專利名稱：一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置和自測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置和自測方法。
背景技術(shù)：
如圖1所示，逐步接近數(shù)模轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)一般包含以下幾個(gè)部分高性能比較器 101、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器103、逐步接近的控制線路102。逐步接近數(shù)模轉(zhuǎn)換器的工作原理為 由最高位的比特開始，逐步接近控制線路102設(shè)最高位比特為1，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器103的輸 出和輸入電壓通過高性能比較器101比較，如果輸入電壓較大，則最高位比特是1，否則是 0 ；然后再設(shè)下一個(gè)最高位的比特為1，再進(jìn)行比較，如果輸入電壓較大，則此比特為1，否則 為0。以此類推到最后的比特。如圖2所示，一個(gè)常用的數(shù)模轉(zhuǎn)換器是采用電容排列，最大的電容是第二大電容 的兩倍，第二大的電容值又是第三大電容值的兩倍，以此類推。這種表達(dá)方法和二進(jìn)位非常 相似。在理想情況時(shí)，圖2中的電容值，除了 Cib = Cia以外，有下列關(guān)系Ci+1 = 2Ci(1)在實(shí)際線路中，方程(1)會(huì)有一定的誤差，因此電壓的偏差可以表示為
Verror=jyΛ⑵
J=IB當(dāng)開關(guān)S接到參考電壓VREF時(shí)，Si = 1 ；當(dāng)開關(guān)S接地GND時(shí)，Si = 0。Vei代表 由于電容Ci的偏差引起的電壓偏差。如果數(shù)模轉(zhuǎn)換器要正常工作，電容值C和最小電容Cia或Cib相比較，誤差值必須更 小，這樣才可以有效的測量。比Cia或Cib大的偏差會(huì)導(dǎo)致數(shù)碼的不連續(xù)性，引發(fā)故障，因此， 需要一種測量方法和測量順序來找出數(shù)模轉(zhuǎn)換器由于電容值不當(dāng)引起的故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置和自測方法，可以有效地 檢測電容值的合理性，并且可以確定缺陷電容的位置。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置，該 自測裝置包含電路連接的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器、次數(shù)模轉(zhuǎn)換器、自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器和比較器；該自測裝置還包含電路連接所述主數(shù)模轉(zhuǎn)換器和次數(shù)模轉(zhuǎn)換器的逐步接近控制 器、電路連接所述主數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自我測試控制器、以及，電路連接所述自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換 器的自我校準(zhǔn)控制器；該自測裝置還包含電路連接所述自我校準(zhǔn)控制器的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、和，電路連 接所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器的累加器；所述的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器包含若干電容列，每個(gè)電容的上端并聯(lián)，接總開關(guān)，總開關(guān)可 以斷開或接地，每個(gè)電容的下端對應(yīng)設(shè)置有若干電容控制開關(guān)，該主數(shù)模轉(zhuǎn)換器中設(shè)置有參考電壓端、1/2參考電壓端和接地端，所述的若干電容控制開關(guān)可以選擇接參考電壓端、 1/2參考電壓端或者接地端；所述的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器用于模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的高位數(shù)(MSB)的輸出，并通過開關(guān)控 制來進(jìn)行自我測試，而次數(shù)模轉(zhuǎn)換器用來得到模擬數(shù)模轉(zhuǎn)換器的低位數(shù)(LSB)的結(jié)果，并 測量主數(shù)模轉(zhuǎn)換器中若干電容上的剩余電壓值，比較器輸出調(diào)節(jié)次數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入自我 校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器在自我校準(zhǔn)控制器的控制下，對電容上的剩余電壓值進(jìn)行累加和存儲(chǔ)后， 用于修正主數(shù)模轉(zhuǎn)換器的電壓誤差，自我測試控制器用來發(fā)現(xiàn)由于制造工藝造成的電容不 合理；剩余電壓值和誤差電壓值的關(guān)系由下面的方程式(3)和(4)表示，所以通過剩余 電壓值的測量可以計(jì)算電壓偏差值。
(3) 剩余電壓值和誤差電壓值被儲(chǔ)存在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，正常工作時(shí)，這些值將被取 出，用來作為電容值誤差的修正。本發(fā)明還提供一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測方法，該自測方法包含以下 步驟步驟1、自我校準(zhǔn)；自我校準(zhǔn)的過程從最大的電容開始；步驟1. 1、將主數(shù)模轉(zhuǎn)換器中的總開關(guān)Gl接地，令i = N，i-，gj >= i，則令Sj =0，即，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接地，若j < i，則令Sj = 1，即，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接 參考電壓端VREFl ；步驟1.2、斷開總開關(guān)G1，令i =N，i—，若j = i，則令Sj = 1，即，將相應(yīng)的電容 控制開關(guān)接參考電壓端VREF1，若j ！ = i，則令Sj = O, S卩，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接地；步驟1. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大于設(shè) 定的閾值Vthl，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 5 ；步驟1. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟1. 5 ；步驟1. 5、判斷i = 1是否成立，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟2，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 1 ；步驟2、單一電容測試；單一電容測試的過程從最大的電容開始；步驟2. 1、將總開關(guān)Gl接地，令i = N, I-JSi = 1/2，S卩，將相應(yīng)的電容控制開 關(guān)接1/2參考電壓端VREF2 ；步驟2. 2、斷開總開關(guān)G1，令S" = 1，即，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接參考電壓端 VREFl ；步驟2. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大于設(shè) 定的閾值Vth2，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 5 ；
步驟2. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟2. 5 ；步驟2. 5、判斷i = 1是否成立，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟3，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 1 ；步驟3、間隔電容測試；步驟3.1、將總開關(guān)61接地，令51< = 51^2 = 51^4=……=1/2，S卩，將偶數(shù)電容的電 容控制開關(guān)接1/2參考電壓端VREF2，令Sim = SN_3 = SN_5 =……=0，即，將奇數(shù)電容的電 容控制開關(guān)接地；步驟3.2、斷開總開關(guān)61，令5,_1 = SN_3 = SN_5 =……=1，即，將奇數(shù)電容的電容 控制開關(guān)接參考電壓端VREFl，令Sn = SN_2 = SN_4 =……=0，即，將偶數(shù)電容的電容控制開 關(guān)接地；步驟3. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大于設(shè) 定的閾值Vth3，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟3. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟3. 5 ；步驟3. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟3. 5 ；步驟3. 5、判斷是否不存在錯(cuò)誤，若是，則通過測試，若否，則不通過測試，如果步驟 1、步驟2和步驟3的測試都沒有錯(cuò)，那總的測試通過，如果步驟1、步驟2和步驟3的其中一 個(gè)存在錯(cuò)誤，則芯片有制造缺陷。上述步驟1. 3、步驟2. 3和步驟3. 3中，次數(shù)模轉(zhuǎn)換器采用逐步接近法來測量剩余 電壓；在步驟1中，閾值Vthl設(shè)為比主數(shù)模轉(zhuǎn)換器的最低有效位小的值，此值用來比較剩 余電壓值，如果剩余電壓太大，說明被測電容存在制造缺陷；在步驟2中，閾值Vth2可以設(shè)為和閾值Vthl —樣，但也可以按照系統(tǒng)要求作一定調(diào) 整，此值用來比較剩余電壓值，這樣可以確定電容值的合理性，因?yàn)槭菃我浑娙葜饌€(gè)測試， 這個(gè)過程還可以用來決定壞電容的位置；在步驟3中，閾值Vth3可以設(shè)為和閾值Vthl —樣，但也可以按照系統(tǒng)要求作一定調(diào)
iF. ο本發(fā)明在測量過程中引入了新的1/2參考電壓，可以有效地檢測電容值的合理 性，并且可以確定缺陷電容的位置。


圖1是背景技術(shù)中逐步接近數(shù)模轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是背景技術(shù)中常用的電容排列的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明提供的一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明提供的一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下根據(jù)圖3和圖4，具體說明本發(fā)明的較佳實(shí)施方式如圖3所示，是一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，該自 測裝置包含電路連接的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201、次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203、自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器204和 比較器202 ；該自測裝置還包含電路連接所述主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201和次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203的逐步接近控制器205、電路連接所述主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201的自我測試控制器210、以及，電路連接所述 自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器204的自我校準(zhǔn)控制器208 ；該自測裝置還包含電路連接所述自我校準(zhǔn)控制器208的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器207、和， 電路連接所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器207和自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器204的累加器206 ；所述的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201包含若干電容列C1A、C1B……Cn，每個(gè)電容的上端并聯(lián)，接 總開關(guān)G1，總開關(guān)Gl可以斷開或接地，每個(gè)電容的下端對應(yīng)設(shè)置有若干電容控制開關(guān)Si, 這里i的取值為N、N-1、…、1B、1A，該主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201中設(shè)置有參考電壓端VREFl、參 考電壓端VREF2和接地端GND，所述的若干電容控制開關(guān)Si可以選擇接參考電壓端VREFl、 1/2參考電壓端VREF2或者接地端GND ；所述的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201用于高位數(shù)的輸出，并通過開關(guān)控制來進(jìn)行自我測試， 而次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203用來得到低位數(shù)的結(jié)果，并測量主數(shù)模轉(zhuǎn)換器中若干電容上的剩余電 壓值，比較器202輸出調(diào)節(jié)次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203的輸入自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器204在自我校準(zhǔn) 控制器208的控制下，對電容上的剩余電壓值進(jìn)行累加和存儲(chǔ)后，用于修正主數(shù)模轉(zhuǎn)換器 201的電壓誤差，自我測試控制器210用來發(fā)現(xiàn)由于制造工藝造成的電容不合理；剩余電壓值和誤差電壓值的關(guān)系由下面的方程式(3)和(4)表示，所以通過剩余 電壓值的測量可以計(jì)算電壓偏差值。
VeN=^f(3)
1 ‘ 、
Vei = 2
^xi - Σ ^
k=i+\
\Jy 4 (剩余電壓值和誤差電壓值被儲(chǔ)存在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器207，正常工作時(shí)，這些值將被 取出，用來作為電容值誤差的修正。如圖4所示，是一種利用圖3的自測裝置來對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的 方法的流程圖，該自測方法包含以下步驟步驟1、自我校準(zhǔn)；自我校準(zhǔn)的過程從最大的電容開始；步驟1. 1、將主數(shù)模轉(zhuǎn)換器201中的總開關(guān)Gl接地，令i = N，i__，若j >= i，則 令h = 0，S卩，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接地，若j < i，則令h = 1，即，將相應(yīng)的電容控制開 關(guān)接參考電壓端VREFl ；步驟1.2、斷開總開關(guān)G1，令i =N，i—，若j = i，則令Sj = 1，即，將相應(yīng)的電容 控制開關(guān)接參考電壓端VREF1，若j ！ = i，則令Sj = O, S卩，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接地；步驟1. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大 于設(shè)定的閾值Vthl，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 5 ；步驟1. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟1. 5 ；步驟1. 5、判斷i = 1是否成立，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟2，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 1 ；步驟2、單一電容測試；單一電容測試的過程從最大的電容開始；
步驟2. 1、將總開關(guān)Gl接地，令i = N, I-JSi = 1/2，即，將相應(yīng)的電容控制開 關(guān)接1/2參考電壓端VREF2 ；步驟2. 2、斷開總開關(guān)G1，令S" = 1，即，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接參考電壓端 VREFl ；步驟2. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大 于設(shè)定的閾值Vth2，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 5 ；步驟2. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟2. 5 ；步驟2. 5、判斷i = 1是否成立，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟3，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 1 ；步驟3、間隔電容測試；步驟3.1、將總開關(guān)61接地，令51< = 51^2 = 51^4=……=1/2，即，將偶數(shù)電容的電 容控制開關(guān)接1/2參考電壓端VREF2，令Sim = SN_3 = SN_5 =……=0，即，將奇數(shù)電容的電 容控制開關(guān)接地；步驟3.2、斷開總開關(guān)61，令5,_1 = SN_3 = SN_5 =……=1，即，將奇數(shù)電容的電容 控制開關(guān)接參考電壓端VREFl，令Sn = SN_2 = SN_4 =……=0，即，將偶數(shù)電容的電容控制開 關(guān)接地；步驟3. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器203來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大 于設(shè)定的閾值Vth3，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟3. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟3. 5 ；步驟3. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟3. 5 ；步驟3. 5、判斷是否不存在錯(cuò)誤，若是，則通過測試，若否，則不通過測試，如果步驟 1、步驟2和步驟3的測試都沒有錯(cuò)，那總的測試通過，如果步驟1、步驟2和步驟3的其中一 個(gè)存在錯(cuò)誤，則芯片有制造缺陷。上述步驟1. 3、步驟2. 3和步驟3. 3中，次數(shù)模轉(zhuǎn)換器采用逐步接近法來測量剩余 電壓；在步驟1中，閾值Vthl設(shè)為比主數(shù)模轉(zhuǎn)換器的最低有效位小的值，此值用來比較剩 余電壓值，如果剩余電壓太大，說明被測電容存在制造缺陷；在步驟2中，閾值Vth2可以設(shè)為和閾值Vthl —樣，但也可以按照系統(tǒng)要求作一定調(diào) 整，此值用來比較剩余電壓值，這樣可以確定電容值的合理性，因?yàn)槭菃我浑娙葜饌€(gè)測試， 這個(gè)過程還可以用來決定壞電容的位置；在步驟3中，閾值Vth3可以設(shè)為和閾值Vthl —樣，但也可以按照系統(tǒng)要求作一定調(diào)整。盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的 描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的 多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置，其特征在于，該自測裝置包含電路連接的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器(201)、次數(shù)模轉(zhuǎn)換器(203)、自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(204)和比較器(202)；該自測裝置還包含電路連接所述主數(shù)模轉(zhuǎn)換器(201)和次數(shù)模轉(zhuǎn)換器(203)的逐步接近控制器(205)、電路連接所述主數(shù)模轉(zhuǎn)換器(201)的自我測試控制器(210)、以及，電路連接所述自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(204)的自我校準(zhǔn)控制器(208)；所述的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器(201)中設(shè)置有參考電壓端(VREF1)、1/2參考電壓端(VREF2)和接地端(GND)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置，其特征在于，所述的 自測裝置還包含電路連接所述自我校準(zhǔn)控制器(208)的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(207)、和，電路連 接所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(207)和自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(204)的累加器(206)。
3.如權(quán)利要求2所述的用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置，其特征在于，所述 的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器(201)包含若干電容列(C1A、Cib……Cn)，每個(gè)電容的上端并聯(lián)，接總開關(guān) (G1)，總開關(guān)(Gl)可以斷開或接地，每個(gè)電容的下端對應(yīng)設(shè)置有若干電容控制開關(guān)(Si),這 里i的取值為N、N-1、…、1B、1A，所述的若干電容控制開關(guān)(Si)接參考電壓端(VREFl)、或 者1/2參考電壓端(VREF2)，或者接地端(GND)。
4.一種利用權(quán)利要求1所述的自測裝置來對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的方法， 其特征在于，該自測方法包含以下步驟步驟1、自我校準(zhǔn)；自我校準(zhǔn)的過程從最大的電容開始；步驟2、單一電容測試；單一電容測試的過程從最大的電容開始；步驟3、間隔電容測試。
5.如權(quán)利要求4所述的對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的方法，其特征在于，所述 的步驟1包含以下步驟步驟1. 1、將主數(shù)模轉(zhuǎn)換器(201)中的總開關(guān)(Gl)接地，令i = N, i--，若j >= i，則 令h = 0，S卩，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接地，若j < i，則令& = 1，即，將相應(yīng)的電容控制開 關(guān)接參考電壓端(VREFl)；步驟1.2、斷開總開關(guān)(G1)，令i = N，i-，若j = i，則令Sj = 1，S卩，將相應(yīng)的電容控 制開關(guān)接參考電壓端(VREFl)，若j ！ = i，則令Sj = 0，即，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接地；步驟1. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器(203)來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大于 設(shè)定的閾值Vthl，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟1. 5 ； 步驟1. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟1. 5 ；步驟1.5、判斷i = 1是否成立，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟2，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟1.1。
6.如權(quán)利要求4所述的對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的方法，其特征在于，所述 的步驟2包含以下步驟步驟2. 1、將總開關(guān)(Gl)接地，令i =N，1一，令31 = 1/2，S卩，將相應(yīng)的電容控制開關(guān) 接1/2參考電壓端(VREF2)；步驟2.2、斷開總開關(guān)(G1)，令Sg = 1，即，將相應(yīng)的電容控制開關(guān)接參考電壓端(VREFl)；步驟2. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器(203)來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大于 設(shè)定的閾值Vth2，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟2. 5 ；步驟2. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟2. 5 ；步驟2.5、判斷i = 1是否成立，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟3，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟2.1。
7.如權(quán)利要求4所述的對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的方法，其特征在于，所述 的步驟3包含以下步驟步驟3. 1、將總開關(guān)(Gl)接地，令Sn = SN_2 = SN_4 =……=1/2，S卩，將偶數(shù)電容的電容 控制開關(guān)接1/2參考電壓端(VREF2)，令Sim = SN_3 = SN_5 =……=0，即，將奇數(shù)電容的電 容控制開關(guān)接地；步驟3. 2、斷開總開關(guān)(G1)，令Sim = SN_3 = SN_5 =……=1，即，將奇數(shù)電容的電容控 制開關(guān)接參考電壓端(VREFl)，令Sn = SN_2 = SN_4 =……=0，即，將偶數(shù)電容的電容控制開 關(guān)接地；步驟3. 3、利用次數(shù)模轉(zhuǎn)換器(203)來測量剩余電壓Vxi，并判斷剩余電壓Vxi是否大于 設(shè)定的閾值Vth3，若是，則跳轉(zhuǎn)到步驟3. 4，若否，則跳轉(zhuǎn)到步驟3. 5 ；步驟3. 4、提示存在制造缺陷，跳轉(zhuǎn)到步驟3. 5 ；步驟3. 5、判斷是否不存在錯(cuò)誤，若是，則通過測試，若否，則不通過測試，如果步驟1、 步驟2和步驟3的測試都沒有錯(cuò)，那總的測試通過，如果步驟1、步驟2和步驟3的其中一個(gè) 存在錯(cuò)誤，則芯片有制造缺陷。
8.如權(quán)利要求5、6、7中任意一個(gè)所述的對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的方法，其 特征在于，次數(shù)模轉(zhuǎn)換器采用逐步接近法來測量剩余電壓。
9.如權(quán)利要求5所述的對逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行自測的方法，其特征在于，在步 驟1中，閾值Vthl設(shè)為比主數(shù)模轉(zhuǎn)換器的最低有效位小的值，閾值Vth2和閾值Vth3的數(shù)值與 閾值Vthl相同。
全文摘要
一種用于逐步接近型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的自測裝置和自測方法，自測裝置包含電路連接的主數(shù)模轉(zhuǎn)換器、次數(shù)模轉(zhuǎn)換器、自我校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器和比較器，還包含電路連接的逐步接近控制器、自我測試控制器、以及自我校準(zhǔn)控制器。自測方法包含自我校準(zhǔn)、單一電容測試、以及間隔電容測試過程。本發(fā)明在測量過程中引入了新的1/2參考電壓，可以有效地檢測電容值的合理性，并且可以確定缺陷電容的位置。
文檔編號(hào)H03M1/10GK101895294SQ201010251150
公開日2010年11月24日 申請日期2010年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月12日
發(fā)明者張洪, 楊清, 郁新華 申請人:美凌微電子(上海)有限公司