專利名稱：彈性波裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及彈性波裝置及其制造方法，具體而言，涉及在襯底上形成諧振器和濾 波器等振動部的彈性波裝置及其制造方法。
背景技術：
以往，提出以用封蓋層覆蓋在襯底上形成的振動部的方式構成的彈性波裝置。圖9表示彈性波裝置的結構例。圖9(A)是剖面圖，圖9(B)是沿著圖9(A)的線 X-X觀察上側的剖面圖，圖9(c)是沿著圖9(A)的線X-X觀察下側的剖面圖。如圖9所示， 表面波裝置110在形成包含IDT電極112、焊盤113和布線118的導電圖案的壓電襯底111 的一方主面Illa上，包圍形成IDT電極112的振動部地用樹脂形成框狀的支撐層116，在 支撐層116之上形成絕緣性薄板的封蓋層115。在封蓋層115設置外部電極117，外部電極 117和焊盤113之間由貫通封蓋層115和支撐層116的貫通導體114電連接(例如，參照專 利文獻1)。專利文獻1 特開2002-261582號公報這樣的結構的彈性波裝置在外部電極設置焊錫凸塊，在其他電路板上安裝時，在 焊錫凸塊附加焊劑，使焊錫浸潤性提高?？墒牵袝r焊劑透過封蓋層，流入中空空間的內部。本發(fā)明是鑒于所述的實情，要提供能在使用焊錫凸塊安裝時，焊劑不流入中空空 間的內部的彈性波裝置。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供如以下那樣構成的彈性波裝置。彈性波裝置包括(a)襯底；(b)形成在所述襯底的一方主面上的振動部；(C)形 成在所述襯底的一方主面上，與所述振動部的電極電連接的焊盤；(d)包圍所述振動部的 周圍地設置在所述襯底的所述一方主面上，具有比所述振動部的厚度更大的厚度的支撐 層；(e)覆蓋所述振動部地設置上所述支撐層之上，在所述振動部的周圍形成中空空間的 由包含合成橡膠的樹脂構成的薄板狀的封蓋層；(f)設置在所述封蓋層的與所述支撐層相 反一側，由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層；(g)貫通所述保護層、所述封蓋層和所述支 撐層，連接在所述焊盤上的貫通導體；(h)設置在所述貫通導體的所述保護層一側的端部， 由焊錫凸塊構成的外部電極。在彈性波裝置的安裝時，在焊錫凸塊附加焊劑，使焊錫浸潤性提高?？墒牵竸┯?時流入中空空間的內部。本申請發(fā)明者發(fā)現(xiàn)因為封蓋層由包含合成橡膠的樹脂構成，所以 焊劑透過封蓋層。為了即使把封蓋層變?yōu)楸“鍫睿簿哂姓辰Y性，難以產生裂縫，有必要添 加合成橡膠。因此，如所述結構那樣，如果在由包含合成橡膠的樹脂構成的薄板狀的封蓋層上 設置由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層，焊劑就不透過保護層，焊劑能不流入中空空間 的內部。
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具體而言，如以下那樣，能用各種方式構成。作為一個方式，所述襯底是壓電襯底。所述振動部包含IDT電極。這時，彈性波裝置是表面波裝置。作為其他方式，所述襯底是絕緣襯底。所述振動部包含在兩面形成電極的壓電薄膜。這時，彈性波裝置是體聲波諧振器(Bulk Acoustic Wave Resonator ；BAW諧振器) 等體聲波裝置。優(yōu)選為，所述保護層由與所述支撐層相同的材料構成。如果保護層和支撐層由相同的材料構成，就能減少材料的種類，能簡化制造工序。所述保護層由感光性聚酰亞胺(f 'J ^ ^ F )構成。這時，焊錫凸塊和保護層的亮度曲線的差增大，能識別焊錫凸塊，與識別彈性波裝 置的外形的情況相比，能以更高精度安裝彈性波裝置。優(yōu)選為，所述封蓋層由非感光性環(huán)氧樹脂構成。這時，低溫硬化過程成為可能。優(yōu)選為，還具有在所述襯底和所述支撐層之間的至少一部分存在的氮化膜或者氧化膜。這時，氮化膜或者氧化膜與壓電襯底相比，表面更粗糙，所以由于固著效果，緊貼 性提高。據(jù)此，在中空空間形成后的工藝過程中，能防止電鍍液侵入中空空間，使特性不良 發(fā)生的問題。此外，本發(fā)明提供如以下那樣構成的彈性波裝置的制造方法。彈性波裝置的制造方法包括(1)在襯底的一方主面形成振動部和與該振動部的 電極電連接的焊盤的第一工序；(2)包圍所述振動部的周圍地在所述襯底的所述一方主面 形成具有比所述振動部的厚度更大的厚度的支撐層的第二工序；(3)覆蓋所述振動部地在 所述支撐層之上設置由包含合成橡膠的樹脂構成的薄板狀的封蓋層，在所述振動部的周 圍形成中空空間的第三工序；(4)在所述封蓋層的與所述支撐層相反一側設置由具有焊劑 耐性的樹脂構成的保護層的第四工序；(5)貫通所述保護層、所述封蓋層和所述支撐層，形 成連接在所述焊盤上的貫通導體的第五工序；(6)在所述貫通導體的所述保護層一側的端 部，設置由焊錫凸塊構成的外部電極的第六工序。在由所述方法制造的彈性波裝置的安裝時，在焊錫凸塊附加焊劑，使焊錫浸潤性 提高。焊劑透過由包含合成橡膠的樹脂構成的封蓋層，所以只用封蓋層，有時焊劑流入中空 空間的內部。而如果如本發(fā)明那樣在封蓋層上設置由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層， 焊劑不透過由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層，所以焊劑能不流入中空空間的內部。優(yōu)選為，還具有(7)在從所述襯底的所述一方主面到所述襯底的途中的深度形 成溝的第七工序；(8)磨削所述襯底的與所述一方主面相反一側的另一方主面，把所述襯 底減薄，分割為片的第八工序。這時，能一邊防止襯底的翹曲引起的裂紋，一邊能在集合襯底的狀態(tài)下同時制作 多個把襯底減薄的彈性波裝置。即作為把襯底減薄的方法，一般是把與中空空間相反一側的另一方主面磨削到所 希望的厚度之后，用切片切出片的方法。在該方法中，存在由于形成中空空間的支撐層、封蓋層等的殘留應力，在減薄的時刻，襯底大大翹曲，破裂的問題。如果形成中空空間的襯底 先在襯底的一方主面一側，到途中形成溝之后，通過磨削把襯底的另一方主面減薄，就沒有 在減薄的時刻，襯底大大翹曲，所以能防止襯底的翹曲引起的裂紋。另外，在襯底形成溝時，也可以切斷支撐層、封蓋層、保護層。此外，可以直到到達 溝，把襯底減薄，分割為片，也可以到達溝跟前，把襯底減薄之后，沿著溝，把襯底彎曲，分割 為片。此外，本發(fā)明提供如以下那樣構成的彈性波裝置的制造方法。彈性波裝置的制造方法包括(1)在襯底的一方主面形成振動部和與該振動部的 電極電連接的焊盤的第一工序；(2)包圍所述振動部的周圍地形成設置在所述襯底的所述 一方主面，具有比所述振動部的厚度更大的厚度的支撐層的第二工序；(3)覆蓋所述振動 部地在所述支撐層之上設置預先層疊由包含合成橡膠的樹脂構成的薄板狀的封蓋層和由 具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層的薄板狀的復合層，從而關于所述封蓋層，在與所述支 撐層相反一側配置所述保護層，在所述振動部的周圍形成中空空間的第三工序；(4)貫通 所述復合層的所述保護層以及所述封蓋層和所述支撐層，形成連接在所述焊盤上的貫通導 體的第四工序；(5)在所述貫通導體的所述保護層一側的端部，設置由焊錫凸塊構成的外 部電極的第五工序。在由所述方法制造的彈性波裝置的安裝時，在焊錫凸塊附加焊劑，使焊錫浸潤性 提高。焊劑透過由包含合成橡膠的樹脂構成的封蓋層，所以只用封蓋層，有時焊劑流入中空 空間的內部。而如果如本發(fā)明那樣在封蓋層上設置由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層， 焊劑不透過由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層，所以焊劑能不流入中空空間的內部。優(yōu)選為，具有(6)在從所述襯底的所述一方主面到所述襯底的途中的深度形成 溝的第六工序；(7)磨削所述襯底的與所述一方主面相反一側的另一方主面，把所述襯底 減薄，分割為片的第七工序。這時，能夠一邊防止襯底的翹曲引起的裂紋，一邊在集合襯底的狀態(tài)下同時制作 多個把襯底減薄的彈性波裝置。即作為把襯底減薄的方法，一般是把與中空空間相反一側的另一方主面磨削到所 希望的厚度之后，用切片切出片的方法。在該方法中，存在由于形成中空空間的支撐層、封 蓋層等的殘留應力，在減薄的時刻，襯底大大翹曲，破裂的問題。如果形成中空空間的襯底 先在襯底的一方主面一側，到途中形成溝之后，通過磨削把襯底的另一方主面減薄，就沒有 在減薄的時刻，襯底大大翹曲，所以能防止襯底的翹曲引起的裂紋。另外，在襯底形成溝時，也可以切斷支撐層、封蓋層、保護層。此外，可以直到到達 溝，把襯底減薄，分割為片，也可以到達溝跟前，把襯底減薄之后，沿著溝，把襯底彎曲，分割 為片。根據(jù)本發(fā)明，使用焊錫凸塊安裝彈性波裝置時，通過保護層，焊劑能夠不流入彈性 波裝置的中空空間的內部。


圖1是安裝表面波裝置的電子器件的剖面圖(實施例1)。圖2是表示表面波裝置的制造工序的剖面圖(實施例1)。
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圖3是表示表面波裝置的制造工序的剖面圖(實施例1)。圖4是表面波裝置的剖面圖(實施例1)。圖5是表面波裝置的剖面圖(實施例2)。圖6是安裝體(〃 ^ ” )聲波裝置的電子器件的剖面圖(實施例3)。圖7是體聲波裝置的剖面圖(實施例3)。圖8是彈性波裝置的透視圖(參考例)。圖9是彈性波裝置的要部剖面圖(以往例)。圖中IOUOa-表面波裝置(彈性波裝置)；IOx-體聲波裝置(彈性波裝置)；Ila-壓 電襯底；12-IDT電極；12a-上部電極；12b_下部電極；12c_壓電薄膜；13-焊盤；14、14a、 14x-振動部；15-貫通(e 7 )孔；16-凸塊下金屬；18-焊錫凸塊(外部電極)；19-中空 空間；20-支撐層；22-封蓋層；24-保護層；26-中間層(氮化膜或氧化膜)。
具體實施例方式以下，參照圖1 圖8，作為本發(fā)明的實施方式，說明實施例。實施例1參照圖1 圖4以及圖8，說明實施例1的電子器件30。如圖1的剖面圖所示，實施例1的電子器件30在作為公共襯底40的一方主面的 上面40a側安裝2個表面波裝置10。即形成在公共襯底40的上面40a的平面區(qū)域(’ >
K )42和表面波裝置10之間通過焊錫凸塊(〃 > ) 18電連接。在表面波裝置10的周圍 配置樹脂32，表面波裝置10由樹脂32覆蓋。在作為公共襯底40的另一方主面的下面40b 側，用于把電子器件30安裝到其他電路板上的外部電極44露出。在公共襯底40的內部形 成電連接平面區(qū)域42和外部電極44之間的貫通導體46或內部布線圖案48。例如，電子器件30是雙工器>7寸)，作為表面波裝置10，把發(fā)送用和接 收用的彈性表面波濾波元件在公共襯底40搭載。表面波裝置10如圖4的剖面圖所示，在壓電襯底11上形成元件部，例如 SAW (Surface acoustic wave ；彈性表面波)濾波器。即在作為壓電襯底11的一方的主面 的上面Ila形成包含振動部14的梳齒狀電極即IDT(Inter Digital Transducer)電極12、 焊盤13、以及連接IDT電極12和焊盤13之間的布線(未圖示)的導電圖案。在形成IDT 電極12的振動部14的周圍，以框狀形成支撐層20。支撐層20的厚度比振動部14的IDT 電極12等的導電圖案的厚度更大。支撐層20也形成在焊盤13上。在支撐層20之上配置封蓋層22，形成在壓電襯底11上的振動部14的周圍由絕緣 材料的支撐層20和封蓋層22覆蓋，形成中空空間19。在壓電襯底11的上面Ila中與中空 空間19相鄰的部分，彈性表面波自由傳播。在封蓋層22之上形成保護層24。在保護層24、封蓋層22和支撐層20形成到達在壓電襯底11的上面Ila形成的焊 盤13的貫通孔(通孔)15。在貫通孔15，作為貫通導體，填充凸塊下金屬16，在凸塊下金屬 16上形成在外部露出的焊錫凸塊18。下面，說明電子器件30的制造工序。首先，參照圖2和圖3的剖面圖，說明表面波裝置10的制造工序。在集合襯底(晶片)的狀態(tài)下，集中制造多個表面波裝置10。如圖2(a)所示，在壓電襯底11的一方主面Ila上形成包含IDT電極12、以及焊盤 13和連接IDT電極12和焊盤13之間的布線(不圖示)的布線圖案之后，在形成IDT電極 12的振動部14的周圍形成支撐層20。在支撐層20，例如在壓電襯底11的一方主面Ila全 體涂敷感光性聚亞胺類樹脂之后，通過光刻技術，對形成IDT電極12后的振動部14的周圍 進行開口(除去)。接著，如圖2(b)所示，在支撐層20上，通過積層，形成薄板狀的封蓋層22。在封蓋 層22使用低溫硬化工藝成為可能的非感光性環(huán)氧薄膜樹脂。接著，如圖2(c)所示，在封蓋層22之上形成保護層24。在保護層24使用例如與 支撐層20相同的材料的感光性聚亞胺類樹脂。也可以代替在支撐層20重疊封蓋層22之后重疊保護層24，在支撐層20設置預 先層疊成為封蓋層22的片材和成為保護層24的片材的薄板狀的復合層而同時形成封蓋層 22和保護層24。接著，如圖3 (d)所示，通過激光加工，貫通保護層24、封蓋層22和支撐層20，形成 在底部露出焊盤13的貫通孔15。接著，如圖3(e)所示，作為在貫通孔15填充的貫通導體，用電解電鍍(Cu、Ni等) 形成凸塊下金屬16，在凸塊下金屬16的表面16a形成用于防止氧化的厚度0. 05 0. 1 μ m 左右的Au。接著，如圖3(f)所示，在凸塊下金屬16的正上方，通過金屬掩模，印刷Sn-Ag-Cu 等的焊錫膏，以焊錫膏溶解的溫度，例如260°C左右加熱，使焊錫與凸塊下金屬16連接，用 焊劑洗凈劑除去焊劑，形成球狀的焊錫凸塊18。接著，用切片等方法，在從保護層24 —側到壓電襯底11的途中的深度形成溝，從 襯底背面(另一方主面)11b，通過磨削，把壓電襯底11減薄，分割為片，圖4所示的表面波 裝置10的準備結束。形成溝的時候，也可以切斷支撐層20、封蓋層22、保護層24。此外，也 可以把壓電襯底11減薄直到溝，分割為片，也可以把壓電襯底11減薄，直到溝跟前，沿著溝 把壓電襯底11彎曲，分割為片。作為把壓電襯底11減薄的方法，一般是把與中空空間19相反一側的襯底背面lib 磨削到所希望的厚度之后，用切片切出片的方法。在該方法中，存在因形成中空空間19的 支撐層20、封蓋層22等的樹脂的殘留應力，減薄的時刻集合襯底狀態(tài)的壓電襯底19大大翹 曲，破裂的問題。形成中空空間19的壓電襯底11先在壓電襯底11的一方主面Ila —側， 將溝形成到途中之后，通過磨削把襯底背面lib減薄，在減薄的時刻，壓電襯底11不會大大 翹曲，所以能防止壓電襯底11的翹曲引起的裂紋。下面，對安裝所制作的表面波裝置10 二制造電子器件30的工序進行說明。在集 合襯底的狀態(tài)下，集中制造多個電子器件30。首先，在成為公共襯底40的印刷電路基板上安裝表面波裝置10。在安裝時，在焊 錫凸塊18附加焊劑，使焊錫浸潤性提高。接著，通過積層或樹脂塑造方法，在2 5Pa的加壓狀態(tài)下，在樹脂32中掩埋表面 波裝置10之后，分割，而完成圖1所示的電子器件30。例如支撐層20的厚度為15 μ m,封蓋層22的厚度為30 μ m,保護層24的厚度為
83 μ m0封蓋層22使用包含合成橡膠的樹脂的片材，例如非感光性環(huán)氧薄膜樹脂的片材。 封蓋層22通過合成橡膠的添加，即使變?yōu)楸“鍫?，也具有粘結性，也難以產生龜裂?？墒?，如果如圖8的剖面圖所示的表面波裝置IOx那樣，在封蓋層22的正上方形 成焊錫凸塊18，則焊劑有時會透過由包含丙烯橡膠等合成橡膠的樹脂構成的封蓋層22，流 入中空空間19的內部。因此，如圖4所示，如果在封蓋層22上設置由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層 24，在其上形成焊錫凸塊18，焊劑就不透過由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層24，所以 焊劑能不流入中空空間19的內部。雖然保護層24和支撐層20的材料不同也無妨，但是支撐層20由具有焊劑耐性的 樹脂構成的時候，如果對保護層24使用與支撐層20相同的材料，材料的種類不增加，所以 能簡化制造工序，是理想的。在安裝表面波裝置10的工序中，與識別受切片精度的影響的表面波裝置10的外 形而安裝的方法相比，識別焊錫凸塊18，安裝的方法能提高安裝精度。特別是保護層24由 與支撐層20相同的感光性聚亞胺樹脂構成的時候，焊錫凸塊18和保護層24的亮度曲線的 差增大，變得容易識別焊錫凸塊18，所以與識別表面波裝置10的外形的情況相比，能以更 高精度安裝表面波裝置10。另外，由樹脂32確保中空空間19的氣密性。保護層24的目的不在于確保中空空 間19的氣密性。形成支撐層20時，也能以使焊盤13的至少一部分露出的方式形成貫通部的開口。 可是，存在如下問題即在形成貫通部的開口的支撐層之上形成封蓋層和保護層之后，如果 用激光加工，形成貫通封蓋層和保護層的貫通孔，封蓋層的材料的一部分(填料等)就附著 到貫通孔底部即焊盤上，然后對在貫通孔中填充的鍍層和焊盤的緊貼性帶來不良影響。如果在支撐層形成時，不形成貫通部的開口，形成封蓋層和保護層之后，與封蓋層 和保護層一起，用激光加工在支撐層形成貫通孔，就不產生這樣的問題，在貫通孔中填充的 鍍層和焊盤的緊貼性改善。在樹脂32中掩埋表面波裝置10時，為了中空空間19不破壞，有必要選擇支撐 層20和封蓋層22的參數(shù)。為了實現(xiàn)在一般的SAW濾波器使用的頻帶中需要最大尺寸的 800MHz頻帶的SAW濾波器，關于中空空間19，400 μ mX 1000 μ m的尺寸是必要的。為了能不 破壞地形成400 μ mX 1000 μ m的尺寸的中空空間19，選擇支撐層20和封蓋層22的參數(shù)，從 而滿足以下的條件。封蓋層的厚度彡30 μ m封蓋層的材料的彈性模量彡3GPa支撐層的厚度彡10 μ m支撐層的材料的彈性模量彡2. 5GPa另外，保護層24可以比封蓋層22更薄，所以作為不破壞中空空間19的條件，能忽 略保護層24的厚度和保護層24的材料的彈性模量。實施例2參照圖5，說明實施例2的表面波裝置10a。
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實施例2的表面波裝置IOa在與實施例1的表面波裝置10相同的結構中追加以 下的結構。即如圖5的剖面圖所示，在壓電襯底11和支撐層20之間形成中間層26。中間層 26形成在包含IDT電極12的振動部14a和焊盤13以外的區(qū)域中，并以包圍振動部14a的 周圍的方式存在于壓電襯底11和支撐層20之間。通過中間層26，提高緊貼性。例如在LiTaO3的壓電襯底11，與實施例1同樣形成導電圖案之后，用濺射法形成 SiO2膜之后，在有必要除去形成振動部14a和焊盤13的區(qū)域等的SiO2膜的部分，用干蝕刻 法除去SiO2膜，形成SiO2膜的中間層26。代替SiO2膜，也可以形成SiN膜。然后，與實施 例1同樣形成支撐層20等。SiO2膜和SiN膜的中間層26與壓電襯底11相比，表面更粗糙，所以由于固著效果， 緊貼強度提高。這些膜能用濺射法或CVD (chemical vapord印osition)法成膜。通過在壓電襯底11和支撐層20之間設置中間層26，關于中空空間19，能確保液 密水平。據(jù)此，在中空空間形成后的工藝過程中，例如在貫通孔填充鍍層的工序中，能防止 電鍍液侵入中空空間19，產生特性不良的問題。中間層26能確保液密水平就可以。支撐層20和封蓋層22的材料自身沒有氣密 性，所以不以使氣密性提高為目的。除去SiO2膜時，可以將SiO2膜除去到比形成焊盤13的區(qū)域更靠外側。這時，在 焊盤13的周圍，支撐層20的一部分形成在壓電襯底11上，但是也可以在支撐層20的其他 部分和壓電襯底11之間存在中間層26，在比焊盤13更靠IDT電極12 —側，以包圍振動部 14a的周圍的方式形成在壓電襯底11和支撐層20之間存在的中間層26。實施例3參照圖6和圖7，說明實施例3的電子器件30x。如圖6的剖面圖所示，實施例3的電子器件30x與實施例1的電子器件30大致同 樣構成。以下，以與實施例1的不同點為中心，進行說明，對相同的構成部分使用相同的符號。實施例3的電子器件30x與實施例1的電子器件30不同，在作為公共襯底40的 一方主面的上面40a側安裝表面波裝置10和體聲波裝置10x。即形成在公共襯底40的上 面40a上的平面區(qū)域42和表面波裝置10以及體聲波裝置IOx之間通過焊錫凸塊18電連 接。在表面波裝置10以及體聲波裝置IOx的周圍配置樹脂32，表面波裝置10以及體聲波 裝置IOx由樹脂32覆蓋。在作為公共襯底40的另一方主面的下面40b側，露出有用于把 電子器件30x對其他電路板安裝的外部電極44。在公共襯底40的內部形成將平面區(qū)域42 和外部電極44之間電連接的貫通導體46或內部布線圖案48。例如，電子器件30是雙工器，表面波裝置10是彈性表面波濾波元件，體聲波裝置 IOx是體聲波濾波元件，一方用于發(fā)送，另一方用于接收。體聲波裝置IOx除了在Si等的絕緣襯底Ilx形成振動部14x以外，與實施例1的 表面波裝置10大致同樣構成。即體聲波裝置IOx具有與表面波裝置10同樣的封裝構造。體聲波裝置IOx在形 成有振動部14x的襯底Ilx的一方主面11s，在振動部14x的周圍，以框狀形成支撐層20。 支撐層20的厚度比振動部14x的厚度更大。支撐層20也形成在焊盤13上。在支撐層2之上配置封蓋層22，振動部14x的周圍由絕緣構件的支撐層20和封蓋層22覆蓋，形成中空 空間19。在封蓋層22之上形成保護層24。在保護層24、封蓋層22和支撐層20形成到達 焊盤13的貫通孔(通孔)15。在貫通孔15，作為貫通導體，填充凸塊下金屬16，在凸塊下金 屬16上形成在外部露出的焊錫凸塊18。這樣的封裝構造并不局限于實施例3的SMR型的體聲波裝置，對在形成在襯底上 的空洞之上配置振動部的類型、或者通過除去犧牲層等從襯底浮起的狀態(tài)下支撐振動部的 類型的體聲波裝置也能應用。與實施例1的表面波裝置10不同，體聲波裝置IOx如圖7的要部剖面圖所示，具 有在上部電極12a和下部電極12b之間夾著壓電薄膜12s的振動部14x。振動部14x通過 聲音反射器17與絕緣襯底Ilx在聲音上分離。聲音反射器17在絕緣襯底Ilx上交替層疊聲阻抗相對低的低聲阻抗層17s和聲 阻抗相對高的高聲阻抗層17t。上部電極12a和下部電極12b電連接在焊盤13 (在圖7中 不圖示)上。另外，焊盤13可以直接形成在絕緣襯底Ilx的主面lis上，也可以隔著其他層(例 如低聲阻抗層17s)形成在絕緣襯底Ilx的主面lis上。(總結)如上所述，通過在封蓋層22設置保護層24，在表面波裝置10、10a的安裝 時，焊劑能不流入中空空間19的內部。另外，本發(fā)明并不局限于所述的實施方式，能加以各種變更、實施。例如，在壓電襯底，并不局限于SAW濾波器，也可以形成SAW諧振器等元件部。此 外，在絕緣襯底，并不局限于BAW濾波器，也可以形成BAW諧振器等元件部。
權利要求
一種彈性波裝置，其特征在于，包括襯底；振動部，其形成在所述襯底的一方主面上；焊盤，其形成在所述襯底的一方主面上，且與所述振動部的電極電連接；支撐層，其以包圍所述振動部的周圍的方式設置在所述襯底的所述一方主面上，具有比所述振動部的厚度更大的厚度；封蓋層，其以覆蓋所述振動部的方式設置在所述支撐層之上，在所述振動部的周圍形成中空空間，由包含合成橡膠的樹脂構成，且為薄板狀；保護層，其設置在所述封蓋層的與所述支撐層相反一側，由具有耐焊劑性的樹脂構成；貫通導體，其貫通所述保護層、所述封蓋層和所述支撐層，且與所述焊盤連接；外部電極，其設置在所述貫通導體的所述保護層側的端部，由焊錫凸塊構成。
2.根據(jù)權利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于 所述襯底是壓電襯底；所述振動部包含IDT電極。
3.根據(jù)權利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于 所述襯底是絕緣襯底；所述振動部包含在兩面形成有電極的壓電薄膜。
4.根據(jù)權利要求1 3中的任意一項所述的彈性波裝置，其特征在于 所述保護層由與所述支撐層相同的材料構成。
5.根據(jù)權利要求1 3中的任意一項所述的彈性波裝置，其特征在于 所述保護層由感光性聚酰亞胺系樹脂構成。
6.根據(jù)權利要求1 3中的任意一項所述的彈性波裝置，其特征在于 所述封蓋層由非感光性環(huán)氧樹脂構成。
7.根據(jù)權利要求1 3中的任意一項所述的彈性波裝置，其特征在于 還具有在所述襯底和所述支撐層之間的至少一部分存在的氮化膜或氧化膜。
8.一種彈性波裝置的制造方法，其特征在于，包括第一工序，其中在襯底的一方主面形成振動部和與該振動部的電極電連接的焊盤； 第二工序，其中以包圍所述振動部的周圍的方式在所述襯底的所述一方主面形成具有 比所述振動部的厚度更大的厚度的支撐層；第三工序，其中以覆蓋所述振動部的方式在所述支撐層之上設置由包含合成橡膠的樹 脂構成的薄板狀的封蓋層，在所述振動部的周圍形成中空空間；第四工序，其中在所述封蓋層的與所述支撐層相反一側設置由具有耐焊劑性的樹脂構 成的保護層；第五工序，其中貫通所述保護層、所述封蓋層和所述支撐層，形成與所述焊盤連接的貫 通導體；第六工序，其中在所述貫通導體的所述保護層側的端部，設置由焊錫凸塊構成的外部 電極。
9.一種彈性波裝置的制造方法，其特征在于，包括第一工序，其中在襯底的一方主面形成振動部和與該振動部的電極電連接的焊盤； 第二工序，其中形成以包圍所述振動部的周圍的方式設置在所述襯底的所述一方主面 且具有比所述振動部的厚度更大的厚度的支撐層；第三工序，其中以覆蓋所述振動部的方式在所述支撐層上設置預先層疊由包含合成橡 膠的樹脂構成的薄板狀的封蓋層和由具有耐焊劑性的樹脂構成的保護層的薄板狀的復合 層，從而在關于所述封蓋層而與所述支撐層相反一側配置所述保護層，在所述振動部的周 圍形成中空空間；第四工序，其中貫通所述復合層的所述保護層、所述封蓋層和所述支撐層，形成與所述 焊盤連接的貫通導體；第五工序，其中在所述貫通導體的所述保護層側的端部，設置由焊錫凸塊構成的外部 電極。
10.根據(jù)權利要求8所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于 還包括第七工序，其中在從所述襯底的所述一方主面到所述襯底的中途的深度形成溝； 第八工序，其中對所述襯底的與所述一方主面相反一側的另一方主面進行磨削，把所 述襯底減薄，并分割為片。 根據(jù)權利要求9所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于 還包括第六工序，其中在從所述襯底的所述一方主面到所述襯底的中途的深度形成溝； 第七工序，其中對所述襯底的與所述一方主面相反一側的另一方主面進行磨削，把所 述襯底減薄，并分割為片。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使用焊錫凸塊安裝時，焊劑能不流入中空空間的內部的彈性波裝置。包括(a)襯底11；(b)形成在襯底11的一方主面11a上的振動部14；(c)形成在襯底的一方主面11a上，與振動部14的電極12電連接的焊盤13；(d)包圍振動部14的周圍地設置在襯底11的一方主面11a上的支撐層20；(e)設置在支撐層20之上，在振動部14的周圍形成中空空間19的由包含合成橡膠的樹脂構成的薄板狀封蓋層22；(f)設置在封蓋層22的與支撐層20相反一側，由具有焊劑耐性的樹脂構成的保護層24；(g)貫通保護層24、封蓋層22和支撐層20，連接在焊盤13上的貫通導體16；(h)設置在貫通導體16的保護層24一側的端部，由焊錫凸塊構成的外部電極18。
文檔編號H03H3/02GK101946409SQ20098010482
公開日2011年1月12日 申請日期2009年1月19日 優(yōu)先權日2008年2月18日
發(fā)明者工藤敬實, 角井篤, 高田忠彥 申請人:株式會社村田制作所