專利名稱：Mosfet在系統(tǒng)中的短路保護電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于一種低壓電動汽車控制系統(tǒng)中的短路保護，尤其涉及一種MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路。
背景技術(shù)：
在通常的MOSFET在發(fā)生短路時被保護關(guān)斷，必然是在承受大電流的時候被關(guān)斷。由于線路的寄生電感作用，關(guān)斷后將會在MOSFET的漏源端產(chǎn)生一個非常高的反峰電壓一旦這個反峰電壓沖的足夠高，高于MOSFET的額定電壓，并且能量足夠大，就可以擊穿MOSFET，這樣將無法有效的保護MOSFET。MOSFET作為功率回路里重要的開關(guān)換流器件，一旦出現(xiàn)意外很可能炸機，所以針對MOSFET的保護非常重要，尤其在電動汽車這種涉及人身安全的系統(tǒng)里更要有切實可靠的保護措施。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種防止MOSFET在關(guān)斷時產(chǎn)生被擊穿現(xiàn)象的MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路。本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路，在所述MOSFET的漏源極上設(shè)置一個瞬變抑制二極管。進一步地，在瞬變抑制二極管的前級串聯(lián)一個快恢復(fù)二極管。本實用新型的優(yōu)點在于:通過設(shè)置瞬變抑制二極管TVS，當(dāng)MOSFET關(guān)斷后，Vds上升，當(dāng)上升到額定電壓時，變抑制二極管TVS導(dǎo)通，將柵極電位拉高，MOSFET導(dǎo)通，導(dǎo)通后電流迅速上升，上升到保護點后又被關(guān)斷，如些反復(fù)，可使MOSFET形成軟關(guān)斷，逐步將能量釋放掉，從而有效的保護M0SFET。通過設(shè)置快恢復(fù)二極管D10，防止柵極經(jīng)瞬變抑制二極管與MOSFET的源極短路，造成MOSFET無法飽和導(dǎo)通。

圖1為本實用新型MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路的電路圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合實施例，對本實用新型進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。請參閱圖1，圖1為本實用新型MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路的電路圖。 所述MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路，在所述MOSFET的漏源極上設(shè)置一個瞬變抑制二極管D4，在瞬變抑制二極管D4的前級串聯(lián)一個快恢復(fù)二極管D10，通過設(shè)置瞬變抑制二極管D4，當(dāng)MOSFET關(guān)斷后，Vds上升，當(dāng)上升到額定電壓時，瞬變抑制二極管D4導(dǎo)通，將柵極電位拉高，MOSFET導(dǎo)通，導(dǎo)通后電流迅速上升，上升到保護點后又被關(guān)斷，如些反復(fù)，可使MOSFET形成軟關(guān)斷，逐步將能量釋放掉，從而有效的保護M0SFET。通過設(shè)置快恢復(fù)二極管D10，防止柵極經(jīng)瞬變抑制二極管D4與MOSFET的源極短路，造成MOSFET無法飽和導(dǎo)通。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路，其特征在于，在所述MOSFET的漏源極上設(shè)置一個瞬變抑制二極管(D4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路，其特征在于，在瞬變抑制二極管(D4)的前級串聯(lián)一個快恢復(fù)二極管(DlO)。
專利摘要本實用新型涉及一種MOSFET在系統(tǒng)中的短路保護電路，在所述MOSFET的漏源極上設(shè)置一個瞬變抑制二極管D4，通過設(shè)置瞬變抑制二極管D4，當(dāng)MOSFET關(guān)斷后，Vds上升，當(dāng)上升到額定電壓時，變抑制二極管TVS導(dǎo)通，將柵極電位拉高，MOSFET導(dǎo)通，導(dǎo)通后電流迅速上升，上升到保護點后又被關(guān)斷，如些反復(fù)，可使MOSFET形成軟關(guān)斷，逐步將能量釋放掉，從而有效的保護MOSFET。
文檔編號H02H9/04GK202957585SQ201220591360
公開日2013年5月29日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者楊振軍, 潘三博, 姚峰, 胡菲菲, 徐仁凌 申請人:蕪湖宏宇汽車電子有限責(zé)任公司