專利名稱：振蕩裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測(cè)放置晶體振子的溫度，基于溫度檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行輸出頻率的溫度補(bǔ)償?shù)恼袷幯b置。
背景技術(shù)：
TCXO稱為溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器，通過(guò)組合晶體振子具有的溫度特性和相反的電路特性，在廣泛的溫度范圍能夠得到比晶體振子單體更良好的溫度特性。另外，TCXO除了像這樣擁有良好的溫度特性之外，還具有小型輕量、起動(dòng)時(shí)間短等特長(zhǎng)，所以作為各種通信設(shè)備、頻率計(jì)數(shù)器和合成器等測(cè)定設(shè)備的基準(zhǔn)振蕩器使用。TCXO具有含有感溫元件的溫度補(bǔ)償電路，作為該溫度補(bǔ)償電路，存在使用熱敏電阻作為上述感溫元件并與電阻和電容器組合而構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路，和將LSI內(nèi)的元件用作感溫元件地形成的溫度補(bǔ)償電路。各TCXO通過(guò)這樣的溫度補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)的不同，在溫度補(bǔ)償精度、相位噪聲、小型化的容易方面各有長(zhǎng)短。圖13表示TCXO—般的結(jié)構(gòu)。90為晶體振子，91為振蕩電路，通過(guò)改變從控制電壓產(chǎn)生部93供給到電壓可變電容元件92的控制電壓，來(lái)控制電壓可變電容元件92的電容，調(diào)整振蕩頻率(輸出頻率)。由于晶體振子90隨溫度變化而頻率變化，所以控制電壓產(chǎn)生部93根據(jù)由溫度檢測(cè)器94檢測(cè)出的溫度修正控制電壓。具體而言，在存儲(chǔ)器95內(nèi)存儲(chǔ)將晶體振子90的頻率溫度特性用基準(zhǔn)溫度標(biāo)準(zhǔn)化的函數(shù)即例如三次函數(shù)，基于該函數(shù)(頻率溫度特性)讀出與溫度檢測(cè)值對(duì)應(yīng)的頻率。即，讀出此時(shí)的溫度的頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏離多少，將與該頻率的偏離量對(duì)應(yīng)的控制電壓作為溫度補(bǔ)償量，從與基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率對(duì)應(yīng)的控制電壓減去。作為這樣的TCXO的結(jié)構(gòu)，已知有在陶瓷基板的兩面分別設(shè)置有包含晶體振子和溫度檢測(cè)元件的IC芯片的H型結(jié)構(gòu)、在框體內(nèi)設(shè)置有包含晶體振子和溫度檢測(cè)元件的IC芯片的單層密封(Single Seal)結(jié)構(gòu)型等。但是，上述TCXO中，也存在因晶體振子90的溫度特性和由晶體振子和振蕩電路91構(gòu)成的晶體振蕩電路的溫度特性而使頻率穩(wěn)定度下降的情況，要求更高頻率精度的振蕩裝置。另外，由于溫度檢測(cè)器94通常使用熱敏電阻，所以由于溫度檢測(cè)精度的限度，不能期待頻率精度的提高。另外，由于溫度檢測(cè)器94和晶體振子90的配置位置不同，所以不能精確地得到晶體振子90實(shí)際的溫度信息，所以出于這一點(diǎn)也不能期待頻率精度的提高。另外，上述各溫度的溫度補(bǔ)償量按每個(gè)TCXO單體設(shè)定。該設(shè)定方法通過(guò)在生產(chǎn)線內(nèi)準(zhǔn)備恒溫槽，在搬入作為對(duì)象產(chǎn)品的TCXO后改變槽內(nèi)的溫度并測(cè)定頻率，來(lái)個(gè)別設(shè)定。該頻率測(cè)定必須在使槽內(nèi)的溫度變化后等到TCXO的溫度成恒定之后進(jìn)行。因此，TCXO的生產(chǎn)所需要的時(shí)間長(zhǎng)。 專利文獻(xiàn)I的圖2和圖3中記載有在共用的晶體片(石英片)設(shè)置2對(duì)電極，構(gòu)成2個(gè)晶體振子(晶體諧振器)。另外，段落0018中記載有由于隨溫度變化而在2個(gè)晶體振子之間出現(xiàn)頻率差，所以與通過(guò)計(jì)測(cè)該頻率差來(lái)計(jì)測(cè)溫度是相同的。另外，該專利文獻(xiàn)I的段落0054、段落0055和圖6中記載有從I個(gè)晶體振子取出的基本頻率f I和M次的泛頻(overtone)頻率fm,因振動(dòng)模式的不同而不一定fI = fm/M,在fl和fm/M之間出現(xiàn)具有溫 度依賴性的頻率差A(yù)f。而且，將該頻率差A(yù)f與應(yīng)修正的頻率的量的關(guān)系存儲(chǔ)于ROM，基于Af讀出頻率修正量。但是該方法如段落0019中記載，關(guān)于期望的輸出頻率f0和2個(gè)晶體振子各自的頻率fl、f2，由于需要進(jìn)行晶體振子的調(diào)整以使成為f0 Nfl Nf2的關(guān)系，所以不僅晶體振子的制造工序變得復(fù)雜，而且存在不能得到高成品率的課題。另外，如圖4所示，由于在一定時(shí)間計(jì)數(shù)作為來(lái)自各晶體振子的頻率信號(hào)的時(shí)鐘，求取該差值(fl_f2)，所以檢測(cè)時(shí)間直接影響檢測(cè)精度，難以進(jìn)行高精度的溫度補(bǔ)償。另外，由于是從I個(gè)晶體振子取出基波和泛頻的結(jié)構(gòu)，所以電路變得復(fù)雜，基波的M次雜散和fm會(huì)發(fā)生干擾。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2001-292030號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明是在這樣的情況下研發(fā)的，其目的在于提供一種能夠高精度地進(jìn)行輸出頻率的溫度補(bǔ)償?shù)恼袷幯b置。用于解決課題的方法本發(fā)明是基于環(huán)境溫度的檢測(cè)結(jié)果對(duì)輸出頻率進(jìn)行修正的振蕩裝置，其特征在于，包括在晶體片設(shè)置第一電極而構(gòu)成的第一晶體振子；在晶體片設(shè)置第二電極而構(gòu)成的第二晶體振子；第一振蕩電路，其與第一晶體振子連接，使該第一晶體振子以泛頻進(jìn)行振蕩；第二振蕩電路，其與第二晶體振子連接，使該第二晶體振子以泛頻進(jìn)行振蕩；頻率差檢測(cè)部，當(dāng)將第一振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為fl，將基準(zhǔn)溫度條件下的第一振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為flr，將第二振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為f2，將基準(zhǔn)溫度條件下的第二振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為f2r時(shí)，所述頻率差檢測(cè)部求取與對(duì)應(yīng)于Π和Hr之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值；修正值取得部，其基于用該頻率差檢測(cè)部檢測(cè)出的與上述差值對(duì)應(yīng)的值，以及與上述差值對(duì)應(yīng)的值和第一振蕩電路的振蕩頻率fl的頻率修正值的關(guān)系，取得起因于環(huán)境溫度與基準(zhǔn)溫度不同的fl的頻率修正值，其中振蕩裝置的輸出，利用上述第一振蕩電路的輸出而生成，基于用上述修正值取得部求得的上述頻率修正值對(duì)上述輸出頻率進(jìn)行修正。與對(duì)應(yīng)于Π和fir之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值，例如是[{(f2-f2r) /f2r} - {(Π-flr) /fir}]。能夠采用如下結(jié)構(gòu)修正值取得部，基于規(guī)定與上述差值對(duì)應(yīng)的值和第一振蕩電路的振蕩頻率Π的頻率修正值關(guān)系的關(guān)系式，通過(guò)運(yùn)算取得Π的頻率修正值。上述振蕩裝置中，例如在第一振蕩電路振蕩的泛頻次數(shù)和在第二振蕩電路振蕩的泛頻次數(shù)相同，第一晶體振子和第二晶體振子的電極的膜厚、電極的面積和晶體片的厚度中的至少一個(gè)不同，或者在第一振蕩電路振蕩的泛頻的次數(shù)和在第二振蕩電路振蕩的泛頻的次數(shù)彼此不同。另外，例如將將第一晶體振子的晶體片和第二晶體振子的晶體片共用化。發(fā)明效果本發(fā)明，在基于環(huán)境溫度的檢測(cè)結(jié)果對(duì)輸出頻率進(jìn)行修正的振蕩裝置中，將第一和第二振蕩電路的振蕩輸出設(shè)為fl、f2，將基準(zhǔn)溫度條件下的第一和第二振蕩電路的振蕩頻率分別設(shè)為fir、f2r時(shí)，將與對(duì)應(yīng)于Π和fir之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值作為此時(shí)的溫度處理，并且fl、f2使用各晶體振子的泛頻。泛頻由于用Ctl/C1表示的電容比大，所以對(duì)于溫度變化是穩(wěn)定的，所以通過(guò)使用使溫度特性變化的2個(gè)泛頻振蕩，能夠求取準(zhǔn)確的值(溫度)。另外，由于與所述差值對(duì)應(yīng)的值與溫度的相關(guān)性極其良好，所以能夠高精度地進(jìn)行輸出頻率的溫度補(bǔ)償。


圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的整體結(jié)構(gòu)的方框圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分的方框圖。圖3是圖2所示的一部分輸出的波形圖。圖4是示意性地表示圖2所示的包含DDS電路部的環(huán)路中未鎖定(lock)的狀態(tài)的各部的波形圖。圖5是示意性地表示圖2所示的包含DDS電路部的環(huán)路中鎖定的狀態(tài)的各部的波形圖。圖6是與上述實(shí)施方式對(duì)應(yīng)的實(shí)際裝置中上述環(huán)路的各部的波形圖。圖7是表示第一振蕩電路的頻率f I和第二振蕩電路的頻率f2與溫度的關(guān)系的頻率溫度特性圖。圖8是表示將fl、f2分別標(biāo)準(zhǔn)化的值與溫度的關(guān)系的頻率溫度特性圖。圖9是表示將f I標(biāo)準(zhǔn)化的值與溫度的關(guān)系，以及將f I標(biāo)準(zhǔn)化的值和將f2標(biāo)準(zhǔn)化的值的差值A(chǔ)f與溫度的關(guān)系的頻率溫度特性圖。圖10是表示將圖9的縱軸標(biāo)準(zhǔn)化的值與頻率修正值的關(guān)系的特性圖。圖11是表示修正值運(yùn)算部的方框圖。圖12是表示頻率差檢測(cè)部的動(dòng)作模擬的特性圖。圖13是表示現(xiàn)有的TCXO的結(jié)構(gòu)圖。符號(hào)說(shuō)明I 第一振蕩電路2 第二振蕩電路10 第一晶體振子20 第二晶體振子3 頻率差檢測(cè)部31 觸發(fā)電路32 單觸發(fā)電路
33閂鎖電路34環(huán)路濾波器35加法部

36DDS 電路部4修正值運(yùn)算部(修正值取得部)100電壓控制振蕩器200控制電路部
具體實(shí)施例方式圖I是表示本發(fā)明的振蕩裝置的實(shí)施方式整體的方框圖。該振蕩裝置為TCXOJt為輸出所設(shè)定的頻率的頻率信號(hào)的頻率合成器而構(gòu)成，具有使用晶體振子的電壓控制振蕩器100 ;構(gòu)成該電壓控制振蕩器100的PLL的控制電路部200 ;和進(jìn)行輸入到該控制電路部200的基準(zhǔn)時(shí)鐘的溫度補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償部。對(duì)溫度補(bǔ)償部沒(méi)有標(biāo)注符號(hào)，相當(dāng)于圖I中的比控制電路部200更靠左側(cè)部分。該控制電路部200,基于從DDS(Direct Digital Synthesizer :直接數(shù)字式頻率合成器)電路部201輸出的鋸齒波，形成參照用時(shí)鐘。而且是如下結(jié)構(gòu)將電壓控制振蕩器100的輸出用分頻器204分頻后的輸出信號(hào)與上述參照用時(shí)鐘的相位，用相位比較部205進(jìn)行比較，基于用環(huán)路濾波器206積分該比較結(jié)果的值來(lái)調(diào)整電壓控制振蕩器100的控制電壓。在此，DDS電路部201將從后述的第一振蕩電路I輸出的頻率信號(hào)作為基準(zhǔn)時(shí)鐘使用，輸入用于輸出作為目的的頻率的鋸齒波的控制電壓。但是，由于上述基準(zhǔn)時(shí)鐘的頻率具有溫度特性，所以為了消除該溫度特性，將輸入到DDS電路部201的上述控制電壓與對(duì)應(yīng)于后述的頻率修正值的信號(hào)相加。圖I中對(duì)該結(jié)構(gòu)有簡(jiǎn)略記述，通過(guò)修正輸入到DDS電路部201的控制電壓，基于基準(zhǔn)時(shí)鐘的溫度特性變動(dòng)量，消除DDS電路部201的輸出頻率的溫度變動(dòng)量，結(jié)果是參照用時(shí)鐘的頻率相對(duì)于溫度變動(dòng)穩(wěn)定，因此來(lái)自電壓控制振蕩器100的輸出頻率穩(wěn)定。溫度補(bǔ)償部具有第一晶體振子10和第二晶體振子20，這些第一晶體振子10和第二晶體振子20使用共用的晶體片Xb。即，例如將長(zhǎng)條狀的晶體片Xb的區(qū)域在長(zhǎng)度方向上分割成2部分，在各分割區(qū)域(振動(dòng)區(qū)域)的表里兩面設(shè)置激勵(lì)用的電極。因此，由一個(gè)分割區(qū)域和一對(duì)電極11、12構(gòu)成第一晶體振子10,由另一個(gè)分割區(qū)域和一對(duì)電極21、22構(gòu)成第二晶體振子20。因此，第一晶體振子10和第二晶體振子20能夠熱結(jié)合。在第一晶體振子10和第二晶體振子20分別連接有第一振蕩電路I和第二振蕩電路2。這些振蕩電路1、2的輸出(振蕩頻率)，是晶體振子10、20的例如三次泛頻(高次諧波)。第一晶體振子10的電極11、12的厚度和第二晶體振子的電極21、22的厚度彼此不同，由此，從第一振蕩電路I、第二振蕩電路2分別輸出的頻率彼此偏尚。在此所謂“頻率偏離”，更具體而言是指各晶體振子的絕對(duì)頻率偏離，如后所述例如fl為81. 9MHz,f2為76. 69MHz，以及如后述的圖8所示各晶體振子的溫度特性曲線以旋轉(zhuǎn)的方式偏離。溫度特性的曲線旋轉(zhuǎn)是下面的意思。是將溫度用基準(zhǔn)溫度(例如25°C)標(biāo)準(zhǔn)化，某溫度的頻率f與基準(zhǔn)溫度的頻率fr之差(f-fr)除以fr得到的頻率變化比率(f-fr)/fr和標(biāo)準(zhǔn)化后的溫度的關(guān)系的數(shù)據(jù)。概略地講是指通過(guò)三次曲線改變膜厚，以基準(zhǔn)溫度的頻率為中心旋轉(zhuǎn)。因此，可以說(shuō)兩特性的差值的靈敏度對(duì)于溫度值大。另外，代替像這樣各晶體振子的電極的膜厚不同的結(jié)構(gòu)，也可以通過(guò)采用構(gòu)成各晶體振子10、20的電極的面積不同或構(gòu)成各晶體振子10、20的晶體片Xb的厚度不同的結(jié)構(gòu)，使第一振蕩電路I、第二振蕩電路2的輸出頻率彼此偏尚。另外，在得到這樣 的泛頻輸出的情況下，也可以在例如由晶體振子和放大器構(gòu)成的振蕩環(huán)路內(nèi)設(shè)置泛頻的調(diào)諧電路，使振蕩環(huán)路以泛頻振蕩?；蛘咭部梢詫?duì)振蕩環(huán)路以基波振蕩，在振蕩段的后級(jí)例如作為科爾皮茲電路的一部分的放大器的后級(jí)設(shè)置C級(jí)放大器通過(guò)該C級(jí)放大器使基波變形，并且在C級(jí)放大器的后級(jí)設(shè)置對(duì)泛頻進(jìn)行調(diào)諧的調(diào)諧電路，結(jié)果是從振蕩電路1、2都輸出例如三次泛頻的振蕩頻率。在此，為了便于說(shuō)明，當(dāng)從第一振蕩電路I輸出頻率fl的頻率信號(hào)，從第二振蕩電路2輸出頻率f2的頻率信號(hào)時(shí)，頻率fl的頻率信號(hào)作為基準(zhǔn)時(shí)鐘供給到上述控制電路部200。3是頻率差檢測(cè)部，該頻率差檢測(cè)部3如果概略的說(shuō)是Π與f2之差和Λ fr的差，是用于取出AF = f2-fl-Afr的電路部。Λ fr是基準(zhǔn)溫度例如25°C的f I與f2之差。列舉fl與f2之差的一例，例如為數(shù)MHz。本發(fā)明通過(guò)利用頻率差檢測(cè)部3計(jì)算上述AF而成立，但在該實(shí)施方式的情況下，更詳細(xì)地說(shuō)，頻率差檢測(cè)部3計(jì)算后述的0SC2-0SC1 [=Kf2-f2r)/f2r}-{(fl-flr)/flr}]。但是在該階段，為了容易理解頻率差檢測(cè)部3的動(dòng)作和實(shí)施方式的整體流程，頻率差檢測(cè)部3作為取出AF = f2-fl-Afr的電路進(jìn)行說(shuō)明，另夕卜，附圖中也統(tǒng)一用這樣的表示。圖2表示頻率差檢測(cè)部3的具體例。31為觸發(fā)(flip-flop)電路(F/F電路)，向該觸發(fā)電路31的一個(gè)輸入端輸入來(lái)自第一振蕩電路I的頻率fl的頻率信號(hào)，向另一個(gè)輸入端輸入來(lái)自第二振蕩電路2的頻率f2的頻率信號(hào)，通過(guò)來(lái)自第一振蕩電路I的頻率fl頻率信號(hào)將來(lái)自第二振蕩電路2的頻率f2的頻率信號(hào)閂鎖。下面，為了避免敘述的冗長(zhǎng)，fl、f2作為表示頻率或頻率信號(hào)來(lái)處理。觸發(fā)電路31是輸出具有fl與f2的頻率差(該例中為f2_fl)的頻率的占空比為50%的脈沖信號(hào)的結(jié)構(gòu)。在觸發(fā)電路31的后級(jí)設(shè)置有單觸發(fā)電路32，單觸發(fā)電路32在從觸發(fā)電路31得到的脈沖信號(hào)的上升沿輸出單觸發(fā)的脈沖。圖3是表示到此為止的一連串的信號(hào)的時(shí)間圖。在單觸發(fā)電路32的后級(jí)設(shè)置有PLL(Phase Locked Loop :鎖相環(huán)路)，該P(yáng)LL包括閂鎖電路33、具有積分功能的環(huán)路濾波器34、加法部35和DDS電路部36。閂鎖電路33用于通過(guò)從單觸發(fā)電路32輸出的脈沖將從DDS電路部36輸出的鋸齒波閂鎖，閂鎖電路33的輸出是輸出上述脈沖的時(shí)刻的上述鋸齒波的信號(hào)電平。環(huán)路濾波器34對(duì)作為該信號(hào)電平的直流電壓積分，加法部35將該直流電壓和與該直流電壓△ fr對(duì)應(yīng)的直流電壓相加。與對(duì)應(yīng)于Afr的直流電壓對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)于圖2所示的存儲(chǔ)器30。該例子中加法部35的符號(hào)，與Afr對(duì)應(yīng)的直流電壓的輸入側(cè)為“ + ”，環(huán)路濾波器34的輸出電壓的輸入側(cè)為向DDS電路部輸入從使用加法部35運(yùn)算后的直流電壓即與△ fr對(duì)應(yīng)的直流電壓減去環(huán)路濾波器34的輸出電壓的電壓，輸出與該電壓值對(duì)應(yīng)的頻率的鋸齒波。為了容易理解PLL的動(dòng)作，圖4中極其示意性地表示各部輸出的狀態(tài)。在裝置上升沿時(shí)，與Λ fr對(duì)應(yīng)的直流電壓通過(guò)加法部35輸入到DDS電路部36，例如Λ fr為5MHz時(shí)，從DDS36輸出與該頻率對(duì)應(yīng)的頻率的鋸齒波。上述鋸齒波由閂鎖電路33被與(f2_fl)對(duì)應(yīng)的頻率脈沖閂鎖，但當(dāng)(f2_fl)為例如6MHz時(shí)，由于閂鎖用的脈沖周期比鋸齒波的短，所以鋸齒波的閂鎖點(diǎn)如圖4(a)所示逐漸下降，閂鎖電路33的輸出和環(huán)路濾波器34的輸出如圖4(b)、(c)所示向一側(cè)逐漸下降。由于加法部35中的環(huán)路濾波器34的輸出側(cè)的符號(hào)為所以從加法部35向DDS電路部36輸入的直流電壓上升。因此從DDS電路部36輸出的鋸齒波的頻率變高，在向DDS電路部36輸入與6MHz對(duì)應(yīng)的直流電壓時(shí)，鋸齒波的頻率成為6MHz，如圖5(a) (c)所示，PLL被鎖 定。此時(shí)，從環(huán)路濾波器34輸出的直流電壓成為與Afr-(f2-fl) =-IMHz對(duì)應(yīng)的值。SP，環(huán)路濾波器34的積分值能夠相當(dāng)于鋸齒波從5MHz至6MHz變化時(shí)的IMHz變化量的積分值。與此例相反，在Afr為6MHz，(f2~fl)為5MHz的情況下，由于閂鎖用的脈沖周期比鋸齒波的長(zhǎng)，所以4(a)所示的閂鎖點(diǎn)逐漸變高，隨之，閂鎖電路33的輸出和環(huán)路濾波器34的輸出也上升。因此，在加法部35中減去的值變大，所以鋸齒波的頻率逐漸下降，不久在成為與(f2_fl)相同的5MHz時(shí)PLL被鎖定。此時(shí)，從環(huán)路濾波器34輸出的直流電壓成為與Afr-(f2-fl) = IMHz對(duì)應(yīng)的值。另外，在fl與f2的頻率差(f2_fl)為40ppm的情況下，將裝入實(shí)際電路的閂鎖電路33和環(huán)路濾波器34的輸出值表示在圖6中。該例中在時(shí)刻t0鎖定PLL。另外，由于觸發(fā)器31中利用fl將f2閂鎖的動(dòng)作是不同步的，所以有產(chǎn)生亞穩(wěn)(在時(shí)鐘的沿(edge，邊緣)將輸入數(shù)據(jù)閂鎖時(shí)，在閂鎖的沿前后一定時(shí)間需要保持輸入數(shù)據(jù)，但通過(guò)使時(shí)鐘和輸入數(shù)據(jù)大致同時(shí)變化而使輸出變得不穩(wěn)定的狀態(tài))等不定區(qū)間的可能，環(huán)路濾波器34的輸出中也有包含瞬間誤差的可能。上述PLL中由于將環(huán)路濾波器34的輸出作為與溫度對(duì)應(yīng)的值即Afr與(f2-fl)之差處理，所以在環(huán)路濾波器34的輸出側(cè)設(shè)置求取預(yù)先設(shè)定的時(shí)間的輸入值的移動(dòng)平均的平均化電路37，即使產(chǎn)生上述瞬間誤差也將之去除。通過(guò)設(shè)置平均化電路37，最終能夠高精度地取得變動(dòng)溫度量的頻率偏離信息。用PLL的環(huán)路濾波器34得到的變動(dòng)溫度量的頻率偏離信息，在該例中是Δ fr-(f2-fl)，被輸入到作為圖I所示的修正值取得部的修正值運(yùn)算部4，在此運(yùn)算頻率的修正值。在對(duì)修正值運(yùn)算部4進(jìn)行敘述之前，參照?qǐng)D7 圖10對(duì)頻率偏離信息和頻率修正值進(jìn)行說(shuō)明。圖7是將fl和f2用基準(zhǔn)溫度標(biāo)準(zhǔn)化，表示溫度與頻率的關(guān)系的特性圖。這里所說(shuō)的標(biāo)準(zhǔn)化是指例如將25°C設(shè)為基準(zhǔn)溫度，對(duì)于溫度與頻率的關(guān)系將基準(zhǔn)溫度的頻率設(shè)為0，從基準(zhǔn)溫度的頻率求取頻率的偏離量與溫度的關(guān)系。在將第一振蕩電路I中25°C時(shí)的頻率設(shè)為flr，將第二振蕩電路2中25°C時(shí)的頻率設(shè)為f2r時(shí)，即將25°C的fl、f2的值分別設(shè)為fir、f2r時(shí)，圖7的縱軸的值為(fl_flr)和(f2_f2r)。另外，圖8表示圖7所示的各溫度的頻率對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25°C )的頻率的變化率。因此，圖8的縱軸的值為(fl_flr)/flr和(f2_f2r)/f2r，將這些值分別用OSCl和0SC2表示。另外，圖8的縱軸的值的單位為ppm。在此，返回對(duì)頻率差檢測(cè)部3的說(shuō)明，如上所述，在該實(shí)施方式中頻率差檢測(cè)部3不是進(jìn)行求取(f2-f2r)-(fl-flr) = f2_f I-Δ fr本身的值的運(yùn)算，而是進(jìn)行求取0SC2-0SC1的運(yùn)算。即，對(duì)于表示各頻率以多少比率從基準(zhǔn)溫度偏離的比率的值，求取f2的比率與fl的比率之差。向閂鎖電路33輸入與(f2-fl)對(duì)應(yīng)的頻率信號(hào)，但由于PLL環(huán)路中一直輸入鋸齒波，所以能夠以進(jìn)行這樣的計(jì)算的方式組成電路。當(dāng)頻率差檢測(cè)部3的輸出為34比特的數(shù)字值時(shí)，例如每一比特分配0.058 (ppb)的值，OSC2-OSC1的值能夠得到O. 058 (ppb)的精度。另外，每一比特能夠設(shè)定為O. 058 (ppb)的值的依據(jù)，是基于后述的 (2) (4)式。在該階段進(jìn)行圖6的說(shuō)明時(shí)，圖6在f I與f2的頻率差(準(zhǔn)確地講是頻率的變化率之差)OSC2-OSCl為40ppm的情況下，是裝入實(shí)際電路的閂鎖電路33和環(huán)路濾波器34的輸出值。圖9表示OSCl與溫度的關(guān)系(與圖8相同)和(0SC2-0SC1)與溫度的關(guān)系，可知(0SC2-0SC1)對(duì)于溫度是直線關(guān)系。因此可知(0SC2-0SC1)與偏離基準(zhǔn)溫度的溫度變動(dòng)量對(duì)應(yīng)。而且，一般認(rèn)為晶體振子的頻率溫度特性用三次函數(shù)表示，所以只要求取抵消由該三次函數(shù)引起的頻率變動(dòng)量的頻率修正值與(0SC2-0SC1)的關(guān)系，就能夠基于(0SC2-0SC1)的檢測(cè)值求取頻率修正值。該實(shí)施方式的振蕩裝置中，如上所述將從第一振蕩電路I得到的頻率信號(hào)(fl)作為圖I所示的控制電路部200的基準(zhǔn)時(shí)鐘使用，由于該基準(zhǔn)時(shí)鐘中存在頻率溫度特性，所以對(duì)基準(zhǔn)時(shí)鐘的頻率進(jìn)行溫度修正。因此，首先用基準(zhǔn)溫度進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，預(yù)先求取表示溫度與fl的關(guān)系的函數(shù)，如圖10所示，求取用于抵消該函數(shù)的fI的頻率變動(dòng)量的函數(shù)。因此，圖10的縱軸為-OSCl。該例中為了高精度地進(jìn)行溫度修正而將上述函數(shù)定為例如9次函數(shù)。如上所述，由于溫度與(0SC2-0SC1)存在直線關(guān)系，所以圖10的橫軸為(0SC2-0SC1)的值，但如果直接使用(0SC2-0SC1)的值，則由于用于確定該值的數(shù)據(jù)量變多，所以通過(guò)下面的方式對(duì)(0SC2-0SC1)的值進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。即，決定實(shí)際使用振蕩裝置的上限溫度和下限溫度，將上限溫度時(shí)的(0SC2-0SC1)的值設(shè)為+1、將下限溫度時(shí)的(0SC2-0SC1)的值設(shè)為-I處理。該例中如圖10所示將-30ppm設(shè)為+1、將+30ppm設(shè)為-I。晶體振子的針對(duì)溫度的頻率特性，在該例中作為9次多項(xiàng)近似式處理。具體而言，在晶體振子生產(chǎn)時(shí)通過(guò)實(shí)測(cè)取得(0SC2-0SC1)與溫度的關(guān)系，根據(jù)該實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)導(dǎo)出修正頻率曲線，該修正頻率曲線表示將針對(duì)溫度的頻率變動(dòng)量抵消的、溫度與-OSCl的關(guān)系，利用最小平方法導(dǎo)出9次多項(xiàng)近似式系數(shù)。而且，將多項(xiàng)近似式系數(shù)預(yù)先存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器30(參照?qǐng)DI)，修正值運(yùn)算部4使用這些多項(xiàng)近似式系數(shù)進(jìn)行(I)式的運(yùn)算處理。Y = Pl · Χ9+Ρ2 · Χ8+Ρ3 · X7+P4 · X6+P5 · X5+P6 · X4+P7 · X3+P8 · X2+P9 · X......(I)(I)式中，X為頻率差檢測(cè)信息，Y為修正數(shù)據(jù)，Pl P9為多項(xiàng)近似式系數(shù)。在此，X是利用圖I所示的頻率差檢測(cè)部3得到的值，即利用圖2所示的平均化電路37得到的值(0SC2-0SC1)。將用于用修正值運(yùn)算部4執(zhí)行運(yùn)算的方框圖的一例在圖11中表示。圖11中，401 409是進(jìn)行(I)式的各項(xiàng)運(yùn)算的運(yùn)算部，400是加法部，410是進(jìn)行取整(ixnmd)處理的電路。另外，修正值運(yùn)算部4也可以在例如使用I個(gè)乘法運(yùn)算部，用該乘法運(yùn)算部求取9次方的值，接著用該乘法運(yùn)算部求取8次方的值，以這樣的方法反復(fù)使用該乘法運(yùn)算部最終將各次方的值相加。另外，修正值的運(yùn)算式不限定于使用9次的多項(xiàng)近似式，也可以使用與要求的精度對(duì)應(yīng)的次數(shù)的近似式。接著對(duì)上述實(shí)施方式的整體動(dòng)作進(jìn)行匯總。從第一振蕩電路I輸出的頻率信號(hào)作為時(shí)鐘供給到電壓控制振蕩器100的控制電路部200，如本實(shí)施方式的開(kāi)頭所述，通過(guò)控制電路部200的控制動(dòng)作，從電壓控制振蕩器100輸出作為目的的頻率的頻率信號(hào)。另一方面，從第一振蕩電路I和第二振蕩電路2分別輸出的頻率信號(hào)f I、f2,被輸入到頻率差檢測(cè)部3，通過(guò)已詳述過(guò)的動(dòng)作，在該例中作為頻率差檢測(cè)部3的輸出的PLL的輸出成為與{Afr-(f2-fl)}對(duì)應(yīng)的值時(shí)鎖定。而且，該值被輸入到修正值運(yùn)算部4，執(zhí)行(I)式的運(yùn)算得到作為溫度修正數(shù)據(jù)的頻率修正量。(I)式的運(yùn)算是求取與例如圖10所示的特性圖中基于頻率差檢測(cè)部3的輸出值得到的值對(duì)應(yīng)的修正頻率曲線的縱軸的值的處理。如圖I所示，第一晶體振子10和第二晶體振子20使用共用的晶體片Xb，由于彼此熱結(jié)合，所以振蕩電路11、12的頻率差是與環(huán)境溫度極其準(zhǔn)確地對(duì)應(yīng)的值，因此，頻率差檢測(cè)部3的輸出是環(huán)境溫度與基準(zhǔn)溫度(例如25°C )的溫度差信息。由于第一振蕩電路11輸出的頻率信號(hào)fl作為控制電路部200的主時(shí)鐘使用，所以將用修正值運(yùn)算部4得到的修正值為了基于因溫度偏離25°C產(chǎn)生的fl的頻率偏離量抵消對(duì)控制電路部200的 動(dòng)作的影響，而作為用于補(bǔ)償控制電路部200的動(dòng)作的信號(hào)使用，其結(jié)果是，作為本實(shí)施方式振蕩裝置的輸出的電壓控制振蕩器100的輸出頻率與溫度變動(dòng)無(wú)關(guān)地變得穩(wěn)定。如上所述，根據(jù)上述實(shí)施方式，雖然動(dòng)作時(shí)鐘本身進(jìn)行溫度變動(dòng)，但是能夠得到與變動(dòng)溫度量對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的頻率偏離信息，其結(jié)果是能夠?qū)崿F(xiàn)高穩(wěn)定、高精度的振蕩裝置。另夕卜，由于將對(duì)應(yīng)于fl和Hr之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值作為頻率差檢測(cè)信息(變動(dòng)溫度量的頻率偏離信息)，所以不需要像專利文獻(xiàn)I那樣調(diào)整成fl N f2的繁瑣的作業(yè)，另外，也沒(méi)有晶體振子的成品率低的問(wèn)題。而且，fl、f2使用各晶體振子的泛頻。由于泛頻的針對(duì)溫度的頻率變動(dòng)量比基波的針對(duì)溫度的頻率變動(dòng)量大，而且與上述差值對(duì)應(yīng)的值和溫度的相關(guān)性極其良好，所以能夠高精度地進(jìn)行輸出頻率的溫度補(bǔ)償。而且，為了求取頻率差檢測(cè)信息，生成Π與f2之差頻率的脈沖，利用上述脈沖將從DDS電路部36輸出的鋸齒波信號(hào)在閂鎖電路33閂鎖，積分所閂鎖的信號(hào)值，將該積分值作為上述頻率差輸出，并且取出該輸出和對(duì)應(yīng)于fir與f2r之差的值的差值，將其輸入到上述DDS電路部36構(gòu)成PLL。在像專利文獻(xiàn)I那樣計(jì)數(shù)f l、f2取得該差的情況下，計(jì)數(shù)時(shí)間會(huì)直接影響檢測(cè)精度，但在這樣的結(jié)構(gòu)中沒(méi)有這樣的問(wèn)題，所以檢測(cè)精度高。將兩者的方式利用虛擬進(jìn)行實(shí)際比較，得到如下結(jié)果在計(jì)數(shù)頻率的方式中，設(shè)定200ms的計(jì)數(shù)時(shí)間，在檢測(cè)精度方面，本實(shí)施方式的方式為約50倍高。另外，在本實(shí)施方式的PLL的情況下，像現(xiàn)有的DDS電路部那樣不具有正弦波ROM表，所以有能夠減小存儲(chǔ)器容量的優(yōu)點(diǎn)，能夠減小裝置的規(guī)模。另外，由于基于變動(dòng)溫度量的頻率偏離信息通過(guò)運(yùn)算處理求取頻率的修正值，所以不需要容量大的存儲(chǔ)器，出于這點(diǎn)也能夠減小裝置的規(guī)模，能夠抑制成本。像這樣，包含DDS電路部201并構(gòu)成PLL的控制電路部200，基于用修正值運(yùn)算部4得到的修正值控制電壓控制振蕩器100，但該P(yáng)LL的動(dòng)態(tài)范圍必須能夠允許包含電壓控制振蕩器100的溫度特性的電壓控制振蕩器100的偏差。另外，在上述振蕩裝置中，例如電壓控制振蕩器100由晶體振子構(gòu)成，分頻器204作為可變分頻器構(gòu)成。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠不改變溫度補(bǔ)償部、控制電路部200的電路結(jié)構(gòu)，僅變更分頻器204的分頻數(shù)和構(gòu)成電壓控制振蕩器100的晶體振子就能夠制造輸出任意頻率的振蕩裝置。因此，有容易制造與各輸出頻率對(duì)應(yīng)的振蕩裝置的優(yōu)點(diǎn)。第一晶體振子10和第二晶體振子20由I張晶體片Xb構(gòu)成，所以作為放置于相同環(huán)境中的結(jié)果，能夠高精度地算出作為上述頻率差檢測(cè)信息的Af-(FZ-H)15另外，在該實(shí)施方式中，能夠以利用數(shù)字信號(hào)對(duì)頻率差檢測(cè)部3、修正值運(yùn)算部4、構(gòu)成DDS電路部201和控制電路部200的分頻器204、相位比較電路205和環(huán)路濾波器206進(jìn)行控制的方式構(gòu)成振蕩裝置，通過(guò)這樣的方式，能夠進(jìn)一步高精度地控制振蕩裝置。而且，即使在像這樣利用數(shù)字信號(hào)控制各電路的情況下，上述振蕩裝置也實(shí)施利用PLL的VCXO控制，所以相位噪聲特性優(yōu)秀。另外，上述的振蕩裝置能夠?qū)崿F(xiàn)例如OCXO程度的頻率精度，但由于不需要開(kāi)環(huán)(open)，所以與OCXO相比有消耗電力小的優(yōu)點(diǎn)。而且，該實(shí)施方式中由于不需要為了檢測(cè)第一晶體振子10、第二晶體振子20的頻率差而使這些各晶體振子10、20的振蕩頻率嚴(yán)格地匹配，也不需要在背景技術(shù)的項(xiàng)目中敘述過(guò)的在生產(chǎn)線中使用恒溫槽、在嚴(yán)格地進(jìn)行溫度管理的基礎(chǔ)上測(cè)定頻率，所以具有容易生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。另外，構(gòu)成電壓控制振蕩器100的晶體振子也由于例如不用進(jìn)行特別加工，而能夠使用通常的晶體振子，所以具有不增加生產(chǎn)上的負(fù)擔(dān)的優(yōu)點(diǎn)。在此，將使用圖2電路對(duì)調(diào)查作為頻率差檢測(cè)部3的輸出的頻率差信息與時(shí)間的關(guān)系的結(jié)果在圖12中表示。在此，以第一晶體振子10的電極的膜厚和第二晶體振子20的 電極的膜厚不同的方式構(gòu)成，設(shè)定成第一晶體振子10的基波為27. 3MHz，第二晶體振子20的基波為25. 56MHz。而且，從第一振蕩電路I、第二振蕩電路2輸出這些基板的3倍的泛頻，Π為81. 9MHz，f2為76. 69MHz。另外，在這種情況下，頻率差信息設(shè)定成(0SC2-0SC1)，該值為 +50ppm。雖然是重復(fù)說(shuō)明，但該實(shí)施方式中對(duì)應(yīng)于fl和fir之差的值為{(fl-flr)/flr}(=0SC1)，對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值為{(f2-f2r) /f2r} ( = 0SC2)，與對(duì)應(yīng)于fI和fir之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值為0SC2-0SC1。但是，頻率差檢測(cè)部3也可以使用(fl-flr)和(f2-f2r)的差值本身作為與對(duì)應(yīng)于fI和fir之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值，在這種情況下，有效運(yùn)用圖7的圖來(lái)求取溫度。在上述實(shí)施方式中，在圖8 圖10的說(shuō)明中，用“ppm”單位表示頻率的變化量，但在實(shí)際的數(shù)字電路中，全部作為二進(jìn)制處理，所以DDS電路36的頻率設(shè)定精度用構(gòu)成比特?cái)?shù)計(jì)算，例如為34比特。列舉一例，在向圖I所示的控制電路部200所含的DDS電路部201供給IOMHz的時(shí)鐘時(shí)，該時(shí)鐘的變動(dòng)頻率成為IOOHz的情況下[變動(dòng)比率計(jì)算]ΙΟΟΗζ/ΙΟΜΗζ = O. 00001[ppm 換算]O. 00001*le6 = 10 [ppm][DDS設(shè)定精度換算]
0.00001*2A34N171,799[ratio-34bit (暫稱)]。在上述結(jié)構(gòu)的情況下，上述頻率設(shè)定精度用下面的(2)式表示。
I X [ratio-34bit]=10M[Hz]/2A34 N 0.58m[Hz/bit]……(2)因此，成為100[Hz]/0.58m[Hz/bit] N 171,799[bit(ratio-34bit)]。另外，O. 58mHz對(duì)IOMHz，能夠如下面的(3)式所示進(jìn)行計(jì)算。
0.58m[Hz]/10M[Hz]*le9N0.058[ppb] ...... (3)因此，由⑵、⑶式，⑷式的關(guān)系成立。
le9/2'34 = 0. 058[ppb/ratio-34bit] ......(4)S卩，在DDS電路36處理的頻率消失，僅成為比特?cái)?shù)的關(guān)系。而且，上述的例子中，第一晶體振子10和第二晶體振子20使用共用的晶體片Xb，但也可以不將晶體片Xb共用化。在這種情況下，能夠舉出例如在共用的框體中配置第一晶體振子10和第二晶體振子20的例子。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于放置于實(shí)質(zhì)相同的溫度環(huán)境下，所以能夠得到同樣的效果。在像這樣使用個(gè)別的晶體片的情況下，在各晶體振子間除了彼此改變電極膜的厚度、電極膜的面積、晶體片的厚度之外，還對(duì)晶體片進(jìn)行不同的倒角加工，由此能夠使fl、f2彼此錯(cuò)開(kāi)。另外，上述的例子中，H、f2分別是晶體振子10、20的三次泛頻，但H、f2也可以是彼此不同次數(shù)的泛頻，例如也可以fl是晶體振子10的三次泛頻，f2是晶體振子20的五次泛頻。頻率差檢測(cè)部3的DDS電路部36的輸出信號(hào)不限于鋸齒波，只要是信號(hào)值與時(shí)間一同增加、反復(fù)減少的頻率信號(hào)即可，例如也可以是正弦波。另外，作為頻率差檢測(cè)部3，也可以利用計(jì)數(shù)器對(duì)Π和f2進(jìn)行計(jì)數(shù)，從該計(jì)數(shù)值的差值減去與△ fr相當(dāng)?shù)闹?，輸出與得到的計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)的值。用修正值運(yùn)算部4求得的修正值，不限定于像上述實(shí)施方式那樣使用，在振蕩裝置的輸出頻率因溫度變動(dòng)的情況下，只要是能夠用修正值抵消輸出頻率的變動(dòng)量地進(jìn)行補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)構(gòu)，也可以用其它的方法進(jìn)行修正。例如在圖13所示的TCXO中，也可以代替溫度檢測(cè)器94的輸出使用由頻率差檢測(cè)部3得到的頻率差信息，基于該信息求取與頻率修正量相稱的控制電壓的補(bǔ)償量，用控制電壓產(chǎn)生部93將上述補(bǔ)償量和用于輸出基準(zhǔn)溫度的頻率的基準(zhǔn)電壓相加將之作為控制電壓。從頻率差信息求取頻率修正量的方法，不限于像上述實(shí)施方式那樣的多項(xiàng)近似式，也可以是在存儲(chǔ)器中預(yù)先存儲(chǔ)表示頻率差信息與頻率修正量關(guān)系的表，參照該表的方法。在以上實(shí)施方式中，將第一晶體振子10與第二晶體振子20的頻率差作為所謂的溫度計(jì)測(cè)值使用，基于該溫度計(jì)測(cè)值求取針對(duì)第一晶體振子10的溫度變動(dòng)的頻率修正值。但是本發(fā)明中，采用不將成為頻率修正對(duì)象的晶體振子和構(gòu)成所謂的溫度計(jì)的2個(gè)晶體振子的一個(gè)共用化的結(jié)構(gòu)的情況，也包含于權(quán)利要求的技術(shù)范圍。
在這種情況下，上述修正值取得部，代替基于用頻率差檢測(cè)部檢測(cè)出的與上述差值對(duì)應(yīng)的值，以及與上述差值對(duì)應(yīng)的值和第一振蕩電路的振蕩頻率fl的頻率修正值的關(guān)系，取得Π的頻率修正值的方式，能夠基于用頻率差檢測(cè)部檢測(cè)出的與上述差值對(duì)應(yīng)的值，以及與上述差值對(duì)應(yīng)的值和使與第一晶體振子和第二晶體振子不同的其它晶體振子振蕩的其它振蕩電路的振蕩頻率f0的頻率修正值的關(guān)系，取得fO的頻率修正值。
權(quán)利要求
1.一種振蕩裝置，其基于環(huán)境溫度的檢測(cè)結(jié)果對(duì)輸出頻率進(jìn)行修正，該振蕩裝置的特征在于，包括 在晶體片設(shè)置第一電極而構(gòu)成的第一晶體振子； 在晶體片設(shè)置第二電極而構(gòu)成的第二晶體振子； 第一振蕩電路，其與第一晶體振子連接，使該第一晶體振子以泛頻進(jìn)行振蕩； 第二振蕩電路，其與第二晶體振子連接，使該第二晶體振子以泛頻進(jìn)行振蕩； 頻率差檢測(cè)部，當(dāng)將第一振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為H，將基準(zhǔn)溫度條件下的第一振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為flr，將第二振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為f2，將基準(zhǔn)溫度條件下的第二振蕩電路的振蕩頻率設(shè)為f2r時(shí)，所述頻率差檢測(cè)部求取與對(duì)應(yīng)于H和Hr之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值； 修正值取得部，其基于用該頻率差檢測(cè)部檢測(cè)出的與所述差值對(duì)應(yīng)的值，以及與所述差值對(duì)應(yīng)的值和第一振蕩電路的振蕩頻率fl的頻率修正值的關(guān)系，取得起因于環(huán)境溫度與基準(zhǔn)溫度不同的fl的頻率修正值，其中 振蕩裝置的輸出，利用所述第一振蕩電路的輸出而生成， 基于用所述修正值取得部求得的所述頻率修正值對(duì)所述輸出頻率進(jìn)行修正。
2.如權(quán)利要求I所述的振蕩裝置，其特征在于 與對(duì)應(yīng)于H和Hr之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值，是[{(f2-f2r)/f2r}-{(fl-flr)/fir}]。
3.如權(quán)利要求I所述的振蕩裝置，其特征在于 在第一振蕩電路振蕩的泛頻的次數(shù)和在第二振蕩電路振蕩的泛頻的次數(shù)相同， 第一晶體振子和第二晶體振子的電極的膜厚、電極的面積和晶體片的厚度中的至少一個(gè)不同。
4.如權(quán)利要求I所述的振蕩裝置，其特征在于 在第一振蕩電路振蕩的泛頻的次數(shù)和在第二振蕩電路振蕩的泛頻的次數(shù)彼此不同。
5.如權(quán)利要求I所述的振蕩裝置，其特征在于 將第一晶體振子的晶體片和第二晶體振子的晶體片共用化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種振蕩裝置，能夠高精度地進(jìn)行輸出頻率的溫度補(bǔ)償。其包括使第一晶體振子以泛頻進(jìn)行振蕩的第一振蕩電路；使第二晶體振子以泛頻進(jìn)行振蕩的第二振蕩電路；頻率差檢測(cè)部，其當(dāng)設(shè)第一振蕩電路的振蕩頻率為f1，基準(zhǔn)溫度的第一振蕩電路的振蕩頻率為f1r，第二振蕩電路的振蕩頻率為f2，基準(zhǔn)溫度的第二振蕩電路的振蕩頻率為f2r時(shí)，求取與對(duì)應(yīng)于f1和f1r之差的值和對(duì)應(yīng)于f2和f2r之差的值的差值對(duì)應(yīng)的值；修正值取得部，其基于與上述差值對(duì)應(yīng)的值，以及與上述差值對(duì)應(yīng)的值和第一振蕩電路的振蕩頻率f1的頻率修正值的關(guān)系，取得f1的頻率修正值，基于用該修正值取得部求得的上述頻率修正值對(duì)上述輸出頻率進(jìn)行修正。
文檔編號(hào)H03B5/04GK102624330SQ201210020100
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者佐藤信一, 赤池和男 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社