專利名稱：輸出驅(qū)動器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種輸出驅(qū)動器，更具體地，本發(fā)明涉及一種具有輸入節(jié)點和輸出節(jié)點的輸出驅(qū)動器。
背景技術：
隨著半導體電路被制造得更小，晶體管的工作電壓也被按比例縮小以防止晶體管的擊穿。結(jié)果，也降低了柵極和驅(qū)動器的輸出電壓。然而，一些遺留系統(tǒng)需要比形成柵極的晶體管可以承受的電壓更高的來自柵極的輸出電壓。因此，將具有級聯(lián)排布的附加晶體管的電路用于轉(zhuǎn)換較高的輸出電壓。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明提供了一種具有輸入節(jié)點和輸出節(jié)點的輸出驅(qū)動 器，所述輸出驅(qū)動器包括連接在電源線和所述輸出節(jié)點之間的控制開關，所述控制開關設置成響應所述輸入節(jié)點上的信號，選擇性地達到在所述輸出節(jié)點和所述電源線之間的電流通路；至少一個在所述輸出節(jié)點和所述控制開關之間以串聯(lián)連接的保護器件；以及至少一個與所述至少一個保護器件并聯(lián)連接的電壓箝位器件，并且所述電壓箝位器件設置成將跨在所述至少一個保護器件的電壓箝位至預定閾值電壓以下的電壓電平值。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，還包括至少一個對應于每個所述至少一個保護器件的第一電壓參考線，每個所述至少一個保護器件都用于基于所述至少一個第一電壓參考線上對應的第一參考電壓控制所述至少一個保護器件和所述電源線之間的電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，還包括設置在所述至少一個保護器件和所述控制開關之間的中間保護器件。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，還包括被調(diào)整以輸出第二參考電壓的第二電壓參考線，而且所述中間保護器件用于基于所述第二參考電壓控制跨在所述控制開關的電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述中間保護器件用于基于所述至少一個第一電壓參考線之一上對應的第一參考電壓控制跨在所述控制開關的電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述至少一個電壓箝位器件由二極管，二極管-連接的場效應晶體管，二極管-連接的雙極晶體管或齊納二極管的至少之一形成。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述至少一個電壓箝位器件由兩個二極管-連接的場效應晶體管以串聯(lián)排布形成。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述控制開關，所述至少一個保護器件和所述中間保護器件的每一個都由場效應晶體管形成。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述至少一個電壓箝位器件用于在所述輸出節(jié)點從低電壓狀態(tài)到高電壓狀態(tài)的至少一個轉(zhuǎn)換過程中將跨在所述至少一個保護器件的電壓箝位至預定的閾值電壓以下。根據(jù)本發(fā)明所述的一種輸出驅(qū)動器包括中間保護器件；控制開關，所述控制開關設置在所述中間保護器件和電源線之間；輸出線；保護器件，所述保護器件設置在所述輸出線和所述控制開關之間；中間保護器件，所述中間保護器件設置在所述保護器件和所述控制開關之間；電壓箝位器件，所述電壓箝位器件設置為跨在所述保護器件而且用于將跨在所述保護器件的電壓電平值箝位在預定閾值電壓以下；以及參考電壓線，所述參考電壓線與所述保護器件的柵極和所述中間保護器件的柵極連接。根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述電壓箝位器件由二極管，二極管-連接的場效應晶體管，二極管-連接的雙極晶體管或齊納二極管的至少之一形成。
根據(jù)本發(fā)明所述的輸出驅(qū)動器，所述電壓箝位器件由兩個二極管-連接的場效應晶體管以串聯(lián)排布形成。根據(jù)本發(fā)明所述的一種運行輸出驅(qū)動器的方法，包括輸入信號給控制開關；基于所述輸入信號將來自電源線的電流轉(zhuǎn)換經(jīng)過所述控制開關；所述電流流經(jīng)至少一個保護器件；以及使用跨在每個所述至少一個保護器件設置的對應的電壓箝位將跨在每個所述至少一個保護器件的電壓箝位在對應的預定閾值電壓以下。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，還包括輸入至少一個第一參考電壓給每個所述至少一個保護器件；以及基于所述至少一個第一參考電壓控制在所述至少一個保護器件和所述電源線之間的電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，還包括使所述電流流經(jīng)設置在所述至少一個保護器件和所述控制開關之間的中間保護器件。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，還包括輸入第二參考電壓給所述中間保護器件；以及基于所述第二參考電壓控制跨在開關器件的電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，還包括使用二極管，二極管-連接的場效應晶體管，二極管-連接的雙極晶體管或齊納二極管的至少之一形成所述對應的電壓箝位器件。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，還包括使用兩個以串聯(lián)排布的二極管-連接的場效應晶體管形成所述對應的電壓箝位器件。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，由場效應晶體管形成每個所述控制開關，所述至少一個保護器件和所述中間保護器件。根據(jù)本發(fā)明所述的方法，在所述輸入信號從低電壓狀態(tài)到高電壓狀態(tài)或從高電壓狀態(tài)到低電壓狀態(tài)的至少一個轉(zhuǎn)換過程中用所述對應的電壓箝位器件將跨在所述至少一個保護器件的電壓箝位至對應的預定閾值電壓以下。


結(jié)合附圖，通過實例的方式而不是限定說明一個或多個實施例，其中具有相同參考數(shù)字標記的元件代表相同的元件，其中圖I是根據(jù)實施例的輸出驅(qū)動器的示意性視圖；圖2是沒有電壓箝位的圖I所示驅(qū)動器的各個電壓的電壓對時間圖；圖3是圖I所示驅(qū)動器的各個電壓的電壓對時間圖；圖4是根據(jù)實施例的輸出驅(qū)動器的示意性視圖；圖5是根據(jù)另一個實施例的輸出驅(qū)動器的示意性視圖；圖6是根據(jù)另一個實施例的輸出驅(qū)動器的示意性視圖7是運行圖I所示輸出驅(qū)動器的方法的流程圖。
具體實施例方式圖I是根據(jù)實施例的輸出驅(qū)動器100的示意性視圖。輸出驅(qū)動器100包括按串聯(lián)排布并且按順序從負載120連接到接地電源線125的電壓箝位位保護器件105，中間保護器件110和控制開關115。輸出驅(qū)動器100還包括與負載120和電壓箝位位保護器件105之間的連接點連接的輸出線130。負載120設置在輸出驅(qū)動器100 (通過電壓箝位位保護器件105)和正電源線135之間。電壓箝位位保護器件105包括保護器件140和跨在設置的電壓箝位145，即與保護器件的源極和漏極連接。保護器件140的漏極與輸出線130連接而且保護器件的源極與中間保護器件110的漏極連接。保護器件140的柵極與電壓參考線150連接。
中間保護器件110的柵極與電壓參考線150連接而且中間保護器件的源極與控制開關115的漏極連接?？刂崎_關115設置在中間保護器件110和接地電源線125之間?？刂崎_關115的源極與接地電源線125連接而且控制開關的柵極與輸入線155連接。第一節(jié)點160是控制開關115和中間保護器件110的源極之間的連接點。第二節(jié)點165是中間保護器件110的漏極和保護器件140的源極之間的連接點。電壓箝位145包括兩個二極管-連接的n-溝道金屬氧化物半導體(MOS)晶體管170。每個二極管-連接的n-溝道金屬氧化物半導體晶體管170都具有例如約0. 65V的閾值電壓。控制開關115，中間保護器件110和保護器件140是n-溝道MOS器件。在一些實施例中，輸出驅(qū)動器100的負載120是電阻器。在另一個實施例中，負載是另一個與輸出驅(qū)動器100相似的互補輸出驅(qū)動器，但是由P-型器件形成。圖5是輸出驅(qū)動器180的實施例,其中負載120是輸出驅(qū)動器100的互補-對稱形式。負載120中每個具有“ '”的元件都是輸出驅(qū)動器100中沒有“ 的元件的互補元件。負載120中的每個晶體管都是P-溝道(MOS)晶體管。互補輸出驅(qū)動器180具有互補輸出線155'和互補電壓參考線15(V。 ' '在運行時，將施加給輸出驅(qū)動器100的電流和電壓設置成保護控制開關115，中間保護器件110和保護器件140免受損壞。特別地，當電流流經(jīng)控制開關115，中間保護器件110和保護器件140時，比導致熱載流子注入的電壓大的電壓不能施加給以上器件。如果MOS器件上的電壓過大而同時電流正在流經(jīng)MOS器件，MOS器件會由于熱載流子注入而損壞。在熱載流子注入中，形成流經(jīng)MOS器件溝道的電流的電子獲得足夠注入到MOS器件的柵極氧化物中的能量，從而改變器件的閾值或毀壞器件。在運行時，輸入線155上的輸入電壓控制流經(jīng)控制開關115的電流，從而控制輸出線130和接地電源線125之間的電流。如果輸入線155處于接地電源線125的電壓(OV)，那么流經(jīng)控制開關115的電流是零。因此流經(jīng)中間保護器件110和保護器件140的電流也是零。由于流經(jīng)輸出驅(qū)動器100的電流是零，對應于正電源線135的電壓，負載120將輸出線130保持在高邏輯輸出狀態(tài)。保護器件140和中間保護器件110保護控制開關115免受導致熱載流子注入的電壓值。
保護器件140和中間保護器件110具有閾值電壓。閾值電壓是例如約0. 65V。假設電壓參考線150上的電壓值設定為VKef，如果控制開關115和中間保護器件110之間的第一節(jié)點160上的電壓升高到大于Vltef減去中間保護器件的閾值電壓，中間保護器件關閉以防止第一節(jié)點160上的電壓升高到大于VKrf減去閾值電壓。如果第二節(jié)點165上的電壓升高到大于Vltef減去保護器件的閾值電壓，保護器件關閉以防止第二節(jié)點165上的電壓升高到大于Vltef減去閾值電壓。因此，如果輸出線115處于接地電源線125的電壓，大于Vltef減去閾值電壓的電壓不會施加到控制開關115上。保護器件140，中間保護器件110和控制開關115形成級聯(lián)排布。如果輸入線155處于響應高邏輯值的電壓，例如I. 65V，則控制開關115打開并且電流流經(jīng)控制開關，中間保護器件110和保護器件140。因此，輸出線130響應低邏輯值被轉(zhuǎn)換到低電壓。第一節(jié)點160和第二節(jié)點165以及輸出線130上的電壓都處于響應低邏輯值的電壓，即基本上是接地線125上的電壓的低邏輯輸出狀態(tài)。因此，控制開關115，中間保護器件110和保護器件140都基本上是零而且沒有器件在這個狀態(tài)損壞。 因此，當電流流經(jīng)控制開關115，中間保護器件110和保護器件140時高壓沒有施加在以上器件上而且輸出驅(qū)動器100在高邏輯輸出狀態(tài)和低邏輯輸出狀態(tài)都被保護免受熱載流子注入。由于輸出線130響應從低邏輯輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)化到高邏輯狀態(tài)的輸入線155而從高邏輯輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低邏輯狀態(tài)?？刂崎_關115響應輸入線155上的電壓而從非傳導態(tài)轉(zhuǎn)換到傳導態(tài)。隨著控制開關115轉(zhuǎn)換，流經(jīng)控制開關的電流將第一節(jié)點160上的電壓釋放給接地電源線125的電壓上的電壓。由于電壓參考線150和第一節(jié)點160之間的電壓大于中間保護器件110的閾值電壓，中間保護器件打開。電流流經(jīng)中間保護器件110并且釋放第二節(jié)點165上的電壓。由于電壓參考線150和第二節(jié)點165之間的電壓大于保護器件140的閾值電壓，保護器件打開。與第一和第二節(jié)點160,165相比輸出線130具有高電容而且放電不如第一和第二節(jié)點160，165快。輸出線130響應正電源線135的電壓從高邏輯輸出狀態(tài)釋放電壓穿過保護器件140。如果電壓箝位145不存在，則穿過保護器件140的電壓變得大于導致熱載流子注入進入到保護器件140的柵極中的電壓。圖2是假設電壓箝位145不存在，當輸出驅(qū)動器從高邏輯輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低邏輯輸出狀態(tài)時，輸出線130的，第一和第二節(jié)點160，165的，以及保護器件140上的電壓的電壓對時間圖200。在這個實例中，正電源線135上的電壓是3. 6V，電壓VKef是I. 65V，而且中間保護器件110和保護器件140的閾值電壓是0. 65V。y-軸210代表電壓而且x_軸220代表經(jīng)過的時間。線230代表輸出線130上的電壓，線240代表第二節(jié)點165上的電壓，線250代表第一節(jié)點160上的電壓。如上所述，當控制開關115打開時，第一和第二節(jié)點160，165上的電壓釋放。由于與第一和第二節(jié)點160，165相比控制線具有較大的電容，因此控制線150上的電壓比第一和第二節(jié)點160，165上的電壓釋放得慢。線260代表跨在保護器件140的電壓。由于第一和第二節(jié)點160，165和輸出線130之間的電容差別跨在保護器件140的電壓的最高峰是2. 65V。因此，由于沒有電壓箝位145，當輸出驅(qū)動器轉(zhuǎn)換時跨在保護器件140的電壓和流經(jīng)保護器件的電流在一段時間內(nèi)足夠高，從而導致熱載流子注入進入到保護器件140的柵極氧化物中并且損壞器件。當輸出線130在電壓箝位145存在時從高邏輯輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低邏輯輸出狀態(tài)。如果兩個二極管-連接的n-溝道MOS晶體管170上的電壓都大于器件的閾值電壓的總和，則形成電壓箝位145的兩個二極管-連接的n-溝道MOS晶體管170傳導。因此，如果二極管-連接的n-溝道MOS晶體管170的閾值電壓是例如0. 65V，則如果兩個二極管-連接的n-溝道MOS晶體管170上的電壓超過I. 3V，二極管-連接的n_溝道MOS晶體管170開始傳導。
圖3是假設電壓箝位145存在，當輸出驅(qū)動器從高邏輯輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低邏輯輸出狀態(tài)時，輸出線130的，第一和第二節(jié)點160，165的，以及跨在保護器件140的電壓的電壓對時間圖300。在這個實例中，正電源線135上的電壓是3. 6V，電壓VKef是I. 65V，而且中間保護器件110和保護器件140的閾值電壓是0. 65V。y-軸310代表電壓而且x_軸320代表經(jīng)過的時間。線330代表輸出線130上的電壓，線340代表第二節(jié)點165上的電壓，線350代表第一節(jié)點160上的電壓。當控制開關115打開時，第一節(jié)點160上的電壓釋放。由于與第一節(jié)點160相比控制線具有較大的電容，因此輸出線130上的電壓比第一節(jié)點160上的電壓釋放得慢。與輸出線130上的電壓相比，第二節(jié)點165上的電壓首先釋放得快，然后由于電壓箝位145在跨在電壓箝位的電壓大于約I. 3V之后開始傳導，第二節(jié)點165上的電壓釋放得較慢。傳導的電壓箝位145使第二節(jié)點165上的電壓高于沒有電壓箝位時的電壓。由于電壓箝位145，跨在保護器件140的電壓峰值是I. 65V。因此，由于跨在器件的峰值電壓低于熱載流子注入的閾值，電壓箝位位的保護器件105沒有被熱載流子注入損壞。在圖I的實施例中，電壓箝位145由兩個二極管-連接的n-溝道MOS晶體管170形成。在其他實施例中，電壓箝位145由一個或多個正向偏壓二極管，一個或多個每個是n-溝道或P-溝道的二極管-連接的場效應晶體管，一個或多個每個是NPN或PNP型的二極管-連接的雙極晶體管或一個或多個反向偏置的齊納二極管或以上的任意組合形成。在圖I的實施例中，保護器件140的柵極和中間保護器件110的柵極與相同的電壓參考線150連接。在其他實施例中，保護器件140的柵極和中間保護器件110的柵極與具有不同參考電壓的不同電壓參考線連接。通過控制第一和第二節(jié)點160，165的電壓以保護控制開關115，中間保護器件110和保護器件140來選擇電壓參考值以保護控制開關115，中間保護器件110和保護器件140。圖4是根據(jù)實施例的輸出驅(qū)動器400的示意性視圖。輸出驅(qū)動器400與輸出驅(qū)動器100相似但是包括附加的電壓箝位位保護器件405，電壓箝位位保護器件405的形成方法與電壓箝位位保護器件105相同。附加的電壓箝位位保護器件405設置在電壓箝位位保護器件105和輸出線130之間。參考電壓線450與附加的增強保護器件405中的保護器件425的柵極連接。選擇參考電壓線450上的電壓VKefA從而控制附加的電壓箝位位保護器件405和電壓箝位位保護器件105之間的節(jié)點490上的電壓。在其他實施例中，在電壓箝位位保護器件105和輸出線130之間有I個以上的附加電壓箝位位保護器件405串聯(lián)連接。每個與附加的參考電壓線連接的附加電壓箝位位保護器件的相應的電壓參考具有被選擇的電壓，該電壓用于控制相應的增強保護器件和相鄰的離控制開關115較近的增強保護器件之間的節(jié)點上的電壓。
在一些實施例中，輸出驅(qū)動器400的負載120是電阻器。在另一個實施例中，負載是另一個與輸出驅(qū)動器400相似的互補輸出驅(qū)動器，但是由P-型器件形成。圖6是輸出驅(qū)動器480的實施例，其中負載120是輸出驅(qū)動器400的互補-對稱形式。負載120中每個具有“ '”的元件都是輸出驅(qū)動器400中沒有“ 的元件的互補元件。負載120中的每個晶體管都是P-溝道(MOS)晶體管?；パa輸出驅(qū)動器480具有互補輸出線455'和互補電壓參考線450'。圖I和圖4的實施例由n-溝道MOS晶體管形成。在其他實施例中，圖I和圖4的電路的互補電路由P-溝道晶體管形成。圖7是根據(jù)實施例運行圖I所示輸出驅(qū)動器的方法的流程圖500。在步驟505，電壓參考線150上的電壓值輸入給保護器件140的柵極。方法繼續(xù)到步驟510。在步驟510，電壓參考線150上的電壓值輸入給中間保護器件110的柵極。方法繼續(xù)到步驟515。在步驟515，輸入線155上的信號輸入給控制開關115的柵極。方法繼續(xù)到步驟520。在步驟520，基于輸入給輸入線155的信號控制開關115打開并且來自接地電源線125的電流流經(jīng)控制開關。方法繼續(xù)到步驟525。在步驟525，電流流經(jīng)設置在保護器件140和控制開關115之間的中間保護器件110。方法繼續(xù)到步驟530。在步驟530，電流流經(jīng)保護器件140。方法繼續(xù)到步驟535。在步驟535，基于電壓參考線150上的電壓值，保護器件140和接地電源線125之間的電壓被保護器件140控制。方法繼續(xù)到步驟540。在步驟540，基于電壓參考線150上的電壓值，跨在控制開關115的電壓被中間保護器件110控制。方法繼續(xù)到步驟545。在步驟545，使用跨在保護器件140設置的電壓箝位145將跨在保護器件140的電壓箝位在電壓箝位145的預定閾值電壓以下。以上方法是實例，而且與本公開的實施例兼容的任何以上方法步驟的順序都在本公開的范圍內(nèi)。另外，包括上述方法步驟之外的插入到上述方法步驟之前，中間或之后的方法步驟的方法也在本公開的范圍內(nèi)。輸出驅(qū)動器包括，電源線，控制開關，至少一個保護器件，輸出線和至少一個電壓箝位器件。控制開關設置在至少一個保護器件和電源線之間。該至少一個保護器件在輸出線和控制開關之間串聯(lián)排布。該至少一個電壓箝位器件跨在對應的至少一個保護器件之一設置，該至少一個電壓箝位器件被調(diào)整從而將跨在對應的保護器件的電壓箝位在預定閾值電壓以下。運行輸出驅(qū)動器的方法包括,輸入信號給控制開關,基于輸入信號將來自電源線的電流轉(zhuǎn)換經(jīng)過控制開關，使電流流經(jīng)至少一個保護器件，和箝位跨在每個至少一個保護器件的電壓。使用跨在每個至少一個保護器件設置的對應的電壓箝位將跨在每個至少一個保護器件的電壓箝位在對應的預定閾值電壓以下。輸出驅(qū)動器包括電源線，控制開關，中間保護器件，保護器件，輸出線，電壓箝位器、件和參考電壓線?？刂崎_關設置在中間保護器件和電源線之間。中間保護器件設置在保護器件和控制開關之間。保護器件設置在輸出線和控制開關之間。電壓箝位器件跨在保護器件設置，調(diào)整電壓箝位器件將跨在保護器件的電壓箝位在預定閾值電壓以下。參考電壓線與保護器件的柵極和中間保護器件的柵極連接。本領域的普通技術人員可以很容易地發(fā)現(xiàn)本公開的實施例滿足以上列舉的一個或多個優(yōu)點。閱讀完以上說明書之后，本領 域的普通技術人員可以進行各種改變，等效物的替換和舉出各種其他本文中已廣泛公開的實施例。因此在此允許的保護只受到本文所附權利要求及其等效所包含的解釋的限制。
權利要求
1.一種具有輸入節(jié)點和輸出節(jié)點的輸出驅(qū)動器，所述輸出驅(qū)動器包括 連接在電源線和所述輸出節(jié)點之間的控制開關，所述控制開關設置成響應所述輸入節(jié)點上的信號，選擇性地啟用在所述輸出節(jié)點和所述電源線之間的電流通路； 至少一個在所述輸出節(jié)點和所述控制開關之間以串聯(lián)配置的保護器件；以及至少一個與所述至少一個保護器件并聯(lián)連接的電壓箝位器件，并且所述電壓箝位器件設置成將跨在所述至少一個保護器件兩端的電壓箝位至預定閾值電壓以下的電壓電平值。
2.根據(jù)權利要求I所述的輸出驅(qū)動器，還包括至少一個對應于每個所述至少一個保護器件的第一電壓參考線，每個所述至少一個保護器件都被用于基于所述至少一個第一電壓參考線上對應的第一參考電壓控制所述至少一個保護器件和所述電源線之間的電壓。
3.根據(jù)權利要求2所述的輸出驅(qū)動器，還包括設置在所述至少一個保護器件 和所述控制開關之間的中間保護器件。
4.根據(jù)權利要求3所述的輸出驅(qū)動器，還包括用于輸出第二參考電壓的第二電壓參考線，而且所述中間保護器件用于基于所述第二參考電壓控制跨在所述控制開關兩端的電壓。
5.根據(jù)權利要求3所述的輸出驅(qū)動器，所述中間保護器件用于基于所述至少一個第一電壓參考線之一上對應的第一參考電壓控制跨在所述控制開關兩端的電壓。
6.根據(jù)權利要求I所述的輸出驅(qū)動器，所述至少一個電壓箝位器件由二極管，二極管連接的場效應晶體管，二極管連接的雙極晶體管或齊納二極管的至少之一形成。
7.根據(jù)權利要求I所述的輸出驅(qū)動器，所述至少一個電壓箝位器件由兩個二極管連接的場效應晶體管以串聯(lián)排布形成。
8.根據(jù)權利要求3所述的輸出驅(qū)動器，所述控制開關，所述至少一個保護器件和所述中間保護器件中的每一個都由場效應晶體管形成。
9.一種輸出驅(qū)動器包括 中間保護器件； 控制開關，所述控制開關設置在所述中間保護器件和電源線之間； 輸出線； 保護器件，所述保護器件設置在所述輸出線和所述控制開關之間； 中間保護器件，所述中間保護器件設置在所述保護器件和所述控制開關之間； 電壓箝位器件，所述電壓箝位器件設置為跨在所述保護器件兩端而且用于將跨在所述保護器件兩端的電壓電平值箝位至預定閾值電壓以下；以及 參考電壓線，所述參考電壓線與所述保護器件的柵極和所述中間保護器件的柵極連接。
10.一種操作輸出驅(qū)動器的方法，包括 輸入信號給控制開關； 基于所述輸入信號將來自電源線的電流通過所述控制開關進行轉(zhuǎn)換； 所述電流流經(jīng)至少一個保護器件；以及 使用跨在每個所述至少一個保護器件兩端設置的對應的電壓箝位器件將跨在每個所述至少一個保護器件兩端的電壓箝位在對應的預定閾值電壓以下。
全文摘要
具有電源線，控制開關，至少一個保護器件和至少一個電壓箝位器件的輸出驅(qū)動器。輸出線和至少一個電壓箝位器件?？刂崎_關設置在至少一個保護器件和電源線之間。該至少一個保護器件以串聯(lián)排布設置在輸出線和控制開關之間。該至少一個電壓箝位器件跨在對應的保護器件設置，該至少一個電壓箝位器件用于將跨在保護器件的電壓箝位在預定閾值電壓以下。
文檔編號H03K19/003GK102647176SQ201210020309
公開日2012年8月22日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權日2011年2月17日
發(fā)明者簡駿業(yè), 葛振廷 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司