專利名稱：表面聲波器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及正在研究作為移動電話等移動通信的帶通濾波器和基準(zhǔn)時鐘諧振器等廣泛應(yīng)用的表面聲波器件及其制造方法等。
背景技術(shù)：
專利文獻1特開昭61-73409號公報專利文獻2特開2002-76835號公報專利文獻3特開平10-224172號公報非專利文獻1中村僖良ら、“橫波(SH型)彈性表面波の研究とその通信用デバイスヘの応用”、[online]、[平成15年8月18日検索]、インタ一ネット<http//www.ecei.tohoku.ac.jp/～nakamura/shsaw.html>
非專利文獻2平成7年日本學(xué)術(shù)振興會産學(xué)協(xié)同研究支援事業(yè)実施報告書第132～137頁「High Performance GHz Range SurfaceTransverse Wave Resonant Devices.Applications to Low NoiseMicrowave Oscillators and Communication System」相關(guān)的以往的表面聲波器件，例如，如圖9所示，結(jié)構(gòu)為在壓電性彈性體基板(壓電基板)10上具有將由導(dǎo)電性膜形成的至少一對梳型電極交叉而成的IDT(叉指換能器Inter Digital Transducer)電極20，并且，在其兩側(cè)分別具有同樣由導(dǎo)電性膜形成的梯子型反射器電極30、30。
而且，如果向該中央的IDT電極20施加電信號，則在壓電基板10的表面上進行從電信號到表面聲波(Surface Acoustic Wave以下簡稱為SAW)的變換和逆變換。反射器電極30、30使在壓電基板10的表面上產(chǎn)生的表面聲波反射和諧振。利用這一點，可構(gòu)成諧振器、帶通濾波器等。
作為這種在表面聲波器件中利用的表面聲波，以與基板10表面垂直的位移和表面波傳播方向的位移為主要分量的瑞利波(Rayleigh Wave)，和在把能量放射到基板內(nèi)部的同時進行傳播的泄漏表面聲波(Leaky Wave)是具有代表性的，此外公知的有SH(橫波)型表面聲波。
該SH型表面聲波與瑞利波等不同，它是使用IDT電極20等把與表面波傳播方向垂直且與基板10表面平行的位移分量的能量封閉到基板表面的波動模式，與瑞利波等相比，由于聲速(傳播速度)大，因而在實現(xiàn)表面聲波器件的高頻率化方面是必不可少的。
即，由于已經(jīng)知道該表面聲波器件的中心頻率f具有以下關(guān)系f＝v/λ(其中，v是表面聲波的傳播速度，λ是波長)，因而為了實現(xiàn)該器件的高頻率化(提高中心頻率f)，可以減小波長λ，即減小決定波長λ的長度的電極指間的間距，然而，由于受制造裝置的極限的限制，因而通過利用傳播速度v大的表面聲波，可有效地達到目的。
而且，作為這種傳播速度大的SH型表面波，例如，已經(jīng)知道有例如上述專利文獻1等所示的旋轉(zhuǎn)Y板即石英ST切割基板的+90°X傳播的橫波型泄漏表面聲波；非專利文獻1中所述的單純橫波表面聲波即BGS波(Bleustein-Gulyaev-Shimizu wave)；拉夫波(Love wave)；或者在非專利文獻2中所述的由石英基板激勵的STW(表面橫波SurfaceTransverse Wave傳播速度為5100m/s)等。
另外，在這種利用傳播速度大的SH型表面波的器件的情況下，可比較容易地實現(xiàn)高頻率化，然而如圖10所示，與使用ST切割瑞利波的器件相比，由于頻率隨溫度的變動大，因而具有相對溫度的可靠性不足的缺點。
因此，以往，例如如上述專利文獻2所示，提出一種方法，該方法通過使用STW的頻率溫度系數(shù)(以下稱為TCFtemperature coefficientof frequency)為正數(shù)的37°～45°旋轉(zhuǎn)Y切割石英基板以及TCF為負(fù)數(shù)的薄膜，把與石英基板的切割角對應(yīng)的膜厚的薄膜形成在石英基板上，以使TCF為零(抵消)，從而改善頻率溫度特性。另外，TCF由下式表示，一般是指頻率對室溫附近溫度的斜度。
TCF＝f-1(f/T)[ppm/℃]并且，同樣在上述專利文獻3中，通過在SH型的泄漏表面聲波的延遲時間溫度系數(shù)(以下稱為TCDTemperature coefficient of delay)具有負(fù)值的歐拉角(0°，123°～177°，90°)的石英基板上形成TCD為正數(shù)的壓電薄膜，以使TCD為零，從而改善頻率溫度特性，同時，明確了使有助于器件寬帶化等的機電耦合系數(shù)k2增大的歐拉角和薄膜(ZnO膜)的膜厚的關(guān)系。另外，由于表面波的相速度和群速度大致相等，因而TCD具有以下關(guān)系TCD＝-TCF。
然而，這樣通過利用頻率溫度系數(shù)TCF或延遲時間溫度系數(shù)TCD為負(fù)數(shù)或正數(shù)的薄膜來改善頻率溫度特性的以往方法，由于計算值是在忽視基板上形成的IDT電極等的電極膜厚的影響的理想狀態(tài)下的計算值，因而可知，與實際獲得的TCF或TCD大為不同。
即，由于表面聲波的能量集中在基板表面，因而容易受到電極膜厚的影響，單獨的基板的溫度特性和電極形成后的溫度特性大為不同，僅由基板的歐拉角不能確定TCF或TCD，因而可知，如以往那樣，僅由基板的歐拉角來選擇溫度系數(shù)校正用的薄膜是不合適的。
并且，所有以往例都僅關(guān)注表示相對于室溫附近的溫度的斜度的TCF和TCD，完全沒有考慮對期望溫度范圍內(nèi)的頻率變動量有很大影響的二次溫度系數(shù)β。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是為了有效解決這種課題而提出的，其主要目的是提供容易實現(xiàn)高頻率化且能發(fā)揮優(yōu)良溫度特性的新型表面聲波器件及其制造方法。
為了解決上述課題，發(fā)明1的表面聲波器件，其特征在于，在歐拉角為(0°，θ(其中，θ為125°～142°)，90°)且激勵SH型表面波的石英基板上具有規(guī)定膜厚的IDT電極，以使該石英基板在規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為負(fù)數(shù)，并且，用在上述規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為正數(shù)的薄膜覆蓋該IDT電極。
這樣，首先，本發(fā)明由于可通過使用由歐拉角(0°，θ(其中，θ為125°～142°)，90°)表示的石英基板來激勵STW等高速SH型表面聲波，因而可容易地實現(xiàn)高頻率化。
并且，由于該石英基板在規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF被規(guī)定膜厚的IDT電極控制為負(fù)數(shù)，并且該IDT電極由在上述規(guī)定溫度時具有正的頻率溫度系數(shù)TCF的薄膜覆蓋，因而如后面的實施方式中所詳細(xì)說明的那樣，由于在規(guī)定溫度、即使用環(huán)境溫度范圍的中心把頻率溫度系數(shù)TCF校正為零，因而可減小該溫度范圍的頻率變動。
此外，如后面的實施方式所詳細(xì)說明的那樣，由于使二次溫度系數(shù)β接近零，因而使用環(huán)境溫度范圍內(nèi)的頻率溫度變動量進一步減小，可進行穩(wěn)定的動作。
即，本發(fā)明是通過具體發(fā)現(xiàn)以下現(xiàn)象及該現(xiàn)象的邊界線而提出的，其中，該現(xiàn)象為對于可激勵以往高速SH型表面聲波的歐拉角的石英基板，即使是頻率溫度系數(shù)TCF被視為正數(shù)的歐拉角，根據(jù)電極膜厚和θ的關(guān)系，也會發(fā)生反轉(zhuǎn)為負(fù)數(shù)的現(xiàn)象，通過采用適應(yīng)這種現(xiàn)象的結(jié)構(gòu)，可確實實現(xiàn)高頻率化和溫度特性的改善。
并且，該薄膜不僅具有改善基板側(cè)的頻率溫度特性的效果，而且同時也具有通過保護電極和避免短路而提高成品率等的效果。
發(fā)明2的表面聲波器件的特征在于，在發(fā)明1所述的表面聲波器件中，上述薄膜由以氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或者氮化鈦(TiN)中的任意一種為主要成分的材料形成。
即，這些材料在形成薄膜時，表現(xiàn)出正的頻率溫度系數(shù)TCF，通過利用這種材料作為薄膜，并適當(dāng)調(diào)整其膜厚，可容易地進行表面聲波器件的一次溫度系數(shù)的校正。
發(fā)明3的表面聲波器件的特征在于，在發(fā)明1或2所述的表面聲波器件中，上述IDT電極由以Al為主要成分的材料形成，并且上述歐拉角中的θ與上述IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚(H/λ(H＝實際膜厚，λ＝波長))具有由下述公式表示的關(guān)系H/λ＞-4.418215×10-6×θ4+2.407644×10-3×θ3-4.919222×10-1×θ2+4.466510×10×θ-1.520615×103即，本發(fā)明使用公式具體確定下述范圍，即，在使用可激勵高速SH型表面聲波的歐拉角的石英基板時，通過電極膜厚的調(diào)整，可使頻率溫度系數(shù)TCF為負(fù)的范圍，這樣，與發(fā)明1相同，可確實實現(xiàn)高頻率化和溫度特性的改善。
發(fā)明4的表面聲波器件的特征在于，在發(fā)明3所述的表面聲波器件中，上述IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚(H/λ)小于等于0.1。
發(fā)明5的表面聲波器件的制造方法，在歐拉角由(0°，θ(其中，θ為125°～142°)，90°)表示的石英基板上形成IDT電極之后，用薄膜覆蓋該IDT電極，其特征在于，在上述石英基板上形成IDT電極時，調(diào)整該IDT電極的膜厚，使該石英基板在規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為負(fù)數(shù)，之后，用在上述規(guī)定溫度時具有正的頻率溫度系數(shù)TCF的薄膜覆蓋在該IDT電極上。
這樣，可容易地獲得可激勵STW等SH型高速波且可在大的溫度范圍內(nèi)發(fā)揮優(yōu)良溫度特性的表面聲波器件。
發(fā)明6的表面聲波器件的制造方法的特征在于，在發(fā)明5所述的表面聲波器件的制造方法中，上述薄膜由以氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或者氮化鈦(TiN)中的任意一種為主要成分的材料形成。
這樣，由于與發(fā)明2相同，可容易地進行基板的頻率溫度系數(shù)TCF的校正，因而可更可靠地獲得可激勵高速SH型表面聲波且可在大的溫度范圍內(nèi)發(fā)揮優(yōu)良溫度特性的表面聲波器件。

發(fā)明7的帶通濾波器的特征在于，由發(fā)明1～4中的任意一項的表面聲波器件構(gòu)成。
這樣，由于可實現(xiàn)高頻率化和溫度特性的改善，因而可獲得高性能且高可靠性的帶通濾波器。
發(fā)明8的SAW諧振器的特征在于，由發(fā)明1～4中的任意一項的表面聲波器件構(gòu)成。
這樣，由于可實現(xiàn)高頻率化和溫度特性的改善，因而可獲得高性能且高可靠性的SAW諧振器。
根據(jù)本發(fā)明，由于可把頻率溫度系數(shù)TCF容易且可靠地調(diào)整到零，因而能夠以該頂點溫度作為使用環(huán)境溫度范圍的中心來減小頻率變動量，同時由于也能使二次溫度系數(shù)β接近零，因而可進一步減小頻率變動量。
并且，由于通過利用SiO2等絕緣性優(yōu)良的薄膜來同時實現(xiàn)保護電極和防止短路，因而制造成品率也提高。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的表面聲波器件的一個實施方式的平面圖。
圖2是沿圖1中的A-A線的剖面圖。
圖3是表示表面聲波器件的石英基板的切出方位的圖。
圖4是表示石英基板相對電極膜厚的一次溫度特性變化的曲線圖。
圖5是表示TCF隨歐拉角θ和電極膜厚H/λ的變化而變化的曲線圖。
圖6是表示單獨的電極的膜厚和具有薄膜的電極膜厚與二次溫度系數(shù)的關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示僅具有電極的石英基板的頻率溫度特性和使用SiO2膜實施溫度校正后的頻率溫度特性的曲線圖。
圖8是表示在石英基板上具有的標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ及在其上形成的SiO2膜的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚與表面波的聲速的關(guān)系的曲線圖。
圖9是表示以往的表面聲波器件的一例的透視圖。
圖10是表示頻率溫度變化率的曲線圖。
符號說明10壓電基板(石英基板)；20IDT電極；21電極體；21a電極指；21b母線；30反射器電極；40薄膜；100表面聲波器件。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的最佳實施方式進行詳細(xì)說明。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的表面聲波器件100的一個實施方式的平面圖，圖2是圖1的A-A線剖面圖。
如圖所示，該表面聲波器件100采用以下結(jié)構(gòu)在由石英基板形成的矩形壓電基板10的上面中央部分，具有由Al等導(dǎo)電性薄膜形成的IDT電極20，并且，在該IDT電極20的兩側(cè)，分別具有同樣由Al等導(dǎo)電性薄膜形成的梯子狀反射器電極30、30，而且，這些IDT電極20和反射器電極30、30整體由薄膜40覆蓋。
并且，該IDT電極20配置成使至少一對梳形電極體21、21相互交叉(嚙合)，一旦向該IDT電極20施加交流電壓，則由于壓電效應(yīng)在相鄰的電極指21a、21a之間的基板10表面上周期性地產(chǎn)生相互反相的變形，從而激勵波長為λ的表面波。
此處，該各電極體21、21采用把相互平行延伸的多個電極指21a、21a、21a的端部用母線21b連接的梳形形狀，本實施方式中所說的波長λ是指如圖所示的相鄰的電極指21a、21a之間的間距P的2倍(λ＝2P)，電極膜厚H是指這些IDT電極20和反射器電極30、30在厚度方向的高度。
并且，構(gòu)成該矩形壓電基板10的石英基板，為了激勵STW，其表面的切出角和傳播方向在圖3所示的歐拉角(0°，125°～142°，90°)的范圍內(nèi)，并且，IDT電極20由Al構(gòu)成，并通過其膜厚H設(shè)定成使頻率溫度系數(shù)TCF在由圖5的線L1、線L2和線L3包圍的陰影區(qū)域R內(nèi)為負(fù)數(shù)。而且，圖3是表示該石英基板的切出方位的圖，在用以Z軸為中心并以逆時針方向為正而旋轉(zhuǎn)的第一旋轉(zhuǎn)角φ，和以旋轉(zhuǎn)后的X軸為中心并以逆時針方向為正而旋轉(zhuǎn)的第二旋轉(zhuǎn)角θ來表示切斷面M，并用以旋轉(zhuǎn)后的Z軸為中心以逆時針方向為正而旋轉(zhuǎn)的第三旋轉(zhuǎn)角ψ來定義基板面內(nèi)的表面?zhèn)鞑シ较虻那闆r下，若用歐拉角表示，則表示為(φ，θ，ψ)。
圖4是表示在使用歐拉角(0°，127°，90°)的石英基板時，標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ和在基準(zhǔn)溫度25℃時的頻率溫度系數(shù)TCF的關(guān)系的圖，當(dāng)H/λ在0.045(4.5％)附近時，TCF為零，即，頂點溫度為該情況的基準(zhǔn)溫度、即25℃，當(dāng)H/λ在0.045以上時，TCF為負(fù)數(shù)，當(dāng)H/λ在0.045以下時為正數(shù)。而且，特別是，盡管未作圖示，然而如果改變基準(zhǔn)溫度，則TCF相對電極膜厚的值發(fā)生變化。
圖5表示歐拉角θ和標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ的關(guān)系。
圖中右上方的線L1是表示室溫(25℃)時的頻率溫度系數(shù)TCF為零的組合的邊界線，該線L1左側(cè)的組合是TCF為負(fù)數(shù)的區(qū)域，右側(cè)的組合是TCF為正數(shù)的區(qū)域。
而且，本發(fā)明把石英基板10側(cè)的歐拉角θ和標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ的關(guān)系設(shè)定成使θ和H/λ的組合在該TCF為負(fù)數(shù)的區(qū)域中由線L1、L2和L3包圍的斜線陰影區(qū)域R內(nèi)。
此處，線L2是表示由于抗蝕膜的厚度極限和熱引起的抗蝕膜的變形等而導(dǎo)致的當(dāng)前薄膜形成技術(shù)的電極膜厚上限即0.10(10％)的線，線L3是在單獨的基板時，TCF為負(fù)數(shù)的θ的上限值。
即，以往，采用以下結(jié)構(gòu)通過在TCF為正數(shù)的歐拉角(0°，123°～177°，90°)的石英基板上形成TCF為負(fù)數(shù)的薄膜，例如形成ZnO膜等，或者在TCF為負(fù)數(shù)的歐拉角(0°，θ＜126.1°，90°＝的石英基板上形成TCF為正數(shù)的薄膜，例如形成SiO2膜等，使TCF為零，然而，如圖5所示，可知即使角度θ大于等于125°，根據(jù)電極膜厚，TCF也能為負(fù)數(shù)。
因此，如果在歐拉角θ為125°～142°，標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ小于等于0.10的范圍內(nèi)，把兩者設(shè)定在圖中陰影區(qū)域R內(nèi)，則以往被視為正數(shù)的TCF為負(fù)數(shù)，因而，可知通過利用TCF為正數(shù)的薄膜，可使TCF為零，即，可使頂點溫度接近室溫。
接著，圖6表示在歐拉角為(0°，127°，90°)的石英基板上具有的標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ及在其上形成的SiO2膜的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚與二次溫度系數(shù)β的關(guān)系。而且，該二次溫度系數(shù)β是把頻率溫度變化率表示為(f-f0)/f0＝a(T-T0)+b(T-T0)2時的與b對應(yīng)的系數(shù)。式中，f是頻率，T0是基準(zhǔn)溫度，f0是基準(zhǔn)溫度T0時的頻率，a是頻率溫度系數(shù)TCF。
在圖中，實線A表示在石英基板上僅具有電極的情況，虛線B表示標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ為0.05(5％)，并在其上形成SiO2膜的情況。而且，虛線B的橫軸表示用λ對SiO2膜的膜厚進行標(biāo)準(zhǔn)化，并與標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ相加所得的值。
而且，如實線A所示，通過簡單地加厚電極，表面波的位移分布由于在基板表面上的質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)而發(fā)生變化，從而可實現(xiàn)二次溫度系數(shù)β的改善，即，使β接近零。然而如上所述，由于制造上的限制，標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ的極限為0.10，因而僅使用電極來改善二次溫度系數(shù)的效果小。
因此，如果如虛線B所示采用以下結(jié)構(gòu)把電極形成為使TCF為負(fù)數(shù)，并在其上形成TCF為正數(shù)的SiO2膜，則可把TCF校正為零，即把頂點溫度校正為接近室溫，并且通過作用于整個基板表面的質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)，可改善二次溫度系數(shù)，因而，如圖10的虛線所示，可知可實現(xiàn)與ST切割瑞利波器件同樣的頻率相對于溫度變動小的表面聲波器件。
圖7表示僅具有電極的石英基板的頻率溫度特性(實線)和使用SiO2膜實施溫度校正后的頻率溫度特性(虛線)。從該圖可知，與單獨的電極相比，通過設(shè)置SiO2膜等的薄膜，具有不僅使頂點溫度向室溫附近移動，而且可進一步改善二次溫度系數(shù)的效果。
圖8表示在歐拉角為(0°，127°，90°)的石英基板上具有的標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ及在其上形成的SiO2膜的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚與表面波的聲速的關(guān)系。
在圖中，實線A表示在石英基板上僅具有電極的情況，虛線B表示標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ為0.05，在其上形成SiO2膜的情況。而且，虛線B的橫軸表示用λ對SiO2膜的膜厚進行標(biāo)準(zhǔn)化，并與標(biāo)準(zhǔn)化電極膜厚H/λ相加所得的值。
從該圖可知，聲速對SiO2膜的膜厚的下降量比聲速對電極膜厚的下降量小，即使使用SiO2膜進行溫度特性校正，也能抑制聲速降低，并不會阻礙表面聲波器件的高頻率化。
權(quán)利要求
1.一種表面聲波器件，其特征在于，在歐拉角為(0°，θ，90°)并且激勵橫波型表面波的石英基板上，具有規(guī)定膜厚的叉指換能器電極，以使該石英基板在規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為負(fù)數(shù)，并且，用在上述規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為正數(shù)的薄膜覆蓋該叉指換能器電極，其中，θ為125°～142°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其特征在于，上述薄膜由以氧化硅SiO2、氮化硅Si3N4或者氮化鈦TiN中的任意一種為主要成分的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面聲波器件，其特征在于，上述叉指換能器電極由以鋁為主要成分的材料形成，并且上述歐拉角中的θ與上述叉指換能器電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚H/λ具有由下面的公式表示的關(guān)系H/λ＞-4.418215×10-6×θ4+2.407644×10-3×θ3-4.919222×10-1×θ2+4.466510×10×θ-1.520615×103，其中，H＝實際膜厚，λ＝波長。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面聲波器件，其特征在于，上述叉指換能器電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚H/λ小于等于0.1。
5.一種表面聲波器件的制造方法，在歐拉角由(0°，θ，90°)表示的石英基板上形成叉指換能器電極之后，用薄膜覆蓋該叉指換能器電極，其中，θ為125°～142°，其特征在于，在上述石英基板上形成叉指換能器電極時，調(diào)整該叉指換能器電極的膜厚，使該石英基板在規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為負(fù)數(shù)，之后，用在該規(guī)定溫度時具有正的頻率溫度系數(shù)TCF的薄膜覆蓋在該叉指換能器電極上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面聲波器件的制造方法，其特征在于，上述薄膜由以氧化硅SiO2、氮化硅Si3N4或者氮化鈦TiN中的任意一種為主要成分的材料形成。
7.一種帶通濾波器，其特征在于，由權(quán)利要求1～4中的任何一項的表面聲波器件構(gòu)成。
8.一種表面聲波諧振器，其特征在于，由權(quán)利要求1～4中的任何一項的表面聲波器件構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可實現(xiàn)高頻率化且能發(fā)揮優(yōu)良溫度特性的新型表面聲波器件及其制造方法。該表面聲波器件是利用高速SH型表面波的器件，其在歐拉角由(0°，θ(其中，θ為125°～142°)，90°)表示的石英基板上形成IDT電極時，調(diào)整該IDT電極的膜厚，使該石英基板在規(guī)定溫度時的頻率溫度系數(shù)TCF為負(fù)數(shù)，之后，用在該規(guī)定溫度時具有正的頻率溫度系數(shù)的薄膜覆蓋在該IDT電極上。這樣，由于可使器件整體的頻率溫度系數(shù)TCF為零，并且可改善二次溫度系數(shù)β，因而可提供容易實現(xiàn)高頻率化且具有優(yōu)良溫度特性的表面聲波器件。
文檔編號H03H3/00GK1585266SQ200410058248
公開日2005年2月23日 申請日期2004年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月20日
發(fā)明者押尾政宏 申請人:精工愛普生株式會社