專利名稱：雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路，尤其是一種雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路。
背景技術(shù)：
在目前的玩具類等直流雙向電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，要求損耗小、體積小和功能多，如過流和過溫保護(hù)功能，同時(shí)又要有一定的驅(qū)動(dòng)電流能力。目前的實(shí)現(xiàn)方法基本分為兩種一是單顆集成電路即由單一集成電芯片構(gòu)成，二是由分立元件組成。單顆集成電路的優(yōu)點(diǎn)是功能多、應(yīng)用靈活，缺點(diǎn)是效率不高，由于熱問題輸出電流能力不大，應(yīng)用范圍受限制。而且集成電路封裝外形也要根據(jù)輸出電流的大小來選擇，有的外形較大，使用起來很不方便。分立元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)點(diǎn)是輸出能力強(qiáng)，并且效率高，缺點(diǎn)是功能簡(jiǎn)單和體積大，若要實(shí)現(xiàn)過溫及過流保護(hù)功能則電路非常復(fù)雜。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型的主要目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種功能多、效率高、體積小和應(yīng)用范圍廣的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，包括控制芯片及與控制芯片連接的H橋開關(guān)電路，雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路包括正轉(zhuǎn)輸入端、反轉(zhuǎn)輸入端、正輸出端、負(fù)輸出端、電源正極及電源負(fù)極，H橋開關(guān)電路連接在電源正極和電源負(fù)極之間，包括互相連接的第一至第四開關(guān)芯片，控制芯片包括啟動(dòng)電路，連接至正轉(zhuǎn)輸入端和反轉(zhuǎn)輸入端以接收正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和/或反轉(zhuǎn)輸入
信號(hào)；驅(qū)動(dòng)電路，用于接收正轉(zhuǎn)和/或反轉(zhuǎn)信號(hào)并連接至H橋開關(guān)電路的各開關(guān)芯片，H 橋開關(guān)電路連接正輸出端以及負(fù)輸出端，驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)接收的正轉(zhuǎn)信號(hào)或反轉(zhuǎn)信號(hào)控制各開關(guān)芯片的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)，以控制正輸出端輸出正轉(zhuǎn)控制信號(hào)或控制負(fù)輸出端輸出反轉(zhuǎn)控制信號(hào)；電源偏置電路，連接啟動(dòng)電路以接收啟動(dòng)信號(hào)，并產(chǎn)生第一參考電壓Vds ；過溫檢測(cè)保護(hù)電路，用于接收第一參考電壓Vds并產(chǎn)生隨溫度的上升而升高的檢測(cè)電壓，當(dāng)檢測(cè)電壓的溫度大于第一參考電壓Vds時(shí)輸出過溫信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路，以控制驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷H橋開關(guān)電路；過流檢測(cè)電路，接收第二參考電壓Vref t以及H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓，并對(duì)接收的電壓進(jìn)行比較，當(dāng)H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓大于第二參考電壓 Vref t時(shí)輸出過流信號(hào)；以及關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路，用于接收過流信號(hào)，關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路根據(jù)接收的過流信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷H橋開關(guān)電路并在延遲預(yù)設(shè)的時(shí)間后重新開通H橋開關(guān)電路。優(yōu)選的，控制芯片和H橋開關(guān)電路封裝在一起形成一種具有多個(gè)引腳的封裝結(jié)構(gòu)，多個(gè)引腳平均分布在封裝結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，多個(gè)引腳包括正轉(zhuǎn)輸入端、反轉(zhuǎn)輸入端、正輸出端、負(fù)輸出端、電源正極及電源負(fù)極。優(yōu)選的，封裝結(jié)構(gòu)的其中兩個(gè)引腳相連形成正輸出端，封裝結(jié)構(gòu)其中的另外兩個(gè)引腳相連形成負(fù)輸出端。優(yōu)選的，封裝結(jié)構(gòu)為雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)、或雙側(cè)引腳扁平封裝結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，還包括時(shí)序控制電路，時(shí)序控制電路用于接收正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)，并根據(jù)接收的信號(hào)輸出時(shí)序信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)時(shí)序信號(hào)控制H橋開關(guān)電路的關(guān)斷或開啟狀態(tài)。優(yōu)選的，正轉(zhuǎn)輸入端和時(shí)序控制電路之間還連接有第一放大器，反轉(zhuǎn)輸入端和時(shí)序控制電路之間還連接有第二放大器。優(yōu)選的，第三、第四開關(guān)芯片內(nèi)各集成有一個(gè)NMOS管，第一、第二開關(guān)芯片內(nèi)各集成一個(gè)PMOS管，第一、第四開關(guān)芯片中的NMOS管和PMOS管的漏極相連接后連接正輸出端， 第三、第四開關(guān)芯片中的NMOS管和PMOS管的漏極相連接后連接負(fù)輸出端，第一、第二開關(guān)芯片中兩個(gè)PMOS管的源極連接電源正極，第三、第四開關(guān)芯片中兩個(gè)NMOS管的源極連接電源負(fù)極，第一至第四開關(guān)芯片中的NMOS管和PMOS管的柵極均連接至驅(qū)動(dòng)電路。優(yōu)選的，過流檢測(cè)電路包括一個(gè)或兩個(gè)過流檢測(cè)比較器，H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓包括第三開關(guān)芯片中的NMOS管的源極和漏極之間的電壓以及第四開關(guān)芯片中的NMOS管的源極和漏極之間電壓。優(yōu)選的，第二參考電壓Vreft隨雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的溫度的升高而升
尚ο與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果中的一項(xiàng)或者幾項(xiàng)1.實(shí)用新型的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路通過對(duì)控制芯片的電路設(shè)計(jì)及其與H 橋開關(guān)電路的電路連接，可實(shí)現(xiàn)通過多顆芯片的集成控制雙向直流電機(jī)的工作狀態(tài)，避免了由單顆芯片組成的集成電路帶來的效率低、輸出電流能力低、應(yīng)用范圍小等問題，同時(shí)避免了采用分立元件造成的體積大、功能簡(jiǎn)單、過流/過溫保護(hù)電路復(fù)雜等問題，不僅具有過溫、過流保護(hù)功能且過溫、過流檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。因此，本實(shí)用新型具有功能多、效率高、 體積小和應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn)。2.本實(shí)用新型的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中的控制芯片和H橋開關(guān)電路可封裝成雙側(cè)引腳分布的封裝結(jié)構(gòu)，例如，具有8個(gè)引腳的雙列直插式封裝DIP8或者具有8個(gè)引腳的雙側(cè)引腳扁平封裝S0P8。這種封裝結(jié)構(gòu)的電流輸出能力相較單顆芯片具有較大的提高，例如，S0P8封裝輸出能力可達(dá)3A以上，DIP8封裝可達(dá)5A左右，而傳統(tǒng)的單顆芯片的產(chǎn)品電流輸出能力在2A或以下。3.本實(shí)用新型的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路通過啟動(dòng)電路接收正、反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)，在未接收到正、反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)時(shí)可使電源偏置電路不工作，不產(chǎn)生第一參考電壓Vds，進(jìn)而使整個(gè)電路處于停機(jī)狀態(tài)，因此在待機(jī)時(shí)具有零損耗的優(yōu)點(diǎn)，在應(yīng)用中非常省電。4.本實(shí)用新型的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路可通過時(shí)序控制電路產(chǎn)生時(shí)序控制信號(hào)，使驅(qū)動(dòng)電路按照一定的時(shí)序控制H橋開關(guān)電路各開關(guān)芯片的狀態(tài)，避免了 H橋開關(guān)電路在工作過程中的短路問題。5.本實(shí)用新型的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路利用H橋開關(guān)電路中MOS管的漏極和源極之間的電壓進(jìn)行過流檢測(cè)，無需外接電流檢測(cè)用電阻，可降低損耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的框圖。圖2為圖1中的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的封裝結(jié)構(gòu)連線圖。其中附圖標(biāo)記說明如下9-電源偏置電路10-過溫檢測(cè)保護(hù)電路 11-驅(qū)動(dòng)電路12-開關(guān)芯片13-開關(guān)芯片14-開關(guān)芯片15-開關(guān)芯片16-關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路17-過流檢測(cè)比較器18-時(shí)序控制電路19-啟動(dòng)電路20-控制芯片
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。本實(shí)用新型提供了一種雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路。如圖1至圖2所示本實(shí)用新型的實(shí)施例的一種雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，包括控制芯片20及與控制芯片20連接的H橋開關(guān)電路，H橋開關(guān)電路包括互相連接的開關(guān)芯片12-15，雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路包括正轉(zhuǎn)輸入端2、反轉(zhuǎn)輸入端1、電源正極4、電源負(fù)極3、正輸出端5、6和負(fù)輸出端7、8?？刂菩酒?0包括啟動(dòng)電路19、電源偏置電路9、過溫檢測(cè)保護(hù)電路10、驅(qū)動(dòng)電路11、關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路16，及過流檢測(cè)比較器17。啟動(dòng)電路19連接至正轉(zhuǎn)輸入端和反轉(zhuǎn)輸入端以接收正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和/或反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電路11用于接收正轉(zhuǎn)和/或反轉(zhuǎn)信號(hào)并連接至H橋開關(guān)電路的各開關(guān)芯片 12-15，H橋開關(guān)電路連接正輸出端5、6以及負(fù)輸出端7、8。驅(qū)動(dòng)電路11根據(jù)接收的正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)或反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)控制各開關(guān)芯片12-15的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)，以控制正輸出端5、6輸出正轉(zhuǎn)控制信號(hào)或控制負(fù)輸出端7、8輸出反轉(zhuǎn)控制信號(hào)，進(jìn)而控制連接至開關(guān)芯片12-15 的外部器件(如玩具)正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)，具體地，該外部器件包括連接至開關(guān)芯片12-15的雙向直流電機(jī)。電源偏置電路9連接啟動(dòng)電路19以接收啟動(dòng)信號(hào)，并產(chǎn)生第一參考電壓Vds，第一參考電壓Vds為恒定值并作為過溫檢測(cè)保護(hù)電路10和過流檢測(cè)電路的偏置電壓。過溫檢測(cè)保護(hù)電路10用于接收第一參考電壓Vds并產(chǎn)生隨溫度的上升而升高的檢測(cè)電壓，當(dāng)檢測(cè)電壓的溫度大于第一參考電壓Vds時(shí)輸出過溫信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路11，以控制驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷H橋開關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)?？蛇x地，作為一種實(shí)施方式，過溫檢測(cè)保護(hù)電路10可通過設(shè)置在其內(nèi)部的三極管檢測(cè)集成電路的溫度，三極管的基極可接收第一參考電壓Vds作為偏置電壓，當(dāng)其發(fā)射極的電壓隨溫度升高到大于第一參考電壓Vds時(shí)，三極管導(dǎo)通，過溫檢測(cè)保護(hù)電路10發(fā)出過溫信號(hào)。過流檢測(cè)電路，接收第二參考電壓Vref t以及H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓，并對(duì)接收的電壓進(jìn)行比較，當(dāng)H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓大于第二參考電壓 Vref t時(shí)輸出過流信號(hào)?？蛇x地，作為一種實(shí)施方式，過流檢測(cè)電路內(nèi)也可設(shè)置三極管，該三極管的基極可接收第一參考電壓Vds作為偏置電壓，可對(duì)其發(fā)射極的電壓進(jìn)行分壓以得到第二參考電壓Vref t，第二參考電壓Vref t隨溫度的升高而升高。關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路16用于接收過流信號(hào)，關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路16根據(jù)接收的過流信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)電路11關(guān)斷H橋開關(guān)電路。并在延遲預(yù)設(shè)的時(shí)間后重新開通H橋開關(guān)電路，并在延遲一段時(shí)間后重新開啟H橋開關(guān)電路，此時(shí)過流檢測(cè)電路重新檢測(cè)是否有過流現(xiàn)象，如果驅(qū)動(dòng)電路11再次接收到過流信號(hào)，則再次關(guān)斷開關(guān)電路，如此循環(huán)。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，控制芯片20和H橋開關(guān)電路封裝在一起形成一種具有多個(gè)引腳的封裝結(jié)構(gòu)，多個(gè)引腳平均分布在封裝結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，多個(gè)引腳包括正轉(zhuǎn)輸入端2、反轉(zhuǎn)輸入端1、電源正極4、電源負(fù)極3、正輸出端5、6和負(fù)輸出端7、8。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，該封裝結(jié)構(gòu)的其中兩個(gè)引腳相連形成正輸出端，即正輸出端5、6相連，封裝結(jié)構(gòu)其中的另外兩個(gè)引腳相連形成負(fù)輸出端，即負(fù)輸出端7、 8相連。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，該封裝結(jié)構(gòu)可為雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)、或雙側(cè)引腳扁平封裝結(jié)構(gòu)，例如具有8個(gè)引腳的雙列直插式封裝DIP8或者具有8個(gè)引腳的雙側(cè)引腳扁平封裝S0P8。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，正轉(zhuǎn)輸入端和時(shí)序控制電路之間還連接有第一放大器，用于放大正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)，反轉(zhuǎn)輸入端和時(shí)序控制電路之間還連接有第二放大器， 用于放大反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，開關(guān)芯片14、15內(nèi)各集成有一個(gè)NMOS管、開關(guān)芯片12、13內(nèi)各集成有一個(gè)PMOS管，開關(guān)芯片12、15中的NMOS管和PMOS管的漏極相連形成正輸出端5、6，開關(guān)芯片13、14中的NMOS管和PMOS管的漏極相連形成負(fù)輸出端7、8。 兩PMOS管的源極連接電源正極4，兩NMOS管的源極連接電源負(fù)極3。開關(guān)芯片12-15中的 NMOS管和PMOS管以上述方式連接形成H橋開關(guān)電路。開關(guān)芯片12-15中的NMOS管和PMOS 管的柵極作為開關(guān)電路的輸入端，均連接至驅(qū)動(dòng)電路11。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，還包括時(shí)序控制電路18，時(shí)序控制電路18用于接收正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)，并根據(jù)接收的信號(hào)輸出時(shí)序信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路11，驅(qū)動(dòng)電路11根據(jù)時(shí)序信號(hào)控制H橋開關(guān)電路的各開關(guān)芯片12-15的關(guān)斷或開啟狀態(tài)，在開啟、關(guān)斷及開啟/關(guān)斷的轉(zhuǎn)換過程中，可保持4個(gè)MOS管根據(jù)需要分時(shí)開啟與關(guān)斷，避免上下直通短路而燒壞MOS管。作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的實(shí)施例，過流檢測(cè)電路包括一個(gè)或兩個(gè)過流檢測(cè)比較器17，當(dāng)有兩個(gè)過流檢測(cè)比較器17時(shí)，兩個(gè)過流比較器共用第二參考電壓Vref t，開關(guān)電路工作電流所產(chǎn)生的電壓Vds為開關(guān)芯片14和/或15中的NMOS管的漏極和源極之間的電壓。第二參考電壓Vref t隨溫度升高而升高的特性適應(yīng)開關(guān)電路工作電流所產(chǎn)生的電壓Vds隨溫度升高而增大的MOS管特性，從而使過流值保持穩(wěn)定。根據(jù)設(shè)計(jì)需要，本實(shí)用新型的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)輸入端2、1 的定義可以互換，正、負(fù)輸出端的定義也可以互換。本實(shí)用新型的實(shí)施例的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的工作狀態(tài)為當(dāng)1、2腳都為低電位時(shí)，電路為待機(jī)狀態(tài)，正、負(fù)輸出端相當(dāng)于開路，整個(gè)電路耗電基本為零；當(dāng)1腳為高電位，2腳為低電位時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路11控制開關(guān)電路各MOS管的狀態(tài)使得7、8腳即負(fù)輸出端為高電位，5、6腳即正輸出端為低電位，電機(jī)反轉(zhuǎn)；當(dāng)2腳為高電位，1腳為低電位時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路
711控制開關(guān)電路各開關(guān)芯片的狀態(tài)使得5、6腳即正輸出端為高電位，7、8腳即負(fù)輸出端為低電位，電機(jī)正轉(zhuǎn)；當(dāng)1、2腳都為高電位時(shí)，正、負(fù)輸出端都為低電位，電機(jī)處于制動(dòng)狀態(tài)。 以上所述的僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本實(shí)用新型的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，包括控制芯片00)及與控制芯片OO)連接的H 橋開關(guān)電路，所述雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路包括正轉(zhuǎn)輸入端、反轉(zhuǎn)輸入端、正輸出端、負(fù)輸出端、電源正極及電源負(fù)極，所述H橋開關(guān)電路連接在所述電源正極和電源負(fù)極之間，包括互相連接的第一至第四開關(guān)芯片(12-15)，所述控制芯片OO)包括啟動(dòng)電路(19)，連接至所述正轉(zhuǎn)輸入端和反轉(zhuǎn)輸入端以接收正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和/或反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)；驅(qū)動(dòng)電路(11)，用于接收所述正轉(zhuǎn)和/或反轉(zhuǎn)信號(hào)并連接至所述H橋開關(guān)電路的各開關(guān)芯片，所述H橋開關(guān)電路連接所述正輸出端以及所述負(fù)輸出端，所述驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)接收的正轉(zhuǎn)信號(hào)或反轉(zhuǎn)信號(hào)控制各開關(guān)芯片(12-15)的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)，以控制所述正輸出端輸出正轉(zhuǎn)控制信號(hào)或控制所述負(fù)輸出端輸出反轉(zhuǎn)控制信號(hào)；電源偏置電路(9)，連接所述啟動(dòng)電路(19)以接收啟動(dòng)信號(hào)，并產(chǎn)生第一參考電壓Vds ；過溫檢測(cè)保護(hù)電路(10)，用于接收所述第一參考電壓Vds并產(chǎn)生隨溫度的上升而升高的檢測(cè)電壓，當(dāng)所述檢測(cè)電壓的溫度大于所述第一參考電壓Vds時(shí)輸出過溫信號(hào)給所述驅(qū)動(dòng)電路(11)，以控制所述驅(qū)動(dòng)電路(11)關(guān)斷所述H橋開關(guān)電路；過流檢測(cè)電路，接收第二參考電壓Vreft以及所述H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓，并對(duì)接收的電壓進(jìn)行比較，當(dāng)所述H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓大于第二參考電壓Vreft時(shí)輸出過流信號(hào)；以及關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路(16)，用于接收所述過流信號(hào)，所述關(guān)斷及延遲啟動(dòng)電路(16)根據(jù)接收的過流信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)電路(11)關(guān)斷所述H橋開關(guān)電路并在延遲預(yù)設(shè)的時(shí)間后重新開通所述H橋開關(guān)電路。
2.如權(quán)利要求1所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述控制芯片OO) 和所述H橋開關(guān)電路封裝在一起形成一種具有多個(gè)引腳的封裝結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)引腳平均分布在所述封裝結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，所述多個(gè)引腳包括所述正轉(zhuǎn)輸入端、反轉(zhuǎn)輸入端、正輸出端、負(fù)輸出端、電源正極及電源負(fù)極。
3.如權(quán)利要求1所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)的其中兩個(gè)引腳相連形成所述正輸出端，所述封裝結(jié)構(gòu)其中的另外兩個(gè)引腳相連形成所述負(fù)輸出端。
4.如權(quán)利要求1所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)為雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)、或雙側(cè)引腳扁平封裝結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，還包括時(shí)序控制電路(18)，所述時(shí)序控制電路(18)用于接收所述正轉(zhuǎn)輸入信號(hào)和反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)，并根據(jù)接收的信號(hào)輸出時(shí)序信號(hào)給所述驅(qū)動(dòng)電路(11)，所述驅(qū)動(dòng)電路(11)根據(jù)所述時(shí)序信號(hào)控制所述H橋開關(guān)電路的關(guān)斷或開啟狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述正轉(zhuǎn)輸入端和時(shí)序控制電路(18)之間還連接有第一放大器，所述反轉(zhuǎn)輸入端和時(shí)序控制電路(18)之間還連接有第二放大器。
7.如權(quán)利要求1所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述第三、第四開關(guān)芯片(14、15)內(nèi)各集成有一個(gè)NMOS管，所述第一、第二開關(guān)芯片(12、13)內(nèi)各集成一個(gè)CN 202261119 U權(quán)禾丨J 要求書2/2頁P(yáng)MOS管，所述第一、第四開關(guān)芯片(12、15)中的NMOS管和PMOS管的漏極相連接后連接所述正輸出端，所述第三、第四開關(guān)芯片(13、14)中的NMOS管和PMOS管的漏極相連接后連接所述負(fù)輸出端，所述第一、第二開關(guān)芯片(12、13)中兩個(gè)PMOS管的源極連接電源正極，所述第三、第四開關(guān)芯片(14、15)中兩個(gè)NMOS管的源極連接電源負(fù)極，所述第一至第四開關(guān)芯片 (12-15)中的NMOS管和PMOS管的柵極均連接至所述驅(qū)動(dòng)電路(11)。
8.如權(quán)利要求7所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述過流檢測(cè)電路包括一個(gè)或兩個(gè)過流檢測(cè)比較器(17)，所述H橋開關(guān)電路的工作電流產(chǎn)生的電壓包括所述第三開關(guān)芯片中的NMOS管的源極和漏極之間的電壓以及所述第四開關(guān)芯片中的NMOS管的源極和漏極之間電壓。
9.如權(quán)利要求1所述的雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，其特征在于，所述第二參考電壓 Vref t隨所述雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的溫度的升高而升高。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，包括控制芯片及與控制芯片連接的H橋開關(guān)電路，所述雙向直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路包括正轉(zhuǎn)輸入端、反轉(zhuǎn)輸入端、正輸出端、負(fù)輸出端、電源正極及電源負(fù)極，所述H橋開關(guān)電路連接在所述電源正極和電源負(fù)極之間，包括互相連接的第一至第四開關(guān)芯片。通過本實(shí)用新型優(yōu)化的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)，具有封裝體積小、效率高、驅(qū)動(dòng)電流能大、功能多等優(yōu)點(diǎn)，另外還能降低整機(jī)生產(chǎn)使用成本。
文檔編號(hào)H02P1/22GK202261119SQ20112042056
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
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