本發(fā)明涉及一種解調(diào)電路及解調(diào)方法，尤其涉及一種電子標(biāo)簽的解調(diào)電路、解調(diào)方法與電子標(biāo)簽。

背景技術(shù)：
電子標(biāo)簽采用射頻采集技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于票務(wù)、物流、防偽等領(lǐng)域。對電子標(biāo)簽高效地讀取，離不開解調(diào)電路。目前，電子標(biāo)簽的解調(diào)電路主要基于整流檢波，再通過電壓或者電流比較的方法實現(xiàn)解碼。利用電壓比較的方法實現(xiàn)解調(diào)，其電流結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功耗較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問題是簡化電子標(biāo)簽解調(diào)電路的結(jié)構(gòu)，降低功率損耗，避免解調(diào)過程對基準(zhǔn)電流的依賴，提高解調(diào)準(zhǔn)確度。為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)方案提供一種電子標(biāo)簽解調(diào)電路，包括包絡(luò)檢波模塊和解調(diào)模塊，所述包絡(luò)檢波模塊接收射頻信號中的包絡(luò)波信號，所述解調(diào)模塊接收所述包絡(luò)檢波模塊的輸出信號進(jìn)行解調(diào)；所述包絡(luò)波檢波模塊把接收的所述包絡(luò)波信號轉(zhuǎn)換成直流電壓信號輸出到所述解調(diào)模塊中；所述解調(diào)模塊通過電流比較的方式對所述直流電壓信號進(jìn)行解調(diào)并輸出解調(diào)信號。所述包絡(luò)波檢波模塊包括：n個第一電容、2n個第一二極管、n個第二電容、m個第二二極管，n、m為大于1的正整數(shù)，所述第一二極管依次正向串聯(lián)連接成第一支路，所述第一支路的正極端接地，所述第一支路的負(fù)極端為包絡(luò)波檢波模塊的輸出；沿著所述第一支路正極端到負(fù)極端方向的第1、3、5…2n-1個所述第一二極管的負(fù)極分別連接所述第一電容的一端；所述第一電容的另一端連接天線接收包絡(luò)波信號；沿著所述第一支路正極端到負(fù)極端方向的第2、4、6…2n個所述第一二極管的負(fù)極分別連接所述第二電容的一端；所述第二電容的另一端分別接地。所述第二二極管正向串聯(lián)連接成第二支路，所述第二支路的正極端連接所述第一支路的負(fù)極端，所述第二支路的負(fù)極端接地。進(jìn)一步的，所述電子標(biāo)簽解調(diào)電路還可以包括連接解調(diào)模塊的輸出信號，用于對解調(diào)模塊的輸出信號進(jìn)行整形的輸出整形模塊。所述解調(diào)模塊可以包括電流基準(zhǔn)產(chǎn)生單元以及比較解調(diào)單元，其中，所述電流基準(zhǔn)產(chǎn)生單元用于通過動態(tài)適應(yīng)方式產(chǎn)生電流基準(zhǔn)；所述比較解調(diào)單元用于通過電流比較的方式解調(diào)出電子標(biāo)簽的信號并輸出。進(jìn)一步的，所述電流基準(zhǔn)產(chǎn)生單元包括第一電流鏡電路以及第二電流鏡電路；所述第一電流鏡電路中PMOS管的源極通過信號控制開關(guān)連接供電電壓，所述第一電流鏡電路的輸入端接地用于產(chǎn)生參考電流，輸出端連接所述第二電流鏡電路中PMOS管的源極。所述比較解調(diào)單元可以包括第一NMOS管、第二NMOS管以及RC單元；其中，所述第二電流鏡電路輸入或輸出其中一端連接所述第一NMOS管的漏極，另一端連接所述第二NMOS管的漏極；所述第一NMOS管的柵極接收所述包絡(luò)檢波模塊的輸出信號，源極接地；所述RC單元接收所述包絡(luò)檢波模塊的輸出信號；所述第二NMOS管的柵極接收所述RC單元的輸出信號，源極接地；從所述第二電流鏡的輸出端引出解調(diào)信號的輸出端子。所述RC單元包括電阻和電容，其中所述電阻的一端接收所述包絡(luò)波檢波模塊的輸出信號，另一端與電容的一端連接；所述電容的另一端接地；從電容和電阻的連接點(diǎn)引出RC單元的輸出端子連接到所述第二NMOS管的柵極。本發(fā)明還提供一種電子標(biāo)簽，其包括天線、電源模塊、整流模塊、調(diào)制解調(diào)模塊、控制模塊、存儲模塊、以及前述的電子標(biāo)簽解調(diào)電路。本發(fā)明還提供一種基于上述電子標(biāo)簽的解調(diào)電路的對電子標(biāo)簽信息進(jìn)行解調(diào)的方法，包括以下步驟：接收射頻信號中的包絡(luò)波信號；把所述接收的包絡(luò)波信號轉(zhuǎn)化成直流電壓信號；采用電流比較的方式對所述直流電壓信號進(jìn)行解調(diào)；輸出解調(diào)信號。進(jìn)一步的，采用電流比較的方式對所述直流電壓信號進(jìn)行解調(diào)的步驟包括通過電流鏡電路通過動態(tài)適應(yīng)方式產(chǎn)生比較的電流基準(zhǔn)。本技術(shù)方案的有益效果是：采用包絡(luò)檢波模塊把包絡(luò)信號轉(zhuǎn)換成直流電壓信號，然后采用電流比較的方式對信號進(jìn)行解調(diào)，可以簡化解調(diào)電路的結(jié)構(gòu)，降低功耗；采用動態(tài)適應(yīng)的方式產(chǎn)生比較的電流基準(zhǔn)，可以隨輸入電壓變化動態(tài)調(diào)節(jié)參考，避免過于依賴基準(zhǔn)電流，可以更有效提高解調(diào)靈敏度。附圖說明圖1為本技術(shù)方案實施例一中電子標(biāo)簽解調(diào)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)方案實施例一中輸出整形模塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本技術(shù)方案實施例一中包絡(luò)檢波模塊電路結(jié)構(gòu)圖；圖4為本技術(shù)方案實施例一中解調(diào)模塊電路結(jié)構(gòu)圖；圖5為圖4中RC單元電路結(jié)構(gòu)圖；圖6為本技術(shù)方案實施例二中解調(diào)模塊電路結(jié)構(gòu)圖。圖7為本技術(shù)方案實施例二中輸出整形模塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本技術(shù)方案實施例三中電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)示意圖；具體實施方式下面通過具體實施方式結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的主要發(fā)明構(gòu)思為：通過把包絡(luò)信號轉(zhuǎn)換成直流電壓信號，再采用電流比較的方法對信號進(jìn)行解調(diào)，簡化電路結(jié)構(gòu)，降低功耗；采用動態(tài)適應(yīng)方式產(chǎn)生電流基準(zhǔn)，避免依賴基準(zhǔn)電流，提高解調(diào)靈敏度。實施例一：請參考圖1，圖1為本實施例中電子標(biāo)簽解調(diào)電路結(jié)構(gòu)示意圖；電子標(biāo)簽解調(diào)電路，包括包絡(luò)檢波模塊1和解調(diào)模塊2。所述包絡(luò)波檢波模塊1接收射頻信號中的包絡(luò)波信號并把接收的包絡(luò)波信號轉(zhuǎn)換成直流電壓信號輸出到所述解調(diào)模塊2中；所述解調(diào)模塊2通過電流比較的方式對所述直流電壓信號進(jìn)行解調(diào)并輸出解調(diào)信號。進(jìn)一步的，所述電子標(biāo)簽解調(diào)電路還包括輸出整形模塊3；所述輸出整形模塊3接收解調(diào)模塊的輸出信號，可以對解調(diào)后的信號進(jìn)行整形處理；解調(diào)模塊2解調(diào)輸出信號一般不是理想信號，而且信號功率比較弱，為了更好輸出到后級系統(tǒng)，一般對解調(diào)輸出信號進(jìn)行整形處理，請參考圖2，圖2為本實施例中輸出整形模塊結(jié)構(gòu)示意圖，所述輸出整形模塊3可以簡單地采用反相器對信號進(jìn)行處理，本實施例中采用斯密特反相器31對解調(diào)輸出信號進(jìn)行整形處理；當(dāng)然，并非所有電子標(biāo)簽解調(diào)電路都需要輸出整形模塊，一些系統(tǒng)要求不是很高，或者后級處理系統(tǒng)足以對所述解調(diào)模塊2解調(diào)出的信號進(jìn)行識別處理，就不需要增加輸出整形模塊對解調(diào)信號進(jìn)行整形。具體的，請參考圖3，圖3為本實施例中包絡(luò)檢波模塊電路結(jié)構(gòu)圖；所述包絡(luò)波檢波模塊1可以包括n個第一電容Cq1至Cqn、2n個第一二極管D1至D2n、n個第二電容Cp1至Cpn以及m個第二二極管Da1至Dam；其中，所述第一二極管D1至D2n依次正向串聯(lián)連接成第一支路，所述第一支路的正極端即第一個二極管D1的正極端接地，所述第一支路的負(fù)極端即第2n個第一二極管D2n的負(fù)極端引出模塊的輸出端子VA；沿著所述第一支路正極端到負(fù)極端方向的第1、3、5…2n-1個所述第一二極管(即D1、D3、D5…D2n-1，即所有奇數(shù)序號的第一二極管)的負(fù)極分別連接所述第一電容Cq1至Cqn的一端；所述第一電容Cq1至Cqn的另一端連接天線接收射頻信號中包絡(luò)波信號Vrf，沿著所述第一支路正極端到負(fù)極端方向的第2、4、6…2n個所述第一二極管(即D2、D4、D6…D2n，即所有偶數(shù)序號的第一二極管)的負(fù)極分別連接所述第二電容Cp1至Cpn的一端；所述第二電容Cp1至Cpn的另一端接地；所述第二二極管Da1至Dam正向串聯(lián)連接成第二支路，所述第二支路的正極端即Dam的正極端連接所述第一支路的負(fù)極端(即D2n的負(fù)極端)，所述第二支路的負(fù)極端(即Da1的負(fù)極端)接地。通過上述電路連接的包絡(luò)檢波模塊1，能夠準(zhǔn)確高效的把包絡(luò)波信號轉(zhuǎn)換成直流電壓信號從VA端輸出。請參考圖4和圖5，其中，圖4為本實施例中解調(diào)模塊電路結(jié)構(gòu)圖，圖5為圖4中RC單元電路結(jié)構(gòu)圖；所述解調(diào)模塊2可以包括電流基準(zhǔn)產(chǎn)生單元21，所述電流基準(zhǔn)產(chǎn)生單元21通過動態(tài)適應(yīng)方式產(chǎn)生電流基準(zhǔn)，包括第一電流鏡電路以及第二電流鏡電路。所述第一電流鏡電路包括第一PMOS管PM1與第二PMOS管PM2，所述第一PMOS管PM1源極與所述第二PMOS管PM2的源極連接，并連接信號控制開關(guān)K1的一端，所述信號控制開關(guān)K1的另一端連接供電電壓；所述第一PMOS管PM1的漏極為所述第一電流鏡電路的輸入端，其連接接參考電流Iref，參考電源Iref由電流源提供；所述第一PMOS管PM1的柵極連接漏極并連接所述第二PMOS管PM2的柵極；所述第二PMOS管PM2的漏極為所述第一電流鏡電路的輸出端；所述第二PMOS管PM2的漏極端能夠鏡像出與所述第一PMOS管PM1的漏極端的輸入電流大小相等的輸出電流。所述第二電流鏡電路包括第三PMOS管PM3與第四PMOS管PM4，所述第三PMOS管PM3的源極與所述第四PMOS管PM4的源極連接并與所述第一電流鏡電路的輸出端(即所述第二PMOS管PM2的漏極端)連接，所述第三PMOS管PM3的漏極為所述第二電流鏡的輸入端，連接所述包絡(luò)波檢波模塊1的輸出信號；所述第三PMOS管PM3的柵極與所述第四PMOS管PM4的柵極連接并與所述第四PMOS管PM4的漏極連接；所述第四PMOS管PM4的漏極為所述第二電流鏡電路的輸出端。進(jìn)一步的，所述解調(diào)模塊2還包括比較解調(diào)單元22，所述比較解調(diào)單元22用于接收所述包絡(luò)波檢波模塊1輸出的直流電壓信號，并通過電流比較的方式把所述直流電壓信號解調(diào)出來并輸出；所述比較解調(diào)單元22包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2以及RC單元221；其中，所述第二電流鏡電路的輸出端連接所述第一NMOS管NM1的漏極，輸入端連接所述第二NMOS管NM2的漏極；所述第一NMOS管NM1的柵極接收所述包絡(luò)檢波模塊的輸出信號VA，源極接地；所述RC單元221接收所述包絡(luò)檢波模塊的輸出信號VA；所述第二NMOS管NM2的柵極接收所述RC單元221的輸出信號VB，源極接地；從所述第二電流鏡的輸出端(即所述PMOS管PM3的漏極)引出解調(diào)信號的輸出端子VC。所述RC單元221還可以包括電阻和電容，其中所述電阻的一端接收所述包絡(luò)波檢波模塊的輸出信號，另一端與電容的一端連接；所述電容的另一端接地；從電容和電阻的連接點(diǎn)引出RC單元的輸出端子VB連接到所述第二NMOS管的柵極。在實際解調(diào)應(yīng)用中，通過信號控制閉合信號控制開關(guān)K1，解調(diào)模塊2開始工作，從所述第一電流鏡電路的輸入端產(chǎn)生參考電流Iref，所述第一電流鏡電路的輸出端最大可獲得與參考電流Iref相等的鏡像電流I0輸出，正常情況下，從包絡(luò)波檢波模塊1讀取的信號VA的電壓值與經(jīng)過RC單元的輸出信號VB的電壓值相等，所述第二電流鏡的輸出端電流I2與輸入端電流I1相等，即I1＝I2＝(1/2)*I0；由于包絡(luò)波檢波模塊1的輸出信號VA會發(fā)生變化，在RC單元的作用下，所述第二NMOS管NM2的柵極電壓VB變化會稍微落后于所述第一NMOS管NM1的柵極電壓VA的變化，出現(xiàn)VB不等于VA的情況：當(dāng)VA的電壓變化出現(xiàn)由高到低電平跳變時，VB上的電壓由于RC影響，下降得比VA端電壓緩慢，出現(xiàn)VB＞VA，因此，流過所述第二NMOS管NM2的電流I2會保持比較大，而VA端電壓比較低，流過第一NMOS管NM1的電流I1會比較小，導(dǎo)致I1＜I2，所以解調(diào)模塊2輸出電壓VC＞(1/2)*VDD，所述解調(diào)模塊2輸出電壓輸入到輸出整形模塊3中，由于斯密特反相器31的作用，輸出整形模塊3輸出端輸出信號“0”；同樣的，當(dāng)VA的電壓變化出現(xiàn)由低到高電平跳變時，VB上的電壓由于RC影響，上升得比VA端電壓緩慢出現(xiàn)VB＜VA，因此，流過所述第二NMOS管NM2的電流I2會保持比較小，而VA端電壓比較高，流過第一NMOS管NM1的電流I1會比較大，導(dǎo)致I1＞I2，所以解調(diào)模塊2輸出電壓VC＜(1/2)*VDD，通過輸出整形模塊3的整形，輸出端輸出信號“1”；實現(xiàn)對電子標(biāo)簽的解調(diào)。由前述可知，系統(tǒng)產(chǎn)生的用于比較的參考電流I2會隨著所述RC單元的輸出端VB的電壓變化控制所述第二NMOS管NM2的電流變化，實現(xiàn)了動態(tài)適應(yīng)，同時通過鏡像電流I0的方式，控制解調(diào)時的輸出最大功耗。另外，解調(diào)完成后，通過信號控制斷開信號控制開關(guān)K1，斷開解調(diào)模塊供電，可以減少靜態(tài)功率損耗。采用上述電子標(biāo)簽解調(diào)電路對電子標(biāo)簽信息進(jìn)行解調(diào)的方法，可以包括以下的步驟：包絡(luò)檢波模塊1接收天線中射頻信號的包絡(luò)波信號，并把所接收的包絡(luò)波信號轉(zhuǎn)變成直流電壓信號；解調(diào)模塊2接收包絡(luò)波檢波模塊1的輸出信號，采用電流比較的方式對所述直流電壓信號進(jìn)行解調(diào)；輸出解調(diào)后的信號。進(jìn)一步的，在解調(diào)模塊2接收包絡(luò)波檢波模塊1的輸出信號，采用電流比較的方式對所述直流電壓信號進(jìn)行解調(diào)的步驟中，還可以通過電流鏡電路產(chǎn)生比較的動態(tài)適應(yīng)電流基準(zhǔn)。實施例二：請參考圖6，圖6為本實施例解調(diào)模塊電路結(jié)構(gòu)圖；與實施例一所述的電子標(biāo)簽解調(diào)電路相比，本實施例中，解調(diào)模塊2的所述第三PMOS管PM3的柵極與所述第三PMOS管PM3的漏極連接形成所述第二電流鏡電路的輸入端；從所述第二電流鏡的輸出端(即所述第四PMOS管PM4的漏極)引出輸出端子VD。進(jìn)一步的，請參考圖7，圖7為本實施例輸出整形模塊結(jié)構(gòu)示意圖；所述輸出整形模塊3包括斯密特反相器31以及與所述斯密特反相器31串聯(lián)連接的普通反相器32，這樣可以使得輸出整形模塊3的輸出信號與解調(diào)模塊2的輸出信號相一致。在實施解調(diào)應(yīng)用中，當(dāng)VA的電壓變化出現(xiàn)由高到低電平跳變時，VB上的電壓由于RC影響，下降得比VA端電壓緩慢出現(xiàn)VB＞VA，因此，流過所述第二NMOS管NM2的最大電流I2會保持比較大，而VA端電壓比較低，流過所述第一NMOS管NM1的電流I1會比較小，導(dǎo)致I1＜I2，通過所述第三PMOS管PM3和所述第四PMOS管PM4的鏡像比較后，解調(diào)模塊2輸出電壓VD＜(1/2)*VDD，通過輸出整形模塊3對解調(diào)輸出信號VD進(jìn)行整形，所述輸出整形模塊3的輸出端輸出信號“0”；同樣的，當(dāng)VA的電壓變化出現(xiàn)由低到高電平跳變時，VB上的電壓由于RC影響，上升得比VA端電壓緩慢出現(xiàn)VB＜VA，因此，流過所述第二NMOS管NM2的電流I2會保持比較小，而VA端電壓比較高，流過第一NMOS管NM1的電流I1會比較大，導(dǎo)致I1＞I2，通過所述第三PMOS管PM3和所述第四PMOS管PM4的鏡像比較后，所述解調(diào)模塊2輸出電壓VD＞(1/2)*VDD，通過輸出整形模塊3對解調(diào)輸出信號VD進(jìn)行整形，所述輸出整形模塊3的輸出端輸出信號“1”；從而實現(xiàn)對電子標(biāo)簽的解調(diào)。同樣的，本實施例中的輸出整形模塊3可以根據(jù)實際設(shè)計要求只設(shè)計包括斯密特反相器31，甚至根據(jù)系統(tǒng)的具體要求省略輸出整形模塊3的設(shè)計。實施例三：請參考圖8，圖8為本實施例中電子標(biāo)簽結(jié)構(gòu)示意圖；所述電子標(biāo)簽包括天線、整流模塊4、電源模塊5、調(diào)制解調(diào)模塊6、控制模塊7以及存儲模塊8，所述整流模塊4接收天線信號，把接收的電池波信號轉(zhuǎn)換成電信號輸入調(diào)制解調(diào)模塊6以及電源模塊5中；所述電源模塊5能夠提供穩(wěn)定的供電電壓；所述調(diào)制解調(diào)模塊6包括有上述實施例一或?qū)嵤├兴f的電子標(biāo)簽解調(diào)電路，能夠把接收的信號解調(diào)出電子標(biāo)簽信息輸入控制模塊中；所述控制模塊7能夠?qū)νㄐ畔到y(tǒng)進(jìn)行控制，所接收到的解調(diào)后的電子標(biāo)簽送到存儲模塊8中保存，以及讀取存儲模塊8中的電子標(biāo)簽信息進(jìn)行處理。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。