述半導體器件的所感測的溫度和正被提供到所述半導體器件的所感測的電源電壓電平兩者的操作。[0017]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述表征半導體加工工藝的操作包括將所述半導體加工工藝表征為快、額定以及慢中之一的操作。[0018]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述半導體器件是可編程半導體器件，該方法還包括如下操作:響應于所補償的感測的溫度、所補償的感測的電源電壓電平、以及表征的半導體加工工藝，調節(jié)所述半導體器件的至少一個可編程參數。在進一步實施例中，所述調節(jié)的操作包括如下操作:接收用于可編程半導體器件的運行設置值；采用所補償的感測的溫度、所補償的感測的電源電壓電平、以及表征的半導體加工工藝，來指數化所述運行設置值，以便確定所補償的運行設置值；以及向可編程的半導體器件提供所補償的運行設置值，以便調整所述至少一個可編程參數。在進一步實施例中，所述接收、指數化、以及提供操作都在與可編程半導體器件相同的集成電路上執(zhí)行。在可替換實施例中，所述接收和指數化的操作通過位于不同于所述可編程半導體器件的集成電路上的處理器來執(zhí)行。[0019]根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種半導體加工工藝傳感器，用于表征用來形成所述半導體加工工藝傳感器的操作半導體加工工藝，該半導體加工工藝傳感器包括:恒定參考電壓源、加工工藝感測電阻器、恒流源以及模-數轉換器。該恒定參考電壓源具有用于提供恒定參考電壓信號的輸出端。該加工工藝感測電阻器具有電連接到恒定參考電壓源的輸出端的第一端子和用于提供感測的電壓信號的第二端子，所述加工工藝感測電阻器的電阻取決于用于形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝中的至少一個變量。該恒流源電連接到加工工藝感測電阻器的第二端子。該模-數轉換器，連接到所述加工工藝感測電阻器的第二端子，用于提供至少一個用于表征用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的輸出信號。[0020]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述加工工藝傳感器還包括分壓器，具有電連接到恒定參考電壓源的輸出端的輸入端以及輸出端，所述分壓器包括多個串聯(lián)在所述分壓器的輸入端和所述分壓器的輸出端之間的電阻器。所述模-數轉換器還連接到所述分壓器，所述分壓器提供至少一個電壓到所述模-數轉換器作為參考電壓信號在該實施例的另一個方面，所述分壓器的每個電阻器都具有基本相同的高度、寬度和長度，并且所述加工工藝感測電阻器的高度和寬度。所述加工工藝感測電阻器的高度幾乎與所述分壓器的每個電阻器的高度相同，而所述加工工藝感測電阻器的寬度基本上小于分壓器的每個電阻器的寬度。[0021]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述加工工藝傳感器還包括分壓器，具有電連接到恒定參考電壓源的輸出端的輸入端以及輸出端。所述分壓器提供多個不同的參考電壓信號。所述模-數轉換器包括至少一個比較器，所述至少一個比較器具有電連接到所述分壓器以便接收所述多個不同的參考電壓信號中的第一參考電壓信號的第一輸入端、電連接到所述分壓器以便接收所述多個不同的參考電壓信號中的第二參考電壓信號的第二輸入端、以及電連接到所述加工工藝感測電阻器的第二端子以便接收所感測的電壓信號的第三輸入端。所述至少一個比較器配置為比較所感測的電壓信號與第一和第二電壓參考信號，并提供至少一個比較器輸出信號，所述至少一個比較器輸出信號是用來表征所述用來形成所述半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的所述至少一個輸出信號。[0022]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述分壓器包括多個串聯(lián)在所述分壓器的輸入端和輸出端之間的電阻器。所述多個串聯(lián)電阻器包括第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器以及第四電阻器。第一電阻器具有第一端子和第二端子，所述第一電阻器的第一端子電連接到所述分壓器的輸入端和所述加工工藝感測電阻器的第一端子，并且所述第一電阻器的第二端子電連接到所述至少一個比較器的第一輸入端。第二電阻器具有第一端子和第二端子，所述第二電阻器的第一端子電連接到所述第一電阻器的第二端子。第三電阻器具有第一端子和第二端子，所述第三電阻器的第一端子電連接到所述第二電阻器的第二端子，并且所述第三電阻器的第二端子電連接到所述至少一個比較器的第二輸入端。第四電阻器具有第一端子和第二端子，所述第四電阻器的第一端子電連接到所述第三電阻器的第二端子，并且所述第四電阻器的第二端子電連接到所述分壓器的輸出端。在進一步實施例中，所述第二電阻器的第二端子電連接到所述恒定參考電壓源的輸入端。[0023]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述至少一個比較器包括第一比較器和第二比較器。第一比較器具有用于接收第一參考電壓信號的第一輸入端和用于接收所感測電壓信號的第二輸入端。所述第一比較器配置為比較所感測的電壓信號和第一參考電壓信號，并響應于所感測的電壓信號大于第一參考電壓信號而提供第一比較器輸出信號，以及響應于所感測的電壓信號小于第一參考電壓信號而提供第二比較器輸出信號。第二比較器具有用于接收第二參考電壓信號的第一輸入端和用于接收所感測電壓信號的第二輸入端。所述第二比較器配置為比較所感測的電壓信號和第二參考電壓信號，并響應于所感測的電壓信號大于第二參考電壓信號而提供第三比較器輸出信號，以及響應于所感測的電壓信號小于第二參考電壓信號而提供第四比較器輸出信號。[0024]根據本發(fā)明的另一個實施例，所述加工工藝傳感器還包括編碼器。該編碼器具有用于接收第一比較器輸出信號的第一輸入端、用于接收第二比較器輸出信號的第二輸入端、用于接收第三比較器輸出信號的第三輸入端、以及用于接收第四比較器輸出信號的第四輸入端。所述編碼器配置為響應于所感測的電壓信號大于第一參考電壓信號而賦值(assert)第一輸出信號，以及響應于所感測的電壓信號小于第一參考電壓信號以及大于第二參考電壓信號而賦值第二輸出信號，以及響應于所感測的電壓信號小于第二參考電壓信號而賦值第三輸出信號。根據本發(fā)明的另一個方面，所述半導體加工工藝響應于所述編碼器賦值第一輸出信號而被表征為快，所述半導體加工工藝響應于所述編碼器賦值第二輸出信號而被表征為額定，以及所述半導體加工工藝響應于所述編碼器賦值第三輸出信號而被表征為慢。[0025]根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種表征用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的方法。該方法包括如下操作:提供基本恒定參考電壓到分壓器和加工工藝感測電阻器；基于所述基本恒定參考電壓，在分壓器中產生多個不同的參考電壓；基于所述基本恒定參考電壓確定在加工工藝感測電阻器上下降(dropped)的感測的電壓，加工工藝感測電阻器的電阻取決于用于形成所述半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝中的至少一個變量(variat1n)。該方法還包括:較所述多個不同的參考電壓與所感測的電壓；以及基于所述比較操作，表征用來形成所述半導體加工工藝傳感器的所述半導體加工工藝。[0026]根據本發(fā)明的一個實施例，所述產生操作包括產生第一參考電壓和第二參考電壓的操作，并且其中所述比較操作包括比較所感測的電壓與第一參考電壓和第二參考電壓的操作。在進一步實施例中，所述表征操作包括如下操作:響應于所感測的電壓大于第一參考電壓，將半導體加工工藝表征為快；響應于所感測的電壓小于第一參考電壓且大于第二參考電壓，將半導體加工工藝表征為額定；以及響應于所感測的電壓小于第二參考電壓，將半導體加工工藝表征為慢。在進一步的實施例中，該方法還包括:響應于半導體加工工藝被表征為快而賦值第一輸出信號，響應于半導體加工工藝被表征為額定而賦值第二輸出信號，以及響應于半導體加工工藝被表征為慢而賦值第三輸出信號。[0027]根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種半導體加工工藝傳感器，該半導體加工工藝傳感器包括:恒定參考電壓源，配置為產生恒定參考電壓信號；加工工藝傳感器元件，其耦接到所述恒定參考電壓源，并被配置為接收所述恒定參考電壓信號，感測表示用來形成所述半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝參數，并基于該感測的加工工藝參數產生表征用來將半導體加工工藝傳感器形成為額定、高于額定或低于額定中的一種的半導體加工工藝的加工工藝測量信號。[0028]根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種表征用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的方法，該方法包括如下操作:提供基本恒定參考電壓到加工工藝感測元件；利用所述加工工藝感測元件感測指示用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝參數；和基于所述感測操作，產生將用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝表征為額定、高于額定或低于額定之一加工工藝測量信號。[0029]根據本發(fā)明的另一個方面，提供了一種半導體加工工藝傳感器，該半導體加工工藝傳感器包括:恒定參考電壓源，配置為產生恒定參考電壓信號；加工工藝感測元件，其耦接到所述恒定參考電壓源；以及用于感測跨加工工藝感測元件的電壓降并用于基于所述電壓降將用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝表征為額定、高于額定和低于額定之一的部件?！緦＠綀D】【附圖說明】[0030]附圖并不試圖按照比例繪制。在這些附圖中，在各個圖中所示出的每個相同或幾乎相同的元件都采用類似的標號來代表。為了清楚起見，并不是每個元件在每張附圖中都做了標記。在這些附圖中:[0031]圖1是根據本發(fā)明實施例的加工工藝、電壓和溫度(PVT)傳感器的方塊圖；[0032]圖2是圖1中的PVT中用于的加工工藝傳感器的示例性加工工藝傳感器的方塊圖；[0033]圖3是圖2中的加工工藝傳感器的更詳細的示意圖；[0034]圖4是圖1中的用于PVT傳感器中的溫度傳感器方塊圖；[0035]圖4A是圖4中的溫度傳感器的一部分的更詳細的示意圖；[0036]圖5是圖1中PVT傳感器中使用的電壓傳感器的方塊圖；[0037]圖5A是圖5中電壓傳感器的一部分的更詳細的示意圖；[0038]圖6是圖1中加工工藝、電壓以及溫度傳感器的操作的示例性方法的流程圖；[0039]圖7是根據本發(fā)明的具有芯片上(on-chip)查詢表/狀態(tài)機的示例性可編程增及放大器的方塊圖；[0040]圖8是圖7中所述可編程增益放大器的放大器或衰減器(attenuator)的簡化示意圖；[0041]圖9圖釋了根據本發(fā)明的實施例的查詢表的一部分；[0042]圖10是圖6中可編程增益放大器的操作的示例性方法的流程圖；[0043]圖11是根據本發(fā)明另一個實施例的具有芯片外(off-chip)固件查詢表和總線接口的示例性可編程增益放大器的方塊圖；[0044]圖12是根據本發(fā)明另一個實施例的具有芯片外(off-chip)固件查詢表F可編程增益放大器方塊圖；以及[0045]圖13是圖11和12中所述可編程增益放大器的操作的方法的流程圖?！揪唧w實施方式】[0046]本發(fā)明并不限于其應用到在下面描述中提出的或在附圖中所圖示的構造的細節(jié)和元件的安排。本發(fā)明能夠為其他實施方式并且能夠以各種方式被實現或實施。而且，在此所使用的措詞和術語是為了描述，不應該被認為是為了限制。在此“包括”、“包含”或“具有”、“含有”、“涵蓋”以及其變化形式，其含義是為了覆蓋之后所列舉的事項(item)以及其等同物以及另外的事項。[0047]在多個半導體器件應用中，對半導體器件有益的是提供一致(consistent)的輸出信號。例如，在有線電視(CATV)系統(tǒng)中，期望一種提供和維持一致輸出信號(在諸如DC增益、增益帶寬、增益平溫度、平率補償、線性度等等方面)的上游可編程增益放大器(PGA)，來確保下游元件適當地或有效率地運行。在這種應用中，還期望能夠在相同設計和制造的不同器件上提供一致的輸出信號。盡管可以測試各個器件來確定性能表征(characteristics)，并且之后各個器件被分類以便為終端用戶提供具有相似性能表征的不同器件，但是這種測試和分類通常會增加器件的成本。而且這種測試不能解決器件所使用的環(huán)境中的差別，這種在器件所運行的電源電壓電平和/或溫度方面的差別依然會導致一個器件與另一個器件表現不同。[0048]本發(fā)明的實施例涉及一種加工工藝、電壓以及溫度(PVT)傳感器，其配置為感測表示用來生成PVT傳感器的加工工藝的加工工藝參數、PVT傳感器運行的電源電壓電平、以及PVT傳感器運行的溫度。所述PVT傳感器優(yōu)選實現在與相關聯(lián)的器件相同的集成電路上，并通過與相關聯(lián)的器件相同的加工(processing)步驟形成,使得PVT傳感器感測(sense)的參數精確地反映(reflect)相關聯(lián)器件的那些參數。不過，PVT傳感器和相關聯(lián)器件可實現在分開的集成電路上。如果PVT傳感器和相關聯(lián)器件實現在分開的集成電路上，PVT傳感器也可以用來感測精確反映相關聯(lián)器件的那些參數的參數。例如，如果PVT傳感器布置得與相關聯(lián)器件緊密接近，或者與相關聯(lián)器件安裝在共同的基底(substrate)上，并且采用相同的電源為每一個提供電源電壓，PVT傳感器所感測的電壓和溫度參數將精確的反映相關聯(lián)器件的那些參數。[0049]根據其中PVT傳感器和相關聯(lián)器件形成在相同集成電路上并且采用相同步驟形成的實施例，表示用來生產相關聯(lián)器件的加工工藝的所感測的加工工藝參數被用于定性地(qualitatively)表征相關聯(lián)器件的性能(performance),并且提供相關聯(lián)器件的性能相關的輸出信號、相關聯(lián)器件的感測的運行電源電壓電平，以及相關聯(lián)器件的被感測的運行溫度。這些輸出信號可以用來配置相關聯(lián)器件以便補償相關聯(lián)器件，從而不管相同設計和制造的不同芯片之間的性能差別如何，不管器件運行的條件方面的差別如何，都能夠提供更一致的輸出。在一個實施例中，相關聯(lián)器件的至少一部分是可編程的，并且該部分響應于輸出信號被編程以便補償相關聯(lián)器件，從而提供一致的輸出。在另一實施例中，在相關聯(lián)器件下游的器件響應于輸出信號被配置成補償相關聯(lián)器件中的性能差別。[0050]參見圖1，其中示出了根據本發(fā)明實施例的電路100的方塊圖，電路100被配置為(例如物理地、電或兩者)連接到相關聯(lián)的半導體器件(未示出)，包括PVT傳感器102。PVT傳感器102連接到電壓參考電路104。如下面將詳細討論的，電壓參考電路104包括連接到通常的低漏失(Low-Dropout)(LDO)調整器108的帶隙(bandgap)電壓參考源106。PVT傳感器102包括溫度傳感器112、電壓傳感器114、加工工藝傳感器116以及變壓電路103。加工工藝傳感器116具有多個輸入端，包括連接到偏壓電路103的輸出端111的輸入端126a以及連接到電壓參考電路104的輸出端110的輸入端126b。溫度傳感器112具有多個輸入端，包括連接到偏壓電路103的輸出端111的輸入端118a、連接到電壓參考電路104的輸出端110的輸入端118b、以及連接到加工工藝傳感器116的輸出端128的輸入端118c。電壓傳感器114具有多個輸入端，包括連接到偏壓電路103的輸出端111的輸入端122a、連接到電壓參考電路104的輸出端110的輸入端122b、以及連接到加工工藝傳感器116的輸出端128的輸入端122c。如圖1所示，偏壓電路103包括在PVT傳感器102中；不過，在另一個實施例中，偏壓電路103不包括在PVT傳感器102中。[0051]電壓參考電路104將多個穩(wěn)定的參考電壓提供到溫度傳感器112、電壓傳感器114以及加工工藝傳感器116。傳統(tǒng)的帶隙參考源106作為用于傳統(tǒng)LDO調壓器108的參考，使得來自電壓參考電路104的輸出在溫度和電源電壓方面是穩(wěn)定的，例如3.3伏。偏壓電路103響應于電壓參考電路104提供多個穩(wěn)定的偏壓電流和電壓到溫度傳感器112、電壓傳感器114以及加工工藝傳感器116?？梢岳斫獾氖?，電壓參考電路和偏壓電路103可以與PVT傳感器102集成在一起或分開。為簡化起見，偏壓電路103和傳感器112-116之間的一些連接細節(jié)在后面的附圖中沒有示出。[0052]如下面結合圖2和3所詳細解釋的那樣，加工工藝傳感器116配置為感測表示用來制造PVT傳感器(以及相關聯(lián)的、共同形成的半導體器件)的加工工藝的加工工藝參數，并將該加工工藝的表征(characterizat1n)提供到輸出端128。在一個實施例中，加工工藝的表征是三比特數字，其三個值之一表示該加工工藝的“速度”，即晶體管和其他共同形成的器件在相對于用于給定制造加工工藝的額定設計性能方面(例如晶體管增益、多晶硅傳導性、注入劑量等等)的相對性能。例如，如果加工工藝速度與額定量比較確定為慢(以下稱之為“慢”加工工藝)，則第一比特設置為高而另外兩個比特設置為低。如果加工工藝速度與額定量比較確定為額定(以下稱之為“額定”加工工藝)，則第二比特設置為高而另外兩個比特設置為低。如果加工工藝速度與額定量比較確定為快(以下稱之為“快”加工工藝)，則第三比特設置為高而另外兩個比特設置為低。需要認識的是，在其它實施例中，力口工工藝表征可以包括任意數量的比特或值，可以不同地被編碼，并且可以表示除速度之外的加工工藝參數，例如電容(capacitance)。[0053]如下面結合附圖4和4A更詳細解釋的那樣，溫度傳感器112被配置成感測PVT傳感器(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的晶片(die)溫度并提供PVT傳感器和所述相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度的指示到輸出端120。在一個實施例中，溫度的指示包括5比特，代表-40°C到85°C的溫度范圍。這5比特(范圍從00000到11111)代表32種不同的溫度范圍的分部(subdivis1n)，PVT傳感器(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的晶片溫度的指示可以在這些分部上運行。需要認識的是，晶片溫度的指示可以包括任意數量的比特，可以代表任何溫度范圍，并且可以再細劃分成任意數量的較小(或較大)的梯級(step)。例如，在另一個實施例中，溫度的指示可以包括6個比特，代表-20°C到65°C的溫度范圍。這6比特(范圍從000000到111111)代表64種不同的溫度范圍的分部(subdivis1n)。需要認識是,這些子劃分可是相同的,但是不是必須相同。[0054]如下面結合附圖5和5A更詳細解釋的那樣，電壓傳感器114被配置為感測PVT傳感器(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的電源(未示出)的電壓，并提供所述電源電壓電平的指示到輸出端124。在一個實施例中，所述電源電壓電平的指示包括4個比特，代表4.5伏特到5.5伏特的電壓范圍。這4比特(范圍從0000到1111)代表的電壓范圍的16種不同分部，所述PVT傳感器(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的電源電壓電平的指示在這些分部上運行。應該認識的是，所述電源電壓電平的指示可以是任意數量的比特，可以代表任何電壓范圍，并且可以再細劃分成任意數量的較小(或較大)相同或不同的梯級(step)。例如在另一個實施例中，所述電源電壓電平的指示可以包括3個比特，代表4.7伏特到5.2伏特的電壓范圍。這3比特(范圍從000到111)代表8種不同的電壓范圍的分部。[0055]現在參照附圖2進行描述根據本發(fā)明的實施例的加工工藝傳感器116的更多的細節(jié)。加工工藝傳感器200包括與電壓參考電路104(圖1)對應的恒定參考電壓源20、連接到恒定參考電壓源202的加工工藝傳感器元件204、連接到加工工藝傳感器元件204的編碼器206、以及連接到編碼器206的可選數字緩沖器208，數字緩沖器208的輸出端形成加工工藝傳感器200的輸出端210。[0056]恒定參考電壓源202提供恒定參考電壓信號到加工工藝傳感器元件204。在一個實施例中，恒定參考電壓源202由圖1的電壓參考電路104提供，但是需要認識的是，恒壓源202可以是分離的(separate)的穩(wěn)定的電壓參考源。加工工藝傳感器元件204感測表示用來生產傳感器元件(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的加工工藝的一個或多個參數，表征該加工工藝，并輸出表示該表征(characterizat1n)的數字信號。在下面描述的實施例中，加工工藝傳感器元件204將速度表征為慢、額定或快三個級別之一。[0057]將認識到，PVT傳感器以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件的速度會隨著用來制造這些器件的加工工藝而改變。例如，在90納米(nm)CMOS制造加工工藝中，制造加工工藝中的可變性(variability)通常導致采用那種加工工藝制造的某些器件表現得比設計額定值(design-nominalvalue)好(例如較快)，而某些器件表現得比設計額定值差(例如較慢)。這些性能方面的差別通常源于的一種或多種加工工藝參數方面的變化，諸如結構形態(tài)(feature)晶體管尺寸、摻雜劑劑量變化、以及甚至底層晶片定向(orientat1n)以及其中摻雜劑方面的變化。而且，這種加工工藝參數方面的變化會對該器件的某些元件(例如PMOS晶體管)產生的影響要多于或少于對該器件的其他元件(例如NMOS晶體管)的影響。因此，應該認識到的是，加工工藝傳感器元件204可以設計成依據潛在的加工工藝變量來將速度劃分為少于或多個三個級別。例如，在一種類型晶體管(例如PMOS晶體管)運行不同于另一種類型晶體管(例如NMOS晶體管)，該性能可以是晶體管類型特性并被表征為快/快、快/額定、快/慢、慢/快等等。如下面針對圖3詳細描述的那樣，加工工藝傳感器元件204提供基于多晶硅電阻器電阻變量的加工工藝測量輸出(快、額定、慢)，盡管其他加工工藝感測方法和輸出表征也是可能的。[0058]編碼器206將來自加工工藝傳感器元件204的信號編碼成數字信號，在該實例中，三個比特中僅有一個在給定時間被賦值(assert)。數字緩沖器208將該數字信號提供到輸出端210。例如，在一個實施例中，如果加工工藝速度確定為慢，則第一比特被設置為高，而另外兩個比特被設置為低。如果加工工藝速度確定為額定，則第二比特被設置為高，而另外兩個比特被設置為低。如果加工工藝速度確定為快，則第三比特被設置為高，而另外兩個比特被設置為低。需要認識的是，在其它實施例中，加工工藝表征依據潛在的加工工藝變量，可以包括任意數量的比特，并且可以采用不同的編碼。[0059]圖3所示的是根據本發(fā)明一個實施例的圖2的加工工藝傳感器200更詳細的示例性實施例。加工工藝傳感器300包括恒定參考電壓源202、分壓器311、加工工藝感測電阻器Rs304、加工工藝感測晶體管307、多個比較器306\編碼器312、以及多個緩沖的輸出端314、316、318。連接到恒定參考電壓源202(其可以是圖1中的電壓參考電路104)的輸出端的輸入端302從其接收穩(wěn)定的電壓并驅動分壓器311。加工工藝感測電阻器Rs304和加工工藝感測晶體管307連接到分壓器311。多個比較器306連接到分壓器311、加工工藝感測電阻器Rs304和加工工藝感測晶體管307。編碼器312連接到比較器306以及多個輸出端314、316、318。[0060]在所示的實例中，加工工藝感測電阻器Rs304經由分壓器311從輸入端302接收恒定電壓。加工工藝感測晶體管307的柵極(gate)從偏壓源103(圖3中未示出，但在圖1中示出了)接收恒定偏壓，并作為恒流源。如下面將詳細解釋的那樣，加工工藝感測電阻器Rs304的電阻對用于制造加工工藝傳感器300的制造加工工藝的變化比分壓器311的電阻器更敏感。因此，通過加工工藝感測電阻器Rs304產生的電壓Vs305取決于用于生產加工工藝傳感器元件的加工工藝。比較器306監(jiān)測來自分壓器311的電壓V1308和V2310以及電壓Vs305，并提供對用于生產該加工工藝傳感器元件的加工工藝進行表征的數字信號。響應于是否發(fā)現電壓Vs305大于V1308、在V1308和V2310之間、或小于V2310，用于生產加工工藝傳感器兀件的加工工藝被表征。在一個實施例中，加工工藝的表征表不用于形成加工工藝傳感器元件的加工工藝的速度以及被用于形成所述相關聯(lián)的半導體器件的加工工藝的速度。當Vs305小于電壓V2310時該速度被表征為慢，當電壓Vs305在V1308和V2310之間時該速度被表征為額定，而當電壓Vs305大于V1308時該速度被表征為快。編碼器312接收來自比較器306的數字信號，并產生表示用于形成傳感器元件(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的加工工藝的速度的3個比特信號，如上所述，包括慢比特314、額定比特316以及快比特318。應該認識到的是，在其它實施例中，加工工藝表征可以包括任意數量的比特，并且可以不同地進行編碼。還應該認識的是，速度的表征可以諸如采用環(huán)形振蕩器(oscillator)或時鐘不同地進行。[0061]眾所周知，集成電路電阻器的電阻涉及制造該電阻器的材料的電阻率和該電阻器的物理尺寸。而且，電阻器的電阻與電阻器的長度與電阻器的橫截面積的比率成正比。盡管不直接測量器件的速度，加工工藝感測電阻器Rs304的電阻的差別是整個器件性能的較強的指示。為了使得電阻器304對加工工藝變換比分壓器中的電阻器對加工工藝的變化更敏感，加工工藝感測電阻器Rs304的橫截面積明顯小于分壓器311中的電阻器的橫截面積。在該實例中，加工工藝感測電阻器Rs304和分壓器311的電阻器為傳統(tǒng)的多晶硅電阻器，并且所有電阻器的高度基本上相同。分壓器311和加工工藝感測電阻器Rs304中電所有電阻器的電阻基本上相同(例如加工工藝感測電阻器Rs304幾乎為25千歐姆，而分壓器311中的電阻器幾乎為27千歐姆)，分壓器311中的電阻器的寬度大約為加工工藝感測電阻器Rs304中電阻器寬度的兩倍，并且分壓器311中的每個電阻器的長度幾乎等于加工工藝感測電阻器Rs304的長度的兩倍。應該認識到的是，電阻器的橫截面積可以不是2:1(例如3:1)，電阻器的高度可以彼此不同，并且分壓器電阻器的電阻和加工工藝感測電阻器Rs304的電阻可以彼此不同。還應該認識的是，除了電阻變換之外的技術也可以用來檢測加工工藝的變化(例如環(huán)形振蕩器頻率)。[0062]應該認識到，加工工藝傳感器300基本上不會受到電源電壓電平改變和溫度改變的影響。這是恒定參考電壓源202提供的穩(wěn)定參考電壓的結果，并且也因為比較器306提供的加工工藝表征的本性(nature)。比較器監(jiān)測電壓Vs305與電壓V1308和V2310之間的關系(例如Vs305是否大于V1308、是否在V1308和V2310之間、或者是否小于V2310)。因此，來自溫度改變的任何影響將基本上等同地對所有電壓V1、V2、以及V3產生影響，Vs305與V1308和V2310之間的關系將基本上保持相同。因此加工工藝傳感器300將保持不受所述電源電壓電平和溫度方面的變化的影響。[0063]根據本發(fā)明的實施例，現在將參考圖4描述圖1中溫度傳感器112的更多細節(jié)。溫度傳感器400包括加工工藝感應差錯校正電路402、溫度傳感器元件404、緩沖器406、恒定參考電壓源408、模-數(A/D)轉換器410、溫度計-二進制代碼轉換器412、可選(opt1nal)數字緩沖器414，該數字緩沖器414的輸出端形成溫度傳感器400的輸出端416。溫度傳感器元件404連接到加工工藝感應差錯校正電路402。緩沖器406連接到溫度傳感器元件404。模-數轉換器410連接到緩沖器406和恒定參考電壓源408。溫度計-二進制代碼轉換器412連接到模-數轉換器410。數字緩沖器414連接到溫度計-二進制代碼轉換器412。[0064]加工工藝感應差錯校正電路402接收來自加工工藝傳感器300(圖3)的3比特加工工藝表征數據并運行以響應于該加工工藝表征數據至少部分補償溫度傳感器元件404，從而降低加工工藝變化對溫度傳感器的影響。如下面更詳細解釋的那樣，溫度傳感器元件404檢測溫度傳感器的晶片溫度，并因此檢測所述相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度，并且提供表示該晶片的溫度的電壓信號到緩沖器406。緩沖器406被配置成緩存來自模-數轉換器410的溫度傳感器元件404以防止模-數轉換器410的負載對溫度傳感器元件404造成影響。在一個實施例中，緩沖器406是一個可選(opt1nal)溫度傳感器400的一個可選部件(component)。恒定參考電壓源408，諸如電壓參考電路104(圖1)，提供恒定參考電壓信號到模-數轉換器410。可替代地，恒定參考電壓源408可以包括獨立于圖1中的LDO調壓器108的LDO調壓器。模-數轉換器410比較來自緩沖器406的電壓信號與恒定參考電壓信號，基于該比較，提供表示晶片溫度的被代碼化的溫度計數字信號到溫度計-二進制代碼轉換器412。傳統(tǒng)的溫度計-二進制代碼轉換器412將被代碼化的溫度計數字信號轉換成二進制代碼數字信號，其具有較小數量的比特。最終，數字緩沖器414將表示所述相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度的二進制代碼數字信號提供到輸出端416。如上所述，晶片溫度的數字化表示為5比特。[0065]現在參考圖4A描述根據本發(fā)明的實施例加工工藝感應差錯校正電路402和溫度傳感器元件404的進一步細節(jié)。加工工藝感應差錯校正電路402包括邏輯電路402A、多個開關410A、412A以及多個電阻器414A、416A。邏輯電路402A連接到來自加工工藝傳感器300(圖3)的多個輸出端314、316、318。多個開關410A、412A中的每一個都被邏輯電路402A的輸出端控制。多個電阻器414A、416A的每一個都連接到多個開關410A、412A的輸出端。[0066]溫度傳感器元件404包括熱穩(wěn)定(temperature-stable)溫度感測電阻器408A和隨溫度變化的(temperature-dependent)電流源晶體管420。該溫度感測電阻器408A與加工工藝感應差錯校正電路402的多個熱穩(wěn)定電阻器414A、416A串聯(lián)。[0067]邏輯電路402A從加工工藝傳感器300(圖3)接收三比特加工工藝表征。響應于從加工工藝傳感器接收的加工工藝表征，邏輯電路402A操作多個開關410A、412A。通過將各個開關410A、412A打開或關閉，各個電阻器414A、416A或被激勵(energize)或被旁路(bypass)。因此，在電阻器414A、416A中流動的電流、以及因此在，溫度感測電阻器408A中流動的電流可以調節(jié)以便至少部分補償用于生產溫度傳感器元件404的加工工藝中的變化。例如，在一個實施例中，響應于表示慢加工工藝的加工工藝表征，如上所述，邏輯電路402A運行以便接通開關410A并斷開開關412A。因此電阻器414A和416A被旁路以便調節(jié)通過溫度感測電阻器408A的電流，從而至少部分補償所述慢加工工藝。在另一個實施例中，響應于表示快加工工藝的加工工藝表征，如上所述，邏輯電路402A運行以便接斷開換器410A和開關412A。因此電阻器414A和416A被激勵以便調節(jié)通過溫度感測電阻器408A的電流，從而至少部分補償所述快加工工藝。因此，溫度傳感器元件404相對地保持不受用于生產該傳感器元件的加工工藝的變化的影響。要認識的是，邏輯電路402A、多個開關410A、412A、以及電阻器414A、416A可以不同地被配置為提供傳感器元件404的期望的補\-ZXO[0068]為了生成將被模-數轉換器410(圖4)數字化的電壓信號，隨溫度變化的電流源晶體管420連接到帶隙電路106(圖1)以便將與絕對溫度(PTAT)成比例的電流提供到溫度感測電阻器408A。根據該溫度以及溫度感測電阻器408A的結果(resulting)電阻，來自晶體管420的恒定電流在感測電阻器408A以及在被激勵的情況下電阻器414A、416A上創(chuàng)建電壓信號。因此，由溫度傳感器元件404生成的在節(jié)點418A處的電壓信號隨著溫度改變。[0069]現在參照圖5描述根據本發(fā)明的實施例的電壓傳感器114(圖1)的進一步細節(jié)。電壓傳感器500包括加工工藝感應差錯校正電路502、電壓傳感器元件504、緩沖器506、恒定參考電壓源508、模-數轉換器510、溫度計-二進制代碼轉換器512、以及可選數字緩沖器514，數字緩沖器514的輸出端形成電壓傳感器500的輸出端516。[0070]電壓傳感器元件504連接到加工工藝感應差錯校正電路502的輸出端。緩沖器506連接到所述電壓傳感器元件的輸出端504。模-數轉換器510連接到緩沖器506的輸出端以及恒定參考電壓源508。溫度計-二進制代碼轉換器512連接到模-數轉換器510的輸出端。數字緩沖器514連接到溫度計-二進制代碼轉換器512的輸出端。[0071]加工工藝感應差錯校正電路502從加工工藝傳感器300(圖3)接收三比特加工工藝表征，并響應于該加工工藝表征操作以補償電壓傳感器元件504，以便降低加工工藝變化對電壓傳感器的影響。如下面將更詳細解釋的那樣，電壓傳感器元件504檢測施加到電壓傳感器上以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件(未示出)的電源電壓電平，并且提供表示所述電源電壓電平的電壓信號到緩沖器506。緩沖器506被配置為緩存來自模-數轉換器510的電壓傳感器元件504，以防止模-數轉換器510的負載對電壓傳感器元件504造成影響。在一個實施例中，緩沖器506是電壓傳感器500的一個可選部件。恒定參考電壓源508,諸如電壓參考電路104(圖1)，提供恒定參考電壓信號到模-數轉換器510。可替換地，恒定參考電壓源508可包括與電壓參考電路104的調壓器分離的LDO調壓器。模-數轉換器510比較該電壓信號與恒定參考電壓信號，并響應于所述比較，提供表示所述電源電壓電平的溫度計-代碼化數字信號到溫度計-二進制代碼轉換器512。溫度計-二進制代碼轉換器512將溫度計-代碼化數字信號轉換為二進制-代碼化數字信號，該信號具有較小數量的比特。最終，數字緩沖器514將表示相關聯(lián)的半導體器件的所述電源電壓電平的二進制代碼化的數字信號提供到輸出端516。如上所述所述電源電壓電平的指示可包括4比特。[0072]現在參照圖5A描述根據本發(fā)明的實施例的加工工藝感應差錯校正電路502和電壓傳感器元件504的進一步細節(jié)。加工工藝感應差錯校正電路502包括第一多個開關512A、514A、516A以及第二多個開關506A、508A、510A。第一多個開關512A、514A、516A的每一個連接到電壓參考電路104的輸出端110。單獨的開關506A、508A、510A每個連接到源自加工工藝傳感器300(圖3)的單個輸出端314、316、318之一。例如，在一個實施例中，第一開關506A連接到加工工藝傳感器300的慢比特314。第二開關508A連接到加工工藝傳感器300的額定比特316，以及第三開關510A連接到加工工藝傳感器300的快比特318。第一多個開關512A、514A、516A也連接到第二多個開關506A、508A、510A，以便形成三個電路支線(leg)。例如，第一電路支線可以包括開關512A和506A，第二電路支線可以包括開關514A和508A，以及第三電路支線可以包括，開關516A和510A。電壓傳感器元件504包括連接到第一多個開關512A、514A、516A中的每一個的電阻器518A以及節(jié)點520A。[0073]電壓參考電路104(圖1)的輸出端110提供穩(wěn)定參考電壓到第一多個開關512A、514A、516A的每一個。第二多個開關506A、508A、510A被控制以操作加工工藝感應差錯校正電路502的三個支線并針對用于產生電壓傳感器元件的加工工藝中的變化而補償電壓傳感器元件504。不過，在一個實施例中，在任意一個時候，三個支線中僅有一個可被激勵。例如，在一個實施例中，響應于表示慢加工工藝的加工工藝表征，第一支線通過慢比特314接通第一開關506A、通過額定比特316斷開第二開關508A以及通過快比特318斷開第三開關510A而被激勵。在另一個實施例中，響應于表不快加工工藝的加工工藝表征,第三支線通過慢比特314斷開第一開關506A、通過額定比特316斷開第二開關508A以及通過快比特318接通第三開關510A而被激勵。在最后一個例子中，響應于表示額定加工工藝的加工工藝表征，第二支線通過慢比特314斷開第一開關506A、通過額定比特316接通第二開關508A以及通過快比特318斷開第三開關510A而被激勵。[0074]電壓傳感器元件504中流動的電流根據哪一個支線被激勵而改變。在一個實施例中，被激勵的支線中流動的電流以及因此壓傳感器元件504中流動的電流可以依賴于被激勵的支線內的器件的參數。在一個實施例中，被激勵的支線中流動的電流取決于被激勵的支線中的開關的尺寸特性，使得被激勵的支線中流動的電流與被激勵的支線中的開關的寬度與長度比率成正比。[0075]作為一個實例，在一個實施例中，第二多個開關506A、508A、510A的每個開關具有基本上相同尺寸參數(例如，長度為0.6微米，寬度為10微米，并且包括三個指狀柵極(gatefinger),而第一多個開關512A、514A、516A的每個開關具有不同的尺寸參數。例如，第一、第二以及第三開關512A、514A和516A中的每一個包括四個指狀柵極并且長度為2微米，但是第一開關512A的寬度為4.8微米，第二開關514A的寬度為5微米，以及第三開關516A的寬度為5.2微米。因此，由于第一多個開關512A、514A、516A的漏極電流與寬度與長度比率成正比，因此通過每個支線的電流也將改變。因此，通過響應于所述加工工藝表征而激勵三個支線之一，電壓傳感器元件504中的電流可以被調節(jié)以便補償用于生產電壓傳感器元件的加工工藝中的任何變化。要認識的是，開關的操作和尺寸參數可以不同地進行配置。[0076]如圖5A所示，電壓傳感器元件504包括與熱穩(wěn)定電阻器518A串聯(lián)的晶體管522A.晶體管522A本質上作為一個飽和開關(saturatedswitch),并且根據三個支線中的哪一個被激勵，流過電阻器518A的電流將改變。由電阻器518A的電阻以及加工工藝感應差錯校正電路502供應的電流確定的電阻器518A上下降的電壓偏移(offset)電源電壓Vcc以便產生在節(jié)點520A處的補償加工工藝的電壓信號，該信號表示所述電源電壓電平。因此，響應于慢加工工藝表征，第一電路支線(包括開關512A和506A)被激勵，電阻器518A上下降較小的電壓，并且在節(jié)點520A處提供的電壓信號被偏置得比第三電路支線(包括開關516A和510A)基于快加工工藝表征被激勵時電壓信號被偏置得小。在節(jié)點520A處產生的被補償的加工工藝電壓信號被提供到緩沖器506(圖5)。因此，電壓傳感器元件504基本上維持不受用于生產傳感器元件的加工工藝中的變化以及溫度變換的影響。[0077]圖6所示的是根據本發(fā)明的實施例的PVT傳感器的操作方法的流程圖。該方法起始于塊602。在塊604處，根據本發(fā)明的實施例的包括共同形成的相關聯(lián)的PVT傳感器的半導體器件被上電(poweron)。響應于被上電，在塊606處，PVT傳感器對用來生產PVT傳感器的加工工藝傳感器元件以及因此生產所述相關聯(lián)的半導體器件的加工工藝進行表征。如上所述，在本發(fā)明的實施例中，PVT傳感器可以對加工工藝傳感器元件(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的速度進行表征。響應于該加工工藝的表征，PVT傳感器提供表示用來生產PVT傳感器(以及相關聯(lián)的半導體器件)的加工工藝的加工工藝控制信號到PVT傳感器的輸出端。在塊608處，PVT傳感器響應于該加工工藝控制信號補償電壓傳感器并確定所述電源電壓電平。響應于確定所述電源電壓電平，PVT傳感器提供表示所述PVT傳感器以及所述相關聯(lián)的半導體器件的電源電壓電平的電壓控制信號。在塊610處，PVT傳感器響應于加工工藝表征補償溫度傳感器并確定PVT傳感器以及所述相關聯(lián)的半導體器件的溫度傳感器的晶片溫度。響應于確定該晶片溫度，溫度傳感器提供表示PVT傳感器以及相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度的溫度控制信號。根據本發(fā)明的實施例，塊606、608以及610可以被重復一遍連續(xù)地以及動態(tài)地對用來生產PVT傳感器和所述相關聯(lián)的半導體器件的加工工藝進行表征，感測所述PVT傳感器和所述相關聯(lián)的半導體器件的電源電壓電平，以及感測PVT傳感器和相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度。將認識到，快608和610的執(zhí)行順序可以變化。還將認識到，該加工工藝可以被動態(tài)地表征，以便在所述相關聯(lián)的半導體器件的壽命期間解決(accountfor)(例如，由于器件的老化(age)導致的)任何加工工藝表征變化。在一個實施例中，每次所述相關聯(lián)的半導體器件被上電時執(zhí)行所述加工工藝的表征。[0078]根據本發(fā)明實施例，PVT傳感器基于所感測的加工工藝、電源電壓電平以及晶片溫度級別提供可能被用于配置相關聯(lián)的半導體器件的控制信號，從而提供更一致的輸出信號。如上所述，可能顯著受益于一致的輸出信號的半導體器件的一個實例是CATV系統(tǒng)的上SfPGA0[0079]圖7是根據本發(fā)明的包括集成的PVT傳感器的半導體器件700方塊示意圖。如圖所示，半導體器件包括根據本發(fā)明實施例的PGA701和PVT傳感器702。PGA701包括兩級放大器714、兩級衰減器(attenuator)712、驅動器716a、716b、以及開關718。驅動器716a連接到放大器714的輸出端。驅動器716b連接到放大器712的輸出端。開關718連接到驅動器716a、716b兩者的輸出端。[0080]半導體器件700還包括帶隙電壓參考電路710、LDO調壓器708、至少一個偏壓電路706、至少一個偏壓控制器704、一個芯片上查詢表/狀態(tài)機720、以及一個串行外圍接口(SPI)722ο該LDO調壓器708連接到帶隙電壓參考電路710的輸出端。所述至少一個偏壓電路706連接到LDO調壓器708的輸出端以及放大器714和衰減器712的輸入端。所述至少一個偏壓控制器704連接到所述至少一個偏壓電路706的輸入端。所述芯片上查詢表/狀態(tài)機720連接到放大器714、衰減器712的增益輸入端以及PVT傳感器702的輸出端，并且串行外圍接口(SPI)722連接到芯片上查詢表/狀態(tài)機720。[0081]如上所述，帶隙電壓參考電路710和LDO調壓器708提供恒定參考電壓到所述至少一個偏壓電路706和PVT傳感器702(連接未示出)。還是如上所述，PVT傳感器702對用于生產PVT傳感器(以及相關聯(lián)的共同形成的半導體器件)的加工工藝進行表征，感測所述相關聯(lián)的半導體器件的電源電壓電平，感測相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度，以及提供相應的控制信號。[0082]該控制信號被提供到所述至少一個偏壓控制器704，其被配置為響應于該控制信號控制所述至少一個偏壓電路706。在一個實施例中,PVT傳感器702所提供的控制信號也被提供到芯片上查詢表/狀態(tài)機720。[0083]PGA700的增益和頻率響應可以采用放大器714、衰減器712、驅動器716、所述至少一個偏壓電路706、以及開關718進行控制。在一個實例中，所述放大器具有-1到32dB的DC增益，而衰減器具有-2到-27dB的DC增益。[0084]圖8所示的是放大器/衰減器712/714第一或第二級以及和偏壓電路806的一個實施例。放大器/衰減器的每一級(stage)800是基于共發(fā)射極的放大器/衰減器，具有可選擇的退化(degenerated)電阻器804以及可選擇的頻率補償電容器802。在一個實施例中，第一級具有0.1dB良好的增益梯級(gainstep)而第二級具有IdB增益梯級。應該認識是的是，放大器/衰減器可以被配置得比兩級更多或更少，并且該增益梯級可以進行不同的限定。偏壓電路806包括多個可選擇的電流源。[0085]參見圖7和8，響應于PVT傳感器702所提供的控制信號，偏壓控制器704操作所述偏壓電路806的多個可選擇電流源以便提供期望的偏壓電流到放大器/衰減器級800。在一個實施例中，在任何一次，僅有一個電流源可被選擇。[0086]除了接收來自PVT傳感器702的控制信號，芯片上查詢表/狀態(tài)機720也可以接收包括PGA的期望的DC增益的信號。在一個實施例中，期望的DC增益通過SPI722被輸入到查詢表/狀態(tài)機。不過，應該認識到是，期望的DC增益可以通過其他方法(例如平行輸入)被通訊發(fā)送到查詢表/狀態(tài)機。[0087]響應于PVT傳感器702所提供的控制信號以及被提供到查詢表/狀態(tài)機720的期望的DC增益，芯片上查詢表/狀態(tài)機720控制放大器714以及衰減器712.的頻率響應以及DC增益。查詢表/狀態(tài)機720控制可選擇退化電阻器804、可選擇頻率補償電容器802以及開關718，以便調節(jié)在PGA700的輸出端的期望的DC增益。在本發(fā)明的實施例中，查詢表/狀態(tài)機720包括算法狀態(tài)機(ASM)，其能夠響應于PVT傳感器和期望的增益輸入控制放大器714、衰減器712以及開關718的操作。[0088]圖9所示的是芯片上查詢表/狀態(tài)機的芯片上查詢表的一部分的實施例。芯片上查詢表900包括DC增益級別指數(index)902、溫度傳感器輸入級別指數904、以及加工工藝傳感器輸入級別指數906。芯片上查詢表900還可以包括電壓傳感器輸入級別指數(為示出)。應該認識到的是，圖9中所示的表顯示了芯片上查詢表/狀態(tài)機的輸入和輸出。取決于輸入到查詢表的期望的DC增益以及PVT控制信號，查詢表900標識第一級和第二級的哪一個電阻器應可切換地設置以產生期望的DC增益，并且查詢表/狀態(tài)機的狀態(tài)機操作以設置被標識的電阻器。例如，參見圖9，如果來自PVT的溫度傳感器控制信號為10001，則來自PVT的加工工藝表征為010，而期望增益為111011，該芯片上查詢表/狀態(tài)機將該控制信號和期望增益映射到相應的指數(index)并操作以關閉對應于第一級的電阻器12和第二級的電阻器17的開關，以便維持期望的111011增益。用于確定根據PVT傳感器的輸出以及PGA的期望頻率響應來選擇哪一個可選擇頻率補償電容器802的指數可以以相同能干方式提供。[0089]圖10所示的是根據本發(fā)明的實施例的具有芯片上查詢表/狀態(tài)機和PVT傳感器的PGA操作的方法的流程圖。該方法起始于塊1002。在塊1004處，芯片上查詢表/狀態(tài)機接收由用戶提供的期望DC增益。在塊1006處，芯片上查詢表/狀態(tài)機接收來自PVT傳感器的傳感器數據。在塊1008處，芯片上查詢表/狀態(tài)機如上所述響應于來自PVT傳感器和期望DC增益的傳感器數據配置PGA，以便產生在PGA的輸出端處的期望DC增益。在塊1010處，判斷PGA的參數(諸如期望增益、加工工藝表征、晶片溫度、和/或電源電壓)是否已經改變。如果判斷沒有參數改變，那么重復塊1010。如果判斷至少有一個PGA參數改變，那么在塊1012處，查詢表/狀態(tài)機如上所述修改PGA的配置，以便維持期望DC增益。在塊1012處修改了PGAJ^1010被重復。應該認識到的是，PGA的頻率響應的修改可以以一種類似的方式進行。[0090]圖11所示的是根據本發(fā)明實施例的包括PGAl101和PVT傳感器1106的半導體器件1100。除了查詢表/狀態(tài)機的集成之外，圖11中所示的PGA1101類似于圖7中所示的PGA701。與圖1中的PGA701不同，該PGA1101不包括芯片上查詢表/狀態(tài)機。替代地，該PGA1101與已經下載了固件查詢表1104的芯片外處理器1002進行通訊。該固件查詢表1104可以包括如上參照圖9所述的控制信號和期望增益指數。在一個實例中，該固件查詢表采用PGA的(例如C++編寫的)電路描述被編程，以便接收PVT傳感器的輸出和期望的增益設置值，并基于此返回提供補償的增益設置值到PGA。應該認識到的是，電路描述存儲查詢表可以采用任何其他編程語言進行編寫。在另一個實例中，固件查詢表存儲在微處理器的SRAM、EEPROM或閃存之一中；不過，應該認識到的是，該固件查詢表可以存儲在任何類型的計算機存儲器中。微處理器1102可以位于與PGA1101相同的印刷電路板(PCB)(未示出)上。[0091]微處理器1102被編程以控制PGAl101的所述增益和頻率響應。PVT傳感器1106對用于生產PVT傳感器(和所述相關聯(lián)的半導體器件)的加工工藝進行表征，感測所述相關聯(lián)的半導體器件的所述電源電壓電平，感測所述相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度，以及經過總線1112提供相應的P、V、T傳感器信號到微處理器1002。微處理器1102從PVT傳感器1106接收P、V、T傳感器信號并將該傳感器信號和用戶提供的期望增益映射到所下載的固件查詢表1104中的相應的指數，以便提供補償的增益信號到PGA1101，從而補償感測的參數。在一個實施例中，所補償的增益信號經由SPI1108被發(fā)送到PGA1101，并被配置為如上所述控制放大器1111和衰減器的操作。通過將固件查詢表存儲在分離的微處理器1102上，PGAl101的晶片面積(diearea)得以減小并且固件查詢表1104通過下載固件查詢表的更新版本而可以方便地更新。[0092]圖12所示的是根據本發(fā)明另一個實施例的包括PGA1202和PVT傳感器1206的半導體器件1200。除了PVT傳感器1206和微處理器1208之間的連接的配置之外，圖12的PGA1202類似于圖11中的PGA1101。與圖11中的PGA1101不同，圖12的PGA1202不包括將PVT傳感器1206連接到微處理器1208的分離的總線。替代地，PVT傳感器1206提供P、V、T傳感器信號到SPI1210，且SPI1210將來自PVT傳感器1206的傳感器信號通訊發(fā)送到微處理器1208。[0093]微處理器1208被編程為控制PGA1202的增益和頻率響應。PVT傳感器1206對用于生產PVT傳感器(以及所述相關聯(lián)的半導體器件)的加工工藝進行表征，感測所述相關聯(lián)的半導體器件的所述電源電壓電平，感測所述相關聯(lián)的半導體器件的晶片溫度，以及提供相應的P、V、T傳感器信號到SPI1210。微處理器1208從5?11210接收？、￥、1'傳感器信號并將該傳感器信號和用戶提供的期望增益映射到所下載的固件查詢表1212中的相應的指數，以便將補償的增益信號提供到PGA1202，從而補償所感測的參數。在一個實施例中，該補償的增益信號經由SPI1210被發(fā)送到PGA1200并被配置為如上所述控制放大器1214和衰減器1216的操作。在利用SPI1210來接口PVT傳感器1206和微處理器1208時，可以使用降低的PCB面積或簡化的PCB布線圖(routingscheme)。應該認識到的是,即使PVT傳感器1206和微處理器1208之間的連接不同于圖7和11中的連接，控制信號和期望增益指數的格式可以與參照圖9所描述的格式相同。[0094]圖13所示的是根據本發(fā)明的實施例的具有芯片外固件查詢和PVT傳感器的PGA的操作的方法的流程圖。該方法起始于塊1302。在塊1304處，該芯片外固件查詢表接收由用戶提供的期望DC增益。在塊1306處，芯片外固件查詢表從PVT傳感器接收傳感器數據。在塊1308處，微處理器如上所述響應于來自PVT傳感器的傳感器數據和用戶提供的期望DC增益配置PGA，以便在PGA的輸出端產生期望DC增益。在塊1310處，判斷PGA的任何參數(諸如期望增益、加工工藝表征、晶片溫度、和/或電源電壓)是否已經改變。響應于沒有參數改變的判斷，那么重復塊1310?；蛘撸憫谥辽儆幸粋€PGA參數改變的判斷，在塊1312處，微處理器查詢固件查詢表中相應的修改，在塊1314處，響應于在固件查詢表找到的相應的修改，微處理器通過將如上所述相應的增益設置值提供到PGA以抵消(counteract)改變的參數來配置PGA1202，并且維持期望的DC增益。應該認識到的是，PGA的頻率響應的修改可以采用類似的方式執(zhí)行。[0095]應該認識到的是，盡管已經相對CATV系統(tǒng)的PGA描述了本發(fā)明的PVT傳感器，但是PVT傳感器也可以用于任何其它對溫度、電壓或加工工藝變化敏感以及其中期望穩(wěn)定輸出的任何器件。例如，PVT傳感器可用于數字邏輯電路，以便調節(jié)輸入或輸出緩沖器阻抗，或者改善集成振蕩器的穩(wěn)定性以及改善振蕩器芯片與振蕩器芯片之間的集成電路振蕩器性能一致性。[0096]根據本發(fā)明，與敏感半導體器件相關聯(lián)的缺點，諸如不一致性，由于提供一種傳感器而得以降低，該傳感器能夠感測器件運行的電壓電平和溫度，能夠感測表示用來生產該器件的加工工藝的參數以便對該器件的性能進行表征，以及提供可以用來補償該器件以便確保更一致的性能的傳感器信號。[0097]如上所述，本發(fā)明的實施例設計一種加工工藝、電壓以及溫度(PVT)傳感器，其配置為感測表示用來生產相關聯(lián)的共同形成的器件的加工工藝的加工工藝參數、運行相關聯(lián)器件的電源電壓電平以及運行相關聯(lián)器件的溫度。應該認識到，在一個實施例中，PVT傳感器實現在與相關聯(lián)器件相同的集成電路并由相同的加工工藝步驟形成，使得PVT傳感器所感測的參數精確反映相關聯(lián)器件的參數。不過，在另一個實施例中，PVT傳感器和相關聯(lián)器件也可以實現在彼此相當接近的(例如，附著在同一個基板上)分離的集成電路上。在PVT傳感器實現在相對相關聯(lián)器件的分離的集成電路上但是彼此物理上緊密接近(例如，在同一個基板上)并且通過相同的電源提供電力的情況下，PVT傳感器可以用于提供精確反映相關聯(lián)的半導體器件的溫度和電源電壓的受補償的加工工藝溫度信號以及電源電壓信號[0098]根據一個實施例，表示用來生產PVT傳感器和相關聯(lián)的共同形成的半導體器件的加工工藝的感測的加工工藝參數被用于對相關聯(lián)器件的性能進行定性地表征，并且，表示PVT傳感器和相關聯(lián)器件的性能的輸出信號、PVT傳感和相關聯(lián)器件的所感測的運行電源電壓電平、以及PVT傳感器和相關聯(lián)器件的感測的運行溫度被提供。這些輸出信號可以用于配置相關聯(lián)器件以便補償相關聯(lián)器件，以便無論相同設計和制造的不同芯片之間的性能差別如何，以及無論器件所運行的條件方面的差別如何，都能夠提供更一致的輸出。在一個實施例中，相關聯(lián)器件的至少一部分是可編程的，并且該部分響應于該輸出信號被編程，以便補償相關聯(lián)器件，從而提供一致的輸出。在另一個實施例中，可操作地位于相關聯(lián)器件下游的器件能夠響應于該輸出信號被配置，以便補償相關聯(lián)器件中的性能差別。[0099]在已經對本發(fā)明的至少一個實施例的幾個方面進行描述之后，需要認識的是，本領域普通技術人員將會體會到各種替代方式、修改方式以及改進方式。這種替代方式、修改方式以及改進方式將被認為是本公開的一部分，并且將被認為位與本發(fā)明的范圍之內。因此，前述描述和附圖僅僅是一種舉例方式?！緳嗬蟆?.一種半導體加工工藝傳感器，該半導體加工工藝傳感器包括:恒定參考電壓源，配置為產生恒定參考電壓信號；加工工藝傳感器元件，其耦接到所述恒定參考電壓源，并被配置為接收所述恒定參考電壓信號，感測表示用來形成所述半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝參數，并基于該感測的加工工藝參數產生表征用來將半導體加工工藝傳感器形成為額定、高于額定或低于額定中的一種的半導體加工工藝的加工工藝測量信號。2.如權利要求1所述的半導體加工工藝傳感器，其中所述加工工藝測量信號將所述半導體加工工藝表征為慢、額定以及快之一。3.如權利要求2所述的半導體加工工藝傳感器，其中半導體加工工藝表征為慢、額定以及快之一是晶體管類型特有的。4.如權利要求1所述的半導體加工工藝傳感器，還包括編碼器，其耦接到所述加工工藝傳感器元件，并配置為接收所述加工工藝測量信號以及將該加工工藝測量信號編碼為數字加工工藝測量信號。5.如權利要求1所述的半導體加工工藝傳感器，其中所述加工工藝傳感器元件包含:加工工藝感測電阻器，具有電耦接到所述恒定參考電壓源的第一端子和提供感測的電壓信號的第二端子，所述加工工藝感測電阻器的電阻取決于用于形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝中的至少一個變量；恒流源，電耦接到加工工藝感測電阻器的第二端子；以及模-數轉換器，耦接到所述加工工藝感測電阻器的第二端子，并被配置為提供用于表征用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝測量信號。6.如權利要求5所述的半導體加工工藝傳感器，還包括分壓器，具有電耦接到恒定參考電壓源的輸出的輸入以及多個輸出，每個所述輸出提供多個不同參考電壓信號之一，所述分壓器包含串聯(lián)連接在所述分壓器的輸入和參考端之間的多個電阻器，所述分壓提供多個電壓信號中的至少一個到所述模-數轉換器。7.如權利要求6所述的半導體加工工藝傳感器，其中所述分壓器的多個電阻器的每一個以及加工工藝感測電阻器具有高度、寬度和長度，所述分壓器的多個電阻器的每一個的高度、寬度和長度基本相同，所述加工工藝感測電阻器的高度幾乎與所述分壓器的多個電阻器的每一個的高度相同，并且所述加工工藝感測電阻器的寬度基本上小于分壓器的多個電阻器的每一個的寬度。8.如權利要求6所述的半導體加工工藝傳感器，其中所述模-數轉換器包含至少一個比較器，該至少一個比較器具有電耦接到所述分壓器的多個輸出的第一輸出以接收第一參考電壓信號的第一輸入、電耦接到所述分壓器的多個輸出的第二輸出以接收第二參考電壓信號的第二輸入、以及電耦接到所述加工工藝感測電阻器的第二端子以接收所感測的電壓信號的第三輸入，所述至少一個比較器配置為比較所感測的電壓信號與第一和第二電壓參考信號，并提供至少一個比較器輸出信號，所述至少一個比較器輸出信號是表征用來形成所述半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝測量信號。9.如權利要求8所述的半導體加工工藝傳感器，其中，所述多個電阻器包含:第一電阻器，具有第一端子和第二端子，所述第一電阻器的第一端子電耦接到所述分壓器的輸入和所述加工工藝感測電阻器的第一端子，并且所述第一電阻器的第二端子電耦接到所述至少一個比較器的第一輸入；第二電阻器，具有第一端子和第二端子，所述第二電阻器的第一端子電耦接到所述第一電阻器的第二端子，并且所述第二電阻器的第二端子電耦接到所述恒定參考電壓源的輸A；第三電阻器，具有第一端子和第二端子，所述第三電阻器的第一端子電耦接到所述第二電阻器的第二端子，并且所述第三電阻器的第二端子電耦接到所述至少一個比較器的第二輸入；以及第四電阻器，具有第一端子和第二端子，所述第四電阻器的第一端子電耦接到所述第三電阻器的第二端子，并且所述第四電阻器的第二端子電耦接到所述參考端子。10.如權利要求8所述的半導體加工工藝傳感器，其中所述至少一個比較器包括:第一比較器，具有用于接收第一參考電壓信號的第一輸入和用于接收感測的電壓信號的第二輸入，所述第一比較器配置為比較感測的電壓信號和第一參考電壓信號，并響應于感測的電壓信號大于第一參考電壓信號而提供第一比較器輸出信號，以及響應于感測的電壓信號小于第一參考電壓信號而提供第二比較器輸出信號；以及第二比較器，具有用于接收第二參考電壓信號的第一輸入和用于接收感測的電壓信號的第二輸入，所述第二比較器配置為比較感測的電壓信號和第二參考電壓信號，并響應于感測的電壓信號大于第二參考電壓信號而提供第三比較器輸出信號，以及響應于感測的電壓信號小于第二參考電壓信號而提供第四比較器輸出信號。11.如權利要求10所述的半導體加工工藝傳感器，還包括編碼器，該編碼器具有用于接收第一比較器輸出信號的第一輸入、用于接收第二比較器輸出信號的第二輸入、用于接收第三比較器輸出信號的第三輸入、以及用于接收第四比較器輸出信號的第四輸入，所述編碼器配置為響應于感測的電壓信號大于第一參考電壓信號而賦值第一輸出信號，以及響應于感測的電壓信號小于第一參考電壓信號并且大于第二參考電壓信號而賦值第二輸出信號，以及響應于感測的電壓信號小于第二參考電壓信號而賦值第三輸出信號。12.如權利要求11所述的半導體加工工藝傳感器，其中所述第一輸出信號將半導體加工工藝表征為快，所述第二輸出信號將半導體加工工藝表征為額定，所述第三輸出信號將半導體加工工藝表征為慢。13.如權利要求12所述的半導體加工工藝傳感器，還包括數字緩沖器，其耦合到所述編碼器，并被配置為提供所述第一輸出信號、第二輸出信號和第三輸出信號到半導體加工工藝傳感器的輸出。14.如權利要求1所述的半導體加工工藝傳感器，其中每當所述半導體加工工藝傳感器被上電時，所述加工工藝傳感器元件產生所述加工工藝測量信號。15.一種表征用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的方法，該方法包括如下操作:提供基本恒定參考電壓到加工工藝感測元件；利用所述加工工藝感測元件感測指示用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝的加工工藝參數；和基于所述感測操作，產生將用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝表征為額定、高于額定或低于額定之一的加工工藝測量信號。16.根據權利要求15所述的方法，其中產生加工工藝測量信號包含進行半導體加工工藝的晶體管類型特有的表征。17.根據權利要求15所述的方法，其中感測加工工藝參數包含確定跨加工工藝感測元件的感測的電壓降，并且產生加工工藝測量信號包含產生基于感測的電壓將半導體加工工藝表征為額定、高于額定或低于額定之一的加工工藝測量信號。18.根據權利要求17所述的方法，其中所述產生加工工藝測量信號包含操作:基于基本恒定的參考電壓產生多個不同的參考電壓；將多個不同的參考電壓與感測的電壓比較；和基于比較操作來表征所述半導體加工工藝。19.根據權利要求18所述的方法，其中所述表征操作包含操作:響應于感測的電壓大于第一參考電壓，將半導體加工工藝表征為快；響應于感測的電壓小于第一參考電壓且大于第二參考電壓，將半導體加工工藝表征為額定；響應于感測的電壓小于第二參考電壓，將半導體加工工藝表征為慢。20.一種半導體加工工藝傳感器，該半導體加工工藝傳感器包括:恒定參考電壓源，配置為產生恒定參考電壓信號；加工工藝感測元件，其耦接到所述恒定參考電壓源；以及用于感測跨加工工藝感測元件的電壓降并用于基于所述電壓降將用來形成半導體加工工藝傳感器的半導體加工工藝表征為額定、高于額定和低于額定之一的部件。【文檔編號】H03F1/30GK104135236SQ201410379803【公開日】2014年11月5日申請日期:2009年9月22日優(yōu)先權日:2009年7月28日【發(fā)明者】J.H.李申請人:天工方案公司