技術(shù)特征：

1.一種用于中斷傳輸線上流動的電流的斷路器裝置，所述裝置包括并聯(lián)連接的三個電氣支路，所述三個電氣支路包括：主支路(B₁)，待中斷的電流在所述主支路中流動；輔支路(B₂)；以及電壓限制器支路(B₃)，所述主支路包括與至少一個機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)串聯(lián)連接的至少一個半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁，CEL_G1)，所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁，CEL_G1)包括適用于被命令斷開或閉合并且與電壓限制器(3，5)并聯(lián)連接的至少一個半導(dǎo)體元件(1，4)，所述輔支路(B₂)包括至少一個組件，所述至少一個組件由與至少一個電阻器(Ra)并聯(lián)連接的至少一個電容器(Ca)組成，所述組件與至少一個晶閘管串聯(lián)連接，所述裝置還包括控制模塊，所述控制模塊適用于命令所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁，CEL_G1)的半導(dǎo)體元件斷開以及命令所述機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)斷開，所述裝置的特征在于，所述控制模塊還包括適用于起如下作用的模塊：一旦電流在所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件中被中斷，該模塊就在所述電壓限制器中流動的電流達到所述傳輸線上流動的電流(I₁)的值的時刻或之后命令所述輔支路(B₂)的晶閘管進入導(dǎo)通狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于中斷傳輸線上的電流的斷路器裝置，其中，所述控制模塊包括：

適用于在t₀時刻將斷開命令(K₁)應(yīng)用于所述機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)的模塊；

適用于在所述t₀時刻之后的t₁時刻將斷開命令(K₂)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的模塊，所述將斷開命令(K₂)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件使得：通過所述半導(dǎo)體元件的電流減小，直到該電流為零為止，以及使得通過所述電壓限制器的電流增大，直到該電流達到所述傳輸線中流動的電流的值為止；以及

適用于在t₂時刻應(yīng)用用于使得所述輔支路的晶閘管進入導(dǎo)通狀態(tài)的命令的模塊，所述t₂時刻是所述電壓限制器中流動的電流達到所述傳輸線中流動的所述電流(I₁)的值的時刻或之后的時刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，當所述主支路(B₁)包括并聯(lián)的至少兩個子支路時，每個所述子支路包括至少一個電流平衡單元，所述電流平衡單元適用于使所述至少兩個并聯(lián)子支路之間的電流平衡。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述電流平衡單元由適用于傳導(dǎo)電流并且與電壓限制電路并聯(lián)連接的半導(dǎo)體元件組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為IGBT。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，每個所述半導(dǎo)體斷路器單元與至少兩個子支路串聯(lián)連接，每個所述子支路包括至少一個機械斷續(xù)器/切斷器和/或至少一個電流平衡單元，所述電流平衡單元適用于使所述子支路之間的電流平衡。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項所述的裝置，其中，所述裝置還包括：

控制模塊，所述控制模塊適用于在早于所述t₀時刻的時刻將預(yù)備斷開命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件；

測量模塊，所述測量模塊適用于當所述預(yù)備斷開命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件時對與所述輔支路的晶閘管并聯(lián)連接的存儲電容器中的電荷進行測量；以及

適用于當所述存儲電容器的電荷的測量值與預(yù)定電荷值相匹配時使得所述斷開命令能夠在t₀時刻應(yīng)用于所述機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)的模塊。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為IGBT。

9.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為GTO晶閘管。

10.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件為硅晶閘管或碳化硅晶閘管或氮化鎵晶閘管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述主支路(B₁)包括至少一個附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)被設(shè)置成與所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁)并聯(lián)，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)的斷開能力大于所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁)的斷開能力。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)包括與所述半導(dǎo)體斷路器單元(CEL₁)的電壓限制器并聯(lián)連接的至少一個電壓限制器(5)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的裝置，其中，所述控制模塊包括：

適用于在t_a時刻將斷開命令(K_a)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的模塊；

適用于在所述t_a時刻之后的t_b時刻將斷開命令(K_b)應(yīng)用于所述機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)并且將閉合命令(K_c)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)的半導(dǎo)體元件的模塊，所述將斷開命令(K_b)應(yīng)用于所述機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)并且所述將閉合命令(K_c)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元(CEL_C1)的半導(dǎo)體元件使得：所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件變得導(dǎo)通。

適用于在所述t_b時刻之后的t_c時刻將斷開命令(K_d)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的模塊，所述將斷開命令(K_d)應(yīng)用于所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件使得：通過所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件的電流減小，直到該電流為零為止，以及使得通過所述電壓限制器的電流增大，直到該電流達到所述傳輸線上流動的電流的值為止；以及

適用于在t_d時刻應(yīng)用用于使得所述輔支路的所述晶閘管進入導(dǎo)通狀態(tài)的命令(K_e)的模塊，所述t_d時刻是所述電壓限制器中流動的電流達到所述傳輸線中流動的所述電流(I₁)的值的時刻或之后的時刻。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述控制模塊包括適用于在t_a時刻將預(yù)備斷開命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件的控制模塊，以及，其中，所述裝置還包括：

用于當所述預(yù)備斷開命令應(yīng)用于所述主支路的斷路器單元的半導(dǎo)體元件時起作用以對與所述輔支路的晶閘管并聯(lián)連接的存儲電容器中的電荷進行測量的模塊；以及

適用于當所述存儲電容器的電荷的測量值與預(yù)定電荷值相匹配時，使得所述斷開命令應(yīng)用于所述機械斷續(xù)器/切斷器(S_m)的模塊。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項所述的裝置，其中，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件為GTO晶閘管。

16.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的裝置，其中，所述附加半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件為硅晶閘管或碳化硅晶閘管或氮化鎵晶閘管。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體斷路器單元的半導(dǎo)體元件為IGBT。

18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中，所述輔支路的晶閘管為硅晶閘管或碳化硅晶閘管或氮化鎵晶閘管。