專利名稱：包括電容的高通濾波器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明相關(guān)于一種全差分感測(cè)裝置電路，尤其為一種用于一高通濾波器的全差分
感測(cè)裝置電路。
背景技術(shù)：
在一般高通濾波器之中，通常包括兩個(gè)可變?cè)鲆娣糯箅娐?，需要一顆大尺寸電容 耦接于兩個(gè)可變?cè)鲆娣糯箅娐分g，以實(shí)現(xiàn)高通濾波器的功能。 請(qǐng)參閱圖l，其是顯示現(xiàn)有技術(shù)中的高通濾波器結(jié)構(gòu)圖，如圖l所示，高通濾波器l 包括第一可變?cè)鲆娣糯箅娐?1以及第二可變?cè)鲆娣糯箅娐?2，大尺寸電容13耦接于第一 可變?cè)鲆娣糯箅娐?1與第二可變?cè)鲆娣糯箅娐?2之間，用以在第一可變?cè)鲆娣糯箅娐?1 與第二可變?cè)鲆娣糯箅娐?2間進(jìn)行充放電，以達(dá)成高通濾波器1的濾波功能。
由于大尺寸電容13必須處理大電流的充放電，尺寸無(wú)法縮小，因此往往無(wú)法與第 一可變?cè)鲆娣糯箅娐?1及第二可變?cè)鲆娣糯箅娐?2做在同一塊芯片上，造成高通濾波器 的體積加大，成本提高。因此，如何有效縮小大尺寸電容的體積實(shí)為目前亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一，在于提供一種全差分感測(cè)裝置電路，其是用于一高通濾
波器，該全差分感測(cè)裝置電路包括一第一放大電路，包括一第一晶體管與一第二晶體管，
其中該第一晶體管的基極耦接至該第二晶體管的基極；一第二放大電路，包括一第三晶體
管與一第四晶體管，其中該第三晶體管的基極耦接至該第四晶體管的基極；一米勒效應(yīng)電
容，包括一放大器，其中該放大器的一第一輸入端耦接至該第一放大電路的該第二晶體管
的基極，該放大器的一第二輸入端耦接至該第二放大電路的該第三晶體管的基極。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該第一放大電路的該第一晶體管的基
極耦接至一第一電阻的第一端，該第二晶體管的基極耦接至該第一電阻的第二端。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該第二放大電路的該第三晶體管的基
極耦接至一第二電阻的第一端，該第四晶體管的基極耦接至該第二電阻的第二端。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該第一放大電路還包括一第五晶體管
及一第六晶體管，該第五晶體管的射極耦接至一第三電阻的第一端，該第六晶體管的射極
耦接至該第三電阻的第二端。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該第二放大電路還包括一第七晶體管 及一第八晶體管，該第七晶體管的射極耦接至一第四電阻的第一端，該第八晶體管的射極 耦接至該第四電阻的第二端。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該第一放大電路還包括一第九晶體 管、一第十晶體管、一第十一晶體管、一第十二晶體管，該第九晶體管的基極、該第十晶體管 的基極、該第十一晶體管的基極與該第十二晶體管的基極相互耦接。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該第二放大電路還包括一第十三晶體管、一第十四晶體管、一第十五晶體管、一第十六晶體管，該第十三晶體管的基極、該第十四
晶體管的基極、該第十五晶體管的基極與該第十六晶體管的基極相互耦接。 本發(fā)明所述的包括電容的高通濾波器芯片，該米勒效應(yīng)電容還包括一第一電容與
一第二電容，該第一電容耦接于該米勒效應(yīng)電容的該放大器的該第一輸入端與一第一輸出
端之間，該第二電容耦接于該放大器的該第二輸入端與一第二輸出端之間。 本發(fā)明可以較小的電容取代大尺寸電容，以縮小體積和節(jié)省成本，并且可以將電
容與電路制作在同一顆芯片之中。


圖1是顯示現(xiàn)有技術(shù)中的高通濾波器結(jié)構(gòu)圖。 圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的包括電容的高通濾波器芯片電路圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的包括電容的高通濾波器芯片電路圖，如圖 2所示，全差分感測(cè)裝置電路2包括第一放大電路21、第二放大電路22、米勒效應(yīng)電容23 與接地端26，米勒效應(yīng)電容23的一端耦接至第一放大電路21，另一端耦接至第二放大電路 22。 第一放大電路21包括第一晶體管211、第二晶體管212、第五晶體管213、第六晶體 管214、第九晶體管215、第十晶體管216、第十一晶體管217以及第十二晶體管218，另外包 括第一電阻241、第三電阻242、第五電阻243、第六電阻244、第七電阻245和第八電阻246。
其中第一晶體管211的集極耦接至電壓源Vcc，基極耦接至第一電阻241的第一 端，第二晶體管212的集極耦接至電壓源Vcc，基極耦接至第一電阻241的第二端。第五晶 體管213的集極耦接至負(fù)電流源IIN，基極耦接至第一晶體管211的射極，第六晶體管214 的集極耦接至正電流源IIP，基極耦接至第二晶體管212的射極，第三電阻242的第一端耦 接至第五晶體管213的射極，第二端耦接至第六晶體管214的射極。 第九晶體管215的集極耦接至第一晶體管211的射極，射極耦接至第五電阻243 的第一端，第十晶體管216的集極耦接至第五晶體管213的射極，射極耦接至第六電阻244 的第一端，第十一晶體管217的集極耦接至第六晶體管214的射極，射極耦接至第七電阻 245的第一端，第十二晶體管218的集極耦接至第二晶體管212的射極，射極耦接至第八電 阻246的第一端。其中第九晶體管215、第十晶體管216、第十一晶體管217以及第十二晶 體管218的基極相互耦接，而第五電阻243、第六電阻244、第七電阻245及第八電阻246的 第二端皆耦接至接地端26。 第二放大電路22包括第三晶體管221、第四晶體管222、第七晶體管223、第八晶體 管224、第十三晶體管225、第十四晶體管226、第十五晶體管227以及第十六晶體管228，另 外包括第二電阻251、第四電阻252、第九電阻253、第十電阻254、第i^一電阻255和第十二 電阻256。 其中第三晶體管221的集極耦接至電壓源Vcc，基極耦接至第二電阻251的第一 端，第四晶體管222的集極耦接至電壓源Vcc，基極耦接至第二電阻251的第二端。第七晶 體管223的集極耦接至負(fù)電流源IIN，基極耦接至第三晶體管221的射極，第八晶體管224的集極耦接至正電流源IIP，基極耦接至第四晶體管222的射極，第四電阻252的第一端耦 接至第七晶體管223的射極，第二端耦接至第八晶體管224的射極。 第十三晶體管225的集極耦接至第三晶體管221的射極，射極耦接至第九電阻253 的第一端，第十四晶體管226的集極耦接至第七晶體管223的射極，射極耦接至第十電阻 254的第一端，第十五晶體管227的集極耦接至第八晶體管224的射極，射極耦接至第十一 電阻255的第一端，第十六晶體管228的集極耦接至第四晶體管222的射極，射極耦接至第 十二電阻256的第一端。其中第十三晶體管225、第十四晶體管226、第十五晶體管227以 及第十六晶體管228的基極相互耦接，而第九電阻253、第十電阻254、第十一電阻255及第 十二電阻256的第二端皆耦接至接地端26。 米勒效應(yīng)電容23包括第一電容231、第二電容232以及放大器233，第一電容231 耦接至放大器233的正處理端以及正信號(hào)輸入源NIP，第二電容232耦接至放大器233的負(fù) 處理端以及負(fù)信號(hào)輸入源NIN。由于放大器233采用全差動(dòng)式，所以內(nèi)部具有共模反饋電路 (common mode feedback)，輸出電壓具有一特定電壓值，所以電容充電不需由0開始，可節(jié) 省充放電時(shí)間。 全差分感測(cè)裝置電路2利用第一放大電路21以及第二放大電路22對(duì)正信號(hào)輸入 源NIP以及負(fù)信號(hào)輸入源NIN進(jìn)行處理，第一放大電路21以及第二放大電路22皆為可變 增益放大電路(variable gain amplf ier)，而連接兩可變?cè)鲆娣糯箅娐返拿桌招?yīng)電容23 則進(jìn)行一高通濾波處理，通過放大器233和第一電容231 、第二電容232的連接關(guān)系，根據(jù)電 容的計(jì)算公式，整個(gè)米勒效應(yīng)電容，預(yù)期的電容量Cext約等于第一及第二電容231、232的 電容Cp乘上放大器233的放大倍數(shù)，因此可以較小的電容取代大尺寸電容，以縮小體積和 節(jié)省成本，并且可以將電容與電路制作在同一顆芯片之中。 以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本 項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下1 :高通濾波器；11 :第一可變?cè)鲆娣糯箅娐罚?2 :第二可變?cè)鲆娣糯箅娐?br> 13 :大尺寸電容；2:全差分感測(cè)裝置電路；21 :第一放大電路211 :第一晶體管；212第二晶體管；213 :第五晶體管；214第六晶體管；215 :第九晶體管；216第十晶體管；217 :第十一晶體管；218第十二晶體管；22:第二放大電路；221第三晶體管；222:第四晶體管；223第七晶體管；224 :第八晶體管；225第十三晶體管；226:第十四晶體管；227第十五晶體管；228 :第十六晶體管；23 :米勒效應(yīng)電容；231 :第一電容；232第二電容；233 :放大器；
241第一電阻；242第三電阻；243第五電阻；244第六電阻；245第七電阻；246第八電阻；251第二電阻；252第四電阻；253第九電阻；254第十電阻；255第十一電阻；256第十二電阻；26 :接地端;Vcc電壓源；IIN負(fù)電流源；IIP正電流源；NIP正信號(hào)輸入源；腦負(fù)信號(hào)輸入源。
權(quán)利要求
一種包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，包括一全差分感測(cè)裝置電路，該全差分感測(cè)裝置電路包括一第一放大電路，包括一第一晶體管與一第二晶體管，其中該第一晶體管的基極耦接至該第二晶體管的基極；一第二放大電路，包括一第三晶體管與一第四晶體管，其中該第三晶體管的基極耦接至該第四晶體管的基極；一米勒效應(yīng)電容，包括一放大器，其中該放大器的一第一輸入端耦接至該第一放大電路的該第二晶體管的基極，該放大器的一第二輸入端耦接至該第二放大電路的該第三晶體管的基極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該第一放大電路 的該第一晶體管的基極耦接至一第一電阻的第一端，該第二晶體管的基極耦接至該第一電 阻的第二端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該第二放大電路 的該第三晶體管的基極耦接至一第二電阻的第一端，該第四晶體管的基極耦接至該第二電 阻的第二端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該第一放大電路 還包括一第五晶體管及一第六晶體管，該第五晶體管的射極耦接至一第三電阻的第一端， 該第六晶體管的射極耦接至該第三電阻的第二端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該第二放大電路 還包括一第七晶體管及一第八晶體管，該第七晶體管的射極耦接至一第四電阻的第一端， 該第八晶體管的射極耦接至該第四電阻的第二端。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該第一放大電路 還包括一第九晶體管、一第十晶體管、一第十一晶體管、一第十二晶體管，該第九晶體管的 基極、該第十晶體管的基極、該第十一晶體管的基極與該第十二晶體管的基極相互耦接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該第二放大電路 還包括一第十三晶體管、一第十四晶體管、一第十五晶體管、一第十六晶體管，該第十三晶 體管的基極、該第十四晶體管的基極、該第十五晶體管的基極與該第十六晶體管的基極相 互耦接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括電容的高通濾波器芯片，其特征在于，該米勒效應(yīng)電容 還包括一第一電容與一第二電容，該第一電容耦接于該米勒效應(yīng)電容的該放大器的該第一 輸入端與一第一輸出端之間，該第二電容耦接于該放大器的該第二輸入端與一第二輸出端 之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包括電容的高通濾波器芯片，其包括一用于一高通濾波器的全差分感測(cè)裝置電路，該全差分感測(cè)裝置電路包括一第一放大電路，包括一第一晶體管與一第二晶體管，其中該第一晶體管的基極耦接至該第二晶體管的基極；一第二放大電路，包括一第三晶體管與一第四晶體管，其中該第三晶體管的基極耦接至該第四晶體管的基極；一米勒效應(yīng)電容，包括一放大器，其中該放大器的一第一輸入端耦接至該第一放大電路的該第二晶體管的基極，該放大器的一第二輸入端耦接至該第二放大電路的該第三晶體管的基極。本發(fā)明可以較小的電容取代大尺寸電容，以縮小體積和節(jié)省成本，并且可以將電容與電路制作在同一顆芯片之中。
文檔編號(hào)H03H11/04GK101741345SQ200810177580
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者黃聰琦 申請(qǐng)人:普誠(chéng)科技股份有限公司