專利名稱：分立元件陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的主題總體涉及分立電子元件陣列，以及多層電容、電阻、電感和/或其他無源元件的集成度得到改進(jìn)的結(jié)構(gòu)。所公開的技術(shù)內(nèi)容特別涉及諸如封裝外殼和陣列框架的容納結(jié)構(gòu)(receiving structures)，這些結(jié)構(gòu)有助于把多個(gè)無源元件組合在單個(gè)模塊中，以便將其安裝在一襯底上。
背景技術(shù)：
許多現(xiàn)代化的電子器件提供一字型組合或結(jié)構(gòu)陣列的多個(gè)元件。在單個(gè)實(shí)施例中提供多個(gè)元件便于采用各種方式使用這種多元件器件。例如，為了達(dá)到各種目的，可使用這種電容陣列中的每一獨(dú)立元件，以在不同的電路位置提供電容量，甚至可提供不同的電容值。替代地，可并聯(lián)連接電容陣列中的多個(gè)電容，并以組合的方式使用，從而提供一種電容值增加的單個(gè)容性元件。美國專利No.4,831,494(Arnold等人)中公開了一種多層電容，如一種可用于這種電容陣列中的電容。美國專利No.6,243,605(Youker)、No.5,936,840(Satwinder)以及No.4,365,284(Tanaka)中公開了在一統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的多個(gè)電子元件組合的實(shí)例。
當(dāng)在單個(gè)實(shí)施例中提供多個(gè)元件時(shí)，通常需要組合不同類型的元件。現(xiàn)有的集成無源元件把諸如電阻、電容、和/或電感的元件組合合并在單個(gè)電子器件中。這種多樣化的組合方式提供可采用這種單個(gè)器件的電路應(yīng)用類型的多樣性。在美國專利No.6,058,004(Duva等人)、以及No.5,495,387(Mandai)中可找出實(shí)例性集成無源元件的組合。
我們知道有多種方法可在單個(gè)電子器件中方便地把多個(gè)元件組合起來。這些方法中的某些方法集中在獨(dú)特的端子結(jié)構(gòu)或者組合元件間的電連接。美國專利No.6,172,878(Takabayashi)、No.5,367,437(Anderson)、No.4,672,511(Meusel等人)以及Re.31,929(Donaher等人)中提供了一些具有特殊電連接部件的多元件模塊的實(shí)例。其他電子元件陣列采用諸如焊接或者安裝框架的機(jī)械部件，以便于在單個(gè)實(shí)施例中對元件進(jìn)行組合。具有特殊機(jī)械結(jié)構(gòu)的電子元件的實(shí)例包括美國專利No.6,154,372(Kalivas等人)、No.6,097,611(Samaras等人)、No.6,091,145(Clayton)、No.6,081,416(Trinh)以及No.5,307,240(Mcmahon)。在美國專利No.6,040,622(Wallace)以及No.3,280,378(Byady等人)中公開了具有特殊陣列結(jié)構(gòu)的電子元件的其它實(shí)例。
有關(guān)電子元件技術(shù)的其它背景參考資料包括美國專利No.5,786,987(Barbier等人)、No.5,754,405(Derouiche)以及No.5,670,824(Weinberg)。
為了各種目的的需要，所有上述美國專利的公開內(nèi)容都在此作參照引用到本申請中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主題涉及認(rèn)識并解決有關(guān)電子元件技術(shù)特定方面的各種缺陷和其它限制。因此，廣義地說，本發(fā)明所公開技術(shù)的主要目的是提高無源電子元件的集成度。更具體地說，所公開的技術(shù)涉及用于容納多個(gè)分立無源元件并將其組合在單個(gè)模塊中的機(jī)械結(jié)構(gòu)，以便于將該模塊安裝在一襯底上。
本發(fā)明所公開技術(shù)的另一主要目的是提供一種分立元件陣列，可實(shí)現(xiàn)將具有大致類似尺寸的多個(gè)無源元件設(shè)置在線性或者陣列結(jié)構(gòu)中。然后，采用比單獨(dú)安裝這些元件相對更小的印跡(footprint)將這種多元件結(jié)構(gòu)優(yōu)選地安裝在一印刷電路板或者其他襯底上。
本發(fā)明主題的另一目的是提供一種與分立元件陣列相適應(yīng)的封裝外殼模塊，該模塊選擇性地提供支座部件以有助于該器件的安裝。這種支座部件可提供其它的優(yōu)點(diǎn)，包括改進(jìn)端子的故障檢修性能，并易于清洗粘附后的元件。
本發(fā)明主題的又一目的是提供一種容納各種范圍的元件功能的分立元件陣列。本技術(shù)的不同實(shí)施例可將不同的電容、電阻、和/或電感元件的各種組合合并在單個(gè)模塊外殼中。
本發(fā)明所公開技術(shù)的又一目的是提供一種根據(jù)分立元件陣列而使用的機(jī)械隔離結(jié)構(gòu)，以改善對分立元件的機(jī)械保護(hù)。這種隔離結(jié)構(gòu)的特殊方面優(yōu)選地還有助于降低在元件陣列中的分立元件之間的不期望的端子橋接(termination bridging)的可能性。
本發(fā)明所公開技術(shù)的又一目的是提供與各種電子連接件、端子部件以及安裝結(jié)構(gòu)兼容的分立元件陣列。這種部件的實(shí)例可包括導(dǎo)電端子跳線、球柵陣列(BGA)焊接附件和導(dǎo)電粘結(jié)焊盤。
公開技術(shù)方面的又一目的是提供與各種電子應(yīng)用情況兼容的分立元件陣列，這些應(yīng)用包括可移植醫(yī)療設(shè)備、助聽器、武器系統(tǒng)以及其它設(shè)備。
下面將列出本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)，或者說，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可從本文的詳細(xì)說明中對此有清楚地理解。而且，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可進(jìn)一步理解，通過參照本發(fā)明，在不超出其精神實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍的情況下，可使用所公開的技術(shù)以及在各種實(shí)施例中對具體描述、參考和討論的特征進(jìn)行修改和改變。這種改變可包括，但并不局限于，等同替換圖示、參照或者討論的器件、部件或材料，以及顛倒各部分、部件等的功能、操作或者位置。
進(jìn)一步地，可以理解，本發(fā)明的不同優(yōu)選實(shí)施例以及不同的實(shí)施例可包括現(xiàn)有公開的部件或者元件的各種組合或者結(jié)構(gòu)，或者其等同物(包括附圖中未特別顯示或者詳細(xì)說明中未提及的部件或者結(jié)構(gòu)的組合)。本發(fā)明主題的第一實(shí)例性實(shí)施例涉及一陣列外殼，用于容納多個(gè)分立無源元件并用于提供無源元件的機(jī)械保護(hù)和這些無源元件之間的隔離。
更具體地說，這種實(shí)例性陣列外殼可包括一通常為矩形的底部(baseportion)、多個(gè)側(cè)壁(side walls)以及多個(gè)間隔肋(spacer ribs)。側(cè)壁優(yōu)選地在與底部大致垂直的方向上從底部的周邊延伸，構(gòu)成一開口箱體結(jié)構(gòu)。然后，間隔肋優(yōu)選地沿選定側(cè)壁的內(nèi)部從選定的位置延伸。通過連接選定側(cè)壁的內(nèi)部和與該選定側(cè)壁相對的側(cè)壁的內(nèi)部，間隔肋可跨過陣列外殼(array shell)的整個(gè)長度或?qū)挾取Ｌ娲?，相對的間隔肋(opposing spacer ribs)可從相對的側(cè)壁位置延伸，沒有在中部連接，且沒有跨過陣列外殼的整個(gè)長度或?qū)挾?。每一連接的間隔肋或者相對的一對間隔肋優(yōu)選地大致平行于主題陣列外殼的的兩個(gè)選定側(cè)壁，并不依賴于實(shí)際的間隔肋結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本技術(shù)所述的陣列外殼實(shí)施例中，每一側(cè)壁和間隔肋的高度可隨著所需電子元件的應(yīng)用情況或者給定實(shí)施例的其它變化方面而改變。
更具體的實(shí)例性陣列外殼實(shí)施例，包括如上所述的選定部件(features)，可包括具體數(shù)量的間隔肋，依賴于安裝在外殼內(nèi)的無源元件的數(shù)量。例如，在用于容納兩個(gè)分立無源元件的陣列外殼實(shí)施例的構(gòu)成中，優(yōu)選地具有至少一個(gè)連接的間隔肋(connected spacer rib)或者一對相對的間隔肋(opposingspacer ribs)。在用于容納5個(gè)分立無源元件的線性陣列外殼實(shí)施例中，優(yōu)選地具有至少4個(gè)連接的間隔肋或者4對相對的間隔肋。在諸如5×2元件陣列的非線性陣列結(jié)構(gòu)中，典型地包括根據(jù)本發(fā)明主題所述的附加的間隔肋。
可把其它的部件或者替換結(jié)構(gòu)合并在如上所述的實(shí)例性陣列外殼實(shí)施例中。例如，可在選定側(cè)壁或者間隔肋的位置提供支座延伸件，以增加陣列外殼的選定側(cè)壁或者間隔肋部分的高度。這種根據(jù)本技術(shù)所述的支座部件便于將元件安裝在襯底上，或者便于粘附之后的清洗。
本發(fā)明主題的另一實(shí)例性實(shí)施例涉及一種用于容納分立無源元件和提供分立無源元件之間的隔離的陣列框架結(jié)構(gòu)。這種陣列框架(array frame)優(yōu)選地包括一底部和多個(gè)結(jié)合在一起以構(gòu)成一柵格狀分隔結(jié)構(gòu)的間隔肋?？筛鶕?jù)線性或者非線性元件陣列配置該分隔框架的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中的每一間隔肋的高度可隨所需的應(yīng)用情況而改變，可根據(jù)選定的間隔肋增加支座元件，以進(jìn)一步便于將元件安裝在一襯底上。
本公開技術(shù)的另一實(shí)例性實(shí)施例涉及一種分立電容陣列，其包括一機(jī)械容納結(jié)構(gòu)(mechanical receiving structure)和多個(gè)分立電容元件。該機(jī)械容納結(jié)構(gòu)可與陣列外殼或者陣列框架結(jié)構(gòu)相對應(yīng)，并為該電容陣列的每一分立電容提供分開的容納區(qū)域。每一容納結(jié)構(gòu)中的底部、側(cè)壁和間隔肋的選定組合提供電容之間的隔離和電容的結(jié)構(gòu)保護(hù)。這種實(shí)例性電容中的分立電容可以是多層陶瓷電容(MLCs)、鉭電容或者其他電容。陣列中的每一電容的特征是相同的電容值，或者替代地，其特征是不同的電容值。
本發(fā)明所公開技術(shù)的叉一實(shí)例性實(shí)施例涉及一種無源電子器件，該器件包括一機(jī)械容納結(jié)構(gòu)、多個(gè)分立無源元件、多個(gè)環(huán)氧樹脂粘接層以及多個(gè)粘附部件。該容納結(jié)構(gòu)優(yōu)選地包括一底部和多個(gè)間隔肋，該容納結(jié)構(gòu)提供一容納框架，用于隔離無源電子器件內(nèi)部的分立無源元件。側(cè)壁也可被加入一些實(shí)例性容納結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中。環(huán)氧樹脂粘接層優(yōu)選地被用于牢固地將分立無源元件設(shè)置在容納結(jié)構(gòu)內(nèi)部的位置上。分立無源元件可包括電容、電阻、電感或者其他無源元件的任意選定組合，通常根據(jù)可能的電子應(yīng)用情況選取元件的特定組合。每一無源元件優(yōu)選地被定位在容納結(jié)構(gòu)內(nèi)部，使端子位置暴露在電子元件的至少一個(gè)選定側(cè)。然后，優(yōu)選地將金屬化部件提供在每一無源元件的每一端子位置，以在該電子元件內(nèi)部連接一個(gè)端子位置和另一端子位置，或者便于將電子元件安裝在一印刷電路板的焊接焊盤或跟蹤位置。
本發(fā)明主題所述的其它實(shí)施例，沒有必要在這個(gè)概述部分被說明，可包括和合并上述概述目標(biāo)中參照的部件或者部分的方面的各種組合，和/或在這種應(yīng)用中被另外討論的部件或者部分。
縱覽說明書的其余部分，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員會更好地理解這些實(shí)施例和其他實(shí)施例的特征和方面。


對于某位本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，本發(fā)明的主題所述的全部和實(shí)現(xiàn)性的描述，包括其最佳模式，被記載在參照附圖的說明書中。在附圖中圖1A是一總體側(cè)視圖和少許底部透視圖，顯示根據(jù)本發(fā)明主題所述的、具有陣列外殼和連接側(cè)肋的一實(shí)例性分立元件陣列實(shí)施例；圖1B是一總體側(cè)視圖和少許頂部透視圖，顯示根據(jù)本發(fā)明主題所述的、具有陣列外殼和實(shí)例性安裝部件的一實(shí)例性分立元件陣列實(shí)施例，處于相對于實(shí)例性襯底的暴露位置；圖2A是一總體側(cè)視圖和少許底部透視圖，顯示根據(jù)本發(fā)明主題所述的、具有陣列框架和連接側(cè)肋的一實(shí)例性分立元件陣列實(shí)施例；圖2B是一總體側(cè)視圖和少許底部透視圖，顯示根據(jù)本發(fā)明主題所述的、具有陣列框架和相對側(cè)肋的一實(shí)例性分立元件陣列實(shí)施例；圖3A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性2×1分立電容陣列實(shí)施例；圖3B是圖3A所示的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖3C是圖3A所示的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；圖3D是圖3A所示的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖3E是圖3A～3D的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖3B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；圖4A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性3×1分立電容陣列實(shí)施例；圖4B是圖4A所示的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖4C是圖4A所示的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；
圖4D是圖4A所示的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖4E是圖4A～4D的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖4B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；圖5A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性4×1分立電容陣列實(shí)施例；圖5B是圖5A所示的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖5C是圖5A所示的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；圖5D是圖5A所示的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖5E是圖5A～5D的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖5B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；圖6A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性5×1分立電容陣列實(shí)施例；圖6B是圖6A所示的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖6C是圖6A所示的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；圖6D是圖6A所示的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖6E是圖6A～6D的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖6B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；圖7A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性7×1分立電容陣列實(shí)施例；圖7B是圖7A所示的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖7C是圖7A所示的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；圖7D是圖7A所示的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖7E是圖7A～7D的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖7B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；圖8A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性8×1分立電容陣列實(shí)施例；圖8B是圖8A所示的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖8C是圖8A所示的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；圖8D是圖8A所示的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖8E是圖8A～8D的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖8B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；
圖9A是一總體底部和少許側(cè)面透視的等距示意圖，顯示根據(jù)所公開的技術(shù)所述的一實(shí)例性5×2分立電容陣列實(shí)施例；圖9B是圖9A所示的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例的底視圖；圖9C是圖9A所示的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖；圖9D是圖9A所示的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖；圖9E是圖9A～9D的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例沿圖9B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖；試圖重復(fù)利用貫穿本發(fā)明的說明書和附圖中的參考標(biāo)記來顯示本發(fā)明的相同或者相似的部件或者元件。
具體實(shí)施例方式
正如本發(fā)明的綜述部分所指出的，本發(fā)明的主題涉及提高無源電子元件的集成度。更具體地，所公開的技術(shù)涉及諸如陣列框架和陣列外殼的封裝機(jī)構(gòu)，用于容納多個(gè)分立無源元件并將這些元件組合在一單一的模塊中，以便于將其安裝到一襯底上。
下面參照附圖討論本發(fā)明的主題所述的實(shí)例性實(shí)施例，并把最初的焦點(diǎn)集中在常見的不同類型的機(jī)械絕緣結(jié)構(gòu)或者容納結(jié)構(gòu)。有兩種具體類型的容納結(jié)構(gòu)涉及陣列外殼(array shells)和陣列框架(array frames)。圖1A和1B顯示具有陣列外殼結(jié)構(gòu)的實(shí)例性分立元件陣列，而圖1B顯示用于把這種元件陣列安裝在襯底上的實(shí)例性粘附部件。圖2A和2B顯示具有陣列框架結(jié)構(gòu)的實(shí)例性分立元件陣列。然后，參照圖3A～9E，這些附圖分別顯示許多更具體的本發(fā)明主題所述的實(shí)施例。這些實(shí)施例涉及具有陣列外殼隔離結(jié)構(gòu)的分立元件陣列，陣列外殼隔離結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)用于容納具體選定數(shù)量的分立元件。
需要指出的是，這里所述的每一實(shí)例性實(shí)施例并不是對所公開的技術(shù)進(jìn)行限制。被顯示或描述為一個(gè)實(shí)施例的部分的部件可被組合在另一實(shí)施例中，以產(chǎn)生又一實(shí)施例。另外，特定的部件可以與未被提及的、完成同樣的或者類似功能的相似器件或者部件進(jìn)行互換。而且，某些實(shí)施例可能包括未被顯示或討論的分立元件的選定結(jié)構(gòu)和數(shù)量。
現(xiàn)在，參照附圖，圖1A和1B顯示具有一陣列外殼容納結(jié)構(gòu)12的實(shí)例性分立元件陣列10。圖1A是結(jié)構(gòu)12的實(shí)例性分立元件陣列10。圖1A是一總體側(cè)視圖和少許底部透視圖，圖1B一總體側(cè)視圖和少許頂部透視圖，顯示同一分立元件陣列10?？梢岳斫猓瑸榱朔奖闫鹨?，本文采用主題分立元件陣列的特定的頂部、底部和側(cè)面部分的參考說明及其示意圖，但并不是暗示對該器件或者任何襯底以及其它相關(guān)聯(lián)的元件的可能方位進(jìn)行限制。總之，本文稱作底側(cè)13的元件側(cè)面指通常被安裝在印刷電路板或者其它襯底上的元件側(cè)面。
這種陣列外殼12通常提供一機(jī)械結(jié)構(gòu)，用于容納多個(gè)單片無源元件14，并提供該些元件和它們各自的端子22之間的隔離。這種陣列外殼12包括一底部16、多個(gè)側(cè)壁18以及多個(gè)間隔肋20。典型端子材料的實(shí)例包括銀、錫、鎳、金、和/或從上述材料中選取的材料組合。另外，可以理解，所公開的技術(shù)很容易地適于與被電子工業(yè)協(xié)會(EIA)認(rèn)可的、任何類型的端子或者材料結(jié)合起來。用于陣列外殼12的合適材料的一般實(shí)例包括具有高熱阻特性的塑料或者陶瓷。合適材料的具體實(shí)例是XYDAR牌的聚合物，例如AmocoPolymers公司出售的XYDAR FC110。
圖1A所示陣列外殼實(shí)施例被構(gòu)造成底部16大致呈矩形的形狀。大致呈矩形的底部很容易容納線性陣列(堆棧)元件和非線性陣列元件。根據(jù)本發(fā)明的主題所述的線性陣列是一m×n的分立元件陣列，其中m或n等于1。根據(jù)本發(fā)明的主題所述的非線性陣列是一m×n的元件陣列，其中m和n均大于1。盡管本文所公開的分立元件陣列是指通常為矩形的元件陣列，但是應(yīng)該認(rèn)識到，所公開的技術(shù)可很容易地被應(yīng)用于不是矩形結(jié)構(gòu)的容納結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的元件陣列實(shí)施例。具有任意大小和形狀的底部可被設(shè)計(jì)為具有延長的側(cè)壁和間隔肋，以提供與本文所公開的實(shí)例性實(shí)例相同的優(yōu)點(diǎn)。
進(jìn)一步參照圖1A和1B所示的實(shí)例性分立元件陣列10，側(cè)壁18以與底部16基本垂直的方式從底部16的周邊延伸。對于矩形底部16，優(yōu)選地包括四個(gè)側(cè)壁18。間隔肋20大致從側(cè)壁18的內(nèi)部位置延伸，構(gòu)成用于容納元件14的內(nèi)部隔離柵格結(jié)構(gòu)?？傮w來說，m×n元件陣列具有沿(m-1)+(n-1)個(gè)不同平面的間隔肋，以改善分立元件之間的隔離性。例如，在圖1A所示的3×2陣列中，在(3-1)+(2-1)＝3個(gè)不同平面上的間隔肋提供分立元件之間的隔離。在分立元件陣列10中，每一間隔肋20大致平行于通常呈矩形的陣列外殼12的兩個(gè)側(cè)壁18。
對于給定的陣列外殼12的特定設(shè)計(jì)方案，優(yōu)選地利用環(huán)氧樹脂層或者其它合適的粘結(jié)材料將分立無源元件14安裝在各自的容納位置中，并牢固地粘附在陣列外殼12的內(nèi)部。優(yōu)選地將無源元件14設(shè)置在陣列外殼12內(nèi)，從而可在與底部16相對的一側(cè)接觸端子位置，為了方便起見，現(xiàn)在就把這一側(cè)稱作底側(cè)13。
許多分立無源元件的特征是有兩個(gè)相對的端子，如圖1A所示的無源元件。圖1B示出了如何將元件陣列10安裝在印刷電路板或者襯底24上的實(shí)例。多個(gè)導(dǎo)電焊盤26被設(shè)置在襯底24上，并與分立元件陣列10的端子22的位置相匹配。然后，可將器件10與襯底24上的匹配焊盤26適當(dāng)?shù)貙R，再燒結(jié)該器件以固化元件，并建立想要的電連接。與利用導(dǎo)電粘結(jié)劑或者環(huán)氧樹脂焊盤的元件粘附相一致，優(yōu)選地，端子22是鍍金或者其他適當(dāng)材料的端子。
根據(jù)所公開的技術(shù)，可使用附加的粘附部件，以便于所需的安裝技術(shù)，例如球柵陣列(BGA)結(jié)構(gòu)。在這種情況下，焊錫料可被設(shè)置在陣列10的選定端子位置22，然后將其準(zhǔn)確定位和燒結(jié)，使焊錫料再流動，實(shí)現(xiàn)與分立元件14的所需的電連接。與采用再流焊技術(shù)的元件粘附相對應(yīng)，端子22優(yōu)選地包括銀、錫、鎳或者其它合金的電鍍端子。
由于陣列外殼12的存在，特別是提供了間隔肋20，當(dāng)將元件陣列安裝到焊盤24上時(shí)，可在元件之間進(jìn)行隔離。在保持分立元件之間隔離位置的幫助下，降低了分立元件14之間的不期望的端子橋接的可能性。當(dāng)根據(jù)主題陣列實(shí)施例應(yīng)用導(dǎo)電粘結(jié)劑時(shí)，陣列外殼12也有助于防止由于粘結(jié)劑污點(diǎn)而產(chǎn)生的橋接。同時(shí)，如果與單獨(dú)安裝每一個(gè)分立元件14相比，可利用相對較小的印跡將器件10安裝在襯底24上。
與元件陣列10的元件14的電連接有關(guān)的另一種選擇是在陣列10內(nèi)部的選定分立元件之間進(jìn)行連接。例如，可以在元件陣列10中的選定元件14的端子上設(shè)置導(dǎo)電分流條(shunt bars)或者跳線(在這些圖中未顯示)，使該器件可以組合起來被使用。因此，在給定的應(yīng)用方式中，每一無源元件14可作為一獨(dú)立元件或者以與陣列10中的其它元件的選定組合的方式被使用。
可以理解，當(dāng)不超出所公開技術(shù)的精神實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的主題所使用的分立無源元件可提供其它的端子部件和連接結(jié)構(gòu)。在主題元件陣列中，還可使用許多不同類型的無源元件。例如，無源元件14可以是電容、電感、電阻、其它無源元件以及它們的組合。
例如，無源元件14可全部是多層陶瓷電容，構(gòu)成一種分立電容陣列結(jié)構(gòu)。每一元件的特征還可以是具有相同或者不同的元件值。例如，具有不同數(shù)量的有源層(active layer)或者不同介質(zhì)成分的多個(gè)多層陶瓷電容(MLCS)可提供多個(gè)大小類似但電容值不同的MLCs，每一種都可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的主題。根據(jù)本技術(shù)的特定實(shí)施例所述電容值的實(shí)例包括大約1nF至大約10nF的范圍。對于特定的應(yīng)用情況，其它特定值也可能是優(yōu)選的?？傊?，每一分立無源元件優(yōu)選地具有大致相同的被電子工業(yè)協(xié)會(EIA)認(rèn)可的標(biāo)準(zhǔn)尺寸。這樣便于形成具有相同標(biāo)準(zhǔn)元件間距的元件陣列。
有許多用于隔離陣列10中的分立元件14的容納結(jié)構(gòu)的可選實(shí)施例。圖1A和1B所示的實(shí)例性實(shí)施例12包括大具有致相同高度的側(cè)壁和間隔肋。在其它實(shí)例性實(shí)施例中，側(cè)壁18的高度比內(nèi)部間隔肋20的高度小?？稍诓煌潭壬蠎?yīng)用這種縮短該結(jié)構(gòu)12的側(cè)壁18的選擇。有可能徹底降低側(cè)壁18的高度，以形成如圖2A所示的陣列框架容納結(jié)構(gòu)28。這種陣列框架28一般包括一底部30和間隔肋32。間隔肋32以大致垂直的方式從底部30延伸，以提供一用于多個(gè)分立無源元件34的隔離柵格和容納結(jié)構(gòu)。同樣，每一分立無源元件34都可以從多種不同的電容、電感、和/或電阻元件中選取。
在設(shè)計(jì)根據(jù)本發(fā)明主題的容納結(jié)構(gòu)時(shí)，另一種選擇是在特定情況下的間隔肋32不需要跨過元件陣列36的整個(gè)長度或者寬度。可去除圖2A所示的間隔肋32的部分，該處的分立無源元件34的端子35不存在。當(dāng)去除連接間隔肋32的部分時(shí)，產(chǎn)生如圖2B所示的相對間隔肋部分38的結(jié)構(gòu)。由于圖2B所示的元件陣列40是一種非線性陣列，而且由于特殊的端子結(jié)構(gòu)，因此間隔肋42優(yōu)選地沿該器件的整個(gè)寬度延伸。盡管可采用不同組合的連接間隔肋42和相對間隔肋38，提供間隔肋的一個(gè)重要設(shè)計(jì)目標(biāo)是有助于隔離分立元件之間的端子35。
可根據(jù)特定的設(shè)計(jì)偏好和電子應(yīng)用情況，采用陣列外殼容納結(jié)構(gòu)或陣列框架容納結(jié)構(gòu)。陣列外殼提供更好的陣列中的分立元件的機(jī)械保護(hù)和封裝。在把部件安裝在電路板上時(shí)，這一方面成為特別的優(yōu)點(diǎn)。但是，通過提供對分立元件及其端子和安裝部件的可視性接觸，陣列框架便于端子的故障檢修。這樣，在具有陣列框架容納結(jié)構(gòu)和縮短側(cè)壁的陣列外殼實(shí)施例中，能更好地實(shí)現(xiàn)每一種本技術(shù)的端子安裝和故障檢修。
可被合并入本技術(shù)實(shí)施例的另一種選擇是，在容納結(jié)構(gòu)的選定側(cè)壁或者間隔肋位置加入的一種支座部件。在圖3A～9E所示的實(shí)例性實(shí)施例中分別示出了這種支座部件，其提供本發(fā)明的主題的附加優(yōu)點(diǎn)。支座一般有助于安裝分立元件陣列，并可使無源元件不靠近電路板。這種支座還減少了元件間端子橋接的可能性。通過延伸元件陣列至電路板之上，支座還有助于元件粘附之后的清洗工藝?？刹捎煤线m的溶劑更容易地清洗無源元件，并確保該器件具有更加可靠的性能。
在本技術(shù)的具體實(shí)施例中提供的支座部件還具有另一優(yōu)點(diǎn)，即附加地把元件陣列牢固在電路板上。通過在電路板上設(shè)置與元件陣列的支座相匹配的凹槽，可將該電子器件鎖定在電路板上的位置中。結(jié)果，可使無源元件與安裝元件陣列的襯底平齊。
現(xiàn)在可以理解，可根據(jù)所公開的技術(shù)實(shí)施本發(fā)明的多個(gè)不同的實(shí)施例。主題分立元件陣列中的許多的不同點(diǎn)是不同的容納結(jié)構(gòu)配置。例如，可以應(yīng)用陣列外殼或者陣列框架結(jié)構(gòu)，也可以應(yīng)用具有縮短側(cè)壁的陣列外殼實(shí)施例?？商峁┎煌愋偷拈g隔肋，例如連接間隔肋、相對間隔肋、或者它們的組合。還可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的主題的又一改進(jìn)部件，例如支座和特定安裝部件。
下面，分別參照圖3A～9E，討論本發(fā)明的主題所述的更具體的實(shí)例性實(shí)施例的例子。在這些附圖中公開的每一實(shí)例性容納結(jié)構(gòu)均被設(shè)計(jì)為可容納0402標(biāo)準(zhǔn)大小的元件(千分之40英寸×千分之20英寸)。通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整相對于元件大小的公開尺寸(disclosed dimensions)，還可設(shè)計(jì)出容納具有不同標(biāo)準(zhǔn)元件大小的無源元件的容納結(jié)構(gòu)。
還可把容納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成可容納不同的線性和非線性結(jié)構(gòu)。例如，盡管具體的公開尺寸涉及2×1陣列、3×1陣列、4×1陣列、5×1陣列、7×1陣列、8×1陣列、以及5×2陣列，可很容易地改變公開尺寸，以容納任意具體陣列。其他陣列的實(shí)例可包括6×1陣列、9×1陣列、10×1陣列、2×2陣列、3×2陣列、4×2陣列、6×2陣列、7×2陣列、8×2陣列、9×2陣列、10×2陣列、3×3陣列、9×3陣列、10×3陣列等等。
還可以理解，可很容易地改進(jìn)公開的陣列外殼的方面，以合并上述公開的其它部件。例如，可把某些相對間隔肋替換成連接間隔肋，反之亦然。而且，根據(jù)陣列外殼與陣列框架實(shí)施例，以及具有介于上述兩者之間的側(cè)壁高度的實(shí)施例，可調(diào)整選定側(cè)壁的高度。
圖3A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)46的實(shí)例性2×1分立電容陣列44。陣列外殼46包括一底部48、一第一對較長的相對側(cè)壁50、一第二對較短的相對側(cè)壁52a和52b、以及相對間隔肋部分54。側(cè)壁52a和52b一般比側(cè)壁50高，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁52b的一部分可被切除，以有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖3B是圖3A所示的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例的尺寸。相對間隔肋部分54之間的距離56優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。間隔肋部分54的厚度58優(yōu)選地大約為10密爾。距離60優(yōu)選地大約為25密爾，而距離62優(yōu)選地大約為60密爾。
圖3C是圖3A所示的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁52a和52b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁52a和52b的長度64優(yōu)選地大約為65密爾，而高度66優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁52b除了其具有一被去除的額外凹槽部分68之外，其余部分與側(cè)壁52a相同，尺寸70大約為10密爾，尺寸72大約為20密爾，而尺寸74大約為25密爾。
圖3D是圖3A所示的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁50的實(shí)例性尺寸。部分76優(yōu)選地大約為10密爾，部分78優(yōu)選地大約為10密爾，而部分80優(yōu)選地大約為80密爾。陣列外殼44的這個(gè)部分的每一拐角82優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖3E是圖3A～3D的實(shí)例性2×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖3B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離84優(yōu)選地大約為45密爾，距離86優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分88優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
圖4A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)92的實(shí)例性3×1分立電容陣列90。陣列外殼92包括一底部94、一第一對較長的相對側(cè)壁96、一第二對較短的相對側(cè)壁98a和98b，以及相對間隔肋部分100。側(cè)壁98a和98b一般高于側(cè)壁96，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁98b的一部分可被切除，以進(jìn)一步有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖4B是圖4A所示的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例性尺寸。相對間隔肋部分100之間的距離102優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。間隔肋部分100的厚度104大約為10密爾。距離106優(yōu)選地大約為25密爾，而距離108優(yōu)選地大約為95密爾。
圖4C是圖4A所示的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁98a和98b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁98a和98b的長度108優(yōu)選地大約為65密爾，而高度110優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁98b除了具有一被去除的額外凹槽部分112之外，其余的部分優(yōu)選地與側(cè)壁98a相同，尺寸114大約為10密爾，尺寸116大約為20密爾，而尺寸18大約為25密爾。
圖4D是圖4A所示的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁96的實(shí)例性尺寸。部分120優(yōu)選地大約為10密爾，部分122優(yōu)選地大約為10密爾，而部分124優(yōu)選地大約為115密爾。陣列外殼92的這個(gè)部分的每一拐角126優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖4E是圖4A～4D的實(shí)例性3×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖4B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離128優(yōu)選地大約為45密爾，距離130優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分132優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
圖5A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)136的實(shí)例性4×1分立電容陣列134。陣列外殼136包括一底部138、一第一對較長的相對側(cè)壁140、一第二對較短的相對側(cè)壁142a和142b，以及相對間隔肋部分144。側(cè)壁142a和142b一般高于側(cè)壁140，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁142b的一部分可被切除，以進(jìn)一步有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖5B是圖5A所示的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例性尺寸。相對間隔肋部分144之間的距離146優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。間隔肋部分144的厚度148大約為10密爾。距離150優(yōu)選地大約為25密爾，而距離152優(yōu)選地大約為130密爾。
圖5C是圖5A所示的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁142a和142b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁142a和142b的長度154優(yōu)選地大約為65密爾，而高度156優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁42b除了具有一被去除的額外凹槽部分158之外，其余的部分優(yōu)選地與側(cè)壁142a相同，尺寸160大約為10密爾，尺寸162大約為20密爾，而尺寸164大約為25密爾。
圖5D是圖5A所示的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁140的實(shí)例性尺寸。部分166優(yōu)選地大約為10密爾，部分168優(yōu)選地大約為10密爾，而部分170優(yōu)選地大約為150密爾。陣列外殼136的這個(gè)部分的每一拐角172優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖5E是圖5A～5D的實(shí)例性4×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖5B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離174優(yōu)選地大約為45密爾，距離176優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分178優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
圖6A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)182的實(shí)例性5×1分立電容陣列180。陣列外殼182包括一底部184、一第一對較長的相對側(cè)壁186、一第二對較短的相對側(cè)壁188a和188b，以及相對間隔肋部分190。側(cè)壁188a和188b一般高于側(cè)壁186，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁188b的一部分可被切除，以進(jìn)一步有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖6B是圖6A所示的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例性尺寸。相對間隔肋部分190之間的距離192優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。間隔肋部分190的厚度194優(yōu)選地大約為10密爾。距離196優(yōu)選地大約為25密爾，而距離198優(yōu)選地大約為165密爾。
圖6C是圖6A所示的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁188a和188b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁188a和188b的長度200優(yōu)選地大約為65密爾，而高度202優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁188b除了具有一被去除的額外凹槽部分204之外，其余部分優(yōu)選地與側(cè)壁188a相同，尺寸206大約為10密爾，尺寸208大約為20密爾，而尺寸210大約為25密爾。
圖6D是圖6A所示的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁186的實(shí)例性尺寸。部分212優(yōu)選地大約為10密爾，部分214優(yōu)選地大約為10密爾，而部分216優(yōu)選地大約為185密爾。陣列外殼182的這個(gè)部分的每一拐角218優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖6E是圖6A～6D的實(shí)例性5×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖6B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離220優(yōu)選地大約為45密爾，距離222優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分224優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
圖7A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)228的實(shí)例性7×1分立電容陣列226。陣列外殼228包括一底部230、一第一對較長的相對側(cè)壁232、一第二對較短的相對側(cè)壁234a和234b，以及相對間隔肋部分236。側(cè)壁234a和234b一般高于側(cè)壁232，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁234b的一部分可被切除，以進(jìn)一步有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖7B是圖7A所示的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例性尺寸。相對間隔肋部分236之間的距離238優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。間隔肋部分236的厚度240優(yōu)選地大約為10密爾。距離242優(yōu)選地大約為25密爾，而距離244優(yōu)選地大約為235密爾。
圖7C是圖7A所示的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁234a和234b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁234a和234b的長度246優(yōu)選地大約為65密爾，而高度248優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁234b除了具有一被去除的額外凹槽部分250之外，其余部分優(yōu)選地與側(cè)壁234a相同，尺寸252大約為10密爾，尺寸254大約為20密爾，而尺寸256大約為25密爾。
圖7D是圖7A所示的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁232的實(shí)例性尺寸。部分258優(yōu)選地大約為10密爾，部分260優(yōu)選地大約為10密爾，而部分262優(yōu)選地大約為255密爾。陣列外殼228的這個(gè)部分的每一拐角264優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖7E是圖7A～7D的實(shí)例性7×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖7B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離266優(yōu)選地大約為45密爾，距離268優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分270優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
圖8A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)274的實(shí)例性8×1分立電容陣列272。陣列外殼274包括一底部276、一第一對較長的相對側(cè)壁278、一第二對較短的相對側(cè)壁280a和280b，以及相對間隔肋部分282。側(cè)壁280a和280b一般高于側(cè)壁278，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁280b的一部分可被切除，以進(jìn)一步有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖8B是圖8A所示的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例性尺寸。相對間隔肋部分282之間的距離284優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。間隔肋部分282的厚度286優(yōu)選地大約為10密爾。距離288優(yōu)選地大約為25密爾，而距離290優(yōu)選地大約為270密爾。
圖8C是圖8A所示的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁280a和280b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁280a和280b的長度292優(yōu)選地大約為65密爾，而高度294優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁280b除了具有一被去除的額外凹槽部分296之外，其余部分優(yōu)選地與側(cè)壁280a相同，尺寸298大約為10密爾，尺寸300大約為20密爾，而尺寸302大約為25密爾。
圖8D是圖8A所示的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁278的實(shí)例性尺寸。部分304優(yōu)選地大約為10密爾，部分306優(yōu)選地大約為10密爾，而部分308優(yōu)選地大約為290密爾。陣列外殼272的這個(gè)部分的每一拐角310優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖8E是圖8A～8D的實(shí)例性8×1分立元件陣列實(shí)施例沿圖8B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離312優(yōu)選地大約為45密爾，距離314優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分316優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
圖9A顯示具有陣列外殼容納結(jié)構(gòu)320的實(shí)例性5×2分立電容陣列318。陣列外殼320包括一底部322、一第一對較長的相對側(cè)壁324、一第二對較短的相對側(cè)壁326a和326b、連接間隔肋328以及相對間隔肋部分330。側(cè)壁326a和326b一般高于側(cè)壁324，以便于選取上述支座部件的優(yōu)點(diǎn)。所示的側(cè)壁326b的一部分可被切除，以進(jìn)一步有助于器件的清洗和連接的故障檢修。
圖9B是圖9A所示的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例的底視圖，特別參考了實(shí)例性尺寸。相對間隔肋部分330之間的距離332優(yōu)選地大約為25密爾(千分之一英寸)。連接間隔肋部分328的厚度334優(yōu)選地大約為10密爾，間隔肋部分330的厚度336優(yōu)選地大約為10密爾。距離338優(yōu)選地大約為25密爾，而距離340優(yōu)選地大約為165密爾。
圖9C是圖9A所示的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例的第一側(cè)視圖，參考了較短側(cè)壁326a和326b的實(shí)例性尺寸。側(cè)壁326a和326b的長度342優(yōu)選地大約為120密爾，而高度344優(yōu)選地大約為40密爾。側(cè)壁326b除了具有一被去除的額外凹槽部分346之外，其余部分優(yōu)選地與側(cè)壁326a相同，尺寸348大約為10密爾，尺寸350大約為47密爾，而尺寸352大約為25密爾。
圖9D是圖9A所示的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例的第二側(cè)視圖，參考了較長側(cè)壁324的實(shí)例性尺寸。部分354優(yōu)選地大約為10密爾，部分356優(yōu)選地大約為10密爾，而部分358優(yōu)選地大約為185密爾。陣列外殼320的這個(gè)部分的每一拐角360優(yōu)選地是圓的，其圓角半徑大約為10密爾。
圖9E是圖9A～9D的實(shí)例性5×2分立元件陣列實(shí)施例沿圖9B中的平面剖開線A-A的側(cè)剖視圖。距離362優(yōu)選地大約為45密爾，距離364優(yōu)選地大約為30密爾，而圓形的間隔肋部分366優(yōu)選地具有大約為10密爾的圓角半徑。
盡管參照其具體的實(shí)施例詳細(xì)說明了本發(fā)明的主題，但是可以認(rèn)識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人員一旦理解了上述內(nèi)容，就可以很容易地在應(yīng)用本技術(shù)時(shí)，對這些實(shí)施例進(jìn)行更改、變化或者進(jìn)行等同替換。因此，利用實(shí)例的方式公開了本發(fā)明的保護(hù)范圍，而不是對其進(jìn)行限制，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，可以很容易地理解所公開的主題并不排除包括這些修改、變化和/或增加的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種陣列外殼，用于容納多個(gè)分立電子元件，并提供對這些電子元件的機(jī)械保護(hù)和這些電子元件之間的隔離，所述陣列外殼包括一基本上為平面的底部；多個(gè)側(cè)壁，該側(cè)壁在與所述底部大致垂直的方向上從所述底部的周邊延伸，所述多個(gè)側(cè)壁的特征分別在于其內(nèi)部和外部表面；以及多個(gè)間隔肋，該間隔肋沿所述多個(gè)側(cè)壁的選定的各內(nèi)部表面從選定的位置延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列外殼，其中所述底部是大致的矩形結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列外殼，其中所述多個(gè)側(cè)壁完全環(huán)繞所述底部的周邊延伸，其與所述底部結(jié)合在一起構(gòu)成一開口箱式結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列外殼，其中每一所述間隔肋大致平行于該陣列外殼的兩個(gè)側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列外殼，其中通過連接選定側(cè)壁的內(nèi)表面和與所述選定側(cè)壁相對的側(cè)壁的內(nèi)表面，而使選定的所述間隔肋跨過所述陣列外殼的整個(gè)尺寸。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列外殼，其中所述多個(gè)側(cè)壁和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置為彼此相關(guān)，以定義用于容納各多個(gè)電子元件的多個(gè)分離容納位置。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列外殼，還包括沿所述多個(gè)側(cè)壁和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置在選定位置的多個(gè)支座延伸件。
8.一種陣列框架，用于容納分立電子元件和提供分立電子元件之間的隔離，所述陣列框架包括一底部；多個(gè)間隔肋，該間隔肋在與所述底部大致垂直的方向上從所述底部延伸，所述多個(gè)間隔肋被定位以構(gòu)成一柵格狀的結(jié)構(gòu)；其中，所述底部和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置為彼此相關(guān)，以定義用于容納各多個(gè)電子元件的多個(gè)分離容納位置。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列框架，其中所述底部是大致的矩形結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列框架，其中選定的所述間隔肋跨過所述大致為矩形的底部的整個(gè)長度或?qū)挾瘸叽纭?br> 11.如權(quán)利要求8所述的陣列框架，還包括沿所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置在選定位置的多個(gè)支座延伸件。
12.一種分立電容陣列，包括一機(jī)械容納結(jié)構(gòu)，包括一底部；多個(gè)間隔肋，該間隔肋在與所述底部大致垂直的方向上從所述底部延伸；其中，所述底部和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置為彼此相關(guān)，以定義多個(gè)分離容納位置；以及，多個(gè)分立電容，其被設(shè)置在由所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)所定義的選定的分離容納位置內(nèi)；從而所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)提供所述多個(gè)分立電容之間的隔離，并提供多個(gè)分立電容的結(jié)構(gòu)保護(hù)。
13.如權(quán)利要求12所述的分立電容陣列，還包括被分別設(shè)置在所述多個(gè)分立電容和所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)環(huán)氧樹脂粘接層，以將所述分立電容固定就位。
14.如權(quán)利要求12所述的分立電容陣列，其中所述多個(gè)分立電容中的每一分立電容可以是一多層陶瓷電容，或一電解電容。
15.如權(quán)利要求12所述的分立電容陣列，其中所述底部是大致的矩形結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求15所述的分立電容陣列，其中選定的所述間隔肋跨過所述大致為矩形的底部的整個(gè)長度或?qū)挾瘸叽纭?br> 17.如權(quán)利要求12所述的分立電容陣列，其中所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)側(cè)壁，該側(cè)壁在與所述底部大致垂直的方向上從所述底部的周邊延伸，所述多個(gè)側(cè)壁的特征分別在于其內(nèi)部和外部表面，而且其中所述多個(gè)間隔肋沿所述多個(gè)側(cè)壁的選定的各內(nèi)表面從選定的位置延伸。
18.如權(quán)利要求17所述的分立電容陣列，其中所述多個(gè)側(cè)壁完全環(huán)繞所述底部的周邊延伸，其與所述底部結(jié)合在一起構(gòu)成一開口容器型結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求17所述的分立電容陣列，其中所述底部是大致的矩形結(jié)構(gòu)，而且其中每一所述間隔肋大致平行于所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)壁。
20.如權(quán)利要求17所述的分立電容陣列，還包括沿所述多個(gè)側(cè)壁和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置在選定位置的多個(gè)支座延伸件。
21.如權(quán)利要求12所述的分立電容陣列，其中所述多個(gè)分立電容中的每一電容被設(shè)置在所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，使至少一個(gè)端子位置暴露出來，其中所述分立電容陣列還包括多個(gè)粘附部件，用于將選定的暴露端子部件粘附到一安裝位置。
22.一種電子組件，包括一機(jī)械容納結(jié)構(gòu)，包括一底部；和多個(gè)間隔肋，該間隔肋在與所述底部大致垂直的方向上從所述底部延伸；其中，所述底部和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置為彼此相關(guān)，以定義多個(gè)分離容納位置；以及，多個(gè)分立無源元件，其被設(shè)置在由所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)定義的選定的分離容納位置內(nèi)；從而使所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)提供多個(gè)分立無源元件之間的隔離，并提供多個(gè)分立電容的結(jié)構(gòu)保護(hù)。
23.如權(quán)利要求22所述的電子組件，還包括分別被設(shè)置在所述多個(gè)分立無源元件和所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)環(huán)氧樹脂粘接層，以將所述分立無源元件固定就位。
24.如權(quán)利要求22所述的電子組件，其中所述多個(gè)分立無源元件中的每一分立無源元件是從電容、電阻和電感構(gòu)成的組中選取的。
25.如權(quán)利要求22所述的電子組件，其中所述底部是大致的矩形結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求25所述的電子組件，其中選定的所述間隔肋跨過所述大致為矩形的底部的整個(gè)長度或者寬度尺寸。
27.如權(quán)利要求22所述的電子組件，其中所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)側(cè)壁，該側(cè)壁在與所述底部大致垂直的方向上從所述底部的周邊延伸，所述多個(gè)側(cè)壁的特征分別在于其內(nèi)部和外部表面，而且其中所述多個(gè)間隔肋沿所述多個(gè)側(cè)壁的選定的各內(nèi)表面從選定的位置延伸。
28.如權(quán)利要求27所述的電子組件，其中所述多個(gè)側(cè)壁完全環(huán)繞所述底部的周邊延伸，其與所述底部結(jié)合在一起構(gòu)成一開口容器型結(jié)構(gòu)。
29.如權(quán)利要求27所述的電子組件，其中所述底部是大致的矩形結(jié)構(gòu)，而且其中每一所述間隔肋大致平行于所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)壁。
30.如權(quán)利要求27所述的電子組件，還包括沿所述多個(gè)側(cè)壁和所述多個(gè)間隔肋被設(shè)置在選定位置的多個(gè)支座延伸件。
31.如權(quán)利要求22所述的電子組件，其中所述多個(gè)分立無源元件中的每一無源元件被設(shè)置在所述機(jī)械容納結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，使至少一個(gè)端子位置暴露出來，其中所述電子組件還包括多個(gè)粘附部件，用于將選定的暴露端子部件粘附到一安裝位置。
全文摘要
一種用于集成無源元件的陣列外殼或者陣列框架容納結(jié)構(gòu)，以隔離和保護(hù)分立無源元件，并提供一模塊結(jié)構(gòu)，以便于將其安裝在一襯底上。該容納結(jié)構(gòu)的實(shí)施例包括一底部、間隔肋和可選側(cè)壁。間隔肋可以是連接的或者是相對的間隔肋部分，以有效隔離相鄰的元件端子?？蓪⒅ё考喜⒃谒_技術(shù)中的選定實(shí)施例中，以有助于器件的安裝，并便于粘附后的清洗和可視性端子接觸。根據(jù)本發(fā)明主題所述的分立無源元件可包括電阻、電容、電感和其他合適器件的選定組合。
文檔編號H05K7/14GK1462175SQ0314292
公開日2003年12月17日 申請日期2003年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月12日
發(fā)明者威廉·F·維羅, 德哈特·G·斯克蘭托姆第三, 沃爾特·科達(dá), 維克托·馬丁內(nèi)斯 申請人:阿維科斯公司