一種具有新型外部絕緣層的軟母排的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及母排領域，具體涉及到一種具有新型外部絕緣層的軟母排。
【背景技術】
[0002]軟母排是I種采用T2紫銅箔片通過疊加焊接工藝制作而成的連接元件，具有過電流大、結構靈活，不受空間約束，安裝方便等多重優(yōu)點。
[0003]目前，常采用軟母排絕緣方式有2種:套管式和浸塑式，其中浸塑式具有浸塑絕緣層外觀整齊一致、操作簡單，適合批量性操作等特點。
[0004]但浸塑式也有以下若干缺點:一、浸塑絕緣層厚度均勻難以控制，而耐壓程度與厚度成比例，從而容易導致母排耐壓性能不穩(wěn)定；二、浸塑絕緣層厚度厚雖然提高了耐壓性能，但同時也增加軟母排整體的體積，如果浸塑絕緣層厚度過厚會使得母排安裝時容易造成干涉;三、軟連接部分浸塑絕緣層易形成波浪或褶皺式變形。
【實用新型內容】
[0005]針對上述技術問題:本實用新型提供一種新型母排，具體為一種帶有新型絕緣層的軟母排，其具有成本低、結構簡單、制作方便等特點。
[0006]為解決上述技術問題，本實用新型具體提供一種技術方案:一種具有新型外部絕緣層的軟母排，其包括PVC浸塑層，PET絕緣膜和T2紫銅箔片。
[0007]PVC浸塑層均勻包裹在PET絕緣膜外側。
[0008]PET絕緣膜覆蓋在T2紫銅箔片外側。
[0009]采用了上述技術方案后，本實用新型的有益效果是:
[0010]相對于已披露的技術方案，本技術方案在原軟母排制作工藝基礎上增加了PET絕緣膜，解決了一般軟母排浸塑層，特別是浸塑層連接處容易出現波浪變形、褶皺、厚度不均等問題，使得包裹在PET絕緣膜和PVC浸塑層中的T2紫銅箔片不易松散斷裂，更加緊湊耐用。另外，本軟母排在提升絕緣和耐壓性能的同時，有限控制了母排的體積，從而使得母排裝配更靈活便捷。
【附圖說明】
[0011 ]圖1具有新型外部絕緣層的軟母排俯視圖
[0012]圖2具有新型外部絕緣層的軟母排側視圖
[0013]圖3具有新型外部絕緣層的軟母排截面結構
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖1至附圖3和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。
[0015]目前，浸塑式絕緣層存在若干缺點:一、浸塑絕緣層厚度均勻難以控制，而耐壓程度與厚度成比例，從而容易導致母排耐壓性能不穩(wěn)定;二、浸塑絕緣層厚度厚雖然提高了耐壓性能，但同時也增加軟母排整體的體積，如果浸塑絕緣層厚度過厚會使得母排安裝時容易造成干涉;三、軟連接部分浸塑絕緣層易形成波浪或褶皺式變形。
[0016]為解決前述技術問題，提供I種實施例如下:
[0017]如附圖1至3所示，一種具有新型外部絕緣層的軟母排，其包括PVC浸塑層I，PET絕緣膜2和T2紫銅箔片3。
[0018]PVC浸塑層I均勻包裹在PET絕緣膜2外側。
[0019]PET絕緣膜2覆蓋在T2紫銅箔片3外側。
[0020]如附圖3所示，本軟母排的絕緣膜層包括PVC浸塑層I和PET絕緣膜2。首先，在T2紫銅箔片3上先覆蓋I層耐溫型PET絕緣膜2，單層覆蓋并帶有重疊區(qū)域，不得有未覆蓋區(qū)域，使軟母排各層銅片束緊但不影響整體形變。然后，覆蓋好PET絕緣膜2的T2紫銅箔片3進行浸塑，具體為PVC浸塑層I將PET絕緣膜2覆蓋區(qū)域包裹，形成新的I層絕緣，整個絕緣層厚度為0.2+0.5 = 0.7mm(耐壓2000VDC條件)，相比之前工藝得2mm厚度減小了65%。
[0021]由技術常識可知，本技術方案可以通過其它的不脫離其精神實質或必要特征的實施方案來實現。因此，上述公開的實施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本實用新型范圍內或在等同于本實用新型的范圍內的改變均被本實用新型包含O
【主權項】
1.一種具有新型外部絕緣層的軟母排，其特征在于:其包括PVC浸塑層(1)，PET絕緣膜(2)和12紫銅箔片(3); 所述PVC浸塑層(1)均勻包裹在PET絕緣膜(2)外側； 所述PET絕緣膜(2)覆蓋在T2紫銅箔片(3)外側。
【專利摘要】本實用新型涉及軟母排領域，具體涉及到一種具有新型外部絕緣層的軟母排，其包括PVC浸塑層，PET絕緣膜和T2紫銅箔片。PVC浸塑層均勻包裹在PET絕緣膜外側。PET絕緣膜覆蓋在T2紫銅箔片外側。本軟母排的絕緣膜層包括PVC浸塑層和PET絕緣膜。有益效果：在原來的軟母排制作工藝上的基礎增加了PET絕緣膜，解決了一般軟母排浸塑層，特別是浸塑層連接處容易出現波浪變形、褶皺、厚度不均等問題，使得包裹在PET絕緣膜和PVC浸塑層中的T2紫銅箔片不易松散斷裂，更加緊湊耐用。
【IPC分類】H01B7/02, H01B7/17
【公開號】CN205211439
【申請?zhí)枴緾N201520972300
【發(fā)明人】唐興然, 令狐云波, 林國軍
【申請人】深圳巴斯巴科技發(fā)展有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年11月22日