1.一種采用分立元件實(shí)現(xiàn)的高邊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于：所述高邊驅(qū)動(dòng)的電路采用MOSFET功率管Q2，過(guò)流保護(hù)電路包括與高邊驅(qū)動(dòng)輸出電流串聯(lián)的電流檢測(cè)電路，所述電流檢測(cè)電路的輸出電平連接電壓比較器U1的輸入端，電壓比較器的輸出端通過(guò)開關(guān)管連接控制高邊驅(qū)動(dòng)電路的MOSFET功率管關(guān)閉和導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用分立元件實(shí)現(xiàn)的高邊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于：所述電壓比較器還通過(guò)光耦器件U23-A連接到單片機(jī)，所述單片機(jī)通過(guò)光耦器件U23-A連接到開關(guān)管，進(jìn)而控制高邊驅(qū)動(dòng)電路的MOSFET功率管Q2關(guān)閉和導(dǎo)通。
3.權(quán)利要求2所述的采用分立元件實(shí)現(xiàn)的高邊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于：所述的MOSFET功率管Q2的源極連接高邊驅(qū)動(dòng)的高電壓端，漏極通過(guò)串聯(lián)的電阻R12輸出驅(qū)動(dòng)電流，柵極作為控制端通過(guò)電阻R4連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電源的正極VCP+，電阻R12構(gòu)成電流檢測(cè)電路。
4.權(quán)利要求3所述的采用分立元件實(shí)現(xiàn)的高邊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于：所述電阻R12的輸出電平連接電壓比較器U1的反相輸入端，U1的正相輸入端輸入?yún)⒖茧妷骸?/p>
5.權(quán)利要求4所述的采用分立元件實(shí)現(xiàn)的高邊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于：所述開關(guān)管采用PNP三極管Q3，Q3的集電極接低電平，發(fā)射極連接Q2的柵極，基極分別通過(guò)電阻R5連接發(fā)射極、通過(guò)電容C5連接集電極，電壓比較器U1的輸出端通過(guò)二極管D1連接三極管Q3的基極。
6.權(quán)利要求3所述的采用分立元件實(shí)現(xiàn)的高邊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于：所述柵極驅(qū)動(dòng)電源包括由耦合電感L3-A、整流二極管D2、電阻R6及穩(wěn)壓管D4構(gòu)成的串聯(lián)回路，產(chǎn)生一個(gè)始終高于Q2功率MOSFET源極電壓的VCP+電壓。