技術特征：
1.一種電子標簽解調(diào)電路，包括包絡檢波模塊和解調(diào)模塊，所述包絡檢波模塊接收射頻信號中的包絡波信號，所述解調(diào)模塊接收所述包絡檢波模塊的輸出信號進行解調(diào)；其特征在于，所述解調(diào)模塊包括電流基準產(chǎn)生單元和比較解調(diào)單元；所述包絡波檢波模塊把接收的包絡波信號轉(zhuǎn)換成直流電壓信號輸出到所述解調(diào)模塊中；所述電流基準產(chǎn)生單元通過動態(tài)適應方式產(chǎn)生電流基準，所述比較解調(diào)單元將所述電流基準產(chǎn)生單元產(chǎn)生的電流基準與所述比較解調(diào)單元的輸入電流進行比較，根據(jù)比較結(jié)果對所述直流電壓信號進行解調(diào)并輸出解調(diào)信號。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述包絡波檢波模塊包括：n個第一電容、2n個第一二極管、n個第二電容、m個第二二極管，n、m為大于1的正整數(shù)，所述第一二極管依次正向串聯(lián)連接成第一支路，所述第一支路的正極端接地，所述第一支路的負極端為包絡波檢波模塊的輸出；沿著所述第一支路正極端到負極端方向的第1、3、5…2n-1個所述第一二極管的負極分別連接所述第一電容的一端；所述第一電容的另一端連接天線接收包絡波信號；沿著所述第一支路正極端到負極端方向的第2、4、6…2n個所述第一二極管的負極分別連接所述第二電容的一端；所述第二電容的另一端分別接地；所述第二二極管正向串聯(lián)連接成第二支路，所述第二支路的正極端連接所述第一支路的負極端，所述第二支路的負極端接地。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述電子標簽解調(diào)電路還包括輸出整形模塊，所述輸出整形模塊連接解調(diào)模塊的輸出端，用于對解調(diào)模塊的輸出信號進行整形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述輸出整形模塊為斯密特反相器。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述輸出整形模塊還包括連接在所述斯密特反相器輸出端的反相器。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述電流基準產(chǎn)生單元包括第一電流鏡電路以及第二電流鏡電路；所述第一電流鏡電路中PMOS管的源極通過信號控制開關連接供電電壓，所述第一電流鏡電路的輸入端接參考電流，鏡像輸出端連接所述第二電流鏡電路中PMOS管的源極。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述比較解調(diào)單元包括第一NMOS管、第二NMOS管以及RC單元；其中，第二電流鏡電路輸入或輸出的其中一端連接所述第一NMOS管的漏極，另一端連接所述第二NMOS管的漏極；所述第一NMOS管的柵極接收所述包絡檢波模塊的輸出信號，源極接地；所述RC單元接收所述包絡檢波模塊的輸出信號；所述第二NMOS管的柵極接收所述RC單元的輸出信號，源極接地；從所述第二電流鏡的輸出端引出解調(diào)信號的輸出端子。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子標簽解調(diào)電路，其特征在于，所述RC單元包括電阻和電容，其中所述電阻的一端接收所述包絡波檢波模塊的輸出信號，另一端與電容的一端連接；所述電容的另一端接地；從電容和電阻的連接點引出RC單元的輸出端子連接到所述第二NMOS管的柵極。9.一種電子標簽，包括天線、電源模塊、整流模塊、調(diào)制解調(diào)模塊、控制模塊以及存儲模塊，其特征在于，所述調(diào)制解調(diào)模塊包括權(quán)利要求1到8任一項所述電子標簽解調(diào)電路。10.一種電子標簽的解調(diào)方法，基于權(quán)利要求1-8任一項所述的電子標簽解調(diào)電路對電子標簽信息進行解調(diào)，包括以下步驟：接收射頻信號中的包絡波信號；把所述接收的包絡波信號轉(zhuǎn)化成直流電壓信號；電流基準產(chǎn)生單元通過動態(tài)適應方式產(chǎn)生電流基準，比較解調(diào)單元將電流基準產(chǎn)生單元產(chǎn)生的電流基準與比較解調(diào)單元的輸入電流進行比較，根據(jù)比較結(jié)果對所述直流電壓信號進行解調(diào)；輸出解調(diào)信號。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的解調(diào)方法，其特征在于，采用電流比較的方式對所述直流電壓信號進行解調(diào)的步驟包括采用電流鏡電路通過動態(tài)適應方式產(chǎn)生比較的電流基準。