復合母排絕緣支撐裝置和igbt功率模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種復合母排絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊，包括條形的絕緣支撐主體，所述絕緣支撐主體的上表面間隔設置有多個凸臺，所述凸臺上具有螺母安裝沉孔和螺栓盲孔，所述絕緣支撐主體的兩端具有安裝耳，所述安裝耳上開設有用于與IGBT功率模塊安裝的安裝孔。本發(fā)明提供的復合母排絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊，由于條形的絕緣支撐主體上設置有凸臺，并且凸臺上具有螺母安裝沉孔和螺栓盲孔，因而可以通過螺母安裝沉孔和螺栓盲孔將用于緊固復合母排的螺栓和螺母電氣隔離，提高IGBT功率模塊的電氣安全性，并且絕緣支撐主體能夠支撐復合母排的接口，可以避免復合母排受力發(fā)生變形。
【專利說明】 復合母排絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及變流器技術，尤其涉及一種復合母排絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊?！颈尘凹夹g】
[0002]隨著電力機車交流電傳動技術的發(fā)展，采用高頻大功率絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)功率模塊作為開關元件的變流器應用
日益廣泛。
[0003]由于IGBT功率模塊的復合母排對外高壓接口輸入輸出的電壓電流均很大，并且IGBT功率模塊的復合母排接口要與變流柜的復合母排接口緊固對接，將兩種復合母排對接緊固后，用于緊固對接的螺栓和螺母均帶電?，F(xiàn)有的IGBT功率模塊沒有對螺栓和螺母進行絕緣保護和機械支撐，因此，導致IGBT功率模塊的電氣安全性差，并且復合母排的重量較大，復合母排的接口受力后容易產(chǎn)生變形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種復合母排絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊，用于解決現(xiàn)有技術中復合母排絕緣支撐裝置容易導致IGBT功率模塊的電氣安全性差且復合母排發(fā)生變形的技術缺陷。
[0005]本發(fā)明提供的復合母排絕緣支撐裝置，包括條形的絕緣支撐主體，所述絕緣支撐主體的上表面間隔設置有多個凸臺，所述凸臺上具有螺母安裝沉孔和螺栓盲孔，所述絕緣支撐主體的兩端具有安裝耳，所述安裝耳上開設有用于與IGBT功率模塊安裝的安裝孔。
[0006]如上所述的復合母排絕緣支撐裝置，優(yōu)選地，所述絕緣支撐主體為殼體結(jié)構(gòu)，所述絕緣支撐主體內(nèi)頂面具有與所述凸臺對應的圓柱臺，所述螺栓盲孔延伸至所述圓柱臺內(nèi)。
[0007]如上所述的復合母排絕緣支撐裝置，優(yōu)選地，所述絕緣支撐主體為長方殼體結(jié)構(gòu)，所述凸臺為立方體結(jié)構(gòu)。
[0008]如上所述的復合母排絕緣支撐裝置，優(yōu)選地，所述凸臺的數(shù)量為七個，所述螺母安裝沉孔為正方孔，所述螺栓盲孔為圓孔。
[0009]如上所述的復合母排絕緣支撐裝置，優(yōu)選地，所述絕緣支撐主體和所述凸臺的材料為SMC材料。
[0010]本發(fā)明還提供一種IGBT功率模塊，包括IGBT器件、水冷基板和復合母排，所述IGBT器件設置在所述水冷基板上，所述復合母排設置在所述IGBT器件上部且與所述IGBT器件連接，其特征在于，該IGBT功率模塊還包括上述
【發(fā)明內(nèi)容】
提供的復合母排絕緣支撐裝置，所述復合母排絕緣支撐裝置設置在所述水冷基板邊沿處上，所述復合母排絕緣支撐裝置上部與所述復合母排的接口端連接。
[0011]本發(fā)明提供的復合母排絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊，由于條形的絕緣支撐主體上設置有凸臺，并且凸臺上具有螺母安裝沉孔和螺栓盲孔，因而可以通過螺母安裝沉孔和螺栓盲孔將用于緊固復合母排的螺栓和螺母電氣隔離，提高IGBT功率模塊的電氣安全性，并且絕緣支撐主體能夠支撐復合母排的接口，可以避免復合母排受力發(fā)生變形。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置的第一示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置的第二示意圖；
[0014]圖3為本發(fā)明實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置安裝到IGBT功率模塊后的示意圖。
[0015]附圖標記:
[0016]1-絕緣支撐主體； 2-凸臺；3-安裝耳；
[0017]4-圓柱臺；21-螺母安裝沉孔； 22-螺栓盲孔；
[0018]31-安裝孔?！揪唧w實施方式】
[0019]參考圖1和2，圖1為本發(fā)明實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置的第一示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置的第二示意圖。
[0020]如圖1和2所示，本實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置，包括條形的絕緣支撐主體1，絕緣支撐主體I的上表面間隔設置有多個凸臺2，凸臺2上具有螺母安裝沉孔21和螺栓盲孔22，絕緣支撐主體I的兩端具有安裝耳3，安裝耳3上開設有用于與IGBT功率模塊安裝的安裝孔31。
[0021]絕緣支撐主體I和凸臺2的材料可以為片狀模塑料(Sheet moldingcompound,簡稱SMC)，采用SMC材料制造的絕緣支撐主體I和凸臺2，能夠提高復合母排絕緣支撐裝置的機械強度和電氣性能。
[0022]絕緣支撐主體I可以為殼體結(jié)構(gòu)，凸臺2可以為圓柱凸臺，也可以立方體凸臺。凸臺2的數(shù)量可以根據(jù)IGBT功率模塊的復合母排的電氣接口結(jié)構(gòu)確定，本實施例中，IGBT功率模塊的復合母排具有七個電氣連接凸耳，因此，凸臺2的數(shù)量可以七個，螺母安裝沉孔21為正方孔，螺栓盲孔22為圓孔。
[0023]進一步地，絕緣支撐主體I可以為長方殼體或梯形殼體，絕緣支撐主體I內(nèi)頂面具有與凸臺2對應的圓柱臺4，螺栓盲孔22延伸至圓柱臺4內(nèi)，圓柱臺4的材料也可以為SMC材料，絕緣支撐主體I設計為殼體結(jié)構(gòu)，可以減輕重量并能夠節(jié)省材料。
[0024]參考圖3，圖3為本發(fā)明實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置安裝到IGBT功率模塊后的不意圖。
[0025]如圖3所示，在實際應用中，首先通過螺栓穿過安裝耳3上安裝孔31，將復合母排絕緣支撐裝置設置在IGBT功率模塊的水冷基板5的邊沿處，凸臺2上的螺母安裝沉孔21與IGBT功率模塊的復合母排6上電氣連接凸耳的安裝孔位置對應，將變流器的復合母排(圖中未示出)的安裝孔與凸臺2上的螺母安裝沉孔21對應，將方形螺母放置在螺母安裝沉孔21內(nèi)，通過螺栓將IGBT功率模塊的復合母排6與變流器的復合母排連接到復合母排絕緣支撐裝置上，螺栓的下端可以伸入螺栓盲孔22內(nèi)，實現(xiàn)螺栓和螺母的電氣隔離。
[0026]本實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置，由于條形的絕緣支撐主體I上設置有凸臺2，凸臺2上具有螺母安裝沉孔21和螺栓盲孔22，因而可以通過螺母安裝沉孔21和螺栓盲孔22將用于緊固復合母排的螺栓和螺母電氣隔離，提高IGBT功率模塊的電氣安全性，并且絕緣支撐主體I能夠支撐復合母排的接口，可以避免復合母排受力發(fā)生變形。
[0027]本發(fā)明還提供一種IGBT功率模塊，包括IGBT器件、水冷基板5和復合母排6，IGBT器件設置在水冷基板5上，復合母排6設置在IGBT器件上部且與IGBT器件連接，該IGBT功率模塊還包括上述實施例提供的復合母排絕緣支撐裝置，復合母排絕緣支撐裝置設置在水冷基板5邊沿處上，復合母排絕緣支撐裝置上部與復合母排6的接口端連接。
[0028]具體地，通過螺栓穿過安裝耳3上安裝孔31，將復合母排絕緣支撐裝置設置在IGBT功率模塊的水冷基板5的邊沿處，通過螺栓將IGBT功率模塊的復合母排6與變流器的復合母排連接到復合母排絕緣支撐裝置上，實現(xiàn)螺栓和螺母的電氣隔離。
[0029]本實施例提供的IGBT功率模塊，由于條形的絕緣支撐主體I上設置有凸臺2，凸臺2上具有螺母安裝沉孔21和螺栓盲孔22，因而可以通過螺母安裝沉孔21和螺栓盲孔22將用于緊固復合母排的螺栓和螺母電氣隔離，提高IGBT功率模塊的電氣安全性，并且絕緣支撐主體I能夠支撐復合母排的接口，可以避免復合母排受力發(fā)生變形。
[0030]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種復合母排絕緣支撐裝置，其特征在于，包括條形的絕緣支撐主體，所述絕緣支撐主體的上表面間隔設置有多個凸臺，所述凸臺上具有螺母安裝沉孔和螺栓盲孔，所述絕緣支撐主體的兩端具有安裝耳，所述安裝耳上開設有用于與IGBT功率模塊安裝的安裝孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復合母排絕緣支撐裝置，其特征在于，所述絕緣支撐主體為殼體結(jié)構(gòu)，所述絕緣支撐主體的內(nèi)頂面具有與所述凸臺對應的圓柱臺，所述螺栓盲孔延伸至所述圓柱臺內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復合母排絕緣支撐裝置，其特征在于，所述絕緣支撐主體為長方殼體結(jié)構(gòu)，所述凸臺為立方體結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的復合母排絕緣支撐裝置，其特征在于，所述凸臺的數(shù)量為七個，所述螺母安裝沉孔為正方孔，所述螺栓盲孔為圓孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的復合母排絕緣支撐裝置，其特征在于，所述絕緣支撐主體和所述凸臺的材料為SMC材料。
6.一種IGBT功率模塊，包括IGBT器件、水冷基板和復合母排，所述IGBT器件設置在所述水冷基板上，所述復合母排設置在所述IGBT器件上部且與所述IGBT器件連接，其特征在于，該IGBT功率模塊還包括權(quán)利要求f 5任一項所述的復合母排絕緣支撐裝置，所述復合母排絕緣支撐裝置設置在所述水冷基板邊沿處上，所述復合母排絕緣支撐裝置上部與所述復合母排的接口端連接。
【文檔編號】H02G5/00GK103915795SQ201310007692
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年1月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月9日
【發(fā)明者】柴媛, 張晉芳, 楊春宇 申請人:永濟新時速電機電器有限責任公司