專利名稱：鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)需要對(duì)工件鍍多層膜時(shí)，為了流水作業(yè)，提高生產(chǎn)效率。往往將多 個(gè)鍍膜機(jī)串聯(lián)，從而完成工件的鍍膜作業(yè)。然而這種鍍膜方法雖然比一個(gè)鍍膜機(jī)進(jìn)行多次鍍膜的效率高，但是由于多個(gè)鍍膜 機(jī)串聯(lián)將需要更多的生產(chǎn)空間，從而需要更大的廠房，占據(jù)更多的土地。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種體積小、空間利用率高的鍍膜機(jī)。一種鍍膜機(jī)，該鍍膜機(jī)包括外殼、多個(gè)鍍膜室、第一載盤(pán)、第二載盤(pán)、第三載盤(pán)、第 一驅(qū)動(dòng)裝置及傳輸裝置，所述外殼底部設(shè)置一裝卸口，所述各鍍膜室從上到下依次垂直排 列于所述外殼內(nèi)，所述各鍍膜室均包括入料口及出料口，所述各鍍膜室的入料口及出料口 的朝向彼此相反，所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)相對(duì)設(shè)置于所述各鍍膜室兩側(cè)，所述第一驅(qū)動(dòng) 裝置與所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)相連接，驅(qū)動(dòng)所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)做升降運(yùn)動(dòng)，且能 夠?qū)⑺龅谝惠d盤(pán)及第二載盤(pán)對(duì)應(yīng)鍍膜室的入料口和出料口，所述第三載盤(pán)設(shè)置于所述裝 卸口處，且能夠相對(duì)所述裝卸口移動(dòng)，所述傳輸裝置設(shè)置于所述外殼底部，用于在所述第一 載盤(pán)、第二載盤(pán)與所述第三載盤(pán)之間進(jìn)行傳輸作業(yè)。本發(fā)明提供的鍍膜機(jī)由于垂直整合了多個(gè)鍍膜室進(jìn)行多層鍍膜作業(yè)，從而可以充 分利用垂直空間，節(jié)省大量制造空間，提高空間的利用率。


圖1為本發(fā)明提供的鍍膜機(jī)的示意圖。圖2至圖5為圖1中鍍膜機(jī)運(yùn)行的狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明提供的鍍膜機(jī)100、裝載裝置200及卸載裝置300。所述鍍膜 機(jī)100用于對(duì)裝有工件的基板400進(jìn)行鍍膜作業(yè)。所述鍍膜機(jī)100包括外殼10、第一鍍膜 室21、第二鍍膜室22、第三鍍膜室23、第一載盤(pán)30、第二載盤(pán)40、第一驅(qū)動(dòng)裝置50、第三載 盤(pán)60、第二驅(qū)動(dòng)裝置70及第一傳輸裝置80。當(dāng)然，所述鍍膜機(jī)100還可以根據(jù)需要鍍膜的 層數(shù)增加或減少鍍膜室的數(shù)量。所述外殼10包括側(cè)壁11及底板12。所述底板12開(kāi)設(shè)有第一通孔120、第二通孔 121及裝卸口 122。本實(shí)施方式中，所述第一通孔120及第二通孔121均是圓形孔。所述裝 卸口 122是矩形孔。所述第一鍍膜室21、第二鍍膜室22及第三鍍膜室23均是等離子增強(qiáng)氣相沉積鍍膜室。所述第一鍍膜室21、第二鍍膜室22及第三鍍膜室23結(jié)構(gòu)相同。所述第一鍍膜室21、 第二鍍膜室22及第三鍍膜室23從上到下依次垂直排列于所述外殼10內(nèi)。本實(shí)施方式中， 通過(guò)將所述外殼10分隔成三個(gè)獨(dú)立的腔室作為所述第一鍍膜室21、第二鍍膜室22及第三 鍍膜室23。當(dāng)然，所述第一鍍膜室21、第二鍍膜室22及第三鍍膜室23也可以是與所述外 殼10獨(dú)立的結(jié)構(gòu)。所述第一鍍膜室21包括反應(yīng)室210、噴口 211、固定板212、多個(gè)準(zhǔn)直管 213、多個(gè)冷凝管214、入料口 215、出料口 216及第二傳輸裝置217。待鍍材料在所述反應(yīng)室210內(nèi)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，并通過(guò)所述噴口 211射出。所述固 定板212固定在所述噴口 211上，所述多個(gè)準(zhǔn)直管213按矩陣等間距排列于所述固定板212 上。本實(shí)施方式中，所述準(zhǔn)直管213采用鈦合金材料制成。所述多個(gè)準(zhǔn)直管213中出射角 小的離子可以通過(guò)，而一些大角度的離子將被排除，從而使得所述噴口 211射出的離子具 有較小的出射角，可以使得膜層獲得更好的方向性，并可以對(duì)小孔孔徑內(nèi)表面進(jìn)行鍍膜。所 述多個(gè)冷凝管214成螺旋狀盤(pán)繞在所述準(zhǔn)直管213上，防止準(zhǔn)直管213過(guò)熱，造成離子在通 過(guò)準(zhǔn)直管213時(shí)發(fā)生變質(zhì)。為了加快離子通過(guò)所述準(zhǔn)直管213的速度，在準(zhǔn)直管213上加 一電場(chǎng)。本實(shí)施方式中，在所述準(zhǔn)直管213出射端213a接一負(fù)電極(圖中未標(biāo)示)。所述第二傳輸裝置217固定于所述第一鍍膜室21內(nèi)，且位于所述入料口 215及出 料口 216之間。所述第二傳輸裝置217用于將工件從所述入料口 215傳輸?shù)剿龀隽峡?216。本實(shí)施方式中，所述第二傳輸裝置217用于將裝有工件的所述基板400從所述入料口 215傳輸?shù)剿龀隽峡?216。所述第二鍍膜室22包括入料口 225、出料口 226及第二傳輸裝置227。所述第三 鍍膜室23包括入料口 235、出料口 236及第二傳輸裝置237。所述各鍍膜室的入料口及出 料口的朝向彼此相反。所述第二鍍膜室22及第三鍍膜室23內(nèi)部結(jié)構(gòu)與所述第一鍍膜室21 相同，在此不再贅述。所述第一載盤(pán)30設(shè)置于所述外殼10 —側(cè)，所述第二載盤(pán)40設(shè)置于所述外殼10的 另一側(cè)。本實(shí)施方式中，所述第一載盤(pán)30設(shè)置于所述外殼10左側(cè)，所述第二載盤(pán)40設(shè)置 于所述外殼10的右側(cè)。所述第一載盤(pán)30包括第一子傳輸裝置31，所述第一子傳輸裝置31 用于將所述基板400在所述第一載盤(pán)30上傳輸。本實(shí)施方式中，所述第一子傳輸裝置31利 用輥?zhàn)舆M(jìn)行傳輸。當(dāng)所述第一載盤(pán)30裝載時(shí)，所述第一子傳輸裝置31將所述基板400完 全傳到所述第一載盤(pán)30上。當(dāng)所述第一載盤(pán)30卸載時(shí)，所述第一子傳輸裝置31將所述基 板400從所述第一載盤(pán)30上傳出。所述第二載盤(pán)40采用與所述第一載盤(pán)30相同的結(jié)構(gòu)。 所述第二載盤(pán)40具有第二子傳輸裝置41，所述第二子傳輸裝置41與所述第一子傳輸裝置 31的結(jié)構(gòu)及運(yùn)行方式相同。所述第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40也可以做成一體結(jié)構(gòu)，在所述 第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40之間開(kāi)設(shè)可以使所述第一鍍膜室21、第二鍍膜室22及第三鍍膜 室23通過(guò)的槽，從而使得所述第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40可以做上下運(yùn)動(dòng)。所述第一驅(qū)動(dòng)裝置50用于驅(qū)動(dòng)所述第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40同時(shí)對(duì)應(yīng)一個(gè)鍍 膜室的入料口及出料口。本實(shí)施方式中，本實(shí)施方式中，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置50包括子驅(qū)動(dòng) 裝置51、52。所述子驅(qū)動(dòng)裝置51穿過(guò)所述第一通孔120與所述第一載盤(pán)30相連接，所述子 驅(qū)動(dòng)裝置51驅(qū)動(dòng)所述第一載盤(pán)30做上下運(yùn)動(dòng)，所述子驅(qū)動(dòng)裝置52穿過(guò)所述第二通孔121， 與所述子驅(qū)動(dòng)裝置51同步驅(qū)動(dòng)所述第二載盤(pán)40做上下運(yùn)動(dòng)。當(dāng)然，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置50 也可以只采用一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置，與所述第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40均連接，帶動(dòng)所述第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40 —起運(yùn)動(dòng)。所述第三載盤(pán)60設(shè)置于所述裝卸口 122處。所述第三載盤(pán)60包括第三子傳輸裝 置61，所述第三子傳輸裝置61與所述第一子傳輸裝置31的結(jié)構(gòu)及運(yùn)行方式相同。所述第 二驅(qū)動(dòng)裝置70穿過(guò)所述裝卸口 122與所述第三載盤(pán)60連接，所述第二驅(qū)動(dòng)裝置70驅(qū)動(dòng)所 述第三載盤(pán)60相對(duì)所述裝卸口 122移動(dòng)。所述第一傳輸裝置80用于在所述第一載盤(pán)30、第二載盤(pán)40及第三載盤(pán)60之間進(jìn) 行傳輸作業(yè)。本實(shí)施方式中，所述第一傳輸裝置80傳動(dòng)方向是從左到右。所述裝載裝置200用于將基板400裝載到所述第三載盤(pán)60上。本實(shí)施方式中，所 述裝載裝置200采用傳輸帶。用于將基板400傳輸?shù)剿龅谌d盤(pán)60上。所述卸載裝置300用于將完成鍍膜的基板400從所述第三載盤(pán)60上傳輸出去。 本實(shí)施方式中，所述卸載裝置300采用傳輸帶把所述基板400從所述第三載盤(pán)60上傳輸出 去。請(qǐng)參閱圖2及圖3，所述鍍膜機(jī)100工作時(shí)，所述裝載裝置200將基板400傳輸?shù)?所述第三載盤(pán)60上，所述第三子傳輸裝置61將所述基板400裝載到位。所述第二驅(qū)動(dòng)裝 置70驅(qū)動(dòng)所述第三載盤(pán)60上升到所述鍍膜機(jī)100內(nèi)。所述第三子傳輸裝置61將所述基板 400傳輸?shù)剿龅谝粋鬏斞b置80上。所述第一傳輸裝置80將所述基板400傳輸?shù)剿龅?二載盤(pán)40上，所述第二子傳輸裝置41將所述基板400裝載到位。所述子驅(qū)動(dòng)裝置52驅(qū)動(dòng) 所述第二載盤(pán)40上升到所述第一鍍膜室21上，并對(duì)準(zhǔn)所述第一鍍膜室21的入料口 215，同 時(shí)所述子驅(qū)動(dòng)裝置51驅(qū)動(dòng)所述第一載盤(pán)30上升，并對(duì)準(zhǔn)所述第一鍍膜室21的出料口 216。 所述第二子傳輸裝置41將所述基板400傳送到所述第一鍍膜室21內(nèi)進(jìn)行鍍膜。所述第一 鍍膜室21內(nèi)的所述第二傳輸裝置217將所述基板400從所述入料口 215傳輸?shù)剿龀隽?口 216，同時(shí)離子通過(guò)所述準(zhǔn)直管213對(duì)所述基板400進(jìn)行鍍膜作業(yè)。當(dāng)鍍膜完成后，所述 基板400由所述第二傳輸裝置217從所述出料口 216傳送到所述第一載盤(pán)30上。所述第 一子傳輸裝置31將所述基板400裝載到位。根據(jù)箭頭方向，所述基板400依次經(jīng)過(guò)所述第 二鍍膜室22及第三鍍膜室23完成鍍膜作業(yè)。請(qǐng)參閱圖4及圖5，當(dāng)所述基板400從所述第三鍍膜室23出來(lái)后裝載到所述第一 載盤(pán)30上時(shí)，所述第一載盤(pán)30及第二載盤(pán)40下降到所述第一傳輸裝置80處。所述第一 子傳輸裝置31將所述基板400傳輸?shù)剿龅谝粋鬏斞b置80上，所述第一傳輸裝置80再將 所述基板400傳輸?shù)剿龅谌d盤(pán)60上，所述第三載盤(pán)60下降到所述卸載裝置300處，所 述第三子傳輸裝置61將所述基板400傳輸?shù)剿鲂遁d裝置300上，所述卸載裝置300將所 述基板400傳送出去，進(jìn)行后續(xù)工藝。本發(fā)明提供的鍍膜機(jī)由于包括多個(gè)鍍膜室，所以一次裝載，就可以對(duì)工件進(jìn)行多 次鍍膜，形成多層膜結(jié)構(gòu)，從而提高生產(chǎn)效率?？梢岳斫獾氖?，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做 出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種鍍膜機(jī)，該鍍膜機(jī)包括外殼、多個(gè)鍍膜室、第一載盤(pán)、第二載盤(pán)、第三載盤(pán)、第一驅(qū)動(dòng)裝置及傳輸裝置，所述外殼底部設(shè)置一裝卸口，所述各鍍膜室從上到下依次垂直排列于所述外殼內(nèi)，所述各鍍膜室均包括入料口及出料口，所述各鍍膜室的入料口及出料口的朝向彼此相反，所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)相對(duì)設(shè)置于所述各鍍膜室兩側(cè)，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置與所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)相連接，驅(qū)動(dòng)所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)做升降運(yùn)動(dòng)，且能夠?qū)⑺龅谝惠d盤(pán)及第二載盤(pán)對(duì)應(yīng)鍍膜室的入料口和出料口，所述第三載盤(pán)設(shè)置于所述裝卸口處，且能夠相對(duì)所述裝卸口移動(dòng)，所述傳輸裝置設(shè)置于所述外殼底部，用于在所述第一載盤(pán)、第二載盤(pán)與所述第三載盤(pán)之間進(jìn)行傳輸作業(yè)。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述鍍膜機(jī)還包括第二驅(qū)動(dòng)裝置，所述第 二驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述第三載盤(pán)運(yùn)動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置能夠?qū)⑺龅谝惠d盤(pán) 及第二載盤(pán)同時(shí)對(duì)應(yīng)一個(gè)鍍膜室的入料口和出料口。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)采用一體結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置包括兩個(gè)子驅(qū)動(dòng)裝置， 分別用于驅(qū)動(dòng)所述第一載盤(pán)及第二載盤(pán)。
6.如權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述多個(gè)鍍膜室均包括反應(yīng)室，所述反應(yīng) 室包括噴口，所述噴口處設(shè)置多個(gè)準(zhǔn)直管，所述多個(gè)準(zhǔn)直管用于減小噴口出射的成膜物質(zhì) 的出射角度。
7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述準(zhǔn)直管采用鈦合金制成。
8.如權(quán)利要求6所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述準(zhǔn)直管外側(cè)設(shè)置冷凝系統(tǒng)。
9.如權(quán)利要求6所述的鍍膜機(jī)，其特征在于，所述準(zhǔn)直管加有沿成膜物質(zhì)出射方向的 電場(chǎng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鍍膜機(jī)，其包括外殼、多個(gè)鍍膜室、第一載盤(pán)、第二載盤(pán)、第三載盤(pán)、第一驅(qū)動(dòng)裝置及傳輸裝置，外殼底部設(shè)置一裝卸口，各鍍膜室從上到下依次垂直排列于外殼內(nèi)，各鍍膜室均包括入料口及出料口，各鍍膜室的入料口及出料口的朝向彼此相反，第一載盤(pán)及第二載盤(pán)相對(duì)設(shè)置于各鍍膜室兩側(cè)，第一驅(qū)動(dòng)裝置與第一載盤(pán)及第二載盤(pán)相連接，以驅(qū)動(dòng)第一載盤(pán)及第二載盤(pán)做升降運(yùn)動(dòng)，且能夠?qū)⒌谝惠d盤(pán)及第二載盤(pán)對(duì)應(yīng)鍍膜室的入料口和出料口，第三載盤(pán)設(shè)置于裝卸口處，且能夠相對(duì)裝卸口運(yùn)動(dòng)，傳輸裝置設(shè)置于外殼底部，用于在第一載盤(pán)、第二載盤(pán)與第三載盤(pán)之間進(jìn)行傳輸作業(yè)。本發(fā)明提供的鍍膜機(jī)垂直整合多個(gè)鍍膜室，從而利用垂直空間，提高空間利用率。
文檔編號(hào)C23C16/54GK101942645SQ20091030405
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2009年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月6日
發(fā)明者裴紹凱 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司