磁控濺射鍍膜設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] ITO(氧化銦錫）為n型多晶態(tài)薄膜材料，是目前在平板顯示、觸控等方面應(yīng)用最廣 的透明導(dǎo)電材料。無論是LCD、電阻式觸摸屏還是電容式觸摸屏，目前都大量采用ITO玻璃 作為其透明導(dǎo)電基板。ITO玻璃包括玻璃基板及層疊于玻璃基板上的ITO薄膜。
[0003] 隨著柔性顯示、柔性觸控、曲面顯示、曲面觸控等柔性顯示、觸控等產(chǎn)品越來越多 的，對透明導(dǎo)電基板的柔韌性、可彎曲能力提出新要求。
[0004] 然而，目前ITO玻璃多采用磁控濺射方式生產(chǎn)，受制于生產(chǎn)設(shè)備及生產(chǎn)工藝，ITO 薄膜的內(nèi)應(yīng)力較大、硬度較高，而柔韌性不足，在后續(xù)加工、使用過程中難以避免ITO薄膜 出現(xiàn)斷層、開裂、脫落等現(xiàn)象，因而難以滿足柔性顯示產(chǎn)品的需求。 【實用新型內(nèi)容】
[0005] 基于此，有必要提供一種磁控濺射鍍膜設(shè)備，用于制備柔韌性較高的ITO玻璃。
[0006] 一種磁控濺射鍍膜設(shè)備，包括依次相連的鍍膜腔室、第一過渡室、第二過渡室、緩 沖室和出口鎖定室，所述第一過渡室、第二過渡室、緩沖室和出口鎖定室中均設(shè)置有加熱 器；
[0007] 所述鍍膜腔室的設(shè)定溫度為380°C~600°C，所述第一過渡室的設(shè)定溫度為 300°C~500°C，所述第二過渡室的設(shè)定溫度為250°C~400°C，所述緩沖室的設(shè)定溫度為 100°C~300°C，所述出口鎖定室的設(shè)定溫度為20°C~200°C。
[0008] 在一個實施例中，所述鍍膜腔室的設(shè)定溫度為480°C，所述第一過渡室的設(shè)定溫度 為400°C，所述第二過渡室的設(shè)定溫度為350°C，所述緩沖室的設(shè)定溫度為200°C，所述出口 鎖定室的設(shè)定溫度為20°C。
[0009] 在一個實施例中，所述第一過渡室的長度為0. 9m~3. 6m，所述第二過渡室的長度 為0. 9m~3. 6m，所述緩沖室的長度為0. 9m~3. 6m，所述出口鎖定室的長度為0. 9m~3. 6m。 [0010] 在一個實施例中，所述鍍膜腔室與所述第一過渡室通過第一閥門連接，所述第一 過渡室和所述第二過渡室通過第二閥門連接，所述第二過渡室和所述緩沖室通過第三閥門 連接，所述緩沖室和所述出口鎖定室通過第四閥門連接。
[0011] 在一個實施例中，還包括與所述出口鎖定室連接的加熱室及與所述加熱室相連的 第五冷卻室。
[0012] 在一個實施例中，所述加熱室的設(shè)定溫度為200°C~400°C，所述第五冷卻室的設(shè) 定溫度為50°C~300°C，所述加熱室和所述第五冷卻室內(nèi)的壓強均為大氣壓。
[0013] 上述磁控濺射鍍膜設(shè)備通過設(shè)置依次相連的鍍膜腔室、第一過渡室、第二過渡室、 緩沖室和出口鎖定室，且第一過渡室、第二過渡室、緩沖室和出口鎖定室中均設(shè)置有加熱 器，可以通過加熱器分別控制第一過渡室、第二過渡室、緩沖室和出口鎖定室的溫度，使得 在鍍膜腔室中鍍制ITO薄膜后，鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過第一過渡室、第二過渡 室、緩沖室和出口鎖定室進行逐漸冷卻，以釋放IT0薄膜的內(nèi)應(yīng)力，降低IT0薄膜的硬度，制 備柔韌性較高的IT0玻璃。
【附圖說明】
[0014] 圖1為一實施方式的磁控濺射鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015] 圖2為一實施方式的IT0玻璃的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0016] 為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本 實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分 理解本實用新型。但是本實用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域 技術(shù)人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本實用新型不受下面公 開的具體實施的限制。
[0017] 請參閱圖1，一實施方式的磁控濺射鍍膜設(shè)備100,包括依次相連的鍍膜腔室10、 第一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50。鍍膜腔室10、第一過渡室20、 第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50呈直線式排列。
[0018] 鍍膜腔室10用于進行磁控濺射鍍膜。優(yōu)選地，本實施方式中，鍍膜腔室10包括依 次相連、且呈直線式排列的第一鍍膜室101、第二鍍膜室102、第三鍍膜室103、第四鍍膜室 104、第五鍍膜室105、第六鍍膜室106、第七鍍膜室107、第八鍍膜室108和第九鍍膜室109。 其中，第九鍍膜室109與第一過渡室20相連。
[0019] 設(shè)置九個鍍膜室進行鍍膜，有利于提高膜層均勻性，同時多個腔體鍍膜，可以最小 化均分鍍膜功率，便于避免因鍍膜功率過大引起膜層應(yīng)力過高。第一鍍膜室101、第二鍍 膜室102、第三鍍膜室103、第四鍍膜室104、第五鍍膜室105、第六鍍膜室106、第七鍍膜室 107、第八鍍膜室108和第九鍍膜室109中均設(shè)置有鍍膜加熱器60 (圖1僅標示出一個），用 于控制玻璃基板的溫度。
[0020] 可以理解，第一鍍膜室101、第二鍍膜室102、第三鍍膜室103、第四鍍膜室104、第 五鍍膜室105、第六鍍膜室106、第七鍍膜室107、第八鍍膜室108和第九鍍膜室109均與抽 真空設(shè)備（圖未標）相連，用于對九個鍍膜室進行抽空真空，以進行真空鍍膜。
[0021] 第一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50中均設(shè)置有加熱器70。 設(shè)置加熱器70用于控制第一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50的溫度， 以實現(xiàn)IT0薄膜的緩冷。
[0022] 鍍膜腔室10的設(shè)定溫度為380~600°C。通過加熱器70控制第一過渡室20的設(shè) 定溫度為300°C~500°C、第二過渡室30的設(shè)定溫度為250°C~400°C、緩沖室40的設(shè)定溫 度為100°C~300°C及出口鎖定室50的設(shè)定溫度為20°C~200°C。
[0023] 優(yōu)選地，鍍膜腔室10的設(shè)定溫度為480°C，第一過渡室20的設(shè)定溫度為400°C，第 二過渡室30的設(shè)定溫度為350°C，緩沖室40的設(shè)定溫度為200°C，出口鎖定室50的設(shè)定溫 度為20°C。
[0024] 優(yōu)選地，加熱器70為紅外加熱器，以保證上述四個冷卻室中的溫度均勻性。
[0025] 優(yōu)選地，第一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50均與抽真空設(shè) 備（圖未標）相連，用于控制第一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50的 真空度，以使玻璃基板和ITO薄膜是在設(shè)備內(nèi)部真空環(huán)境進行緩冷，并經(jīng)過各過渡室的門 閥，實現(xiàn)不同設(shè)備真空腔體間真空度的變化，使玻璃由真空環(huán)境逐漸運走至大氣壓環(huán)境，避 免驟然真空度變化而引起的玻璃基板和ITO薄膜破裂。
[0026] 優(yōu)選地，第一過渡室20的長度為0. 9m~3. 6m，第二過渡室30的長度為0. 9m~ 3. 6m，緩沖室40的長度為0? 9m~3. 6m，出口鎖定室50的長度為0? 9m~3. 6m，合理設(shè)置第 一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40及出口鎖定室50的長度，使得鍍好ITO薄膜的玻璃 基板以合適的運行速率在第一過渡室20、第二過渡室30、緩沖室40和出口鎖定室50中運 行合適的時間，以獲得較好的緩冷效果。
[0027] 鍍膜腔室10與第一過渡室20通過第一閥門（圖未標）連接，第一過渡室20和第 二過渡室30通過第二閥門（圖未標）連接，第二過渡室30 (圖未標）和緩沖室40通過第 三閥門（圖未標）連接，緩沖室30和出口鎖定室50通過第四閥門（圖未標）連接。鍍膜 過程中，玻璃固定在基片架上鍍膜。隨著連續(xù)多個基片架運動到不同位置時，第一閥門、第 二閥門、第三閥門和第四閥門處于關(guān)閉或開啟狀態(tài)。當裝載鍍好ITO薄膜的玻璃的基片架 運行到某一冷卻室前時，相應(yīng)的閥門開啟，裝載已鍍好ITO薄膜的玻璃的基片架進入下一 腔體后門閥即關(guān)閉。
[0028] 優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜設(shè)備100還包括控制系統(tǒng)（圖未示），控制系統(tǒng)用于控制玻 璃基板的運行、抽真空設(shè)備的工作、鍍膜、第一閥門、第二閥門、第三閥門和第四閥門的開啟 和關(guān)閉等，以實現(xiàn)自動化作業(yè)，提尚效